液晶显示设备的制作方法

相关申请的引证

本申请要求于2016年1月15日提交的韩国专利申请第10-2016-0005168号的优先权及从中衍生的所有权益，通过引证将其内容全部结合于此。

本发明的示例性实施方式涉及液晶显示(“lcd”)设备及其制造方法。

背景技术：

由于液晶显示(“lcd”)设备的优异特性，诸如重量轻、薄以及功耗低，其已被广泛用作各种尺寸的显示设备，例如，供作为智能电话、用于笔记本电脑的监视器或电视机(“tv”)使用。

lcd设备向介于两个基板之间的液晶层施加电场，并且通过调整电场强度以调整穿过液晶层透射的光的量来显示期望图像。

lcd设备根据其驱动方法可被分类成水平场型lcd设备和垂直场型lcd设备。水平场型lcd设备通过在水平方向上控制液晶分子的运动来控制光的透射，以及垂直场型lcd设备通过在垂直方向上控制液晶分子的运动来控制光的透射。

技术实现要素：

在液晶显示(“lcd”)设备的制备期间，离子杂质会设置在液晶层中。离子杂质会影响对液晶层施加的电场的强度的控制。离子杂质可累积在lcd设备的特定区域中，并且结果，该特定区域中的像素会显得比lcd设备的其余区域中的其他像素更亮。因此，期望最小化lcd设备的区域之间的亮度差异的设计。

本发明的示例性实施方式提供一种lcd设备，该lcd设备最小化其亮度的区域差异。

本发明的示例性实施方式还提供一种lcd设备的制造方法，该lcd设备最小化其亮度的区域差异。

然而，本发明的示例性实施方式不局限于本文阐述的那些。对本发明所属领域的普通技术人员而言，通过参照以下给出的本发明的详细说明，本发明的以上和其他示例性实施方式将变得更加显然。

根据本发明的示例性实施方式，一种lcd设备包括：基板，该基板包括其中多个显示像素在行方向和列方向上排列的显示区域、邻近于显示区域的沿行方向的第一侧的第一虚拟区域以及邻近于显示区域的沿行方向的第二侧的第二虚拟区域；像素电极，布置在基板上，该像素电极包括分别布置在多个显示像素中的多个显示像素电极、在列方向上布置在第一虚拟区域中的多个第一虚拟像素电极以及在列方向上布置在第二虚拟区域中的多个第二虚拟像素电极；以及配向层，布置在像素电极上，其中，配向层的平均厚度在第一虚拟区域和第二虚拟区域中比在显示区域中更大。

在示例性实施方式中，lcd设备也可包括：多条数据线，布置在基板上以在列方向上延伸并且连接至多个显示像素电极中的多个行；第一虚拟数据线，布置在基板上以在列方向上延伸并且连接至多个第一虚拟像素电极中的多个行；以及第二虚拟数据线，布置在基板上以在列方向上延伸并且连接至多个第二虚拟像素电极中的多个行。

在示例性实施方式中，第一虚拟数据线可连接至被布置在显示区域的第一最外侧上的数据线，并且第二虚拟数据线可连接至被布置在显示区域的第二最外侧上的数据线。

在示例性实施方式中，多个第一虚拟像素电极中的多个行的数目和多个第二虚拟像素电极中的多个行的数目可与多个显示像素电极中的多个行的数目相同。

在示例性实施方式中，多个第一虚拟像素电极中的每一个可包括第一分支电极至第三分支电极，该第一分支电极至第三分支电极相对于列方向以大约45°或更小的角度延伸，连续地(inseries)布置在行方向上并且彼此平行。从第一分支电极到显示区域的距离可大于从第二分支电极到显示区域的距离，并且从第二分支电极到显示区域的距离可大于从第三分支电极到显示区域的距离。从第一分支电极的顶表面到配向层的与第一分支电极重叠的部分的顶表面的距离可大于从第二分支电极的顶表面到配向层的与第二分支电极重叠的部分的顶表面的距离，并且从第二分支电极的顶表面到配向层的与第二分支电极重叠的部分的顶表面的距离可大于从第三分支电极的顶表面到配向层的与第三分支电极重叠的部分的顶表面的距离。

在示例性实施方式中，配向层的与邻近于第一虚拟区域或第二虚拟区域的显示像素的列重叠的部分的平均厚度可大于配向层的与不邻近于第一虚拟区域或第二虚拟区域的多个显示像素的列重叠的部分的平均厚度。

在示例性实施方式中，相同极性的电压可被提供至多个第一虚拟像素电极，并且相同极性的电压可被提供至多个第二虚拟像素电极。

在示例性实施方式中，配向层的平均厚度在第一虚拟区域和第二虚拟区域中可为约到约并且在显示区域中可为约到大约

在示例性实施方式中，配向层可在与显示区域的中间的多个显示像素的列重叠的区域中具有最小厚度。

在示例性实施方式中，lcd设备也可包括布置在配向层上的液晶层，其中，在液晶层中生成的电场的平均强度在第一虚拟区域和第二虚拟区域中比在显示区域中更弱。

在示例性实施方式中，lcd设备也可包括布置在配向层上的遮光构件，其中，遮光构件与第一虚拟区域和第二虚拟区域重叠。

根据本发明的另一示例性实施方式，一种lcd设备包括：基板，该基板包括其中多个显示像素在行方向和列方向上排列的显示区域、邻近于显示区域的沿行方向的第一侧的第一虚拟区域以及邻近于显示区域的沿行方向的第二侧的第二虚拟区域；共用电极，布置在基板上；像素绝缘层，布置在共用电极上；以及像素电极，布置在像素绝缘层上，其中，像素绝缘层的平均厚度在第一虚拟区域和第二虚拟区域中比在显示区域中更大。

在示例性实施方式中，lcd设备也可包括：多条数据线、多条第一虚拟数据线以及多条第二虚拟数据线，它们布置在基板上以在列方向上延伸，其中，像素电极包括分别布置在多个显示像素中的多个显示像素电极、在列方向上布置在第一虚拟区域中的多个第一虚拟像素电极以及在列方向上布置在第二虚拟区域中的多个第二虚拟像素电极，数据线连接至多个显示像素电极中的多个行，第一虚拟数据线连接至多个第一虚拟像素电极中的多个行，并且第二虚拟数据线连接至多个第二虚拟像素电极中的多个行。

在示例性实施方式中，第一虚拟数据线可连接至被布置在显示区域的第一最外侧上的数据线，并且第二虚拟数据线可连接至被布置在显示区域的第二最外侧上的数据线。

在示例性实施方式中，像素绝缘层可包括第一子像素绝缘层和第二子像素绝缘层。第一子像素绝缘层可布置在显示区域、第一虚拟区域和第二虚拟区域中，并且遍及显示区域、第一虚拟区域和第二虚拟区域可具有均匀厚度，并且第二子像素绝缘层可布置在第一虚拟区域和第二虚拟区域中。

根据本发明的另一示例性实施方式，一种lcd设备包括：基板，该基板包括其中多个显示像素在行方向和列方向上排列的显示区域、邻近于显示区域的沿行方向的第一侧的第一虚拟区域以及邻近于显示区域的沿行方向的第二侧的第二虚拟区域；以及像素电极，布置在基板上，该像素电极包括分别布置在显示像素中的多个显示像素电极、在列方向上布置在第一虚拟区域中的多个第一虚拟像素电极以及在列方向上布置在第二虚拟区域中的多个第二虚拟像素电极，其中，多个显示像素电极、多个第一虚拟像素电极以及多个第二虚拟像素电极中的每一个包括在列方向上延伸的多个分支电极，并且分支电极的沿行方向的横向长度在多个第一虚拟像素电极和多个第二虚拟像素电极中比在多个显示像素电极更小。

在示例性实施方式中，在列方向上延伸的多个狭缝可被限定在多个显示像素电极、多个第一虚拟像素电极以及多个第二虚拟像素电极中的每一个中，并且狭缝的沿行方向的横向长度在多个第一虚拟像素电极和多个第二虚拟像素电极中可比在多个显示像素电极中更大。

在示例性实施方式中，lcd设备也可包括：多条数据线，布置在基板上以在列方向上延伸并且连接至多个显示像素电极中的多个行；第一虚拟数据线，布置在基板上以在列方向上延伸并且连接至多个第一虚拟像素电极中的多个行；以及第二虚拟数据线，布置在基板上以在列方向上延伸并且连接至多个第二虚拟像素电极中的多个行，其中，第一虚拟数据线连接至被布置在显示区域的第一最外侧上的数据线，并且第二虚拟数据线连接至被布置在显示区域的第二最外侧上的数据线。

根据本发明的另一示例性实施方式，一种制造lcd设备的方法包括：制备基板，该基板包括其中多个显示像素在行方向和列方向上排列的显示区域、邻近于显示区域的沿行方向的第一侧的第一虚拟区域以及邻近于显示区域的沿行方向的第二侧的第二虚拟区域；在基板上形成像素电极；以及在像素电极上形成配向层，使得配向层在第一虚拟区域和第二虚拟区域中比在显示区域中更厚。

在示例性实施方式中，形成配向层可包括：在像素电极上涂布(applying)配向材料、干燥配向材料、向配向材料施加紫外(“uv”)光以及对配向材料执行热处理，并且涂布配向材料可包括：在第一虚拟区域和第二虚拟区域上比在显示区域上涂布更多量的配向材料。

根据示例性实施方式，可提供一种lcd设备，该lcd设备最小化其亮度的区域差异。

此外，可提供一种lcd设备的制造方法，该lcd设备最小化其亮度的区域差异。

从以下具体实施方式、附图和权利要求书中，其他特征和示例性实施方式将是明显的。

附图说明

通过参考附图，以本公开的进一步详述的示例性实施方式进行描述，本公开的以上和其他示例性实施方式、优点和特征将变得更加明显，其中：

图1是根据本发明的液晶显示(“lcd”)设备的示例性实施方式的框图。

图2是图1的lcd设备的像素的等效电路图。

图3是图2的区域a中的像素处于特定帧中的等效电路图。

图4是图3的像素处于特定帧的后续帧中的等效电路图。

图5是图2的区域a中的像素的平面图。

图6是沿着图5的线i-i’截取的截面图。

图7是沿着图5的线ii-ii’、iii-iii’以及iv-iv’截取的截面图。

图8是示出根据本发明的形成第一配向层的示例性实施方式的方法的流程图。

图9是用于说明如在图8的方法中执行的配向材料在阵列基板上的涂布的lcd设备的透视图。

图10是用于说明如在图8的方法中执行的初步热处理的执行的lcd设备的透视图。

图11是用于说明如在图8的方法中执行的紫外(“uv”)光的施加的lcd设备的透视图。

图12是用于说明如在图8的方法中执行的热处理的执行的lcd设备的透视图。

图13是沿着图5的线ii-ii’、iii-iii’以及iv-iv’截取的根据本发明的另一示例性实施方式的lcd设备的截面图。

图14是示出根据本发明的形成第二子像素绝缘层的示例性实施方式的方法的流程图。

图15是用于说明如在图14的方法中执行的无机绝缘材料在阵列基板上的沉积的lcd设备的截面图。

图16是用于说明如在图14的方法中执行的曝光的执行的lcd设备的截面图。

图17是从如在图14的方法中执行的蚀刻处理获得的lcd设备的截面图。

图18是从如在图14的方法中执行的第二子像素绝缘层的形成获得的lcd设备的截面图。

图19是根据本发明的lcd设备的图2的区域a中的像素的另一示例性实施方式的平面图。

图20是沿着图19的线v-v’、vi-vi’以及vii-vii’截取的截面图。

具体实施方式

通过参照示例性实施方式的以下详细描述和附图，本发明的优势和特征和实现本发明的方法可被更容易地理解。然而，本发明可以以多种不同形式体现，且不应被解释为局限于本文所阐述的实施方式。而是，提供这些实施方式以使得本发明更详尽和完整，并且将本发明的构思充分地传达给本领域的技术人员，并且本发明将仅由所附权利要求限定。贯穿本说明书，相同的参考标号指相同的元件。

用于指定元件在另一元件上或者位于不同层或一层上的术语“在…上”，包括其中元件直接位于另一元件或层上的情况以及其中元件经由另一层或又一元件而位于另一元件上的情况两者。在本发明的整个说明书中，跨越各个图，相同附图参考标号被用于相同元件。

尽管术语“第一、第二等”用于描述不同的组成元件，但这些组成元件不受术语的限制。术语仅用于将组成元件与其它组成元件区分开。因此，在以下描述中，第一组成元件可以是第二组成元件。

在本文中使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的，并非旨在限制。除非内容另有明确说明，否则如在本文中所使用的，单数形式“一(a)”、“一个(an)”和“该(the)”旨在包括复数形式，包括“至少一个”。“或者”是指“和/或”。如在本文中所使用的，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多个的任何和所有组合。将进一步理解的是，术语“包括(comprises)”和/或“包含(comprising)”、或“含有(includes)”和/或“含(including)”在用于本说明书中时，指定存在所述及的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或者附加一个或多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。

而且，诸如“下部”或“底部”以及“上部”或“顶部”的相对术语可被用在本文中以描述如图中所示出的一个元件与另一个元件的关系。将理解的是，相对术语旨在涵盖设备的除了图中描绘的取向之外的不同取向。在示例性实施方式中，当将图中之一中的设备翻转时，则被描述为在其他元件的“下部”侧的元件将被定向在其他元件的“上部”侧。因此示例性术语“下部”能够涵盖取决于图中的特定取向的“下部”和“上部”两个取向。类似地，当将图中之一中的设备翻转时，则被描述为在其他元件的“下方”或“之下”的元件将被定向在其他元件的“上方”。因此，示例性术语“在…下方”或“在…之下”能够涵盖在…上方和在…下方两个取向。

考虑到讨论中的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的制约)，如本文使用的“约”或“近似”包括在如由本领域普通技术人员确定的特定值的偏差的可接受范围内的所述值和平均值。例如，“约”能够表示在一个或多个标准偏差内，或者在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。

除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与由本发明所属的领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解的是，术语，诸如在常用词典中定义的那些，应当被解释为具有与它们在相关领域和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且除非本文中明确进行如此限定，否则将不被解释为理想的或过于刻板的意义。

本文参照作为理想化的实施方式的示意图的截面图来描述示例性实施方式。因而，预期由于例如制造技术和/或公差引起的图面的形状的变化。因此，本文所描述的实施方式不应当被解释为限于如本文所示的区域的特定形状，而是包括因例如制造等产生的形状偏差。在示例性实施方式中，被示出或描述为平坦的区域通常具有粗糙和/或非线性的特征。此外，示出的尖角可以是圆的。因此，图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状并不旨在示出区域的精确形状，并且不旨在限制权利要求的范围

在下文中，将参照附图描述本发明的示例性实施方式。

图1是根据本发明的示例性实施方式的液晶显示(“lcd”)设备的框图，并且图2是图1的lcd设备的像素的等效电路图。

参考图1和图2，根据示例性实施方式的lcd设备包括：栅极驱动器110、数据驱动器120、信号控制器130以及显示面板140。

显示面板140包括多个显示像素px、多个第一虚拟像素dpx1以及多个第二虚拟像素dpx2。显示像素px可以是在向用户显示的图像的灰度级方面单独地可被控制的最小单元。第一虚拟像素dpx1和第二虚拟像素dpx2也可以是在向用户显示的图像的灰度级方面单独地可被控制的最小单元，但是不同于显示像素px，第一虚拟像素dpx1和第二虚拟像素dpx2可被随后将描述的遮光构件540隐藏不见。

显示像素px可排列为n行和m列的矩阵，其中，n和m是自然数，并且可布置在显示面板140的中间的显示区域aa中。第一虚拟像素dpx1可布置在第一虚拟区域da_1中，该第一虚拟区域da_1在行方向上与显示区域aa的沿行方向的一侧相邻。第二虚拟像素dpx2可布置在第二虚拟区域da_2中，该第二虚拟区域da_2与显示区域aa的沿行方向的另一侧相邻。

即，如图1所示，第一虚拟区域da_1可邻近于显示区域aa的左侧，并且第二虚拟区域da_2可邻近于显示区域aa的右侧。

第一虚拟像素dpx1可沿着列方向连续地(inseries)布置在第一虚拟区域da_1中。第二虚拟像素dpx2可沿着列方向连续地布置在第二虚拟区域da_2中。一个第一虚拟像素dpx1和一个第二虚拟像素dpx2可被设置用于显示区域aa中的每行显示像素px，并且显示像素px、第一虚拟像素dpx1以及第二虚拟像素dpx2可作为一个整体排列成矩阵形式。即，第一虚拟像素dpx1的行数和第二虚拟像素dpx2的行数可与显示像素px的行数相同。

然而，第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2的排列不限于本文阐述的那些。即，在可替换示例性实施方式中，第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2可分别邻近于显示区域aa的沿列方向的两侧或者可沿着列方向和行方向两者连续地布置。

在下文中，行方向将被称为第一方向dr1，并且如图2所示，可对应于由其上布置有显示面板140的平面的从左到右的任意直线指示的方向。在下文中，列方向将被称为第二方向dr2，并且如图2所示，可对应于由其上布置有显示面板140的平面的从顶部到底部的任意直线指示的方向。

显示面板140可包括在第一方向dr1上延伸的多条栅极线g1至gn以及在第二方向dr2上延伸的多条数据线d1至dm。

栅极线g1至gn从栅极驱动器110接收栅极信号，并且数据线d1至dm从数据驱动器120接收数据信号。显示像素px可布置在栅极线g1至gn与数据线d1至dm之间的交叉处。

为了实现彩色显示，显示像素px中的每一个可唯一地显示多种原色中的一个。原色的实例包括例如红色、绿色和蓝色。显示像素px中的一些可显示白色。显示红色的显示像素px在下文中将被称为红色像素，显示绿色的显示像素px在下文中将被称为绿色像素，显示蓝色的显示像素px在下文中将被称为蓝色像素，并且显示白色的显示像素px在下文中将被称为白色像素。通过一起控制红色像素、绿色像素、蓝色像素以及白色像素的亮度(brightness)，可显示除了红色、绿色和蓝色以外的任意颜色。然而，本发明不限于此，并且显示像素px可显示各种其他颜色。

红色像素、绿色像素以及蓝色像素可交替排列在第一方向dr1上，但是本发明不限于此。即，红色像素、绿色像素和蓝色像素也可交替排列在第二方向dr2上。像素px可以以除了本文阐述的那些方式以外的各种方式进行排列。

信号控制器130从外部源接收各种信号并且控制栅极驱动器110和数据驱动器120。更具体地，信号控制器130可从外部源接收第一图像数据data1和用于控制第一图像数据data1的显示的输入控制信号cont1，并且可输出栅极驱动器控制信号cont3、数据驱动器控制信号cont2以及第二图像数据data2。

第一图像数据data1可包括显示像素px中的每一个的亮度(luminance)信息。在示例性实施方式中，亮度信息可具有预定数量的灰度级，例如1024(＝2¹⁰)、256(＝2⁸)或64(＝2⁶)个灰度级，但是本发明不限于此。第一图像数据data1可以以帧为单位进行划分。

传输至信号控制器130的输入控制信号cont1可包括例如，垂直同步信号、水平同步信号、主时钟以及数据使能信号，但是本发明不限于此。即，除本文阐述的那些信号以外的其他信号也可输入至信号控制器130。

栅极驱动器控制信号cont3可以是用于控制栅极驱动器110的操作的信号，并且可由信号控制器130生成。栅极驱动器控制信号cont3可包括但不限于扫描起始信号和时钟信号，但是也可包括其他信号。栅极驱动器110可根据栅极驱动器控制信号cont3生成可激活显示像素px的栅极信号，并且可向栅极线g1至gn提供该栅极信号。

数据驱动器控制信号cont2可以是用于控制数据驱动器120的操作的信号，并且可由信号控制器130生成。数据驱动器120可根据数据驱动器控制信号cont2生成数据信号，并且可将数据信号传输至数据线d1至dm。

在下文中将参考图3和图4描述根据示例性实施方式的lcd设备的驱动。

图3是图2的区域a中的像素在特定帧中的等效电路图，并且图4是区域a中的像素在特定帧的后续帧中的等效电路图。

参考图3和图4，在相同列中的一对相邻显示像素px可连接至不同数据线，并且可从不同数据线接收数据信号。即，在显示像素px的阵列的第一行和第一列中的显示像素px11可连接至第一数据线d1，在显示像素px的阵列的第二行和第一列中的显示像素px21可连接至第二数据线d2，在显示像素px的阵列的第三行和第一列中的显示像素px31可连接至第一数据线d1，并且在显示像素px的阵列的第四行和第一列中的显示像素(未示出)可连接至第二数据线d2。在每一列中，一些显示像素px可连接至它们左侧上的数据线，并且其他显示像素px可连接至它们右侧上的数据线，并且连接至它们左侧上的数据线的显示像素px与连接至它们右侧上的数据线的显示像素px可交替出现在对应列中。

类似地，在显示像素px的阵列的第一行和第二列中的显示像素px12可连接至第二数据线d2，在显示像素px的阵列的第二行和第二列中的显示像素px22可连接至第三数据线d3，在显示像素px的阵列的第三行和第二列中的显示像素px32可连接至第二数据线d2，并且在显示像素px的阵列的第四行和第二列中的显示像素(未示出)可连接至第三数据线d3。另外，在显示像素px的阵列的第一行和第三列中的显示像素px13可连接至第三数据线d3，在显示像素px的阵列的第二行和第三列中的显示像素px23可连接至第四数据线d4，在显示像素px的阵列的第三行和第三列中的显示像素px33可连接至第三数据线d3，并且在显示像素px的阵列的第四行和第三列中的显示像素(未示出)可连接至第四数据线d4。

由于显示像素px的上述排列，所以可执行有效极性反转。更具体地，根据示例性实施方式的lcd设备可使用极性反转驱动方法，在该极性反转驱动方法中，施加至显示像素px的信号的电压周期性地反转以防止例如串扰和闪烁噪声的出现。在极性反转驱动方法中，显示像素px在具有正极性(+)或负极性(-)时显示图像。

正极性(+)表示输入至显示像素px或者第一虚拟像素dpx1和第二虚拟像素dpx2的数据信号的电压高于共用信号的电压。负极性(-)表示输入至显示像素px或者第一虚拟像素dpx1和第二虚拟像素dpx2的数据信号的电压低于共用信号的电压。即，正极性(+)或负极性(-)不一定意味着提供高于0v或低于0v的电压。而是，可基于输入至显示像素px、第一虚拟像素dpx1或第二虚拟像素dpx2的数据信号的电压与共用信号的电压之间的相对差来确定正极性(+)和负极性(-)。

极性反转驱动方法的实例包括：列反转驱动方法，在该列反转驱动方法中，显示像素px中的每一列具有相同极性，显示像素px的两个相邻列具有不同极性，并且显示像素px的极性以帧为单位进行反转；以及点反转驱动方法，在该点反转驱动方法中，相邻显示像素px全部具有不同极性。列反转驱动方法相对易于实现，但是可能无法适当防止串扰和闪烁噪声。点反转驱动方法相对难以实现，但是可有效防止串扰和闪烁噪声。

当使用如图3和图4所示的显示像素px与数据线d1至dm之间的连接时，数据信号可以以与列反转驱动方法相同的方式输入至数据线d1至dm，并且同时可获得点反转驱动方法的益处。

更具体地，在一个帧中，具有正极性(+)的数据信号可被提供至第一数据线d1，具有负极性(-)的数据信号可被提供至第二数据线d2，具有正极性(+)的数据信号可被提供至第三数据线d3，并且具有负极性(-)的数据信号可被提供至第四数据线d4。

通过简单地调整输入至第一数据线d1至第四数据线d4的数据信号的电压，可允许显示像素px11、px13、px22、px31以及px33在任意帧中具有正极性(+)，可允许显示像素px12、px21、px23以及px32在任意帧中具有负极性(-)，可允许显示像素px11、px13、px22、px31以及px33在任意帧的后续帧中具有负极性(-)，并且可允许显示像素px12、px21、px23以及px32在任意帧的后续帧中具有正极性(+)。

即，通过调整施加至数据线d1至dm的数据信号的电压，可允许在第一方向dr1或第二方向dr2上的每一对相邻显示像素px具有不同极性，并且因此，可获得点反转驱动的益处。

第一虚拟区域da_1(参考图2)和第二虚拟区域da_2(参考图2)布置在显示区域aa(参考图2)的外部。在第一虚拟区域da_1中，第一虚拟像素dpx1(参考图2)连续地布置在第二方向dr2上，并且在第二虚拟区域da_2中，第二虚拟像素dpx2(参考图2)连续地布置在第二方向dr2上。虚拟像素dpx(参考图2)可允许显示像素px的极性反转驱动得以适当地执行。

更具体地，显示像素px不布置在连接至显示像素px11和px31的第一数据线d1的左侧上，并且显示像素px11和px31布置在第一数据线d1的右侧上。因此，连接至第一数据线d1的显示像素px的数目可不同于连接至第二数据线d2至第四数据线d4中的每一条的显示像素px的数目，并且因此，第一数据线d1会表现出与第二数据线d2至第四数据线d4不同的操作性能。

因此，通过在第一数据线d1的左侧上布置第一虚拟像素dpx1(即，在第一虚拟像素dpx的阵列的第一行和第一列中的第一虚拟像素dpx1_11)，可允许第一数据线d1至第四数据线d4表现出相同的操作性能。另外，通过不仅在第一虚拟像素dpx的阵列的第二行和第一列中额外地布置第一虚拟像素dpx1_21，而且在第一虚拟像素dpx的阵列的第一行和第一列中额外地布置第一虚拟像素dpx1_11并且在第一虚拟像素dpx的阵列的第三行和第一列中额外地布置第一虚拟像素dpx1_31，可允许显示像素px和第一虚拟像素dpx1作为一个整体一起形成矩阵。结果，在显示区域aa中显示的图像的显示质量会变得一致。

向第一虚拟像素dpx1_11至dpx1_31提供数据信号的第一虚拟数据线dml1可连接至第一数据线d1，并且因此可从第一数据线d1接收数据信号。由于其中向用户显示图像的区域是显示区域aa并且第一虚拟区域da_1被遮光构件540覆盖，并且因此第一虚拟区域da_1对用户隐藏不见，而不管其具有什么样的灰度级，所以可不通过额外数据线向第一虚拟像素dpx1提供数据信号。

第一虚拟区域da_1和第一虚拟像素dpx1的上述描述直接可适用于第二虚拟区域da_2和第二虚拟像素dpx2。

由于第一虚拟像素dpx1和第二虚拟像素dpx2的排列以及显示像素px的极性反转驱动，显示区域aa的第一列中的显示像素px可显得比它们应该具有的亮度更亮。这是因为在随后将描述的液晶层400中残存的离子杂质累积在虚拟区域da中以及显示区域aa的外部上，在该外部处布置有虚拟区域da。

更具体地，在根据示例性实施方式的lcd设备的制备期间可提供的离子杂质可残存在液晶层400中。离子杂质可使数据信号的电压与共用信号的电压之间的差值失真，并且因此可使虚拟像素dpx或显示像素px具有比它们应该具有的灰度级更高的灰度级。离子杂质通常均匀分布在显示区域aa中，并且因此，在显示区域aa中不是太大问题。然而，在第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2中，离子杂质可集中地累积并因此会引起问题。

例如，具有负极性(-)的离子杂质可存在于其中布置有显示像素px22的区域中。在这种情况下，显示像素px12、px21、px23以及px32全部具有负极性(-)，并且因此，具有负极性(-)的离子杂质不会移动很多。

当具有负极性(-)的离子杂质存在于其中布置有显示像素px11的区域中时，即使邻近于显示像素px11的显示像素，即显示像素px12和px21都具有负极性(-)，但因为邻近于显示像素px11的第一虚拟像素dpx，即第一虚拟像素dpx1_11具有正极性(+)，所以离子杂质可移动至其中布置有第一虚拟像素dpx1_11的区域。

随着上述过程继续，离子杂质不仅会累积在第一虚拟区域da_1中，而且会累积在显示区域aa的邻近于第一虚拟区域da_1的外部上。因此，即使第一虚拟区域da_1被遮光构件540覆盖并且由此对用户隐藏不见，但是由于离子杂质累积在显示区域aa的邻近于第一虚拟区域da_1的外部上，显示区域aa的左侧上的显示像素px也会显得比显示区域aa的中间的显示像素px更亮，并且该现象也会出现在显示区域aa的邻近于第二虚拟区域da_2的右侧上。

可通过第一配向层320的结构来最小化该现象，这将在下文中参考图5至图7来进行描述。

图5是图2的区域a中的像素的平面图，图6是沿着图5的线i-i’截取的截面图，并且图7是沿着图5的线ii-ii’、iii-iii’以及iv-iv’截取的截面图。

参考图5至图7，显示面板140(参考图1)包括阵列基板200、相对基板500以及液晶层400。

阵列基板200是在其上布置有用于控制液晶层400中的液晶分子的晶体管tr的基板，并且相对基板500是面向阵列基板200的基板。

在下文中将描述阵列基板200。

阵列基板200包括第一基底基板210。第一基底基板210可以是透明绝缘基板。在示例性实施方式中，第一基底基板210可设置为例如，玻璃基板、石英基板或透明树脂基板。第一基底基板210可包括具有高耐热性的聚合物或塑料。第一基底基板210可以是平板的形式，但是可以沿特定方向弯曲。在示例性实施方式中，第一基底基板210可以是例如，在平面图中具有四个边的矩形。在可替换示例性实施方式中，第一基底基板210可包括除了矩形、圆形以外的诸如多边形的各种其他形状，或者可具有一个或多个弯曲边。

栅极线g1至gn和栅电极221布置在第一基底基板210上。如上所述，栅极线g1至gn可在第一方向dr1上延伸。栅极线g1至gn和栅电极221可传输栅极信号。

栅极信号可以是由栅极驱动器110提供的具有变化电压的信号，并且tfttr可被控制为根据栅极信号的电压而被导通或截止。

栅电极221可从栅极线g1至gn突出，并且可形成tfttr。

在示例性实施方式中，栅极线g1至gn以及栅电极221可包括铝(al)基金属(诸如al或al合金)、银(ag)基金属(诸如ag或ag合金)、铜(cu)基金属(诸如cu或cu合金)、钼(mo)基金属(诸如mo或mo合金)、铬(cr)、钽(ta)、钛(ti)等。

栅极线g1至gn以及栅电极221可具有单层结构或者可具有多层结构，该多层结构包括具有不同物理性能的至少两个导电膜。在示例性实施方式中，至少两个导电膜中的一个可包括低电阻金属，例如al基金属、ag基金属、cu基金属等，以防止栅极线g1至gn以及栅电极221中的信号延迟或电压降，并且另一导电膜可包括相对于氧化铟锡(“ito”)和氧化铟锌(“izo”)具有优异接触性能的材料，诸如mo基金属、cr、ti、ta等。栅极线g1至gn以及栅电极221的多层结构的实例包括cr下部膜和al上部膜的组合以及al下部膜和mo上部膜的组合，但是本发明不限于此。即，可使用除本文阐述的那些以外的各种金属和导体来设置栅极线g1至gn以及栅电极221。

栅极绝缘层230布置在栅极线g1至gn以及栅电极221上。栅极绝缘层230可使布置在栅极绝缘层230之下的元件(诸如栅极线g1至gn以及栅电极221)与布置在栅极绝缘层230上的元件绝缘。栅极绝缘层230可包括绝缘材料。在示例性实施方式中，栅极绝缘层230可包括例如，氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或高介电常数材料。栅极绝缘层230可具有单层结构或者可具有多层结构，该多层结构包括具有不同物理性能的两个绝缘膜。

半导体层240布置在栅极绝缘层230上。半导体层240可与栅电极221至少部分重叠。在示例性实施方式中，半导体层240可包括例如，非晶硅、多晶硅或氧化物半导体。

尽管未具体示出，但是欧姆接触构件可进一步设置在半导体层240上。欧姆接触构件可包括掺杂有高浓度的n型杂质的n+氢化非晶硅或硅化物。欧姆接触构件可布置在半导体层240上、与其他欧姆接触构件配对。响应于半导体层240包括氧化物半导体，可不设置欧姆接触构件。

数据线d1至dm、第一虚拟数据线dml1、第二虚拟数据线dml2(参考图2)、源电极265以及漏电极266布置在半导体层240和栅极绝缘层230上。

数据线d1至dm在第二方向dr2上延伸。数据线d1至dm可通过栅极绝缘层230与栅极线g1至gn绝缘。

数据线d1至dm可将向其提供的数据信号从数据驱动器120提供至显示像素px。数据信号可以是由数据驱动器120提供的具有变化电压的信号，并且可根据数据信号控制显示像素px的灰度级。

第一虚拟数据线dml1在第二方向dr2上延伸。第一虚拟数据线dml1可连接至邻近于第一虚拟数据线dml1的第一数据线d1。第一虚拟数据线dml1的一部分可在第二方向dr2以外的方向上延伸以连接至第一数据线d1。第一虚拟数据线dml1可通过栅极绝缘层230与栅极线g1至gn绝缘。

第二虚拟数据线dml2在第二方向dr2上延伸。第二虚拟数据线dml2可连接至邻近于第二虚拟数据线dml2的第m数据线dm。第二虚拟数据线dml2的一部分可在第二方向dr2以外的方向上延伸以连接至第m数据线dm。第二虚拟数据线dml2可通过栅极绝缘层230与栅极线g1至gn绝缘。

第一虚拟数据线dml1可连接至第一数据线d1，并且因此可将从第一数据线d1接收的数据信号提供至第一虚拟像素dpx1(参考图2)。可根据由第一虚拟数据线dml1提供的数据信号控制第一虚拟像素dpx1的灰度级。

类似地，第二虚拟数据线dml2可连接至第m数据线dm，并且因此可将从第m数据线dm接收的数据信号提供至第二虚拟像素dpx2。可根据由第二虚拟数据线dml2提供的数据信号，控制第二虚拟像素dpx2的灰度级。

源电极265可分叉并且从数据线d1至dm、第一虚拟数据线dml1以及第二虚拟数据线dml2突出。源电极265可从数据线d1至dm、第一虚拟数据线dml1以及第二虚拟数据线dml2接收数据信号。

漏电极266可与源电极265间隔开。

如图5所示，源电极265可以是例如，包围漏电极266的u形。然而，源电极265和漏电极266的形状不限于图5所示的实例。即，源电极265的第一边可与漏电极266的第一边间隔开预定距离，使得源电极265和漏电极266可布置为彼此平行。

半导体层240可布置在彼此间隔的漏电极266与源电极265之间的间隙中。即，在半导体层240布置为介入其间的情况下，漏电极266和源电极265可在与半导体层240部分重叠或接触的同时彼此相对。

在示例性实施方式中，数据线d1至dm、第一虚拟数据线dml1、第二虚拟数据线dml2、源电极265以及漏电极266可包括例如，al、cu、ag、mo、cr、ti、ta或其合金，并且可具有多层结构，该多层结构包括含有难熔金属的下部膜以及布置在下部膜上的低电阻上部膜。

栅电极221、源电极265和漏电极266可与半导体层240一起形成作为开关器件的晶体管tr。

晶体管tr可根据提供至栅电极221的栅极信号的电压，来电连接源电极265与漏电极266。更具体地，当提供至栅电极221的栅极信号的电压用于截止晶体管tr时，源电极265和漏电极266不被电连接。当提供至栅电极221的栅极信号的电压用于导通晶体管tr时，源电极265和漏电极266经由限定在半导体层240中的沟道而被电连接。

沟道可主要限定在源电极265与漏电极266之间的区域中。即，当晶体管tr导通时，沟道可主要限定在源电极265与漏电极266之间的半导体层240中，并且电压和电流可沿着沟道传输。

结果，除了半导体层240以外，数据信号可提供至连接至漏电极266的元件，并且可通过提供至栅极线g1至gn的栅极信号来控制数据信号的传输。

晶体管tr可布置在显示像素px中，并且也可布置在第一虚拟像素dpx1和第二虚拟像素dpx2中。

钝化层270布置在数据线d1至dm、第一虚拟数据线dml1、第二虚拟数据线dml2、源电极265、漏电极266以及半导体层240上。钝化层270可包括无机绝缘材料，并且可覆盖和保护全部布置在钝化层270之下的数据线d1至dm、第一虚拟数据线dml1、第二虚拟数据线dml2以及晶体管tr。

平坦化层280布置在钝化层270上。平坦化层280可使由于栅极线g1至gn、数据线d1至dm、第一数据虚拟线dml1、第二虚拟数据线dml2以及晶体管tr的存在而在其上设置有高度差的钝化层270的顶表面平坦化。平坦化层280可包括有机材料。在示例性实施方式中，平坦化层280可包括例如，感光有机组合物。在另一示例性实施方式中，可不设置平坦化层280。

暴露晶体管tr的部分并且具体地暴露漏电极266的部分的接触孔ch，可被限定在平坦化层280和钝化层270中。接触孔ch可被限定为垂直穿透平坦化层280和钝化层270的形状。因此，接触孔ch可暴露漏电极266的部分并且同时与漏电极的部分重叠。接触孔ch可被限定在显示像素px、第一虚拟像素dpx1以及第二虚拟像素dpx2中。

共用电极290布置在平坦化层280上。共用电极290可以以平面形状设置在除了其中限定接触孔ch的区域以及其中限定接触孔ch的区域的周围以外的整个区域中。在示例性实施方式中，共用电极290可包括诸如ito、izo、氧化锌铟锡(“itzo”)或掺杂有al的氧化锌(“azo”)的透明导电材料。共用电压可被施加至共用电极290，并且因此，共用电极290可与随后将描述的像素电极310一起在液晶层400中生成电场。

像素绝缘层300布置在共用电极290上。像素绝缘层300可包括无机绝缘材料。像素绝缘层300可使布置在像素绝缘层300之下的共用电极290与布置在像素绝缘层300上的像素电极310绝缘。因此，可通过施加至共用电极290的电压与施加至像素电极310的电压之间的差来生成电场。

像素电极310布置在像素绝缘层300上。像素电极310可经由接触孔ch物理连接至漏电极266，并且因此可从漏电极266接收数据信号。在示例性实施方式中，像素电极310可包括诸如ito、izo、itzo或azo的透明导电材料。与不管像素之间的区别如何都设置为板的共用电极290不同，像素电极310可单独设置在显示像素px、第一虚拟像素dpx1以及第二虚拟像素dpx2中。

像素电极310包括：布置在显示像素px中的显示像素电极311、布置在第一虚拟像素dpx1中的第一虚拟像素电极312以及布置在第二虚拟像素dpx2中的第二虚拟像素电极(未示出)。

第一虚拟像素电极312布置在第一虚拟像素dpx1中，并且因此可沿第二方向dr2设置在第一虚拟区域da_1中，并且第二虚拟像素电极(未示出)布置在第二虚拟像素dpx2中，并且因此可沿第二方向dr2设置在第二虚拟区域da_2中。由于如上所述，第一虚拟像素dpx1的行数和第二虚拟像素dpx2的行数与显示像素px的行数相同，所以第一虚拟像素电极312的行数和第二虚拟像素电极(未示出)的行数会与显示像素电极311的行数相同。

显示像素电极311中的每一个包括多个显示分支电极311_1以及连接显示分支电极311_1的显示连接电极311_2。显示分支电极311_1在与第二方向dr2类似的方向上延伸。在示例性实施方式中，例如，与第二方向dr2类似的方向可以是相对于第二方向dr2具有小于约45°的绝对交叉角的方向。显示分支电极311_1可以在与第二方向dr2类似的方向的范围内以不同的角度倾斜。在示例性实施方式中，显示分支电极311_1中的每一个可包括在从第二方向dr2逆时针倾斜的方向上延伸的区段以及在从第二方向dr2顺时针倾斜的方向上延伸的区段。

显示分支电极311_1彼此间隔，并且布置为彼此平行。显示狭缝311_3被限定在显示分支电极311_1之间。显示分支电极311_1、显示狭缝311_3以及布置在显示分支电极311_1与显示狭缝311_3之间的共用电极290彼此相互作用以生成具有特定方向性的电场，并且可通过该电场控制液晶层400中的液晶分子。

显示连接电极311_2可在第一方向dr1上延伸，并且电连接和物理连接显示分支电极311_1。因此，在其中电压提供至显示分支电极311_1或显示连接电极311_2的情况下，电压可传输至所有显示分支电极311_1和所有显示连接电极311_2。

然而，本发明不限于示例性实施方式。即，显示分支电极311_1可在类似于第一方向dr1的方向上延伸，并且显示连接电极311_2可在第二方向dr2上延伸。类似于第一方向dr1的方向可以是相对于第一方向dr1具有小于约45°的绝对交叉角的方向。

如同显示像素电极311中的每一个，第一虚拟像素电极312中的每一个包括多个第一虚拟分支电极312_1和连接第一虚拟分支电极312_1的第一虚拟连接电极312_2。第一虚拟狭缝312_3被限定在第一虚拟分支电极312_1之间。第一虚拟分支电极312_1具有与显示分支电极311_1的那些形状和特性相同的形状和相同的特性，第一虚拟连接电极312_2具有与显示连接电极311_2的那些形状和特性相同的形状和相同的特性，并且第一虚拟狭缝312_3具有与显示狭缝311_3的那些形状和特性相同的形状和相同的特性。因此，将省略第一虚拟分支电极312_1、第一虚拟连接电极312_2以及第一虚拟狭缝312_3的详细描述。

如同第一虚拟像素电极312中的每一个，第二虚拟像素电极(未示出)中的每一个包括多个第二虚拟分支电极(未示出)和连接第二虚拟分支电极(未示出)的第二虚拟连接电极(未示出)，并且将省略第二虚拟分支电极(未示出)和第二虚拟连接电极(未示出)的详细描述。

第一配向层320布置在像素电极310上。第一配向层320可使液晶层400中的液晶分子预倾斜。即，在其中电场尚未被施加至液晶层400的情况下，第一配向层320可将液晶层400中的液晶分子配向为从其中布置有第一配向层320的平面指向预定方向，并且可将液晶层400中的液晶分子配向为相对于与其中布置有第一配向层320的平面垂直的方向限定约0.5°到约3°的角度。

第一配向层320的厚度可从一个区域到另一个区域而不同。更具体地，第一配向层320的平均厚度在第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2中可比在显示区域aa中更大。

即，从第一虚拟像素dpx1或第二虚拟像素dpx2中的像素电极310的表面上的位置到第一配向层320的表面上的对应位置的距离可大于从显示像素px中的像素电极310的表面上的位置到第一配向层320的表面上的对应位置的距离。

在示例性实施方式中，例如，第一配向层320可在第一虚拟区域da_1或第二虚拟区域da_2中具有约到约的平均厚度，并且在显示区域aa中具有约到约的平均厚度。在示例性实施方式中，例如，第一配向层320可在第一虚拟区域da_1或第二虚拟区域da_2中具有约的平均厚度，并且在显示区域aa中具有约的平均厚度。

在第一虚拟区域da_1或第二虚拟区域da_2中，布置有第一虚拟像素dpx1或第二虚拟像素dpx2，并且在显示区域aa中，布置有显示像素px。因此，在已考虑像素电极310上的第一配向层320的厚度的误差的情况下描述了第一配向层320的平均厚度。因此，尽管未具体示出，但是第一配向层320在第一虚拟区域da_1或第二虚拟区域da_2的例外部分中的厚度可比在显示区域aa的例外部分中的厚度更小。然而，第一配向层320在第一虚拟区域da_1或第二虚拟区域da_2中的平均厚度通常会比在显示区域aa中的平均厚度更大。

另外，在第一虚拟区域da_1或第二虚拟区域da_2内，第一配向层320的厚度可不同。即，与第一虚拟分支电极312_1重叠的第一配向层320可相对厚于在相对远离显示区域aa的第一虚拟分支电极312_1上的第一配向层320。

更具体地，图7示出在图5的线ii-ii’、iii-iii’以及iv-iv’中的每一个上的三个位置处，从像素电极310的表面到第一配向层320的表面的距离。

第一虚拟像素dpx1_11(参考图3)的左侧上的第一虚拟分支电极312_1的顶表面与第一配向层320的顶表面间隔了第一长度321_1，第一虚拟像素dpx1_11的中间的第一虚拟分支电极312_1的顶表面与第一配向层320的顶表面间隔了第二长度321_2，并且第一虚拟像素dpx1_11的右侧上的第一虚拟分支电极312_1的顶表面与第一配向层320的顶表面间隔了第三长度321_3。

显示像素px11(参考图3)的左侧上的显示分支电极311_1的顶表面与第一配向层320的顶表面间隔了第四长度321_4，显示像素px11的中间的显示分支电极311_1的顶表面与第一配向层320的顶表面间隔了第五长度321_5，并且显示像素px11的右侧上的显示分支电极311_1的顶表面与第一配向层320的顶表面间隔了第六长度321_6。

显示像素px12(参考图3)的左侧上的显示分支电极311_1的顶表面与第一配向层320的顶表面间隔了第七长度321_7，显示像素px12的中间的显示分支电极311_1的顶表面与第一配向层320的顶表面间隔了第八长度321_8，并且显示像素px12的右侧上的显示分支电极311_1的顶表面与第一配向层320的顶表面间隔了第九长度321_9。

第一长度321_1、第二长度321_2以及第三长度321_3的平均值可大于第四长度321_4、第五长度321_5以及第六长度321_6的平均值，并且第四长度321_4、第五长度321_5以及第六长度321_6的平均值可大于第七长度321_7、第八长度321_8以及第九长度321_9的平均值。

第一长度321_1可大于第二长度321_2，并且第二长度321_2可大于第三长度321_3。即，当第一配向层320相距显示区域aa更远时，第一配向层320可更厚。

第四长度321_4可大于第五长度321_5，并且第五长度321_5可大于第六长度321_6。即，当第一配向层320更接近显示区域aa的边时，第一配向层320可更厚。

第七长度321_7、第八长度321_8以及第九长度321_9可全部相同。即，当第一配向层320更接近显示区域aa的中心时，第一配向层320的厚度可更均匀。第七长度321_7、第八长度321_8以及第九长度321_9中的每一个被示出为对应于第一配向层320在从显示区域aa的边起的第二显示像素px中的三个位置中的每一个位置处的厚度，但是本发明不限于此。即，第一配向层320可在从显示区域aa的边起的第二显示像素px中的三个位置中的每一个位置处，不一定具有相同厚度。换言之，通常，第一配向层320的厚度对于邻近于显示区域aa的中心的显示像素px可以是均匀的，并且对于邻近于显示区域aa的边的显示像素显著地改变。

由于第一配向层320的厚度的区域差异，所以可最小化在显示区域aa中会出现的显示像素px的亮度的区域差异。

如将变得显然的，液晶层400可布置在第一配向层320上。由于提供至像素电极310的电压与提供至共用电极290的电压之间的差而在液晶层400中生成电场，并且通过该电场重新配向液晶层400中的液晶分子。由于第一配向层320的厚度在第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2中比在显示区域aa中更大，所以从像素电极310到液晶层400的距离以及从共用电极290到液晶层400的距离在第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2中会比在显示区域aa中更大。

提供至第一虚拟区域da_1中的第一虚拟像素电极312的电压和提供至第二虚拟区域da_2中的第二虚拟像素电极(未示出)的电压可与提供至显示区域aa中的显示像素电极311的电压相同，并且提供至第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2中的共用电极290的电压可与提供至显示区域aa中的共用电极290的一部分的电压相同。因此，由第一虚拟像素电极312、第二虚拟像素电极(未示出)与共用电极290生成的电场的强度可与由显示像素电极311与共用电极290生成的电场的强度相同。然而，由于第一配向层320的厚度的区域差异，提供至液晶层400的电场的强度在第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2中实际上会比在显示区域aa中更弱。这是因为，当第一配向层320距像素电极310和共用电极290更远时，电场的强度变得更弱。

因此，如以上参考图2和图3讨论的，即使当液晶层400中的离子杂质随着时间在第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2中累积时，因为施加至第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2的电场的强度较弱，离子杂质在第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2中累积的程度会降低。因此，累积在第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2以及显示区域aa的邻近于第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2的部分中的离子杂质的量会被最小化，并且结果，显示区域aa的亮度的区域差异会被最小化。

如上所述，第一配向层320在显示像素px11上可比在显示像素px12上更厚。因此，即使当在液晶层400的与显示像素px11重叠的部分中比在液晶层400的与显示像素px12重叠的部分中累积更多的离子杂质时，显示像素px11与px12之间的亮度的差异也会被最小化，这是因为施加至液晶层400的与显示像素px11重叠的部分的电场的强度比施加至液晶层400的与显示像素px12重叠的部分的电场的强度更弱。

在下文中将描述相对基板500。

相对基板500包括第二基底基板550。第二基底基板550可与第一基底基板210执行相同的功能，并且可包括与第一基底基板210的材料相同的材料。第二基底基板550可面向第一基底基板210。第二基底基板550的面积可小于第一基底基板210的面积，并且因此，第二基底基板550可被第一基底基板210重叠。

如图6和图7所示，遮光构件540布置在第二基底基板550上，例如，布置在第二基底基板550之下。遮光构件540可与显示像素px的晶体管tr、数据线d1至dm、栅极线g1至gn、第一虚拟像素dpx1以及第二虚拟像素dpx2重叠，并且因此可防止会由液晶层400中的液晶分子的未对齐所造成的漏光。

如图6和图7所示，滤色器530布置在遮光构件540上，例如，布置在遮光构件540之下。滤色器530允许在从第一基底基板210外部入射至其上的光束之中的预定波段的光的透射，并且阻挡入射光的其余部分的透射，由此使得向第二基底基板550的外部发射的光展现出预定颜色。

遮光构件540和滤色器530不限于邻近于第二基底基板550，而是可邻近于第一基底基板210。在其中遮光构件540和滤色器530邻近于第一基底基板210的情况下，滤色器530可替代平坦化层280，但是本发明不限于此。即，滤色器530可布置在钝化层270与平坦化层280之间，并且平坦化层280可使由滤色器530提供的任意高度差平坦化。

如图6和图7所示，保护层520可布置在遮光构件540和滤色器530上，例如，布置在遮光构件540和滤色器530之下。保护层520可降低由遮光构件540和滤色器530提供的任意高度差，但是本发明不限于此。可不设置保护层520。

如图6和图7所示，第二配向层510可布置在保护层520上，例如，布置在保护层520之下。如同第一配向层320，第二配向层510可使液晶层400中的液晶分子预倾斜。即，在其中电场尚未被施加至液晶层400的情况下，第二配向层510可将液晶层400中的液晶分子配向为从其中布置有第二配向层510的平面指向预定方向，并且可将液晶层400中的液晶分子配向为相对于与其中布置有第二配向层510的平面垂直的方向限定约0.5°到约3°的角度。

不同于第一配向层320，第二配向层510通常遍及显示区域aa、第一虚拟区域da_1以及第二虚拟区域da_2可具有均匀厚度。在另一示例性实施方式中，可不设置第二配向层510。

在下文中将描述液晶层400。

液晶层400介于阵列基板200与相对基板500之间。液晶层400可包括具有介电各向异性的多个液晶分子。在示例性实施方式中，例如，液晶分子可以是在相对于阵列基板200和相对基板500的水平方向上，在阵列基板200与相对基板500之间配向的水平配向型的液晶分子。响应于电场被施加在阵列基板200与相对基板500之间，液晶分子可在阵列基板200与相对基板500之间沿特定方向旋转，并且因此可调整穿过其中透射的光的偏振的状态。

已采用其中像素电极310布置在共用电极290上的情况作为实例描述了示例性实施方式，但是本发明不限于此。即，即使在其中共用电极290布置在像素电极310上的lcd设备中，也会出现亮度的区域差异并且可通过调整第一配向层320的厚度来最小化该亮度的区域差异。

另外，已采用其中共用电极290未被具体地图案化并且像素电极310被图案化的情况作为实例描述了示例性实施方式，但是本发明不限于此。即，即使在其中共用电极290和像素电极310都被图案化的lcd设备，即，面内转换(“ips”)lcd设备中，也会出现亮度的区域差异并且可通过调整第一配向层320的厚度来最小化该亮度的区域差异。

另外，已采用使用水平配向型的液晶分子的水平配向型lcd设备作为实例描述了示例性实施方式，但是本发明不限于此。即，即使在其中液晶层400介于共用电极290与像素电极310之间，并且液晶层400中的液晶分子是在相对于阵列基板200和相对基板500的垂直方向上在阵列基板200与相对基板500之间配向的垂直配向型的液晶分子的垂直配向型的lcd设备中，也会出现亮度的区域差异并且可通过调整第一配向层320的厚度来最小化该亮度的区域差异。

在下文中，将参考图8至图12描述第一配向层320的形成。

图8是示出根据本发明的示例性实施方式的形成第一配向层的方法的流程图，图9是用于说明如在图8的方法中执行的配向材料在阵列基板上的涂布的lcd设备的透视图，图10是用于说明如在图8的方法中执行的初步热处理的执行的lcd设备的透视图，图11是用于说明如在图8的方法中执行的紫外(“uv”)光的施加的lcd设备的透视图，并且图12是用于说明如在图8的方法中执行的热处理的执行的lcd设备的透视图。

参考图8，根据示例性实施方式的形成第一配向层320的方法包括：在阵列基板200上涂布配向材料(例如，聚合物材料或光配向材料)(s01)，以低温对配向材料执行初步热处理(s02)，对配向材料施加uv光(s03)，以及以高温对配向材料执行热处理(s04)。图9至图12的阵列基板200可以是以下阵列基板200，其中在图6和图7的阵列基板200的其他元件中，尚未设置第一配向层320。在下文中将详细描述图8的方法的操作s01至s04中的每一个。

参考图9，在示例性实施方式中，例如环丁烷类光分解型材料、偶氮苯类光异构化材料或者包括光异构化材料或光聚合型材料的配向材料涂布在阵列基板200上。在示例性实施方式中，例如，配向材料可包括光异构化型材料或光聚合型材料以及溶剂。

溶剂可以是有机溶剂。在示例性实施方式中，环戊醇、卤素类溶剂(诸如1-氯丁烷、氯苯、1,1-二氯乙烷、1,2-二氯乙烷、氯仿或1,1,2,2-四氯乙烷)、醚类溶剂(诸如二乙醚、氧杂环戊烷或1,4-二氧六环)、酮类溶剂(诸如甲乙酮(“mek”)、丙酮或环己酮)、醋酸酯类溶剂(诸如丙二醇单甲醚醋酸酯(“pgmea”))、酯类溶剂(诸如乙酸乙酯)、醋酸酯类溶剂(诸如γ-丁内酯)、碳酸酯类溶剂(诸如碳酸亚乙酯或碳酸丙烯酯)、胺类溶剂(诸如三乙胺或吡啶)、腈类溶剂(诸如乙脲)、氨类溶剂(诸如n,n'-二甲基甲酰胺(“dmf”)、n,n'-二甲基乙酰胺(“dmac”)、四甲基脲或n-甲基吡咯烷酮(“nmp”))、硝基溶剂(诸如硝基甲烷或硝基苯)、硫基溶剂(诸如二甲亚砜(“dmso”)或环丁砜)、磷酸类溶剂(诸如六甲基磷酰胺氨或磷酸三丁酯)或者其任意组合物可被用作有机溶剂。

在示例性实施方式中，例如，可使用喷墨方法将配向材料涂布在阵列基板200上。喷墨方法是以下方法，通过该方法，通过以预定量为单位将配向材料经由喷嘴喷射在阵列基板200上以使喷射的配向材料的液滴在所有方向上铺展在阵列基板200上，而将配向材料涂布在阵列基板200上。

为了形成第一配向层320在显示区域aa与第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2之间的厚度的差，喷射在第一虚拟区域da_1或第二虚拟区域da_2上的配向材料611的量可大于喷射在显示区域aa上的配向材料612的量。即使当喷射的配向材料的液滴全部铺展在阵列基板200上时，因为配向材料具有粘性，所以喷射在第一虚拟区域da_1或第二虚拟区域da_2上的配向材料611的厚度会大于喷射在显示区域aa上的配向材料612的厚度。

然而，本发明不限于此。即，即使当通过单个喷嘴喷射配向材料所依据的量对于显示区域aa与第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2两者相同时，也可通过以相对短的时间段的间隔在第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2上喷射配向材料并且以相对长的时间段的间隔在显示区域aa上喷射配向材料，来在显示区域aa与第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2之间设置配向材料的厚度的差。

在示例性实施方式中，为了使配向材料具有适当粘性，例如，配向材料中的光异构化材料或光聚合材料的含量可为约5.0wt％至约7.0wt％，并且更具体地，约6.0wt％。

此后，参考图10，配向材料经受使用第一热源630的初步热处理过程。结果，溶剂可从配向材料中消除，并且会设置聚合物层620。在示例性实施方式中，初步热处理过程可以以约70℃到约80℃的温度执行约60秒到约80秒，但是本发明不限于此。

此后，参考图11，可通过向阵列基板200上的聚合物层620的一个表面或两个表面施加偏振uv光来设置第一配向层320(参考图6)。在示例性实施方式中，例如，具有约240纳米至约380纳米的波长的uv光可用作偏振uv光。在示例性实施方式中，具有约254纳米的波长的uv光可用作偏振uv光。

然而，本发明不限于通过uv光的施加来形成配向层320。即，可通过利用具有足够粗糙度的材料研磨阵列基板200上的聚合物层620以在聚合物层620上限定凹槽来设置第一配向层320。

此后，参考图12，可通过使用第二热源640对第一配向层320执行另一热处理过程来改进第一配向层320的取向以便重新定向第一配向层320的整个聚合物。在示例性实施方式中，例如，第二热源640可具有高于第一热源630的温度，例如约300℃的温度。

图13是沿着图5的线ii-ii’、iii-iii’和iv-iv’截取的根据本发明的另一示例性实施方式的lcd设备的截面图。

在先前示例性实施方式与图13所示的示例性实施方式中，相同参考标号表示相同元件，并且因此，将省略或简化其描述。

参考图13，根据示例性实施方式的lcd设备与图7的lcd设备的不同在于像素绝缘层700的结构。

图7的lcd设备的像素绝缘层300遍及显示区域aa以及第一虚拟区域da_1(参考图2)和第二虚拟区域da_2(参考图2)具有均匀厚度，但是根据图13的示例性实施方式的lcd设备的像素绝缘层700在显示区域aa与第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2的部分中具有不同厚度。像素绝缘层700在第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2中的平均厚度可比在显示区域aa中的平均厚度更大。

根据示例性实施方式的lcd设备的像素绝缘层700包括第一子像素绝缘层701和第二子像素绝缘层702。第一子像素绝缘层701可设置在所有的第一虚拟区域da_1、第二虚拟区域da_2和显示区域aa中，但是第二子像素绝缘层702可仅设置在第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2中。第一子像素绝缘层701可具有对应于第十长度711的厚度，并且第二子像素绝缘层702可具有对应于第十一长度712的厚度。第十长度711可与第十一长度712相同或者可与第十一长度712不同。

更具体地，参考图13，图13示出多个第一虚拟像素dpx(参考图2)的阵列的第一行和第一列中的第一虚拟像素dpx1_11(参考图3)的截面、多个显示像素px(参考图2)的阵列的第一行和第一列中的显示像素px11(参考图3)的截面以及显示像素px的阵列的第一显示像素行和第二显示像素列中的显示像素px12(参考图3)的截面，第一子像素绝缘层701和第二子像素绝缘层702可都布置在第一虚拟像素dpx1_11中，并且仅第一子像素绝缘层701可布置在显示像素px11和px12中。

即，在第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2中，第一子像素绝缘层701布置在共用电极290上，第二子像素绝缘层702布置在第一子像素绝缘层701上，并且像素电极310布置在第二子像素绝缘层702上。在显示区域aa中，第一子像素绝缘层701布置在共用电极290上，并且像素电极310布置在第一子像素绝缘层701上。

因此，共用电极290和像素电极310在第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2中间隔开多达与第一子像素绝缘层701的厚度对应的第十长度711和与第二子像素绝缘层702的厚度对应的第十一长度712的总和，但是在显示区域aa中间隔开多达与第一子像素绝缘层701的厚度对应的第十长度711。

提供至第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2中的像素电极310的电压可与提供至显示区域aa中的像素电极310的电压相同，并且提供至第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2中的共用电极290的电压可与提供至显示区域aa中的共用电极290的电压相同。由于像素电极310与共用电极290在第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2中间隔的距离比像素电极310与共用电极290在显示区域aa中间隔的距离大了第十一长度712，所以通过第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2中的像素电极310和共用电极290生成的电场的强度会弱于通过显示区域aa中的像素电极310和共用电极290生成的电场的强度。因此，在液晶层400中生成的电场在第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2中会弱于在显示区域aa中。

由于像素绝缘层700的厚度的区域差异，在第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2中的液晶层400的部分中可比在显示区域aa中的液晶层400的部分中生成更弱的电场。

因此，如以上关于先前示例性实施方式描述的，累积在第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2以及显示区域aa的邻近于第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2的部分中的离子杂质的量会被最小化，并且结果，显示区域aa的亮度的区域差异会被最小化。

在示例性实施方式中，例如，第一子像素绝缘层701和第二子像素绝缘层702可包括诸如氧化硅(siox)或氮化硅(sinx)的无机绝缘材料。

在示例性实施方式的可替换示例性实施方式中，第一配向层320可从一个区域到另一个区域具有变化的厚度，如图5所示，并且像素绝缘层700可包括第一子像素绝缘层701和第二子像素绝缘层702。在该可替换示例性实施方式中，显示区域aa的亮度的区域差异会被进一步最小化。

在下文中将参考图14至图18描述第二子像素绝缘层702的形成。

图14是示出根据本发明的示例性实施方式的形成第二子像素绝缘层的方法的流程图，图15是用于说明如在图14的方法中执行的无机绝缘材料在阵列基板上的沉积的lcd设备的截面图，图16是用于说明如在图14的方法中执行的曝光的执行的lcd设备的截面图，图17是从如在图14的方法中执行的蚀刻处理获得的lcd设备的截面图，并且图18是从如在图14的方法中执行的第二子像素绝缘层的形成获得的lcd设备的截面图。

参考图14，根据示例性实施方式的形成第二子像素绝缘层702的方法包括：在阵列基板200上涂布无机绝缘材料(s11)，在无机绝缘材料上涂布感光材料(s12)，使用掩膜707向感光材料的一部分施加uv光(s13)，执行显影处理以移除感光材料的一部分(s14)，蚀刻并由此移除无机绝缘材料的暴露部分(s15)，以及移除感光材料的其余部分(s16)。图14至图18的阵列基板200可以是以下阵列基板200：第一子像素绝缘层701布置在阵列基板200上，并且第一子像素绝缘层701可以与图6和图7的先前示例性实施方式中的像素绝缘层300以相同的形状和相同的方式设置。在下文中将详细描述图14的方法中操作s11至s16中的每一个。

参考图15，通过在其上布置有第一子像素绝缘层701的阵列基板200(参考图6)上沉积诸如氧化硅(siox)或氮化硅(sinx)的无机绝缘材料来设置无机绝缘层703。

此后，参考图16，使用感光材料将感光材料层706布置在无机绝缘层703上。感光材料层706可包括第一区域704和第二区域705，并且可在利用uv光照射时被固化。感光材料层706的固化部分可在显影处理之后保留而未移除，并且因此可保护设置在其下的无机绝缘材料。

第一区域704可以是感光材料层706的将要利用uv光照射的一部分的区域，并且第二区域705可以是感光材料层706的将不用uv光照射的一部分的区域。

在感光材料层706的形成之后，uv光施加至其中将要形成第二子像素绝缘层702的区域。其中将要形成第二子像素绝缘层702的区域可对应于第一区域704。掩膜707可与除了其中将要形成第二子像素绝缘层702的区域之外的整个阵列基板200重叠，并且第二区域705可对应于除了其中将要形成第二子像素绝缘层702的区域之外的整个阵列基板200。由于掩膜707的这种形状，uv光可仅被施加至第一区域704。

在示例性实施方式中，保留感光材料层706的利用uv光照射的一部分，但是本发明不限于此。即，在另一示例性实施方式中，感光材料层706的未利用uv光照射的一部分可被移除，在这种情况下，掩膜707可与其中将不设置第二子像素绝缘层702的区域重叠。

此后，参考图17，可执行显影处理以移除感光材料层706在第二区域705中的一部分。此后，可执行蚀刻处理以移除无机绝缘层703的与第二区域705重叠的一部分。

第二子像素绝缘层702布置在第一子像素绝缘层701上，并且第一子像素绝缘层701和第二子像素绝缘层702可包括具有相似化学性能的无机绝缘材料。因此，在移除无机绝缘层703的与第二区域705重叠的一部分期间，第一子像素绝缘层701可被部分移除。为了最小化这种对第一子像素绝缘层701的损坏，第一子像素绝缘层701和第二子像素绝缘层702可包括具有不同蚀刻选择性的无机绝缘材料。

此后，参考图18，通过从第一区域704移除感光材料层706，第二子像素绝缘层702可以以期望形状设置在第一子像素绝缘层701上。

图19是根据本发明的另一示例性实施方式的lcd设备的图2的区域a中的像素的平面图，并且图20是沿着图19的线v-v’、vi-vi’以及vii-vii’截取的截面图。

在图19所示的示例性实施方式与先前示例性实施方式中，相同参考标号表示相同元件，并且因此，将省略或简化其描述。

参考图19和图20，根据示例性实施方式的lcd设备与图5的lcd设备的不同在于像素电极810的结构中。

更具体地，在图5的lcd设备中，显示像素电极311、第一虚拟像素电极312以及第二虚拟像素电极(未示出)全部成相同形状，但是在根据示例性实施方式的lcd设备中，显示像素电极811、第一虚拟像素电极812以及第二虚拟像素电极(未示出)具有彼此不同的形状。

更具体地，多个第一虚拟像素dpx(参考图2)的阵列的第一行和第一列中的第一虚拟像素dpx1_11(参考图3)中的第一虚拟像素电极812的第一虚拟分支电极812_1的横向长度可与第一宽度821相同，并且第一虚拟像素dpx1_11中的第一虚拟像素电极812的第一虚拟狭缝812_3的横向长度可与第二宽度822相同。多个显示像素px的阵列的第一行和第一列中的显示像素px11(参考图3)中的显示像素电极811的显示分支电极811_1的横向长度可具有第三宽度831，并且显示像素px11中的显示像素电极811的显示狭缝811_3的横向长度可与第四宽度832相同。如本文使用的术语“横向长度”可表示第一虚拟分支电极812_1、显示分支电极811_1、第一虚拟狭缝812_3或显示狭缝811_3的沿第一方向dr1的宽度。

第一宽度821可小于第三宽度831，并且第二宽度822可大于第四宽度832。然而，即使在这种情况下，第一虚拟像素dpx1_11中的第一虚拟像素电极812的沿第一方向dr1的宽度也可与显示像素px11或显示像素px的阵列的第一行和第二列中的显示像素px12中的显示像素电极811的沿第一方向dr1的宽度相同。

在液晶层400中生成的电场的强度在第一虚拟像素dpx1_11的区域中会比在显示像素px11的区域中更弱。

更具体地，施加至第一虚拟像素dpx1_11中的第一虚拟像素电极812的电压可与施加至显示像素px11中的显示像素电极811的电压相同，并且施加至第一虚拟像素dpx1_11的区域中的共用电极290的电压可与施加至显示像素px11的区域中的共用电极290的电压相同。因此，通过第一虚拟像素dpx1_11的第一虚拟像素电极812生成的电场的强度可与通过显示像素px11的显示像素电极811生成的电场的强度相同。然而，由于第一虚拟像素dpx1_11的第一虚拟像素电极812的第一虚拟狭缝812_3的沿第一方向dr1的宽度大于显示像素px11的显示像素电极811的显示狭缝811_3的沿第一方向dr1的宽度，所以第一虚拟像素dpx1_11的第一虚拟狭缝812_3中的每一个的中心与第一虚拟像素dpx1_11的对应相邻第一虚拟分支电极812_1间隔的距离会大于显示像素px11的显示狭缝811_3中的每一个的中心与显示像素px11的对应相邻显示分支电极811_1间隔的距离。因此，在液晶层400的与第一虚拟像素dpx1_11的第一虚拟狭缝812_3中的每一个的中心重叠的部分中生成的电场的强度会比在液晶层400的与显示像素px11的显示狭缝811_3中的每一个的中心重叠的部分中生成的电场的强度更弱。因此，在液晶层400的在第一虚拟像素dpx1_11的区域中的一部分中会比在液晶层400的在显示像素px11的区域中的一部分中生成更弱的电场。

因此，如以上关于先前示例性实施方式描述的，累积在第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2(参考图2)以及显示区域aa的邻近于第一虚拟区域da_1和第二虚拟区域da_2的部分中的离子杂质的量会被最小化，并且结果，显示区域aa的亮度的区域差异会被最小化。

可通过经由图案化改变用来形成像素电极810的掩膜707的图案来设置像素电极810的上述结构。

在示例性实施方式的可替代示例性实施方式中，第一配向层320可从一个区域到另一个区域具有变化的厚度，如图5所示，像素绝缘层700可包括第一子像素绝缘层701和第二子像素绝缘层702，并且像素电极810的结构可从一个区域到另一个进行变化。在该可替代示例性实施方式中，显示区域aa的亮度的区域差异可被进一步最小化。

已参考附图描述了本发明的示例性实施方式。然而，本领域的技术人员将理解的是，在实质上不偏离本发明的原理的情况下，可对所公开的实施方式进行许多变型和改变。因此，所公开的本发明的实施方式仅以一般和描述性的意义使用，并且不用于限制的目的。