技术总结
CMOS后工艺集成高效率双向光栅耦合器，包括一个双向光栅耦合器，由一个用于垂直耦合的均匀光栅和两个模式转换器组成，均匀光栅作为单模光纤的垂直耦合接口，模式转换器用于连接双向光栅耦合器两侧多模光波导与单模光波导，实现无损耗光传输及模式转换；一个双介质包层，位于双向光栅耦合器上方，用于抑制对入射光的向上反射；一个CMOS IC芯片，作为CMOS后工艺的衬底，其中位于CMOS IC芯片表面、双向光栅耦合器底部的金属焊盘作为双向光栅耦合器的衬底反射镜；一个二氧化硅隔离层，位于CMOS IC芯片和双向光栅耦合器之间，作为双向光栅耦合器下包层；一个环形金属对准标记，位于双介质包层上方，环绕在双向光栅耦合器周围，用于测试时对单模光纤进行对准。
技术研发人员：张赞允;朱华;刘宏伟;陈力颖;李鸿强
受保护的技术使用者：天津工业大学
文档号码：201710176151
技术研发日：2017.03.20
技术公布日：2017.05.17