一种阵列基板及显示装置的制作方法

本发明涉及液晶显示领域，特别涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术：

液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板(TFT-LCD)及背光模组(backlight module)。就目前主流市场上的LCD显示面板而言，VA型液晶显示面板相比其他种类的液晶显示面板具有极高的对比度，在大尺寸显示，如电视等方面具有非常广的应用。但由于VA型液晶显示面板采用垂直转动的液晶，液晶分子双折射率的差异比较大，导致大视角下的色偏(color shift)问题比较严重，使得VA型液晶显示面板从不同角度看到的亮度差异较大，造成画面失真。

因为液晶显示的内在因素，VA显示器在不同位置观察到的图像始终有些差异。这导致正视情况下看起来正常的图片大视角观看时显示异常，这种异常主要体现在颜色上，也就是大视角色偏。为了改善VA显示器的大视角色偏，一般采取图2所示的设计，将整个显示单元分为main-pixel(主像素)与sub-pixel(次像素)，分别由两个TFT器件单独控制。两个TFT由同一条gate line(栅极线)控制，gate打开时data line(数据线)对main-pixel与sub-pixel进行充电，main-pixel的电位保持为data line给的信号，sub-pixel的电压由几部分同时决定，公式表述如下：

调节不同的Cx值，可以定向的控制Vsub的电压，使得main-pixel与sub-pixel存在一定的电压差。这样在同一灰阶下液晶分子有两种排列方向，在大视角观看时可以起到视角补偿的作用，以实现改善大视角的目的。但是该设计的改善效果受到限制，在中低灰阶依然存在较大色偏现象。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种阵列基板及显示装置，以解决现有技术中，VA型液晶显示面板采用垂直转动的液晶，液晶分子双折射率的差异比较大，导致大视角下的色偏问题比较严重，使得VA型液晶显示面板从不同角度看到的亮度差异较大，造成画面失真的问题。

本发明的技术方案如下：

一种阵列基板，包括：多条栅极线、多条数据线及由所述多条栅极线与所述多条数据线交叉形成的多个像素单元，每个所述像素单元包括水平方向依次排列的主像素区、第一子像素区及第二子像素区；

设N为正整数，一个所述像素单元分别与第N条和第N+1条所述栅极线连接，当第N条所述栅极线开启，所述数据线对所述主像素区、所述第一子像素区及所述第二子像素区进行充电，当第N+1条所述栅极线开启，所述主像素区、所述第一子像素区及所述第二子像素区的内部可发生电容耦合作用，使得所述主像素区、所述第一子像素区及所述第二子像素区的电位互不相同。

优选地，所述主像素区包括第一薄膜晶体管，所述第一子像素区包括第二薄膜晶体管，所述第二子像素区包括第三薄膜晶体管，且所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管与所述第三薄膜晶体管的栅极均连接且只连接第N条所述栅极线。

优选地，所述第二子像素区还包括第四薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管的栅极连接且只连接第N+1条所述栅极线。

优选地，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管与所述第三薄膜晶体管的源极均与同一条所述数据线连接，所述第一薄膜晶体管的漏极分别连接有第一液晶电容与第一存储电容，所述第二薄膜晶体管的漏极分别连接有第二液晶电容与第二存储电容，所述第三薄膜晶体管的漏极分别连接有第三液晶电容与第三存储电容。

优选地，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的漏极之间设有第二电容，所述第四薄膜晶体管的漏极与所述第三薄膜晶体管的漏极之间设有第一电容，所述第四薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接。

优选地，当第N条所述栅极线开启，所述数据线对所述第一液晶电容、所述第一存储电容、所述第二液晶电容、所述第二存储电容、所述第三液晶电容、所述第三存储电容、所述第一电容及所述第二电容进行充电，当第N+1条所述栅极线开启，所述第一电容与所述第二存储电容和所述第二液晶电容发生电容耦合作用，所述第二电容与所述第一存储电容和所述第一液晶电容发生电容耦合作用，使得所述主像素区、所述第一子像素区及所述第二子像素区的电位互不相同。

优选地，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管与所述第三薄膜晶体管共同连接的所述数据线位于所述主像素区与所述第一子像素区之间。

优选地，所述第一存储电容、所述第二存储电容与所述第三存储电容的一端均与公共电极连接。

优选地，所述第一液晶电容、所述第二液晶电容与所述第三液晶电容的一端均接地。

一种显示装置，其包括上述任一项所述的阵列基板。

本发明的有益效果：

本发明的一种阵列基板及显示装置，通过将一个像素单元分为主像素区、第一子像素区和第二子像素区，并通过发生电容耦合作用，使得所述主像素区、所述第一子像素区及所述第二子像素区的电位互不相同，解决了现有技术中，VA型液晶显示面板采用垂直转动的液晶，液晶分子双折射率的差异比较大，导致大视角下的色偏问题比较严重，使得VA型液晶显示面板从不同角度看到的亮度差异较大，造成画面失真的问题。

【附图说明】

图1为本发明实施例的一种阵列基板的像素单元的整体结构示意图；

图2为现有技术的一种阵列基板的像素单元的整体结构示意图。

【具体实施方式】

以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。

实施例一

本发明的基本原理在于，通过将每个像素单元分为彼此绝缘的三个部分，一个部分为主像素区100，剩余的两个部分为第一子像素区200和第二子像素区300，然后通过先对对该主像素区100、第一子像素区200和第二子像素区300分别输入相同的电压，在通过电容耦合作用使该三个彼此绝缘的像素区的电压互不相同，进而使得各个像素区的液晶偏转角度不同，从而实现对液晶显示面板的大视角的色偏补偿。

请参考图1，图1为本实施例的一种阵列基板的像素单元的整体结构示意图，从图1可以看到，本发明的一种阵列基板，其包括：

多条栅极线Gate、多条数据线Data及由所述多条栅极线Gate与所述多条数据线Data交叉形成的多个像素单元，每个所述像素单元包括水平方向依次排列的主像素区100、第一子像素区200及第二子像素区300。

设N为正整数，一个所述像素单元分别与第N条和第N+1条所述栅极线Gate连接，当第N条所述栅极线Gate开启，所述数据线Data对所述主像素区100、所述第一子像素区200及所述第二子像素区300进行充电，当第N+1条所述栅极线Gate开启，所述主像素区100、所述第一子像素区200及所述第二子像素区300的内部可发生电容耦合作用，使得所述主像素区100、所述第一子像素区200及所述第二子像素区300的电位互不相同。

其中，每个所述像素单元的整体结构如下所述：

所述主像素区100包括第一薄膜晶体管T1，所述第一子像素区200包括第二薄膜晶体管T2，所述第二子像素区300包括第三薄膜晶体管T3，且所述第一薄膜晶体管T1、所述第二薄膜晶体管T2与所述第三薄膜晶体管T3的栅极均连接且只连接第N条所述栅极线Gate。

另外，所述第二子像素区300还包括第四薄膜晶体管T4，所述第四薄膜晶体管T4的栅极连接且只连接第N+1条所述栅极线Gate。

在本实施例中，所述第一薄膜晶体管T1、所述第二薄膜晶体管T2与所述第三薄膜晶体管T3的源极均与同一条所述数据线Data连接，所述第一薄膜晶体管T1的漏极分别连接有第一液晶电容C_lc1与第一存储电容C_st1，所述第二薄膜晶体管T2的漏极分别连接有第二液晶电容C_lc2与第二存储电容C_st2，所述第三薄膜晶体管T3的漏极分别连接有第三液晶电容C_lc3与第三存储电容C_st3。

另外，所述第一薄膜晶体管T1的漏极与所述第二薄膜晶体管T2的漏极之间设有第二电容Cb，所述第四薄膜晶体管T4的漏极与所述第三薄膜晶体管T3的漏极之间设有第一电容Ca，所述第四薄膜晶体管T4的源极与所述第二薄膜晶体管T2的漏极连接。

在本实施例中，优选所述第一薄膜晶体管T1、所述第二薄膜晶体管T2与所述第三薄膜晶体管T3共同连接的所述数据线Data位于所述主像素区100与所述第一子像素区200之间，优选所述第一存储电容C_st1、所述第二存储电容C_st2与所述第三存储电容C_st3的一端均与公共电极连接，优选所述第一液晶电容C_lc1、所述第二液晶电容C_lc2与所述第三液晶电容C_lc3的一端均接地。

本发明的工作原理如下所述：

当第N条所述栅极线Gate开启，所述数据线Data对所述第一液晶电容C_lc1、所述第一存储电容C_st1、所述第二液晶电容C_lc2、所述第二存储电容C_st2、所述第三液晶电容C_lc3、所述第三存储电容C_st3、所述第一电容Ca及所述第二电容Cb进行充电，同时第一电容Ca的与第三薄膜晶体管T3连接的一端电容板(即下端板)聚集了部分电荷，而第二电容Cb的两端电容板均聚集了部分电荷。

当第N+1条所述栅极线Gate开启，第N条所述栅极线Gate关闭，所述第一电容Ca与所述第二存储电容C_st2和所述第二液晶电容C_lc2发生电容耦合作用，即此时所述第一电容Ca的上端板的电位较低，第二液晶电容C_lc2和第二存储电容C_st2的上端板(与第二薄膜晶体管T2的漏极连接)的电位较高，第二液晶电容C_lc2和第二存储电容C_st2的上端板的电荷会转移到所述第一电容Ca的上端板，使得第一子像素区200的总体电位下降，并使得第二子像素区300的总体电位上升。

所述第二电容Cb与所述第一存储电容Cst1和所述第一液晶电容C_lc1发生电容耦合作用，即所述第二存储电容C_st2和所述第二液晶电容C_lc2的上端板的部分电荷转移到第一电容Ca之后，其电位下降，这时第二电容Cb的部分电荷就会转移到所述第二存储电容C_st2和所述第二液晶电容C_lc2上，导致第二电容Cb的电位下降，进而导致所述主像素区100的电位的下降。

总的来说，就是使得所述主像素区100、所述第一子像素区200及所述第二子像素区300的电位互不相同。

本发明的一种阵列基板，通过将一个像素单元分为主像素区100、第一子像素区200和第二子像素区300，并通过发生电容耦合作用，使得所述主像素区100、所述第一子像素区200及所述第二子像素区300的电位互不相同，解决了现有技术中，VA型液晶显示面板采用垂直转动的液晶，液晶分子双折射率的差异比较大，导致大视角下的色偏问题比较严重，使得VA型液晶显示面板从不同角度看到的亮度差异较大，造成画面失真的问题。

实施例二

本实施的一种显示装置，包括一实施例一所述的阵列基板，该阵列基板已经在实施例一中进行过了详细的论述，在此不再重复说明。

本发明的一种显示装置，通过将其阵列基板的一个像素单元分为主像素区100、第一子像素区200和第二子像素区300，并通过发生电容耦合作用，使得所述主像素区100、所述第一子像素区200及所述第二子像素区300的电位互不相同，解决了现有技术中，VA型液晶显示面板采用垂直转动的液晶，液晶分子双折射率的差异比较大，导致大视角下的色偏问题比较严重，使得VA型液晶显示面板从不同角度看到的亮度差异较大，造成画面失真的问题。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。