液晶显示设备的制作方法

本发明构思的示范性实施方式涉及液晶显示(lcd)设备，更具体地，涉及具有改善的显示质量的显示基板及包括该显示基板的lcd设备。

背景技术：

显示设备根据其发光方式被划分成液晶显示(lcd)设备、有机发光二极管(oled)显示设备、等离子体显示面板(pdp)设备和电泳显示(epd)设备等。

lcd设备包括包含分别在其上形成的电极的两个基板，以及在两个基板之间的液晶层。在向两个电极施加电压时，液晶层的液晶分子被重新排列，使得在lcd设备中透射的光的量被控制。lcd设备包括配向层，其可以排列液晶分子以均匀地控制液晶层。

在多种类型的lcd设备中，垂直配向模式的lcd设备具有相对大的对比度并且可以提供宽视角，在垂直配向模式的lcd设备中液晶分子被排列使得其主轴在没有电场时垂直于基板。

近来，正在使用一种技术以改善视角特性，由此像素电极被分成多个畴，并且在施加电压时对于每个畴液晶分子排列在不同的方向上。多个畴可以使用十字形主干部分和从十字形主干部分在不同的方向上对角地延伸的分支部分而形成。

然而，由于由图案化分支部分的工艺引起的剪切应力，在分支部分的每个的边缘部分处可能出现纹理(texture)。

将要理解，该技术部分的背景旨在提供用于理解技术的有用背景，并且如此处所公开的，技术背景部分可以包括不是此处公开的主题的相应有效提交日之前相关领域的技术人员已知的或已经理解的部分的想法、构思或认识。

技术实现要素：

本发明构思的示范性实施方式涉及能够防止在每个畴的边缘部分处出现纹理的液晶显示(lcd)设备。

根据本发明构思的一示范性实施方式，一种液晶显示设备包括：包含设置在像素区域中的像素电极的显示基板；与显示基板对立的对立基板；设置在显示基板和对立基板之间的液晶层；以及设置在显示基板和对立基板的至少一个上的偏振器。像素电极包括：沿像素电极的边缘延伸的第一狭缝；以及第二狭缝，其具有基本四边形形状并且具有平行于或垂直于偏振器的偏振轴延伸的长边。第二狭缝可以不重叠将像素电极平分成两个相等部分的中心线。

第一狭缝在相邻畴之间的边界处可以具有断开处。

第一狭缝可以具有范围自约2μm至约5μm的宽度。

第二狭缝的长边的宽度可以在约8μm至约10μm的范围内，并且第二狭缝的短边的宽度可以在约2μm至约5μm的范围内。

第二狭缝可以包括：具有垂直于偏振轴的长边的垂直狭缝；以及具有平行于偏振轴的长边的水平狭缝。

垂直狭缝和水平狭缝可以彼此连接。

第二狭缝可以从畴中的一个畴延伸到畴中的相邻畴。

像素电极可以具有设置在像素电极的中心的凸块。

在俯视图中凸块可以具有选自由四边形形状、圆形形状、椭圆形形状和菱形形状组成的组的形状。

凸块可以具有范围自约2μm至约15μm的宽度。

液晶显示设备还可以包括在像素电极下方的绝缘层。绝缘层可以具有凸起部分或凹入部分，凸起部分或凹入部分在俯视图中具有与凸块的形状基本相同的形状。

像素电极在相邻畴之间的边界处可以具有凸块。

在俯视图中凸块可以具有十字形。

凸块可以具有范围自约2μm至约15μm的宽度。

液晶显示设备还可以包括在像素电极下面的绝缘层。绝缘层可以具有凸起部分或凹入部分，凸起部分或凹入部分在俯视图中具有与凸块的形状基本相同的形状。

液晶显示设备还可以包括在对立基板上的公共电极。在公共电极中可以没有狭缝。

根据本发明构思的一示范性实施方式，一种液晶显示设备包括：包含设置在像素区域中的像素电极的显示基板；与显示基板对立的对立基板；设置在显示基板和对立基板之间的液晶层；以及设置在显示基板和对立基板的至少一个上的偏振器。像素电极包括沿像素电极的边缘延伸以限定多个畴的第一狭缝，并且第一狭缝包括：设置在像素电极的外部处的外狭缝；以及与外狭缝间隔开且设置在外狭缝的内部的至少一个内狭缝。

外狭缝和内狭缝的每个在相邻畴之间的边界处可以具有断开处。

外狭缝和内狭缝的每个可以具有范围自约2μm至约5μm的宽度。

外狭缝的宽度可以大于内狭缝的宽度。

外狭缝和内狭缝可以彼此间隔开范围自约2μm至约5μm的距离。

液晶显示设备还可以包括多个第二狭缝，所述多个第二狭缝具有基本四边形形状，并且具有相对于偏振器的偏振轴形成范围自约0度至约90度的角度的长边。

相邻第二狭缝之间的距离可以随从像素电极的中心到所述多个第二狭缝的距离增加而减小。

液晶显示设备还可以包括在对立基板上的公共电极。在公共电极中可以没有狭缝。

根据本发明构思的一示范性实施方式，一种液晶显示设备包括：基板、设置在基板上的像素电极、与显示基板对立的对立基板、设置在显示基板和对立基板之间的液晶层、以及设置在显示基板和对立基板的至少一个上的偏振器。像素电极包括沿像素电极的边缘延伸的第一狭缝，以及多个第二狭缝，所述多个第二狭缝具有基本四边形形状，并且具有在平行于或垂直于偏振器的偏振轴的第一方向上延伸的长边。所述多个第二狭缝不重叠将像素电极平分成两个相等部分的中心线。

设置为最靠近像素电极的中心的所述多个第二狭缝的至少一个可以在与其它多个第二狭缝不同的方向上延伸。

设置为最靠近像素电极的中心的所述多个第二狭缝的所述至少一个可以垂直于所述其它多个第二狭缝延伸。

像素电极可以具有设置在像素电极的中心的凸块。

像素电极可以具有沿相邻畴之间的边界延伸的凸块。

前述仅为说明性的并且不旨在以任何方式限制本发明构思的范围。除以上描述的说明性的方面、实施方式和特征之外，另外的方面、实施方式和特征通过参考附图和以下详细描述将变得明显。

附图说明

本发明构思的本公开的以上及其它特征和方面由以下结合附图的详细描述将被更清楚地理解，附图中：

图1是示出液晶显示(lcd)设备的第一示范性实施方式中的像素的概要俯视图；

图2是沿图1的线i-i'截取的剖视图；

图3是示出图1的像素电极的俯视图；

图4、5、6、7、8、9、10、11、12和13是示出像素电极的第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八、第九、第十和第十一示范性实施方式的俯视图；

图14是示出像素电极的第十二示范性实施方式的俯视图；

图15是沿图14的线ii-ii'截取的剖视图；

图16是示出像素电极的第十三示范性实施方式的俯视图；以及

图17是沿图16的线iii-iii'截取的剖视图。

具体实施方式

示范性实施方式现将参考附图在下文中被更全面地描述。尽管本发明构思能以各种方式被修改并且具有若干实施方式，但是示范性实施方式在附图中被示出且将在说明书中被主要描述。然而，本发明构思的范围不限于示范性实施方式，并且应被解释为包括本发明构思的精神和范围中所包括的所有改变、等价物和替换。

在附图中，为了其描述的清晰和容易，多个层和区域的厚度以放大的方式示出。当一层、区域或板被称为“在”另一层、区域或板“上”时，它可以直接在所述另一层、区域或板上，或者在其间可以存在居间层、区域或板。相反，当一层、区域或板被称为“直接在”另一层、区域或板“上”时，在其间可以没有居间层、区域或板。此外，当一层、区域或板被称为“在”另一层、区域或板“下面”时，它可以直接在所述另一层、区域或板下面，或者在其间可以存在居间层、区域或板。相反，当一层、区域或板被称为“直接在”另一层、区域或板“下面”时，在其间可以没有居间层、区域或板。

为了描述的容易，空间关系术语“在……下面”、“在……之下”、“下部”、“在……之上”、“上部”等，可以在此被用来描述如图中示出的一个元件或部件与另外的元件或部件之间的关系。将理解，除图中描绘的取向之外，空间关系术语还旨在涵盖装置在使用或在操作中的不同取向。例如，在图中示出的装置被翻转的情况下，则位于另外的装置“下面”或“之下”的装置可以位于所述另外的装置“之上”。因此，示例术语“在……下面”可以包括上下两位置。装置也可以在另外的方向上取向，因此空间关系术语可以根据取向被不同地解释。

在整个说明书中，当一元件被称为“连接到”另一元件时，该元件“直接连接到”所述另一元件，或者“电连接到”所述另一元件，并且一个或更多个居间元件插置在其之间。还应理解，当在本说明书中使用时，术语“包含”和/或“包括”指明所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或添加。

将理解，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在此被用来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，以下讨论的“第一元件”能被称作“第二元件”或“第三元件”，并且“第二元件”和“第三元件”能被相同地命名而不背离此处的教导。

除非另有定义，此处使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明构思所属领域的技术人员通常理解的相同的含义。还将被理解，诸如通用词典中定义的术语的术语应被解释为具有与它们的在相关领域的背景下的含义一致的含义，并且将不在理想化或过度形式化的意义上被解释，除非本说明书中明确地定义。

与描述不相关的一些部分可以不被提供以便于具体地描述本发明构思的实施方式，并且相同的附图标记在整个说明书中指代相同的元件。

在下文中，第一示范性实施方式将参考图1、2和3被描述。

图1是示出液晶显示(lcd)设备的第一示范性实施方式中的像素的概要俯视图，图2是沿图1的线i-i'截取的剖视图，并且图3是示出图1的像素电极的俯视图。lcd设备的一示范性实施方式包括多个像素，但是图1示出了像素中的一个，并且其它像素和像素区域的描述将被省略。

参考图1和2，lcd设备的一示范性实施方式包括：显示基板100、与显示基板100对立的对立基板200、在显示基板100和对立基板200之间的液晶层300、显示基板100中包括的第一偏振器100a、以及对立基板200中包括的第二偏振器200a。图1和2示出了在lcd设备的一示范性实施方式中，第一偏振器100a和第二偏振器200a分别在显示基板100和对立基板200上，但是示范性实施方式不限于此。第一偏振器100a和第二偏振器200a可以提供在显示基板100和对立基板200内作为单元内偏振器。此外，lcd设备的一示范性实施方式还可以包括朝显示基板100发射光的背光单元(未示出)。

例如，显示基板100可以包括：基底基板110，栅布线121和122，第一绝缘层130，半导体层140，数据布线151、153和155，第二绝缘层160，第三绝缘层170，像素电极180和第一配向层190。

基底基板110可以为具有光传输特性和柔性的绝缘基板，诸如塑料基板。然而，第一示范性实施方式不限于此，基底基板110可以包括诸如玻璃基板的硬基板。

栅布线121和122设置在基底基板110上。

栅布线121和122包括在第一方向d1上延伸的栅线121和从栅线121分支的栅电极122。栅线121传输栅信号，并且栅电极122与以下将要描述的源电极153和漏电极155一起限定薄膜晶体管(tft)的三个端子。

栅布线121和122可以包括铝(al)或其合金、银(ag)或其合金、铜(cu)或其合金、钼(mo)或其合金、铬(cr)、钽(ta)、钛(ti)等，或者可以由铝(al)或其合金、银(ag)或其合金、铜(cu)或其合金、钼(mo)或其合金、铬(cr)、钽(ta)、钛(ti)等构成。

此外，栅布线121和122可以具有包括具有不同物理性质的两个或更多个导电层(未示出)的多层结构。例如，多层结构的一导电层可以包括具有低电阻率的金属或可以由具有低电阻率的金属构成以减小信号延迟或电压降，例如铝(al)基金属、银(ag)基金属或铜(cu)基金属，并且多层结构的另外的导电层可以包括具有与铟锡氧化物(ito)和铟锌氧化物(izo)的优良接触性质的材料，诸如钼基金属、铬、钛、钽等。

多层结构的示例可以包括铬下层和铝上层、铝下层和钼上层、以及钛下层和铜上层。然而，示范性实施方式不限于此，并且栅布线121和122可以包括各种种类的金属和导体。

第一绝缘层130设置在栅布线121和122被设置在其上的基底基板110上。第一绝缘层130也可以称为栅绝缘层。第一绝缘层130可以包括硅氧化物(siox)或硅氮化物(sinx)。此外，第一绝缘层130可以具有包括硅氧化物(siox)和硅氮化物(sinx)的双层结构或多层结构。此外，第一绝缘层130还可以包括铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物或锆氧化物。

半导体层140设置在第一绝缘层130上。半导体层140可以包括诸如非晶硅和多晶硅的半导体材料。此外，半导体层140可以包括诸如igzo、itzo、zno、sno2、in2o3、zn2sno4、ge2o3或hfo2的氧化物半导体，并且可以包括诸如gaas、gap或inp的化合物半导体。

在一示范性实施方式中，半导体层140被描绘成基本上重叠栅电极122。然而，示范性实施方式不限于此，半导体层140可以基本上重叠以下将要被描述的数据布线151、153和155。

数据布线151、153和155设置在半导体层140被设置在其上的基底基板110上。数据布线151、153和155可以包括与形成栅布线121和122的材料相同的材料，或由与形成栅布线121和122的材料相同的材料构成。

例如，数据布线151、153和155包括：在交叉栅线121的方向，例如在第二方向d2上延伸的数据线151；从数据线151分支以延伸到半导体层140上的源电极153；以及与源电极153间隔开且重叠半导体层140的一部分的漏电极155。

欧姆接触层(未示出)还可以设置在半导体层140与源电极153和漏电极155的每个之间从而改善电特性。

漏电极155包括重叠半导体层140的一部分的第一漏电极155a和连接到第一漏电极155a且具有多边形形状的第二漏电极155b。

tft被驱动时电荷通过其移动的沟道限定在源电极153和漏电极155之间的半导体层140中。

第二绝缘层160设置在数据布线151、153和155被设置在其上的基底基板110上。第二绝缘层160也可以称为绝缘中间层。在一示范性实施方式中，第二绝缘层160可以具有单层结构或多层结构，包括例如硅氧化物、硅氮化物、光敏有机材料或低介电常数(低-k)绝缘材料，例如a-si:c:o或a-si:o:f。

第三绝缘层170设置在第二绝缘层160上。第三绝缘层170可以具有单层结构或多层结构，包括例如硅氧化物、硅氮化物、光敏有机材料或低介电常数(低-k)硅基绝缘材料。

然而，示范性实施方式不限于此，在lcd设备具有其中滤色器设置在基底基板110上的阵列上滤色器(coa)结构的情况下，滤色器可以代替第三绝缘层170提供，或者滤色器可以提供在第二绝缘层160和第三绝缘层170之间。

参考图1、2和3，像素电极180设置在第三绝缘层170上。像素电极180可以为包括诸如铟锡氧化物(ito)或铟锌氧化物(izo)的透明导体的电极。

像素电极180可以包括布置成矩阵形式的多个畴dm1、dm2、dm3和dm4。然而，示范性实施方式不限于此，像素电极180可以分为布置成任何适当形式的多个畴。

像素电极180可以具有限定多个畴dm1、dm2、dm3和dm4的第一狭缝sl1和第二狭缝sl2。

第一狭缝sl1可以沿像素电极180的边缘距边缘预定的距离形成，并且可以在像素电极180的角处以直角弯曲。所述预定的距离可以为约1μm至约5μm。第一狭缝sl1在相邻畴dm1、dm2、dm3和dm4之间的边界处可以断开。第一狭缝sl1可以具有范围自约2μm至约5μm的宽度w1。

在一替换示范性实施方式中，第一狭缝sl1的宽度从像素电极180的角朝畴dm1、dm2、dm3和dm4之间的边界可以增加。在另一替换示范性实施方式中，第一狭缝sl1在像素电极180的角处可以断开。

此外，像素电极180可以具有基本四边形形状，并且可以具有至少一个第二狭缝sl2，至少一个第二狭缝sl2具有相对于第一偏振器100a和第二偏振器200a的偏振轴形成在约0度至约90度的范围内的角度的长边ls。第二狭缝sl2可以包括以预定间隔彼此平行布置的多个狭缝。

第二狭缝sl2具有长边ls和短边ss。

根据第一示范性实施方式，第一偏振器100a的偏振轴和第二偏振器200a的偏振轴在俯视图中可以平行于或垂直于第一方向d1。第一偏振器100a的偏振轴和第二偏振器200a的偏振轴可以彼此平行或彼此垂直。因此，第二狭缝sl2的长边ls在俯视图中可以平行于或垂直于第一方向d1。此外，在畴dm1、dm2、dm3和dm4的每个中像素电极180可以限定有至少一个第二狭缝sl2。

第二狭缝sl2的长边ls的宽度w2可以在约8μm至约10μm的范围内，并且其短边ss的宽度w3可以在约2μm至约5μm的范围内。

这样，像素电极180的第一示范性实施方式限定有平行于或垂直于第一偏振器100a或第二偏振器200a的偏振轴的第二狭缝sl2，使得出现在第二狭缝sl2的边缘处的纹理可以被显著较小地识别，并且可以改善透射比和可视性。

此外，像素电极180包括从像素电极180向外延伸的连接部分181以及连接到连接部分181且具有多边形形状的像素电极接触部分183。像素电极接触部分183通过接触孔171连接到第二漏电极155b。

再参考图1和2，第一配向层190设置在像素电极180上。在显示基板100和对立基板200之间没有电场的情况下，第一配向层190可以使液晶层300中包括的液晶分子301排列为相对于第一配向层190倾斜。第一配向层190可以为垂直配向层或包括光聚合材料的光配向层。包括光配向层的lcd设备被称为处于光配向模式。

在液晶层300的液晶分子301设置在第一配向层190上的情况下，由于像素电极180的第一狭缝sl1和第二狭缝sl2，液晶分子301可以向像素电极180的中央部分预倾斜。液晶层300可以包括聚合物材料，其由反应单体或反应液晶原(mesogen)聚合。

在制造lcd设备的过程期间液晶分子301中包括的反应单体通过在施加电场的同时向其辐射紫外(uv)光而被聚合的情况下，液晶层300可以被排列为对于每个畴具有不同的预倾斜角。包括这样的液晶分子301的lcd设备被称为表面稳定垂直配向(sva)模式。处于sva模式的lcd设备可以以高响应时间显示图像。

对立基板200可以包括对立基底基板210、光阻挡构件220、外涂层230和公共电极240。在一示范性实施方式中，对立基板200还可以包括第二配向层250。

对立基底基板210可以为具有光传输特性和柔性的绝缘基板，例如塑料基板。然而，第一示范性实施方式不限于此，对立基底基板210可以包括诸如玻璃基板的硬基板。

光阻挡构件220设置在对立基底基板210上。光阻挡构件220也可以称为黑矩阵，并且可以包括诸如铬氧化物(crox)的金属氧化物或不透明的有机层材料。

光阻挡构件220可以具有基本上类似于像素电极180的孔的多个孔，使得从背光单元(未示出)发射的光可以穿过像素电极180传输。此外，光阻挡构件220可以形成在对应于提供在基底基板110上的tft的部分中。然而，示范性实施方式不限于此，光阻挡构件220可以设置在基底基板110上。

外涂层230设置在光阻挡构件220和对立基底基板210上。外涂层230平坦化在其下面的层(例如光阻挡构件220)的不平表面，并且有效地抑制或防止来自在其下面的层的不需要的材料的扩散。

公共电极240设置在外涂层230上。公共电极240的一示范性实施方式可以为整个板电极，其包括诸如铟锡氧化物(ito)或铟锌氧化物(izo)的透明导体。

图4、5、6、7、8、9、10、11、12、13和14是示出像素电极的第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八、第九、第十、第十一和第十二示范性实施方式的俯视图。在关于第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八、第九、第十、第十一和第十二示范性实施方式的描述中将省略关于第一示范性实施方式的重复描述。

参考图4、5和6，像素电极180的第二、第三和第四示范性实施方式具有第一狭缝sl1和至少一个第二狭缝sl2，从而限定多个畴dm1、dm2、dm3和dm4，第一狭缝sl1沿像素电极180的边缘延伸，并且至少一个第二狭缝sl2具有基本四边形形状并且具有相对于第一方向d1具有范围自约0度至约90度的角度θ的长边ls。

在畴dm1、dm2、dm3和dm4的每个中的第二狭缝sl2相对于第一方向d1可以具有不同的角度θ。

也就是，如图4和5所示，畴dm1、dm2、dm3和dm4的每个可以具有在俯视图中具有平行于(0度)第一方向d1的长边ls的第二狭缝sl2以及具有相对于第一方向d1具有范围自约0度至约90度的角度的长边ls的第二狭缝sl2。

此外，如图6所示，畴dm1、dm2、dm3和dm4的每个可以具有在俯视图中具有平行于(0度)第一方向d1的长边ls的第二狭缝sl2以及在俯视图中具有垂直于(90度)第一方向d1的长边ls的第二狭缝sl2。

参考图7和8，像素电极180的第五和第六示范性实施方式具有第一狭缝sl1和至少一个第二狭缝sl2，从而限定多个畴dm1、dm2、dm3和dm4，第一狭缝sl1沿像素电极180的边缘延伸，至少一个第二狭缝sl2具有基本四边形形状并且具有相对于第一方向d1具有范围自约0度至约90度的角度的长边ls。

第二狭缝sl2包括水平狭缝hs和垂直狭缝vs，水平狭缝hs具有平行于(0度)第一方向d1的长边ls，垂直狭缝vs具有垂直于(90度)第一方向d1的长边ls。垂直狭缝vs可以连接到与其相邻的水平狭缝hs(参考图7)，或者可以连接到畴dm1、dm2、dm3和dm4的每个中包括的所有水平狭缝hs(参考图8)。参考图7，第二狭缝sl2还可以包括不连接到垂直狭缝vs的水平狭缝hs。具有连接到垂直狭缝vs的水平狭缝hs的第二狭缝sl2设置在像素电极180的中央处以围绕像素电极180的中央。

参考图9、10和11，像素电极180的第七、第八和第九示范性实施方式具有第一狭缝sl1和至少一个第二狭缝sl2，从而限定多个畴dm1、dm2、dm3和dm4，第一狭缝sl1沿像素电极180的边缘延伸，并且至少一个第二狭缝sl2具有基本四边形形状并且具有相对于第一方向d1具有范围自约0度至约90度的角度的长边ls。

参考图9，像素电极180的第七示范性实施方式可以包括第二狭缝sl2，其相对于在第一方向d1上彼此相邻的畴(例如dm1和dm2)之间的边界形成z字形形状。第一畴dm1和设置为与第一畴dm1相邻的第二畴的每个中的第二狭缝sl2可以具有平行于第一方向d1延伸的水平狭缝hs'以及垂直于第一方向d1延伸的垂直狭缝vs'。第一畴dm1和第二畴dm2中的水平狭缝hs'可以设置为不沿平行于第一方向d1的线延伸。垂直于第一方向d1延伸的垂直狭缝vs'可以设置为比平行于第一方向d1延伸的水平狭缝hs'更靠近像素电极180的中心，并且可以设置在畴dm1、dm2、dm3和dm4的整体的中心处。

参考图10和11，像素电极180的第八和第九示范性实施方式可以具有第二狭缝sl2，其从畴中的一个畴(例如dm1)延伸到在第一方向d1上与畴中的所述一个畴相邻的畴中的另一个畴(例如dm2)。如图10所示，第一畴dm1和第二畴dm2共用第二狭缝sl2。第二狭缝sl2在平行于第一方向d1的方向上延伸。第二狭缝sl2的每个在第一畴dm1中的区域比其在第二畴dm2中的区域更宽。第三畴dm3和第四畴dm4共用第二狭缝sl2。第二狭缝sl2在平行于第一方向d1的方向上延伸。第二狭缝sl2的每个在第四畴dm4中的区域比其在第三畴dm3中的区域更宽。特别地，如图11所示，第二狭缝sl2的每个可以具有关于畴之间的边界对称的线作为对称线。

参考图12，像素电极180的一示范性实施方式可以具有沿像素电极180的边缘延伸的第一狭缝sl1，从而限定多个畴dm1、dm2、dm3和dm4。第一狭缝sl1可以包括外狭缝os和至少一个内狭缝is，外狭缝os以距像素电极180的边缘预定的距离设置在像素电极180的最外部分处，至少一个内狭缝is与外狭缝os间隔开且设置在外狭缝os的内部。

外狭缝os和内狭缝is的每个在相邻畴dm1、dm2、dm3和dm4之间的边界处可以断开，并且外狭缝os和内狭缝is可以具有基本上相同的形状。

外狭缝os和内狭缝is可以每个具有范围自约2μm至约5μm的宽度，并且外狭缝os的宽度w4可以大于内狭缝is的宽度w5。在内狭缝is包括多个内狭缝is的情况下，内狭缝is的宽度可以随着从像素电极180的边缘到内狭缝is的距离增加而减小。

参考图13，像素电极180的一示范性实施方式具有第一狭缝sl1和第二狭缝sl2，从而限定多个畴dm1、dm2、dm3和dm4。第一狭缝sl1可以沿像素电极180的边缘延伸，并且第二狭缝sl2可以具有基本四边形形状，并且可以具有相对于第一方向d1具有范围自约0度至约90度的角度的长边ls。

第一狭缝sl1可以包括设置在像素电极180的外部处的外狭缝os以及与外狭缝os间隔开且设置在外狭缝os的内部的至少一个内狭缝is。

此外，设置在畴dm1、dm2、dm3和dm4的畴中的第二狭缝sl2之间的各自的距离wa、wb、wc、wd和we可以随着从像素电极180的中心到第二狭缝sl2的距离增加而减小。例如，可以满足wa>wb>wc>wd>we。

图14是示出像素电极的第十二示范性实施方式的俯视图，并且图15是沿图14的线ii-ii'截取的剖视图。在关于第十二示范性实施方式的描述中将省略关于以上描述的示范性实施方式的重复描述。

参考图14和15，像素电极180的第十二示范性实施方式具有第一狭缝sl1和第二狭缝sl2，从而限定多个畴dm1、dm2、dm3和dm4。第一狭缝sl1可以沿像素电极180的边缘延伸，并且第二狭缝sl2可以具有基本四边形形状，并且具有相对于第一方向d1具有范围自约0度至约90度的角度的长边ls。

此外，像素电极180在其中心部分可以具有凸块185。凸块185可以为凸起部分或凹入部分，并且像素电极180的第十二示范性实施方式在像素电极180在其中心部分具有凸起部分的假设下被描述。凸块185可以为选自由四边形形状、圆形形状、椭圆形形状和菱形形状组成的组的一种。

凸块185可以具有范围自约0.1μm至约1.0μm的高度hp以及范围自约2μm至约15μm的宽度wp。

第三绝缘层170在对应于凸块185的部分处可以具有凸起175。凸起175可以具有从第三绝缘层170突出的形状。在俯视图中，凸起175可以具有与凸块185的形状基本上相同的形状。

图16是示出像素电极的第十三示范性实施方式的俯视图，并且图17是沿图16的线iii-iii'截取的剖视图。在关于第十三示范性实施方式的描述中将省略关于以上描述的示范性实施方式的重复描述。

参考图16和17，像素电极180的第十三示范性实施方式具有第一狭缝sl1和第二狭缝sl2，从而限定多个畴dm1、dm2、dm3和dm4。第一狭缝sl1可以沿像素电极180的边缘延伸，并且第二狭缝sl2可以具有基本四边形形状，并且具有相对于第一方向d1具有范围自约0度至约90度的角度的长边ls。

此外，像素电极180在相邻畴dm1、dm2、dm3和dm4之间的边界处可以具有凸块186和187。例如，凸块186和187可以包括在第一方向d1上延伸的第一凸块186以及在交叉第一方向d1的第二方向d2上延伸的第二凸块187。第一凸块186和第二凸块187可以为凸起部分或凹入部分，并且第一凸块186和第二凸块187的第十三示范性实施方式将在它们具有凹入部分的假设下被描述。

在俯视图中，第一凸块186和第二凸块187可以具有十字形状。第一凸块186和第二凸块可以设置在像素电极180的中央处以分别将像素电极180平分成两个相等的部分。在一替换示范性实施方式中，第一凸块186和第二凸块187中的一个可以被省略。在俯视图中，第一凸块186和第二凸块187的交叉区域c可以具有选自由四边形形状、圆形形状、椭圆形形状和菱形形状组成的组的形状。

第一凸块186和第二凸块187可以每个具有范围自约0.1μm至约1.0μm的深度dp以及范围自约2μm至约15μm的宽度wp。

第一凸块186和第二凸块187被描绘为具有相同的宽度wp，但是示范性实施方式不限于此。第一凸块186和第二凸块187的宽度wp随着远离交叉区域c可以逐渐增加或减小。

此外，第一凸块186和第二凸块187可以具有彼此不同的宽度。例如，第一凸块186可以具有比第二凸块187的宽度更大的宽度。

第三绝缘层170在对应于第一凸块186和第二凸块187的区域处可以具有沟槽176。沟槽176可以具有被凹入的第三绝缘层170的形状。沟槽176可以具有与第一凸块186和第二凸块187的形状基本上相同的形状。

如上所述，在lcd设备的一个或更多个示范性实施方式中，垂直于或平行于偏振器的偏振轴或者相对于偏振器的偏振轴具有预定角度的图案被形成在像素电极上，并且因此在图案的边缘处出现的纹理可以被显著较小地识别，并且可以改善透射率和可视性。

由前述将理解，根据本公开的各种实施方式已经为了说明的目的在此处被描述，并且可以进行各种修改而不背离本教导的范围和精神。因此，此处公开的各种实施方式不旨在限制本教导的真实范围和精神。以上描述的及其它实施方式的各种特征能以任何方式混合和搭配以产生与本发明构思一致的另外的实施方式。

本申请要求享有2016年4月19日提交的韩国专利申请第10-2016-0047304号的优先权及权益，其全部内容通过引用在此合并。