本发明涉及液晶取向膜制造用组合物、特别是横向电场驱动型液晶表示元件用液晶取向膜制造用组合物。
另外，本发明涉及使用该组合物制造的液晶取向膜、特别是横向电场驱动型液晶表示元件用液晶取向膜及具有该膜的基板、及其制造方法。
进而，本发明涉及具有该液晶取向膜或基板的液晶表示元件及其制造方法。
尤其是本发明涉及在液晶取向膜的取向处理所使用的光取向法中扩大光照射量范围、提高液晶取向膜的制造效率的液晶取向膜制造用组合物、特别是横向电场驱动型液晶表示元件用液晶取向膜制造用组合物、使用该组合物制造的液晶取向膜或具有液晶取向膜的基板、具有它们的液晶表示元件、以及液晶取向膜、具有液晶取向膜的基板或液晶表示元件的制造方法。
背景技术：
液晶表示元件作为轻量、薄型且耗电低的表示装置是已知的，近年来被用于大型电视用途等，实现了显著的发展。液晶表示元件例如是利用具备电极的一对透明基板夹持液晶层而构成的。并且，在液晶表示元件中，由有机材料形成的有机膜被用作液晶取向膜以使液晶在基板之间呈现期望取向状态。
即，液晶取向膜是液晶表示元件的构成构件，其形成在夹持液晶的基板的与液晶接触的表面，承担使液晶在该基板之间沿着特定方向取向这一作用。并且，对于液晶取向膜而言，除了使液晶沿着例如平行于基板的方向等特定方向取向这一作用之外，有时还要求对液晶预倾角进行控制这一作用。这种液晶取向膜的控制液晶取向的能力(以下称为取向控制能力。)通过对构成液晶取向膜的有机膜进行取向处理而被赋予。
作为用于赋予取向控制能力的液晶取向膜的取向处理方法，除了一直以来的刷磨法之外，还已知有光取向法。光取向法具有如下优点：与以往的刷磨法相比，不需要刷磨，不存在产尘、产生静电的担心，对于表面存在凹凸的液晶表示元件的基板也能够实施取向处理。
光取向法有各种方法，通过直线偏振光或经准直的光而在构成液晶取向膜的有机膜内形成各向异性，根据该各向异性而使液晶进行取向。
作为光取向法，已知有分解型的光取向法、光交联型、光异构化型的光取向法等。
分解型的光取向法是：例如，对聚酰亚胺膜照射偏振紫外线，利用分子结构的紫外线吸收的偏振方向依赖性而使其发生各向异性的分解，利用未分解而残留的聚酰亚胺使液晶进行取向的方法(例如参照专利文献1)。
光交联型、光异构化型的光取向法是：例如，使用聚肉桂酸乙烯酯，照射偏振紫外线，使与偏振光平行的2个侧链的双键部分发生二聚反应(交联反应)，使液晶沿着与偏振方向垂直的方向进行取向的方法(例如参照非专利文献1)。另外，使用在侧链具有偶氮苯的侧链型高分子时，照射偏振紫外线，使与偏振光平行的侧链的偶氮苯部分发生异构化反应，使液晶沿着与偏振方向垂直的方向进行取向(例如参照非专利文献2)。进而，专利文献3公开了使用基于光交联、光异构化或光弗利斯重排的光取向法得到的液晶取向膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第3893659号公报
专利文献2：日本特开平2-37324号公报
专利文献3：WO2014/054785
非专利文献
非专利文献1：M.Shadt et al.,Jpn.J.Appl.Phys.31,2155(1992).
非专利文献2：K.Ichimura et al.,Chem.Rev.100,1847(2000).
技术实现要素：
发明要解决的问题
如以上所述，与作为液晶表示元件的取向处理方法而一直以来在工业上利用的刷磨法相比，光取向法无需刷磨工序本身，因此具备明显的优点。并且，与刷磨所产生的取向控制能力基本固定的刷磨法相比，光取向法能够变更偏振光的照射量来控制取向控制能力。
然而，光取向法中使用的主成分的取向控制能力对偏振光的照射量过于敏感时，在液晶取向膜的一部分或整体，取向变得不完全，有时无法实现稳定的液晶取向。
于是，本发明的目的在于，提供扩大稳定产生取向控制能力的光照射量的范围、能效率良好地得到品质好的液晶取向膜的、液晶取向膜制造用组合物、特别是横向电场驱动型液晶表示元件用液晶取向膜制造用组合物。
另外，本发明的目的除了上述目的之外或在上述目的的基础上还在于，提供使用该组合物制造的液晶取向膜或具有液晶取向膜的基板、具有它们的液晶表示元件、特别是横向电场驱动型液晶表示元件。
进而，本发明的目的除了上述目的之外或在上述目的的基础上还在于，提供液晶取向膜、具有液晶取向膜的基板、或液晶表示元件、特别是横向电场驱动型液晶表示元件的制造方法。
用于解决问题的方案
本发明人等发现了以下的发明。
＜1＞一种液晶取向膜制造用组合物、特别是横向电场驱动型液晶表示元件用的液晶取向膜制造用组合物，其特征在于，含有：
(A)侧链型高分子，其具备如下侧链，所述侧链在规定的温度范围内表现出液晶性且具有发生光交联、光异构化或光弗利斯重排的光反应性基团；
(B)有机溶剂；和
(C)添加剂，
(C)添加剂的最低三重态能量低于源自光反应性基团的化合物的最低三重态能量。
发明的效果
根据本发明，能够提供扩大稳定产生取向控制能力的光照射量的范围、能效率良好地得到品质好的液晶取向膜的、液晶取向膜制造用组合物、特别是横向电场驱动型液晶表示元件用液晶取向膜制造用组合物。
另外，根据本发明，除了上述效果之外或在上述效果的基础上，能够提供使用该组合物制造的液晶取向膜或具有液晶取向膜的基板、具有它们的液晶表示元件、特别是横向电场驱动型液晶表示元件。
进而，根据本发明，除了上述效果之外或在上述效果的基础上，能够提供液晶取向膜、具有液晶取向膜的基板、或液晶表示元件、特别是横向电场驱动型液晶表示元件的制造方法。
具体实施方式
本申请提供：液晶取向膜制造用组合物、特别是横向电场驱动型液晶表示元件用液晶取向膜制造用组合物、进而特别是液晶取向膜的取向处理中使用的光取向法中扩大光照射量范围、提高液晶取向膜的制造效率的组合物。
另外，本申请提供：使用该组合物制造的液晶取向膜、特别是横向电场驱动型液晶表示元件用液晶取向膜和具有该膜的基板、以及其制造方法。
进而，本申请提供具有该液晶取向膜或基板的液晶表示元件和其制造方法。
＜液晶取向膜制造用组合物＞
本申请的液晶取向膜制造用组合物、特别是横向电场驱动型液晶表示元件用液晶取向膜制造用组合物含有：
(A)侧链型高分子，其具备如下侧链，所述侧链在规定的温度范围内表现出液晶性且具有发生光交联、光异构化或光弗利斯重排的光反应性基团；
(B)有机溶剂；和
(C)添加剂。
此处，(C)添加剂的特征在于，其最低三重态能量低于源自光反应性基团的化合物的最低三重态能量。
使用本申请的组合物，从而由该组合物得到的液晶取向膜的取向处理中使用的光取向法中，可以扩大光照射量范围，提高液晶取向膜的制造效率。
＜＜(A)侧链型高分子＞＞
(A)侧链型高分子为具备在规定的温度范围内表现出液晶性的侧链的侧链型高分子。另外，该侧链具有发生光交联、光异构化或光弗利斯重排的光反应性基团。
(A)侧链型高分子利用250nm～400nm的波长范围的光而发生反应，并且在100℃～300℃的温度范围表现出液晶性是较好的。
(A)侧链型高分子优选对250nm～400nm的波长范围的光发生反应。
(A)侧链型高分子为了在100℃～300℃的温度范围表现出液晶性而优选具有介晶基团。
(A)侧链型高分子在主链上键合有具有光反应性基团的侧链，能够感应光而发生交联反应、异构化反应、或光弗利斯重排。具有光反应性基团的侧链的结构没有特别限定，感应光而发生交联反应或光弗利斯重排的结构是理想的，发生交联反应是更理想的。此时，即使暴露于热等外部应力，也能够长时间稳定保持所实现的取向控制能力。能表现出液晶性的侧链型高分子的结构只要满足这种特性就没有特别限定，优选在侧链结构中具有刚直的介晶成分。此时，将该侧链型高分子制成液晶取向膜时，能够得到稳定的液晶取向。
该高分子的结构例如可以采取如下的结构：具有主链和键合于其的侧链，该侧链具有联苯基、三联苯基、苯基环己基、苯甲酸苯酯基、偶氮苯基等介晶成分以及键合于前端部的、感应光而进行交联反应、异构化反应的光反应性基团；具有主链与键合于其的侧链，该侧链具有也作为介晶成分且进行光弗利斯重排反应的苯甲酸苯酯基。
作为能表现出液晶性的、具有光反应性基团的侧链型高分子的结构的更具体的例子，优选为具有用选自由烃、(甲基)丙烯酸酯、衣康酸酯、富马酸酯、马来酸酯、α-亚甲基-γ-丁内酯、苯乙烯、乙烯基、马来酰亚胺、降冰片烯等的自由基聚合性基团和硅氧烷组成的组中的至少一种构成的主链、以及包含由下述式(1)～(6)的至少一种形成的侧链的结构。
式中，A、B、D各自独立地表示单键、-O-、-CH2-、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NH-CO-、-CH＝CH-CO-O-、或-O-CO-CH＝CH-；
S为碳数1～12的亚烷基，键合于它们的氢原子任选被卤素基团取代；
T为单键或碳数1～12的亚烷基，键合于它们的氢原子任选被卤素基团取代；
Y1表示选自1价的苯环、萘环、联苯环、呋喃环、吡咯环和碳数5～8的脂环式烃中的环，或者为选自这些取代基的相同或不同的2～6个环借助连接基团B键合而成的基团，键合于它们的氢原子各自独立地任选被-COOR0(式中，R0表示氢原子或碳数1～5的烷基)、-NO2、-CN、-CH＝C(CN)2、-CH＝CH-CN、卤素基团、碳数1～5的烷基、或碳数1～5的烷基氧基取代；
Y2为选自由2价的苯环、萘环、联苯环、呋喃环、吡咯环、碳数5～8的脂环式烃和它们组合组成的组中的基团，键合于它们的氢原子各自独立地任选被-NO2、-CN、-CH＝C(CN)2、-CH＝CH-CN、卤素基团、碳数1～5的烷基、或碳数1～5的烷基氧基取代；
R表示羟基、碳数1～6的烷氧基，或表示与Y1相同的定义；
X表示单键、-COO-、-OCO-、-N＝N-、-CH＝CH-、-C≡C-、-CH＝CH-CO-O-、或-O-CO-CH＝CH-，X的数量成为2时，X任选彼此相同或不同；
Cou表示香豆素-6-基或香豆素-7-基，键合于它们的氢原子各自独立地任选被-NO2、-CN、-CH＝C(CN)2、-CH＝CH-CN、卤素基团、碳数1～5的烷基、或碳数1～5的烷基氧基取代；
q1和q2中一者为1且另一者为0；
q3为0或1；
P和Q各自独立地为选自由2价的苯环、萘环、联苯环、呋喃环、吡咯环、碳数5～8的脂环式烃和它们的组合组成的组中的基团；其中，X为-CH＝CH-CO-O-、-O-CO-CH＝CH-的情况下，-CH＝CH-所键合的一侧的P或Q为芳香环，P的数量成为2以上时，P任选彼此相同或不同，Q的数量成为2以上时，Q任选彼此相同或不同；
l1为0或1；
l2为0～2的整数；
l1和l2均为0时，T为单键时A也表示单键；
l1为1时，T为单键时B也表示单键；
H和I各自独立地为选自2价的苯环、萘环、联苯环、呋喃环、吡咯环和它们的组合中的基团。
侧链为选自由下述式(7)～(10)组成的组中的任一种是较好的。
式中，A、B、D、Y1、X、Y2和R具有与上述相同的定义；
l表示1～12的整数；
m表示0～2的整数，m1、m2表示1～3的整数；
n表示0～12的整数(其中，n＝0时B为单键)。
侧链为选自由下述式(11)～(13)组成的组中的任一种是较好的。
式中，A、X、l、m、m2和R具有与上述相同的定义。
侧链为下述式(14)或(15)所示的侧链是较好的。
式中，A、Y1、X、l、m1和m2具有与上述相同的定义。
侧链为下述式(16)或(17)所示的侧链是较好的。
式中，A、X、l和m具有与上述相同的定义。
＜＜具有液晶性侧链的侧链型高分子＞＞
(A)侧链型高分子可以具备除具有光反应性基团的侧链以外的侧链。例如，(A)侧链型高分子可以具有选自由下述式(21)～(31)组成的组中的任1种的液晶性侧链。
式中，A、B、q1和q2具有与上述相同的定义；
Y3为选自由一价的苯环、萘环、联苯环、呋喃环、含氮杂环和碳数5～8的脂环式烃以及它们的组合组成的组中的基团，键合于它们的氢原子各自独立地任选被-NO2、-CN、卤素基团、碳数1～5的烷基、或碳数1～5的烷氧基取代；
R3表示氢原子、-NO2、-CN、-CH＝C(CN)2、-CH＝CH-CN、卤素基团，一价的苯环、萘环、联苯环、呋喃环、含氮杂环、碳数5～8的脂环式烃，碳数1～12的烷基、或碳数1～12的烷氧基；
l表示1～12的整数，m表示0至2的整数，其中，式(25)～(26)中，全部m的总和为2以上，式(27)～(28)中，全部m的总和为1以上，m1、m2和m3各自独立地表示1～3的整数；
R2表示氢原子、-NO2、-CN、卤素基团，一价的苯环、萘环、联苯环、呋喃环、含氮杂环和碳数5～8的脂环式烃，以及烷基、或烷氧基；
Z1、Z2表示单键、-CO-、-CH2O-、-CH＝N-、-CF2-。
＜＜侧链型高分子的制法＞＞
上述侧链型高分子可以如下得到：将具备上述具有光反应性基团的侧链的光反应性侧链单体进行聚合，或将该光反应性侧链单体与其他单体、例如液晶性侧链单体进行聚合，从而可以得到。
[光反应性侧链单体]
光反应性侧链单体是指，在形成高分子时能够形成在高分子的侧链部位具有光反应性基团的侧链的高分子的单体。
作为侧链所具有的光反应性基团，优选下述的结构及其衍生物。
作为光反应性侧链单体的更具体的例子，优选为具有如下的聚合性基团和侧链的结构，即，所述聚合性基团用选自由烃、(甲基)丙烯酸酯、衣康酸酯、富马酸酯、马来酸酯、α-亚甲基-γ-丁内酯、苯乙烯、乙烯基、马来酰亚胺、降冰片烯等的自由基聚合性基团和硅氧烷组成的组中的至少一种构成，所述侧链为由上述式(1)～(6)中至少一种形成的侧链，优选为例如由上述式(7)～(10)至少一种形成的侧链、由上述式(11)～(13)至少一种形成的侧链、上述式(14)或(15)所示的侧链、上述式(16)或(17)所示的侧链。
[液晶性侧链单体]
液晶性侧链单体是指，源自该单体的高分子表现出液晶性、该高分子在侧链部位能够形成介晶基团的单体。
作为侧链所具有的介晶基团，可以是联苯、苯甲酸苯酯等单独作为介晶结构的基团，也可以是像苯甲酸等那样侧链彼此形成氢键而成为介晶结构的基团。作为具有侧链的介晶基团，优选下述结构。
作为液晶性侧链单体的更具体的例子，优选为具有用选自由烃、(甲基)丙烯酸酯、衣康酸酯、富马酸酯、马来酸酯、α-亚甲基-γ-丁内酯、苯乙烯、乙烯基、马来酰亚胺、降冰片烯等的自由基聚合性基团和硅氧烷组成的组中的至少一种构成的聚合性基团、以及由上述式(21)～(31)的至少一种形成的侧链的结构。
本申请中，作为光反应性和/或液晶性侧链单体，可列举出以下的式(A01)～(A20)所示的化合物，但不限定于它们。
式中，R表示氢原子或甲基；S表示碳数2～10的亚烷基；R10表示Br或CN；S表示碳数2～10的亚烷基；u表示0或1；以及Py表示2-吡啶基、3-吡啶基或4-吡啶基。另外，v表示1或2。
(A)侧链型高分子可以通过具备上述具有光反应性基团的侧链的光反应性侧链单体的聚合反应而得到。另外，可以通过不表现液晶性的光反应性侧链单体与液晶性侧链单体的共聚、表现出液晶性的光反应性侧链单体与液晶性侧链单体的共聚而得到。
在不损害液晶性的表现能力的范围内也可以与其它单体共聚。
作为其它单体，例如可列举出工业上可获取的能进行自由基聚合反应的单体。
作为其它单体的具体例，可列举出不饱和羧酸、丙烯酸酯化合物、甲基丙烯酸酯化合物、马来酰亚胺化合物、丙烯腈、马来酸酐、苯乙烯化合物和乙烯基化合物等。
作为不饱和羧酸的具体例，可列举出丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、马来酸、富马酸等。
作为丙烯酸酯化合物，例如可列举出WO2014/054785号公报的[0152]中记载的物质。
作为甲基丙烯酸酯化合物，例如可列举出WO2014/054785号公报的[0153]中记载的物质。
作为乙烯基化合物、苯乙烯化合物或马来酰亚胺化合物，例如可列举出WO2014/054785号公报的[0154]中记载的物质。
关于本实施方式的侧链型高分子的制造方法，没有特别限定，可以利用工业上处理的通用方法。具体而言，可以通过液晶性侧链单体、光反应性侧链单体的利用乙烯基的阳离子聚合、自由基聚合、阴离子聚合而制造。它们之中，从反应控制的容易度等观点出发特别优选自由基聚合。
作为自由基聚合的聚合引发剂，可以使用自由基聚合引发剂、可逆加成-断裂链转移(RAFT)聚合试剂等公知的化合物。
自由基热聚合引发剂为通过加热至分解温度以上而产生自由基的化合物。作为这种自由基热聚合引发剂，例如可列举出WO2014/054785号公报的[0157]中记载的物质。这种自由基热聚合引发剂可以单独使用1种，或者也可以组合使用2种以上。
自由基光聚合引发剂只要是通过光照射而引发自由基聚合的化合物就没有特别限定。作为这种自由基光聚合引发剂，可列举出WO2014/054785号公报的[0158]中记载的物质。这些化合物可以单独使用，也可以混合使用2种以上。
自由基聚合法没有特别限制，可以使用乳液聚合法、悬浮聚合法、分散聚合法、沉淀聚合法、本体聚合法、溶液聚合法等。
作为用于得到侧链型高分子的聚合反应中使用的有机溶剂，只要溶解所生成的高分子就没有特别限定。作为其具体例，可列举出WO2014/054785号公报的[0161]中记载的物质。
这些有机溶剂可以单独使用，也可以混合使用。进而，即使是不溶解所生成的高分子的溶剂，只要在所生成的高分子不会析出的范围内，则也可以混合至上述有机溶剂中使用。
另外，在自由基聚合中，有机溶剂中的氧会成为阻碍聚合反应的原因，因此有机溶剂优选尽可能地脱气后使用。
自由基聚合时的聚合温度能够选择30℃～150℃的任意温度，优选为50℃～100℃的范围。另外，反应可以以任意浓度进行，但浓度过低时难以获得高分子量的聚合物，浓度过高时，反应液的粘性变得过高而难以均匀地搅拌，因此单体浓度优选为1质量％～50质量％、更优选为5质量％～30质量％。可以在反应初期以高浓度进行，其后追加有机溶剂。
在上述自由基聚合反应中，自由基聚合引发剂的比率相对于单体较多时，所得高分子的分子量变小，自由基聚合引发剂的比率相对于单体较少时，所得高分子的分子量变大，因此自由基引发剂的比率相对于要聚合的单体优选为0.1摩尔％～10摩尔％。另外，聚合时也可以追加各种单体成分、溶剂、引发剂等。
[聚合物的回收]
从通过上述反应得到的、侧链型高分子的反应溶液中回收所生成的高分子时，将反应溶液投入至不良溶剂，使这些聚合物沉淀即可。作为用于沉淀的不良溶剂，可列举出甲醇、丙酮、己烷、庚烷、丁基溶纤剂、庚烷、甲乙酮、甲基异丁酮、乙醇、甲苯、苯、二乙醚、甲乙醚、水等。投入至不良溶剂中而发生沉淀的聚合物可以在过滤回收后，在常压或减压下进行常温干燥或加热干燥。另外，重复进行2次～10次使沉淀回收的聚合物再溶解于有机溶剂并再沉淀回收的操作时，能够减少聚合物中的杂质。作为此时的不良溶剂，可列举出例如醇类、酮类、烃等，使用选自这些之中的3种以上不良溶剂时，精制效率进一步提高，故而优选。
关于本发明的(A)侧链型高分子的分子量，在考虑所得到的涂膜强度、涂膜形成时的操作性和涂膜的均匀性的情况下，通过GPC(凝胶渗透色谱；Gel Permeation Chromatography)法测定的重均分子量优选为2000～1000000、更优选为5000～200000。
[组合物的制备]
本发明中使用的组合物优选以适于形成液晶取向膜的方式制备成涂布液。即，本发明中使用的组合物优选制备成用于形成树脂覆膜的树脂成分溶解于有机溶剂而得到的溶液。此处，该树脂成分是指，上文说明过的包含侧链型高分子的树脂成分。此时，树脂成分的含量优选为1质量％～20质量％、更优选为3质量％～15质量％、特别优选为3质量％～10质量％。
本实施方式的组合物中，前述的树脂成分可以全部为上述侧链型高分子，也可以在不损害液晶表现能力和感光性能的范围内混合有除它们之外的其它聚合物。此时，树脂成分中的其它聚合物的含量为0.5质量％～80质量％、优选为1质量％～50质量％。
这种其它聚合物例如可列举出由聚(甲基)丙烯酸酯、聚酰胺酸、聚酰亚胺、聚酰胺酸酯、聚脲、通过使二异氰酸酯化合物与四羧酸衍生物、二胺化合物聚合而得到的聚酰胺酸-聚脲、进一步酰亚胺化而得到的聚酰亚胺-聚脲等形成、且不是上述的侧链型高分子的聚合物等。
＜＜(B)有机溶剂＞＞
本发明的组合物中使用的有机溶剂只要是能够溶解树脂成分的有机溶剂就没有特别限定。以下列举出其具体例。
可列举出：N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-甲基己内酰胺、2-吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-乙烯基吡咯烷酮、二甲基亚砜、四甲基脲、吡啶、二甲基砜、六甲基亚砜、γ-丁内酯、3-甲氧基-N,N-二甲基丙酰胺、3-乙氧基-N,N-二甲基丙酰胺、3-丁氧基-N,N-二甲基丙酰胺、1,3-二甲基咪唑啉酮、乙基戊基酮、甲基壬基酮、甲乙酮、甲基异戊基酮、甲基异丙基酮、环己酮、碳酸亚乙酯、碳酸亚丙酯、二乙二醇二甲醚、4-羟基-4-甲基-2-戊酮、丙二醇单乙酸酯、丙二醇单甲醚、丙二醇叔丁醚、二丙二醇单甲醚、二乙二醇、二乙二醇单乙酸酯、二乙二醇二甲醚、二丙二醇单乙酸酯单甲醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚、二丙二醇单乙酸酯单乙醚、二丙二醇单丙醚、二丙二醇单乙酸酯单丙醚、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、三丙二醇甲醚等。它们可以单独使用，也可以混合使用。
＜＜(C)添加剂＞＞
本申请的组合物具有(C)添加剂，该(C)添加剂的特征在于，其最低三重态能量低于源自侧链型高分子的侧链上具有的光反应性基团的化合物的最低三重态能量。
通过使用具有上述特性的(C)添加剂、即具有特定的最低三重态能量的(C)添加剂，由该组合物得到的液晶取向膜的取向处理中使用的光取向法中，可以扩大光照射量范围，提高液晶取向膜的制造效率。
此处，三重态能量是指，受到光的能量的分子激发，成为三重态状态的分子所具有的能量。特别是，将最低激发三重态(T1)与处于基底状态的分子的能量差称为最低三重态能量。
另外，三重态是指，分子受到光的能量而成为激发状态的情况下，2个轨道各具有1个不成对电子，此时，将2个不成对电子的自旋方向相同的状态称为三重态状态，将2个自旋的方向为相反的状态称为一重态状态。一般来说，三重态状态的能量低于对应的一重态状态，但激发三重态的寿命长，因此，反应的机会多，具有特色的光反应大多基于激发三重态而产生。
一般来说，最低激发状态(如果为一重态状态则为S1、如果为三重态状态则为T1)以外的高激发状态的寿命短，迅速减低至S1、T1。因此，即便使用短波长的能量高的光，激发为S2、S3，发光、反应也大多在作为最低激发状态的S1、T1下发生。
最低三重态能量可以如下测定。
作为测定的前提，处于激发三重态的分子除发生各种光反应之外，有时选取发出磷光、恢复至基底一重态状态的辐射迁移过程。此处，如果用分光光度计等测定由最低三重态激发状态发出的磷光，则可以推测最低三重态能量。
即，最低三重态能量可以根据测定到的磷光光谱而算出。磷光光谱可以使用市售的分光光度计而测定。
一般的磷光光谱的测定方法有：将作为对象的化合物溶解于溶剂，在低温下照射激发光而测定的方法(例如参照第4版实验化学讲座7p384-398(1992)日本化学会编丸善)；或者，在硅基板上蒸镀作为对象的化合物形成薄膜，在低温下照射激发光测定磷光光谱的方法等(例如参照日本特开2007-022986号公报)。
激发三重态能级可以如下算出：读取磷光光谱的短波长侧的第1峰的波长或者短波长侧上升的位置的波长，按照下述式，换算为每1摩尔的光的能量值，从而可以算出。需要说明的是，下述数式(E1)中，NA表示阿伏伽德罗常数、E表示最低三重态能量的值，h表示普朗克常数(6.63×10-34Js)，c表示光速(3.00×108m/s)，λ表示磷光光谱的短波长侧上升的位置的波长(nm)。
E(kJ/mol)＝NA×(hc/λ) (E1)
例如，(A)侧链型高分子的侧链具有以下的式(A-1)(式中，Y2和R具有与上述相同的定义。*表示式(A-1)所示的基团为侧链型高分子的侧链的一部分，在*处连接)所示的基团时，源自光反应性基团的化合物为式(A-2)(式中，Y2和R具有与上述相同的定义)所示的化合物，(C)添加剂的最低三重态能量低于式(A-2)所示的化合物的最低三重态能量较好。
另外，(A)侧链型高分子的侧链具有以下的式(A-3)(式中，Y1具有与上述相同的定义。*表示式(A-3)所示的基团为侧链型高分子的侧链的一部分，在*处连接)所示的基团时，源自光反应性基团的化合物为式(A-4)(式中，Y1具有与上述相同的定义)所示的化合物，(C)添加剂的最低三重态能量低于式(A-4)所示的化合物的最低三重态能量较好。
例如可以举出式(A-1)所示的基团为下述式(A-1-1)所示的基团、式(A-2)所示的化合物为下述式(A-2-1)所示的化合物的情况；
式(A-1)所示的基团为下述式(A-1-2)所示的基团、式(A-2)所示的化合物为下述式(A-2-2)所示的化合物的情况等，但不限定于这些。需要说明的是，*具有与上述相同的定义。
另外，例如可以举出式(A-3)所示的基团为下述式(A-3-1)所示的基团、式(A-4)所示的化合物为下述式(A-4-1)所示的化合物的情况等，但不限定于这些。需要说明的是，*具有与上述相同的定义。
另外，此时，作为(C)添加剂，可以举出下述式(C-1)～(C-27)所示的化合物，但不限定于这些。
本发明中，认为(C)添加剂作为消光剂发挥作用。以下，作为例子，对(A)侧链型高分子具有式(A-1)或(A-3)所示的基团作为光反应性基团的情况下，具体而言，对具有肉桂酸基团的情况进行考虑。
未添加(C)添加剂的情况下，对(A)侧链型高分子照射用于取向控制的光时，使(A)侧链型高分子中的光反应性基团即肉桂酸基团激发，(A)侧链型高分子对照射光敏感地发生反应。
另一方面，导入比肉桂酸的激发三重态能量低的添加剂，从而(A)侧链型高分子中的肉桂酸基团中的激发状态的能量向作为消光剂发挥作用的添加剂移动，失活而消光。因此，具有光反应性基团即肉桂酸基团的(A)侧链型高分子的光反应率降低，对照射光或光照射量的灵敏度降低，从而能扩大稳定地产生取向控制能力的光照射量的范围。
上述作用不限定于具有肉桂酸基团的(A)侧链型高分子，在具有其他光反应性基团、例如查尔酮骨架、香豆素骨架、茋骨架、偶氮苯骨架等光反应性基团的(A)侧链型高分子中也同样产生。
以下，对于包含肉桂酸基团的光反应性基团以外的光反应性基团进行说明。
(C)添加剂在组合物中可以含有1种或2种以上。
此时，组合物中的(C)添加剂的含量相对于组合物中含有的树脂成分的100质量份，可以为0.01质量份～200质量份、优选0.05质量份～100质量份。
另外，对于(C)添加剂，如果使用的(C)添加剂为液体，则可以作为(B)有机溶剂使用。此时，通过利用烘箱等的加热而得到涂膜时，大部分蒸发而消失。考虑该消失部分时，使用(C)添加剂作为(B)有机溶剂时，该(C)添加剂的含量可以为(B)有机溶剂整体的2质量％～80质量％、优选5质量％～50质量％。
本发明中使用的组合物除上述(A)侧链型高分子、(B)有机溶剂和(C)添加剂之外，可以含有其他成分。作为其例子，可列举出涂布组合物时的、用于提高膜厚均匀性、表面平滑性的溶剂、化合物、用于提高液晶取向膜与基板的密合性的化合物等，但不限定于此。
作为用于提高膜厚均匀性、表面平滑性的溶剂(不良溶剂)的具体例，可列举出WO2014/054785号公报的[0171]中记载的物质。
这些不良溶剂可以使用1种，也可以混合使用多种。使用上述那样的溶剂时，为了不使组合物中包含的溶剂整体的溶解性显著降低，优选为溶剂整体的5质量％～80质量％、更优选为20质量％～60质量％。
作为用于提高膜厚均匀性、表面平滑性的化合物，可列举出氟系表面活性剂、有机硅系表面活性剂和非离子系表面活性剂等。
更具体而言，可列举出例如Eftop(注册商标)301、EF303、EF352(Tohkem products Corporation制)、Megafac(注册商标)F171、F173、R-30(DIC CORPORATION制)、Fluorad FC430、FC431(Sumitomo 3M Limited制)、AsahiGuard(注册商标)AG710(旭硝子株式会社制)、Surflon(注册商标)S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(AGC SEIMI CHEMICAL CO.,LTD.制)等。这些表面活性剂的使用比例相对于组合物中含有的树脂成分100质量份优选为0.01质量份～2质量份、更优选为0.01质量份～1质量份。
作为用于提高液晶取向膜与基板的密合性的化合物的具体例，可列举出WO2014/054785号公报的[0174]中记载的含官能性硅烷的化合物等。
进而，为了提高基板与液晶取向膜的密合性、且防止构成液晶表示元件时由背光导致的电特性降低等，可以在组合物中含有如下那样的酚醛塑料系、含环氧基化合物的添加剂。以下示出具体的酚醛塑料系添加剂，但不限定于该结构。
作为具体的含环氧基化合物，可列举出WO2014/054785号公报的[0177]中记载的物质。
使用用于提高与基板的密合性的化合物时，其用量相对于组合物中含有的树脂成分100质量份优选为0.1质量份～30质量份、更优选为1质量份～20质量份。用量不足0.1质量份时，无法期待提高密合性的效果，多于30质量份时，液晶的取向性有时变差。
本申请的组合物中除了上述物质之外，只要在不损害本发明效果的范围内，出于改变液晶取向膜的介电常数、导电性等电特性的目的，可以添加电介质、导电物质，进而出于在制成液晶取向膜时提高膜的硬度、致密度的目的，可以添加交联性化合物。
＜使用上述组合物的液晶取向膜和其制造方法＞、＜具有液晶取向膜的基板的制造方法＞和＜液晶表示元件的制造方法＞
使用上述组合物的液晶取向膜与WO2014/054785(其内容作为参照整体包含于本申请中)同样地，利用基于对使用该组合物得到的涂膜进行偏光照射的光取向法而可以得到。
具体而言，可以得到具有液晶取向膜的基板，其通过具有如下工序而可以得到赋予了取向控制能力的液晶取向膜、特别是横向电场驱动型液晶表示元件用液晶取向膜：
[I]将上述组合物涂布于具有导电膜、特别是横向电场驱动用的导电膜的基板上而形成涂膜的工序；
[II]对[I]中得到的涂膜照射偏振紫外线的工序；和
[III]对[II]中得到的涂膜进行加热的工序。
另外，除上述中得到的基板(第1基板)之外，准备第2基板，从而得到液晶表示元件、特别是横向电场驱动型液晶表示元件。
第2基板与第1基板同样地，使用具有导电膜、特别是横向电场驱动用的导电膜的基板，利用上述工序[I]～[III]，从而可以得到具有赋予了取向控制能力的液晶取向膜的第2基板。
另外，第2基板使用不具有该导电膜的基板代替具有导电膜、特别是横向电场驱动用的导电膜的基板，除此之外，使用上述工序[I]～[III](由于使用不具有导电膜的基板，因此，方便起见，本申请中，有时简记作工序[I’]～[III’])，从而可以得到具有赋予了取向控制能力的液晶取向膜的第2基板。
液晶表示元件、特别是横向电场驱动型液晶表示元件的制造方法具有如下工序：
[IV]将上述中得到的第1和第2基板隔着液晶以第1和第2基板的液晶取向膜相对的方式进行对向配置而得到液晶表示元件的工序。
由此，可以得到液晶表示元件、特别是横向电场驱动型液晶表示元件。
以下，对本发明的制造方法所具有的[I]～[III]、和[IV]的各工序进行说明。
＜工序[I]＞
工序[I]中，在具有导电膜、特别是横向电场驱动用的导电膜的基板上涂布上述组合物而形成涂膜。
＜基板＞
对于基板没有特别限定，所制造的液晶表示元件为透射型时，优选使用透明性高的基板。此时，没有特别限定，可以使用玻璃基板、或丙烯酸类基板、聚碳酸酯基板等塑料基板等。
另外，考虑向反射型的液晶表示元件的应用，也可以使用硅晶片等不透明的基板。
＜导电膜＞
基板具有导电膜、特别是横向电场驱动用的导电膜。
作为该导电膜，液晶表示元件为透射型时，可列举出ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)、IZO(Indium Zinc Oxide：氧化铟锌)等，但不限定于它们。
另外，反射型的液晶表示元件的情况下，作为导电膜，可列举出铝等会反射光的材料等，但不限定于它们。
在基板上形成导电膜的方法可以使用以往公知的方法。
将上述组合物涂布到具有导电膜的基板上的方法没有特别限定。
关于涂布方法，工业上通常是利用丝网印刷、胶版印刷、柔性印刷或喷墨法等进行的方法。作为其它涂布方法，有浸渍法、辊涂法、狭缝涂布法、旋涂法(旋转涂布法)或喷涂法等，可根据目的使用它们。
在具有导电膜的基板上涂布组合物后，利用热板、热循环型烘箱或IR(红外线)型烘箱等加热手段以50～200℃、优选以50～150℃使溶剂蒸发，从而能够得到涂膜。此时的干燥温度优选低于侧链型高分子的液晶相表现温度。
涂膜的厚度过厚时，在液晶表示元件的耗电方面是不利的，涂膜的厚度过薄时，液晶表示元件的可靠性有时会降低，因此优选为5nm～300nm、更优选为10nm～150nm。
另外，在工序[I]之后且下一工序[II]之前，还可以设置将形成有涂膜的基板冷却至室温的工序。
＜工序[II]＞
在工序[II]中，对通过工序[I]得到的涂膜照射偏振紫外线。对涂膜的膜面照射偏振紫外线时，从特定方向隔着偏振板对基板照射偏振紫外线。作为要使用的紫外线，可以使用波长为100nm～400nm范围的紫外线。优选的是，根据要使用的涂膜种类，借助滤波器等选择最佳的波长。并且，例如可以选择使用波长为290nm～400nm范围的紫外线，以便能够选择性地诱发光交联反应。作为紫外线，可以使用例如由高压汞灯发出的光。
偏振紫外线的照射量取决于要使用的涂膜。关于照射量，优选设为实现ΔA的最大值(以下也称为ΔAmax)的偏振紫外线的量的1％～70％的范围内、更优选设为1％～50％的范围内，所述ΔA是该涂膜的、平行于偏振紫外线的偏振方向的方向的紫外线吸光度与垂直于偏振紫外线的偏振方向的方向的紫外线吸光度之差。
＜工序[III]＞
工序[III]中，加热在工序[II]中照射了偏振紫外线的涂膜。通过加热而能够对涂膜赋予取向控制能力。
加热可以使用热板、热循环型烘箱或IR(红外线)型烘箱等加热手段。加热温度可以考虑使所用的涂膜表现出液晶性的温度来确定。
加热温度优选为侧链型高分子表现出液晶性的温度(以下称为液晶性表现温度)的温度范围内。涂膜那样的薄膜表面的情况下，预想涂膜表面的液晶性表现温度低于在整体上观察能表现出液晶性的感光性的侧链型高分子时的液晶性表现温度。因此，加热温度更优选为涂膜表面的液晶性表现温度的温度范围内。即，偏振紫外线照射后的加热温度的温度范围优选为：将比所使用的侧链型高分子的液晶性表现温度的温度范围的下限低10℃的温度作为下限、将比该液晶温度范围的上限低10℃的温度作为上限的范围的温度。加热温度低于上述温度范围时，存在涂膜中的由热带来的各向异性增幅效果不充分的倾向，另外，加热温度与上述温度范围相比过高时，存在涂膜状态接近于各向同性的液体状态(各向同性相)的倾向，此时，有时难以利用自组装化(self-assembly)而沿一个方向进行再取向。
需要说明的是，液晶性表现温度是指侧链型高分子或涂膜表面从固体相向液晶相发生相转变的玻璃化转变温度(Tg)以上、且从液晶相向均质性相(Isotropic phase、各向同性相)发生相转变的各向同性相转变温度(Tiso)以下的温度。
通过具有以上的工序，在本发明的制造方法中，能够实现对涂膜高效地导入各向异性。并且，能够高效地制造带液晶取向膜的基板。
＜工序[IV]＞
[IV]工序是将通过[III]得到的导电膜上具有液晶取向膜的基板(第一基板)与同样地通过上述[I’]～[III’]得到的不具有导电膜的带液晶取向膜的基板(第二基板)隔着液晶以两者的液晶取向膜相对的方式对向配置，利用公知的方法制作液晶单元，从而制作横向电场驱动型液晶表示元件的工序。需要说明的是，关于工序[I’]～[III’]，除了在工序[I]中代替具有导电膜的基板而使用不具有该导电膜的基板之外，可以与工序[I]～[III]同样地进行。工序[I]～[III]与工序[I’]～[III’]的不同点仅在于有无上述导电膜，因此省略工序[I’]～[III’]的说明。
若列举出液晶单元或液晶表示元件的一个制作例，则可例示出如下方法：准备上述的第一基板和第二基板，在一个基板的液晶取向膜上散布间隔物，以液晶取向膜面成为内侧的方式粘贴另一个基板，减压注入液晶并密封的方法；或者，向散布有间隔物的液晶取向膜面滴加液晶后，粘贴基板并进行密封的方法等。此时，优选的是，单侧的基板使用横向电场驱动用的具有梳齿那样的结构的电极的基板。此时的间隔物的直径优选为1μm～30μm、更优选为2μm～10μm。该间隔物直径会决定夹持液晶层的一对基板间距离、即液晶层的厚度。
本发明的带涂膜的基板的制造方法在将组合物涂布在基板上而形成涂膜后照射偏振紫外线。接着，通过进行加热，从而实现向侧链型高分子膜高效率导入各向异性，制造带有具备液晶的取向控制能力的液晶取向膜的基板。
本发明所使用的涂膜利用侧链的光反应和通过基于液晶性的自组装而引发的分子再取向的原理，实现向涂膜高效率导入各向异性。本发明的制造方法在侧链型高分子具有光交联性基团作为光反应性基团的结构的情况下，使用侧链型高分子在基板上形成涂膜后，照射偏振紫外线，接着进行加热后，制作液晶表示元件。
需要说明的是，关于使用具有光交联性基团、发生光弗利斯重排的基团或异构化的基团作为光反应性基团的结构的侧链型高分子的光取向法，在WO2014/054785(该文献的内容整体作为参考被包含在本申请中)中详细说明过，本申请中也同样。
如以上所述，利用本发明的组合物或本发明的方法制造的液晶表示元件用基板、特别是横向电场驱动型液晶表示元件用基板或具有该基板的液晶表示元件、特别是横向电场驱动型液晶表示元件的可靠性优异。
另外，通过本发明的组合物或本发明的方法，能够扩大稳定产生液晶取向膜的取向控制能力的光照射量的范围(所谓“照射量边界”)，因此，在液晶取向膜的制造工序中即使偏振光照射的时间等稍微从控制值偏离，也能够得到品质不变的液晶取向膜，能够提高液晶取向膜的制造效率。因此，利用本发明的组合物或本发明的方法制造的液晶表示元件用基板、特别是横向电场驱动型液晶表示元件用基板或具有该基板的液晶表示元件、特别是横向电场驱动型液晶表示元件能够适宜地用于大屏幕且高清晰的液晶电视等。
以下，使用实施例说明本发明，本发明不限定于该实施例。
实施例
将实施例中使用的(甲基)丙烯酸酯化合物和添加剂的简称及其结构示于以下。
＜(甲基)丙烯酸酯化合物＞
MA-1通过专利文献(WO2011-084546)中记载的合成法合成。
MA-2通过专利文献(日本特开平9-118717)中记载的合成法合成。
＜添加剂＞
T-1～T-8使用市售品(东京化成工业株式会社制)。
T-1：苯并蒽酮
T-2：吖啶
T-3：芘
T-4：9-芴酮
T-5：苯偶酰
T-6：2-萘乙酮
T-7：1,10-菲咯啉
T-8：2-甲基二苯甲酮
实施例等中使用的有机溶剂的简称如以下所述。
NEP：N-乙基-2-吡咯烷酮
PB：丙二醇单丁醚
THF：四氢呋喃
(聚合例1)
将MA-1(13.3g、40.0mmol)和MA-2(18.4g、60.0mmol)溶解于THF(182.3g)中，用隔膜泵进行脱气后，加入2,2’-偶氮二异丁腈(0.82g、5.0mmol)，再次进行脱气。之后，以50℃反应30小时，得到甲基丙烯酸酯的聚合物溶液。
在二乙醚(1500ml)中滴加该聚合物溶液，将所得沉淀物过滤。将该沉淀物用二乙醚清洗，在40℃的烘箱中进行减压干燥，得到甲基丙烯酸酯聚合物粉末。
在所得粉末10.0g中加入NEP(127g)，在室温下搅拌16小时使其溶解。在该溶液中加入PB(113g)并搅拌，从而得到甲基丙烯酸酯聚合物溶液PMA-1。
(实施例1)
在上述中得到的甲基丙烯酸酯聚合物溶液PMA-1(5.00g)中加入添加剂T-1(0.010g)，在室温下搅拌1小时，从而得到液晶取向剂A-1。
(实施例2～5、和比较例1～4)
以表1所示的组成，用与实施例1同样的方法，得到实施例2～5的液晶取向剂A-2～A-5。
另外，比较例1～4也用同样的方法制备液晶取向剂B-1～B-4。
[表1]
表1.实施例1～5的液晶取向剂A-1～A-5和比较例1～4的液晶取向剂B-1～B-4的组成
<光反应率测定用基板的制成>
使用上述中得到的液晶取向剂A-1，以下述所示的步骤进行光反应率测定用基板的制作。基板使用大小40mm×40mm、且厚度为1.0mm的石英基板。
将实施例1中得到的液晶取向剂A-1用过滤器孔径1.0μm的过滤器过滤后，旋涂于石英基板上，在70℃的热板上干燥90秒钟后，形成膜厚100nm的液晶取向膜。接着，对涂膜面隔着偏振板以成为30mJ/cm2的方式照射313nm的紫外线，得到带有经过光反应的液晶取向膜的基板。
关于实施例2～5和比较例1～4中得到的液晶取向剂A-2～A-5和B-1～B-4，也用与液晶取向剂A-1同样的方法，制成光反应率测定用基板。
＜光反应率的测定＞
用吸光度和下式算出通过上述操作制作的经过光反应的液晶取向膜的光反应率。
需要说明的是，吸光度的测定中使用岛津制作所制的紫外线可见近红外分析光度计U-3100PC。
此处，A(initial)表示UV照射前的吸光度，A(exposed)表示UV照射后的吸光度。此时，光反应率越接近0，表示越不产生光反应。
＜面内取向度(In-plane order parameter)测定用基板的制成＞
进而，为了确认液晶取向膜的光学各向异性，使用上述中得到的液晶取向剂A-1，进行面内取向度测定用基板的制作。基板使用大小40mm×40mm、且厚度为1.0mm的石英基板。
将实施例1中得到的液晶取向剂A-1用1.0μm的过滤器过滤后，旋涂于石英基板上，在70℃的热板上干燥90秒钟后，形成膜厚100nm的液晶取向膜。接着，对涂膜面隔着偏振板以成为30mJ/cm2的方式照射313nm的紫外线后，在140℃的热板上加热10分钟，得到带液晶取向膜的基板。
关于实施例2～5和比较例1～4中得到的液晶取向剂A-2～A-5和B-1～B-4，也使用与液晶取向剂A-1同样的方法，制成面内取向度测定用基板。
＜面内取向度的测定＞
使用上述中制作的带液晶取向膜的基板，为了测定液晶取向膜的光学各向异性，由偏振光的吸光度利用下述式算出作为面内取向度的S。
需要说明的是，吸光度的测定中使用岛津制作所制的紫外可见近红外分析光度计U-3100PC。
此处，Apara表示与所照射的偏振UV方向平行的方向的吸光度，Aper表示与所照射的偏振UV方向垂直的方向的吸光度。Alarge表示将平行方向与垂直方向的吸光度相比较，值较大一方的吸光度，Asmall表示将平行方向与垂直方向的吸光度相比较，值较小一方的吸光度。面内取向度的绝对值越接近1，表示越呈现相同的取向状态。
将算出的光反应率和面内取向度S的绝对值示于表2。需要说明的是，对于面内取向度，使用下述基准而表示。
◎：S的绝对值为0.6以上
○：S的绝对值为0.5以上～低于0.6
△：S的绝对值为0.4以上～低于0.5
[表2]
表2.
使用实施例1～5和比较例1～4的液晶职向剂时的光反应率和面内取向度
需要说明的是，表2中，最低三重态能量的值为化学新系列光化学(裳华房)、Handbook of Photochemistry,Third Edition(CRC Press)、Photochem.Photobiol.Sci.,2011,10,1902-1909等中记载的值。
另外，比较例1的最低三重态能量的值表示源自聚合物中的光反应性基团即肉桂酸基团的肉桂酸的最低三重态能量。
如表2所示那样，确认了，添加了本发明的添加剂的实施例1～5的液晶取向剂与完全未添加的比较例1的液晶取向剂相比，光反应率降低。
另外确认了，在光反应率降低的条件下，表现出光学各向异性的面内取向度S的增大。
进而可知，添加剂的最低三重态能量的值越低于肉桂酸的最低三重态能量值即“240”，光反应率越降低、且面内取向度S越接近于期望的值即1。
即显示了，在本发明的添加剂的存在下，光反应性基团的感光度钝化，因此即使处于紫外线照射量过量的条件下也能调节至最佳UV照射区域。
即使处于紫外线照射过量的条件下也能调节至最佳UV照射区域，结果UV照射工序中的处理边界扩大，可以期待有利于制造成品率提高。进而，通过调节添加剂的种类和导入量，可以将光反应率抑制为任意的比率。即，能微调最佳UV照射量，调节为各向异性成为最大的照射量，从而可以得到取向性更高的液晶取向膜。
此处，实施例1～5中，低于肉桂酸的激发三重态能量的添加剂的导入有减少肉桂酸的光反应率的效果，因此，即预计作为消光剂发挥作用。也就是说，认为，经过肉桂酸的激发状态的能量由于向添加剂的能量移动而失活的消光过程，因此，肉桂酸的光反应率降低。另外，有添加剂与肉桂酸的最低三重态能量差越大，光反应率越降低的倾向，因此暗示了，添加剂的最低三重态能量越小，越能更有利地选取消光过程。
由此，不限定于肉桂酸，例如查尔酮骨架、香豆素骨架、茋骨架、偶氮苯骨架中，在具有比这些光反应性基团低的最低三重态能量的添加剂存在的条件下进行基于紫外线照射的光反应的情况下，光反应性基团的一部分也经过消光过程，因此预计，与不存在添加剂的状态相比，光反应率等同、或降低。其结果，即使为光反应性基团不是肉桂酸的同样的液晶取向剂，也与实施例1～5同样地，能进行光反应率的控制，有利于UV照射工序的处理边界扩大，能将紫外线照射量调节至各向异性成为最大的照射量。