技术特征：
技术总结
本发明提供基板处理方法，一边控制抗蚀剂厚膜的形状一边除去凸起。晶片(W)的处理方法包括：第一步骤，对晶片(W)的表面(Wa)供给涂敷液而形成涂敷膜；第二步骤，从喷嘴(46)排出有机溶剂并将其供给到涂敷膜的周缘部，将该周缘部之中呈凸状突起的凸起部溶解而使其均匀成与涂敷膜之中其他的部分相同程度的厚度；第三步骤，在第二步骤之后对涂敷膜进行加热，形成由涂敷膜固化而成的固化膜；和第四步骤，从喷嘴(46)排出有机溶剂并将其供给到所述固化膜的周缘部，将该周缘部溶解而将其从基板上除去。
技术研发人员：佐藤好友
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2017.02.03
技术公布日：2017.08.15