一种阵列基板及制作方法、曲面液晶显示面板与流程

本发明属于液晶显示面板制作技术领域，具体地说，尤其涉及一种阵列基板及制作方法、曲面液晶显示面板。

背景技术：

如图1a所示为现有一种传统阵列基板的像素结构示意图，图1b为图1a中局部区域的放大示意图。图1b可知，金属遮光层SM与数据线DL之间通常有2.5～3.0um的距离。该距离对应的区域没有金属遮光，并且也没有ITO电极对液晶分子进行控制，背光开启后将会一直透光。因此，一般在对应该阵列基板的彩膜基板侧设置黑矩阵BM，并用黑矩阵BM对该区域进行遮光，如图1c和1d所示。扫描线也采用类似设计。其中，11表示阵列基板侧基底，12表示金属遮光层SM，13表示绝缘层GI，14表示数据线DL，15表示第一钝化层PV1，16表示色组层，17表示第二钝化层PV2，18表示ITO层，19表示彩膜基板侧基底，191表示彩膜基板侧ITO层，192表示黑色矩阵BM，193表示阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子。

由于彩膜基板和阵列基板对位精度的问题，BM往往做得比较宽，这会牺牲面板的开口率。对于曲面液晶显示面板，因彩膜基板和阵列基板的弯曲程度不一致，彩膜基板上纵向的BM将偏离至阵列基板的像素显示区，引起像素一侧有暗纹，另一侧漏光，所以黑矩阵BM设计不适用于曲面液晶显示面板。

技术实现要素：

为解决以上问题，本发明提供了一种阵列基板及制作方法、曲面液晶显示面板，可以消除数据线两侧的漏光缝隙，还可以免去数据线方向的黑色矩阵。

根据本发明的一个方面，提供了一种阵列基板，包括：

基底；

金属屏蔽层，设置于所述基底上，其包括多条金属屏蔽线；

绝缘层，设置于所述金属屏蔽层和裸露的基底上；

数据线，设置于所述绝缘层上；

第一钝化层，设置于所述数据线及裸露的绝缘层上；

色阻层，设置于所述第一钝化层上；

第二钝化层，设置于所述色阻层上；

ITO层，设置于所述第二钝化层上，用以形成像素电极，

其中，临近所述数据线的金属屏蔽线直接延伸至所述数据线的底部，以与所述数据线重叠。

根据本发明的一个实施例，在临近每条所述数据线的两侧各设置有一条金属屏蔽线，并且均延伸至所述数据线的底部。

根据本发明的一个实施例，临近每条所述数据线两侧的金属屏蔽线还延伸至所述数据线两侧的像素电极的底部。

根据本发明的一个实施例，在临近每条所述数据线的底部设置一条金属屏蔽线，其中，所述金属屏蔽线的宽度大于所述数据线的宽度。

根据本发明的一个实施例，所述金属屏蔽线还延伸至所述数据线两侧的像素电极的底部。

根据本发明的另一个方面，还提供了一种用于制造阵列基板的方法，包括以下步骤：

在基底上沉积金属材料并进行处理以形成包括多条金属屏蔽线的金属屏蔽层，其中，在临近每条预生成数据线的两侧各设置有一条金属屏蔽线，并且均延伸至预生成数据线的底部，以与预生成数据线重叠；

在所述金属屏蔽层和裸露的基底上沉积绝缘材料以形成绝缘层；

在所述绝缘层上沉积金属材料并进行处理以形成数据线，其中，所述数据线与临近的金属屏蔽线重叠；

在所述数据线及裸露的绝缘层上沉积钝化材料以形成第一钝化层；

在所述第一钝化层上沉积色阻材料并进行处理以形成色阻层；

在所述色阻层上沉积钝化材料以形成第二钝化层；

在所述第二钝化层上沉积导电薄膜材料以形成作为像素电极的ITO层。

根据本发明的一个实施例，

将临近每条所述数据线两侧的金属屏蔽线还设置为延伸至所述数据线两侧的像素电极的底部。

根据本发明的另一个方面，还提供了另一种用于制造阵列基板的方法，包括以下步骤：

在基底上沉积金属材料并进行处理以形成包括多条金属屏蔽线的金属屏蔽层，其中，在临近每条预生成数据线的底部设置一条金属屏蔽线，所述金属屏蔽线的宽度大于预生成数据线的宽度以与预生成数据线重叠；

在所述金属屏蔽层和裸露的基底上沉积绝缘材料以形成绝缘层；

在所述绝缘层上沉积金属材料并进行处理以形成数据线，其中，所述数据线与临近的金属屏蔽线重叠；

在所述数据线及裸露的绝缘层上沉积钝化材料以形成第一钝化层；

在所述第一钝化层上沉积色阻材料并进行处理以形成色阻层；

在所述色阻层上沉积钝化材料以形成第二钝化层；

在所述第二钝化层上沉积导电薄膜材料以形成作为像素电极的ITO层。

根据本发明的一个实施例，

将所述金属屏蔽线还设置延伸至所述数据线两侧的像素电极的底部。

根据本发明的再一个方面，还提供了一种曲面液晶显示面板，包括彩膜基板和以上所述的阵列基板，其中，所述彩膜基板上未设置黑色矩阵。

本发明的有益效果：

本发明通过将金属屏蔽层直接延伸至数据线的底部，可以消除数据线两侧的漏光缝隙，使得数据线方向的遮光区由金属屏蔽线的宽度决定，能够提高面板的开口率。本发明还可以免去数据线方向的黑色矩阵，不会因为阵列基板和彩膜基板弯曲程度不一致而导致暗纹，适用于曲面LCD。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的附图做简单的介绍：

图1a是现有一种传统阵列基板的像素结构示意图；

图1b是图1a中局部区域的放大示意图；

图1c是图1a设置黑色矩阵后的像素结构示意图；

图1d是图1c对应的液晶显示面板结构示意图；

图2a是现有传统结构LCD的平面状态示意图；

图2b是对图2a所示LCD弯曲后的结构示意图；

图3是根据本发明的一个实施例的液晶显示面板结构示意图；

图4是对应图3的俯视结构示意图；

图5是根据本发明的另一个实施例的液晶显示面板结构示意图。

具体实施方式

以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。

如图2a所示为现有传统结构LCD的平面状态示意图，当绿色像素G打开，蓝色像素B关闭时，液晶分子LC、金属屏蔽层SM、黑色矩阵BM可以保证无蓝光泄露。但是，当将LCD弯曲时，如图2b所示，当绿色像素G打开，蓝色像素B关闭时，黑色矩阵偏离，导致绿色开口区被遮挡，蓝色开口区漏光。这样，就会导致出现暗纹、偏色、串扰等问题。

因此，本发明提供了一种阵列基板，用以解决曲面LCD出现的暗纹、偏色、串扰等问题。

该阵列基板包括：基底；金属屏蔽层，设置于基底上，包括多条金属屏蔽线；绝缘层，设置于金属屏蔽层和裸露的基底上；数据线，设置于绝缘层上；第一钝化层，设置于数据线及裸露的绝缘层上；色阻层，设置于第一钝化层上；第二钝化层，设置于色阻层上；ITO层，设置于第二钝化层上，其中，临近数据线的金属屏蔽线直接延伸至数据线的底部，以与数据线重叠。

在本发明中，将临近数据线的金属屏蔽线直接延伸至数据线的底部，以与数据线重叠，这样就可以消除金属屏蔽线与数据线之间的缝隙。由于该缝隙由金属屏蔽线遮挡来进行遮光，可以避免从该处缝隙漏光。

根据本发明的一个实施例，在临近每条数据线的两侧各设置有一条金属屏蔽线，并且均延伸至数据线的底部。如图3所示为根据本发明的一个实施例的液晶显示面板的剖面结构示意图，图4为对应图3的俯视结构示意图。如图3所示，该液晶显示面板的阵列基板部分包括设置于基底31上的金属屏蔽层32，金属屏蔽层32包括多条金属屏蔽线；设置于金属屏蔽层和裸露的基底上的绝缘层33；设置于绝缘层33上的数据线34；设置于数据线34及裸露的绝缘层33上的第一钝化层35；设置于第一钝化层35上的色阻层36；设置于色阻层36上的第二钝化层37；设置于第二钝化层37上的ITO层38。其中，在临近每条数据线34的两侧各设置有一条金属屏蔽线，并且均延伸至数据线34的底部。这样，数据线34两侧的缝隙就各被一条金属屏蔽线SM消除，从而避免通过数据线34两侧的缝隙漏光。

根据本发明的一个实施例，临近每条数据线两侧的金属屏蔽线还延伸至数据线两侧的像素电极的底部，如图3所示。这样，像素部分可以通过ITO电压控制液晶分子来实现透光控制，数据线区域及两侧漏光缝隙可通过金属屏蔽线及数据线进行遮光。这样，就可以将金属屏蔽线与金属材料制成的数据线配合，作为黑色矩阵使用，避免不同颜色像素之间的干扰，就不必额外设置黑色矩阵，可以减少工艺制程。优选的，将每条数据线与其两侧的金属屏蔽线非重叠部分的宽度之和设置为等于黑色矩阵的宽度。

如图3所示，该阵列基板对应的彩膜基板只需要在基底39上设置ITO层391，不需要设置黑色矩阵。然后在这两个基板之间灌注液晶分子392即可。

根据本发明的一个实施例，在临近每条数据线的底部设置一条金属屏蔽线，其中，金属屏蔽线的宽度大于数据线的宽度。如图5所示为根据本发明的一个实施例的液晶显示面板的剖面结构示意图。如图5所示，该液晶显示面板的阵列基板部分包括设置于基底51上的金属屏蔽层52，金属屏蔽层52包括多条金属屏蔽线SM；设置于金属屏蔽层和裸露的基底上的绝缘层53；设置于绝缘层53上的数据线54；设置于数据线54及裸露的绝缘层53上的第一钝化层55；设置于第一钝化层55上的色阻层56；设置于色阻层56上的第二钝化层57；设置于第二钝化层57上的ITO层58。其中，在临近每条数据线54的底部设置一条金属屏蔽线SM，其中，金属屏蔽线SM的宽度大于数据线54的宽度。这样，数据线34两侧的缝隙就被一条宽度大于其自身的金属屏蔽线SM消除，从而避免通过数据线54两侧的缝隙漏光。

根据本发明的一个实施例，金属屏蔽线还延伸至数据线两侧的像素电极的底部，如图5所示。这样，这样，像素部分可以通过ITO电压控制液晶分子来实现透光控制，数据线区域及两侧漏光缝隙可通过金属屏蔽线进行遮光。该金属屏蔽线可作为黑色矩阵使用，避免不同颜色像素之间的干扰，就不必额外设置黑色矩阵，可以减少工艺制程。优选的，将金属屏蔽线的宽度设置为等于黑色矩阵的宽度。

如图5所示，该阵列基板对应的彩膜基板只需要在基底59上设置ITO层591，不需要设置黑色矩阵。然后在这两个基板之间灌注液晶分子592即可。

本发明通过将金属屏蔽层直接延伸至数据线的底部，可以消除数据线两侧的漏光缝隙，使得数据线方向的遮光区由金属屏蔽线的宽度决定，能够提高面板的开口率。本发明还可以免去数据线方向的黑色矩阵，不会因为阵列基板和彩膜基板弯曲程度不一致而导致暗纹，适用于曲面LCD。

根据本发明的另一个方面，还提供了一种用于制造阵列基板的方法，包括以下步骤，其对应的阵列基板如图3所示。

首先，在基底31上沉积金属材料并进行处理以形成包括多条金属屏蔽线的金属屏蔽层32，其中，在临近每条预生成数据线的两侧各设置有一条金属屏蔽线SM，并且均延伸至预生成数据线的底部，以与预生成数据线重叠。

然后，在金属屏蔽层32和裸露的基底31上沉积绝缘材料以形成绝缘层33。

然后，在绝缘层33上沉积金属材料并进行处理以形成数据线34，其中，数据线34与临近的金属屏蔽线重叠，将每条数据线34与其两侧的金属屏蔽线非重叠部分的宽度之和设置为等于黑色矩阵的宽度。

然后，在数据线34及裸露的绝缘层33上沉积钝化材料以形成第一钝化层35。

然后，在第一钝化层35上沉积色阻材料并进行处理以形成色阻层36。

然后，在色阻层36上沉积钝化材料以形成第二钝化层37。

最后，在第二钝化层37上沉积导电薄膜材料以形成ITO层38。

根据本发明的另一个方面，还提供了另一种用于制造阵列基板的方法，包括以下步骤，其对应的阵列基板如图5所示。

首先，在基底51上沉积金属材料并进行处理以形成包括多条金属屏蔽线的金属屏蔽层52，其中，在临近每条预生成数据线的底部设置一条金属屏蔽线SM，金属屏蔽线的宽度大于预生成数据线的宽度，以与预生成数据线重叠。

然后，在金属屏蔽层52和裸露的基底51上沉积绝缘材料以形成绝缘层53。

然后，在绝缘层53上沉积金属材料并进行处理以形成数据线54，其中，数据线54与临近的金属屏蔽线SM重叠，该金属屏蔽线SM的宽度等于黑色矩阵的宽度。

然后，在数据线54及裸露的绝缘层53上沉积钝化材料以形成第一钝化层55。

然后，在第一钝化层55上沉积色阻材料并进行处理以形成色阻层56。

然后，在色阻层56上沉积钝化材料以形成第二钝化层57；

最后，在第二钝化层57上沉积导电薄膜材料以形成ITO层。

根据本发明的再一个方面，还提供了一种曲面液晶显示面板，包括彩膜基板和以上所述的阵列基板，其中，彩膜基板上未设置黑色矩阵。这样，由于免去数据线方向的彩膜基板上设置的黑色矩阵，就不会因为阵列基板和彩膜基板弯曲程度不一致而导致暗纹，适用于曲面LCD。

虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。