显示装置及其显示面板的制作方法

本发明涉及显示面板的制造领域，特别涉及一种显示装置及其显示面板。

背景技术：

液晶显示器(lcd，liquidcrystaldisplay)具有低工作电压、低功耗、低辐射、低空间占有率以及轻薄美观等众多优点，从而在显示技术领域得到了广泛的应用，已成为市场的主流。液晶显示面板作为液晶显示器的重要组成部分，包括彩膜(cf，colorfilter)基板和薄膜场效应晶体管(tft，thinfilmtransistor)基板，通过对盒工艺将cf基板和tft基板对盒后形成液晶显示面板。

随着人们的认识水平和对显示要求的不断提高，对于液晶显示面板的显示性能也提出了越来越高的要求，如高亮度、高对比度、高响应速度等，而且对于整个显示器的画面品质，如mura、残像的要求也越来越苛刻。残像问题一直影响着tft-lcd的画面品质，尤其是长期画面品质的重要问题之一。造成残像的主要原因是电压残留以及在液晶显示面板的制造和使用过程中会将一些离子、带电电荷粒子引入液晶显示面板的盒内。当切换画面时，这些离子、带电粒子会在残留的电压的作用下形成内部电场，使lcd面板仍然保持上一个画面，在显示区造成残留影像，简称残像。

技术实现要素：

鉴于此，本发明提供一种显示装置及其显示面板，能够将显示面板盒内的带电粒子导出到盒外，以避免在显示区产生残像。

本发明一方面提供一种显示面板，包括对盒设置的cf基板、tft基板和残像消除装置，所述tft基板包括tft像素区。所述残像消除装置包括：

设置于所述tft基板上并位于所述tft像素区周围的外围像素区；

分别设置于所述tft基板上并与所述外围像素区电连接的驱动电极和第一导出电极；

设置于所述cf基板上的第二导出电极，所述第二导出电极与所述第一导出电极电连接；

其中，所述驱动电极用于给所述外围像素区施加电压，所述外围像素区用于在接收到所述驱动电极施加的电压后吸附所述显示面板盒内的带电粒子；所述第一导出电极以及所述第二导出电极用于将所述外围像素区吸附的带电粒子导出到所述显示面板盒外。

进一步地，所述驱动电极用于给所述外围像素区施加直流电压。

进一步地，所述第一导出电极通过导电元件与所述第二导出电极电连接。

进一步地，所述tft像素区与所述外围像素区采用分时序加电的方式通电。

进一步地，所述外围像素区形成于所述tft基板的ito制程中。

进一步地，所述外围像素区的材料采用透明的导电材料。

进一步地，所述tft像素区与所述外围像素区之间电性绝缘。

进一步地，所述第一导出电极形成于所述tft基板的ito制程中。

进一步地，所述第二导出电极形成于所述cf基板的ito制程中，并与所述cf基板的ito层之间电性绝缘。

本发明另一方面提供一种显示装置，其包括上述任一实施例所述的显示面板。

本发明的显示面板通过在显示面板的tft像素区周围设置外围像素区，并通过给所述外围像素区施加直流电压以吸附所述显示面板盒内的带电粒子，并将带电粒子引到显示区域外围，再通过设置导出电极将带电粒子导出到所述显示面板盒外，从而可在使用所述显示面板之前排空盒内的带电粒子，以达到消除显示面板盒内残留粒子的问题，有效减少了残像的产生，能够显著提高产品品质。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施方式的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的显示面板的剖面结构示意图。

图2是图1的显示面板的tft基板的结构示意图。

图3是图1的显示面板的制备方法流程图。

图4a是本发明的显示面板的制备工艺的第一示意图。

图4b是本发明的显示面板的制备工艺的第二示意图。

图4c是本发明的显示面板的制备工艺的第三示意图。

图4d是本发明的显示面板的制备工艺的第四示意图。

图4e是本发明的显示面板的制备工艺的第五示意图。

主要元件符号说明

显示面板100

cf基板21

tft基板31

tft像素区311

残像消除装置40

外围像素区41

驱动电极42

第一导出电极43

第二导出电极44

导电元件45

黑矩阵51

rgb色阻52、52r、52g、52b

ito53

液晶54

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。

请参阅图1，为本发明实施例提供的显示面板100的剖面结构示意图。所述显示面板100包括对盒设置的cf基板21、tft基板31以及残像消除装置40。请参阅图2，所述tft基板31包括tft像素区311。在本实施方式中，所述残像消除装置40包括设置于所述tft基板31上并位于所述tft像素区311周围的外围像素区41。其中，所述tft像素区311与所述外围像素区41之间电性绝缘。在一种实施方式中，所述tft像素区311与所述外围像素区41之间相隔预设距离，以使两者之间不进行电性连接。在另一种实施方式中，所述tft像素区311与所述外围像素区41之间设置有绝缘材料，以使两者之间不进行电性连接。

请再次参阅图1，在本实施方式中，所述残像消除装置40还包括分别设置于所述tft基板31上并与所述外围像素区41电连接的驱动电极42和第一导出电极43，以及设置于所述cf基板21上的第二导出电极44。其中，所述第二导出电极44与所述第一导出电极43电连接。

在本实施方式中，所述第一导出电极43通过导电元件45与所述第二导出电极44电连接。其中，所述导电元件45可为导电球，所述导电球的材料可采用金属铜。可以理解的是，在其他实施方式中，所述导电元件45的材料可采用其他的导电材料，例如金属铝等。

在本实施方式中，所述驱动电极42用于给所述外围像素区41施加电压。在本实施方式中，所述电压为直流电压。在其他实施方式中，所述电压也可以为交直流电压。

所述外围像素区41用于在接收到所述驱动电极42施加的电压后吸附所述显示面板100盒内的带电粒子，从而将所述显示面板100盒内的带电粒子引到所述显示面板100的显示区域外围。其中，所述带电粒子包括在所述显示面板100的制造过程以及使用过程中引入所述显示面板100盒内的离子、带电电荷粒子。

所述第一导出电极43以及所述第二导出电极44用于将所述外围像素区41吸附的带电粒子导出到所述显示面板100盒外。

在导出带电粒子过程，可先给所述外围像素区41施加直流电压以使所述外围像素区41吸附带电粒子，在导出带电粒子之后，可释放所述外围像素区41的直流电压，并给所述tft像素区311供电以显示图像。可以理解的是，通过观察显示的图像可判断是否还有残像产生，从而判断显示所述显示面板100盒内的带电粒子是否被全部导出。若所述显示面板100盒内还存在带电粒子，可重复给所述外围像素区41施加直流电压以使所述外围像素区41吸附带电粒子的操作，直到所述显示面板100盒内的带电粒子全部被导出为止。

由于粒子是在所述显示面板100的制造过程以及使用过程中引入所述显示面板100盒内的，当所述显示面板100盒内的带电粒子全部被导出之后，在长期使用过程中还有可能会再次引入粒子。本发明通过在显示面板100上设置残像消除装置40，并配合电压的控制，可随时重复利用所述残像消除装置40吸附并导出所述显示面板100盒内的带电粒子，以避免残像的产生。

在本实施方式中，所述tft像素区311与所述外围像素区41采用分时序加电的方式通电，也就是说在所述显示面板100上不同时进行带电粒子导出和图像显示的操作，以避免带电粒子导出和图像显示之间的相互影响。

本发明的显示面板通过在显示面板的tft像素区周围设置外围像素区，并通过给所述外围像素区施加直流电压以吸附所述显示面板盒内的带电粒子，并将带电粒子引到显示区域外围，再通过设置导出电极将带电粒子导出到所述显示面板盒外，从而可在使用所述显示面板之前排空盒内的带电粒子，以达到消除显示面板盒内残留粒子的问题，有效减少了残像的产生，能够显著提高产品品质。

请参阅图3，为本发明实施例提供的显示面板的制备方法流程图。所述显示面板的制备方法可以包括以下步骤：

步骤101，如图4a所示，将黑矩阵(bm，blackmatrix)51涂布曝光显影刻蚀，得到图案化的bm。

步骤102，如图4b所示，将rgb色阻52r、52g、52b涂布显影曝光，得到rgb像素区域。

步骤103，如图4c所示，cf侧ito(indiumtinoxide，铟锡氧化物)53全面取涂布，并在显示区域aa外围形成cf侧的第二导出电极44。

也就是说，所述第二导出电极44形成于所述cf基板的ito制程中，并采用ito材料。其中，所述第二导出电极44还与所述cf基板的ito层之间电性绝缘，以防止电压串扰。

步骤104，请同时参阅图2和图4d，tft侧ito在原本栅状结构的基础上，使用新设计的遮挡物(mask，也可称为掩模板)增加外围像素区41的电路，并在tft基板上制作驱动电极42，以及在制作ito时形成tft侧的第一导出电极43。

也就是说，所述外围像素区41以及所述第一导出电极43均形成于所述tft基板的ito制程中。其中，所述外围像素区41的材料采用透明的导电材料，例如铟锡氧化物半导体透明导电膜。

步骤105，基板进行pi/odf制程。

步骤106，如图4e所示，液晶54滴下完成后组立，并进行hva/lasercut/pol/bonding等制程，得到如图1所示的显示面板100。

基于上述的显示面板，本发明实施例还提供了一种显示装置，其包括上述任意一种显示面板100。所述显示装置可以为：液晶显示面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

以上具体实施方式对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。本发明的保护范围并不以上述实施方式为限，但凡本领域普通技术人员根据本发明所揭示内容所作的等效修饰或变化，皆应纳入权利要求书中记载的保护范围内。