一种对位标记、显示基板及显示装置的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种对位标记、显示基板及显示装置。

背景技术：

随着全球信息社会的兴起增加了对各种显示装置的需求。因此，对各种平面显示装置的研究和开发投入了很大的努力，如液晶显示装置(LCD)、等离子显示装置(PDP)、场致发光显示装置(ELD)以及真空荧光显示装置(VFD)。

液晶显示装置因其功耗小、成本低、无辐射和易操作等特点，已广泛应用于各个领域，如家庭、公共场所、办公场及个人电子相关产品等。目前，液晶显示装置已经从制作简单、成本低廉但视角较小的扭曲向列型液晶显示装置(Twisted Nematic,TN)，发展到平面电场切换型液晶显示装置(In-Plane Switching,IPS)、多维电场型液晶显示装置(Advanced Super Dimension Switch,AD-SDS,简称ADS)，以及基于ADS模式提出的高开ロ率的HADS型液晶显示装置。

传统的液晶显示装置一般是分别制作薄膜晶体管阵列基板和彩色滤光片基板，然后再将二者对位贴合。但是随着液晶显示装置对高PPI的要求，使得在薄膜晶体管阵列基板和彩色滤光片基板的制作过程中，需要每层膜层间对位，也就是膜层间Overlay的精确度不断提高，但是传统的液晶显示装置中，在薄膜晶体管阵列基板和彩色滤光片基板的制作过程，不同膜层之间会存在位移偏差，从而造成串色、亮度降低、短路等不良问题。

技术实现要素：

本实用新型实施例提供一种对位标记、显示基板及显示装置，以解决显示装置的基板在制作过程中，不同膜层之间存在位移偏差，从而造成串色、亮度降低、短路等不良的问题。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种对位标记，用于测试两层膜层图形的位移偏差，所述对位标记包括两组标记，每组标记由不同膜层形成，每组标记包括至少一个圆形的子标记。

第二方面，本实用新型实施例还提供一种显示基板，所述显示基板包括至少一个对位标记，所述对位标记用于测试至少两层膜层图形的位移偏差，所述对位标记包括至少两组标记，每组标记由不同膜层形成，每组标记包括至少一个圆形的子标记。

另一方面，本实用新型实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括显示基板，所述显示基板包括对位标记，所述对位标记用于测试至少两层膜层图形的位移偏差，所述对位标记包括至少两组标记，每组标记由不同膜层形成，每组标记包括至少一个圆形的子标记。

本实用新型实施例提供的对位标记、显示基板及显示装置，在基底上设置用于测试两层膜层图形的位移偏差的对位标记，所述对位标记包括两组标记，每组标记由不同膜层形成，每组标记包括至少一个圆形的子标记。这样，在基底上形成不同膜层的时候使用对位标记进行对位，可降低甚至避免不同膜层之间的位移偏差，从而避免因为膜层之间会的位移偏差造成的串色、亮度降低、短路等不良问题。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对本实用新型实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型一较佳实施例提供的一种显示装置的立体图；

图2为图1中所示显示基板的部分平面图；

图3为图2中III-III处所示的剖面图；

图4为图2中IV-IV处所示的剖面图；

图5至图14为本使用新型另一实施方式提供的显示基板的制作过程中的剖面图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，图1为本实用新型一较佳实施例提供的一种显示装置的立体图。如图1所示，所述显示装置100包括显示面板10及背光模组20，所述显示面板10及所述背光模组20层叠设置，共同组成所述显示装置100的显示模组，以实现所述显示装置100的显示功能。所述显示装置100还包括一显示区101及围绕所述显示区101的周边区102，所述显示区101主要用于实现所述显示装置100的显示输出功能，所述周边区102主要用于走线等。

所述显示面板10还包括至两个层叠设置的显示基板11及夹设与二者之间的液晶，其中一个显示基板11为薄膜晶体管阵列基板，另一个显示基板11为彩膜基板。本实施方式中，所述显示基板11是以薄膜晶体管阵列基板或者彩色滤光片基板为例进行说明，但并不局限于此，在其他实施方式中，所述显示基板11还可以是其他具有多层膜层的基板。

请同时参阅图2、图3和图4，图2为图1中所示显示基板的部分平面图，图3为图2中III-III处所示的剖面图，图4为图2中IV-IV处所示的剖面图。如图2、图3和图4所示，所述显示基板11的基底111上设置有至少一个对位标记12，所述对位标记12用于在所述显示基板11上形成不同的膜层的时候，测试所述显示基板11上至少两层膜层图形之间的位移偏差。优选的，本实施方式中，所述对位标记12对应位于所述显示装置100的周边区102中，但并不局限于此，在其他实施方式中，所述对位标记12也可以位于显示区101中。

所述对位标记12包括两组标记121，每组标记121均是在所述显示基板11上沉积不同膜层的时候，由不同的膜层所形成。本实施方式中，所述显示基板11是以薄膜晶体管阵列基板为例来进行说明的，但并不局限于此，在其他实施方式中，所述显示基板11还可以是彩色滤光片阵列基板或者其他具有多层膜层的基板。本实施方式中，因为是以传统的薄膜晶体管阵列基板为例，因此，仅以两个不同位置的对位标记12为例进行说明，但并不局限于此，在其他实施中，为了使不同膜层至今对位精准，也可以在不同的位置处设置更多个相同的对位标记，或者在其他实施例中，如果有更多层膜层的话，还可以为了测试不同组合的两层膜层之间的位移偏差而设置多个对位标记。

每组标记121中还包括至少一个子标记1211，所述子标记1211的形状为圆形，并且每个所述子标记1211的直径为3微米至8微米。本实施方式中，所述子标记1211设置为圆形，这样方便在每个膜层上进行抓取，即使在抓取形成圆形子标记1211的圆周上的点中部分点偏差，也可以通过大部分正确点位的抓取来确定子标记1211的圆心以及圆周，而不会出现子标记1211的抓取错误。

具体的，本实施方式中，是以每组标记121中包括两组子标记1211，并且每组子标记1211中包括两个子标记1211为例来进行说明，但并不局限于此，在其他实施方式中，每组标记121还可以包括1组、3组甚至更多组子标记1211，并且每组子标记1211中包括1个、3个或者更多个子标记1211。

本实施方式中，每组标记121包括至少两组子标记1211，并且每组子标记1211中包括两个相对设置的圆形的子标记1211，其中，每组子标记1211中的两个子标记1211的圆心之间的连线与其他组子标记1211中的两个子标记1211的圆心之间的连线相交于一交点，同时，每组子标记1211中的两个子标记1211之间彼此关于所述交点呈中心对称。

其中，在所述至少两组标记121中的其中一组标记121中，每组子标记1211之中关于所述交点相对设置的两个子标记1211之间的距离为15微米至25微米，而所述至少两组标记121中除所述其中一组标记121之外的其他组标记121中，每组子标记1211中关于所述交点相对设置的两个子标记1211之间的距离为30微米至40微米。这样，将所述其中一组标记121最为参考标记，而其他组的标记与参考标记进行比对，就可以知道不同膜层之间具有多少的位移偏差，并且通过位移偏差的大小，可以得知是否会对显示装置的显示性能具有影响，从而及时调整膜层之间的位移偏差。在比对的时候，可以通过计算不同组标记121中不同组子标记1211的交点的位置，将交点的位置作为标记121的中心的位置，再通过比较或者计算等获取不同组标记121的中心之间的位移偏差，从而可以得知不同膜层之间存在的位移偏差。

一般的，参考标记，都是在基底上最先形成的一组标记，由最先在基底上形成的膜层所形成。

下面请同时参阅图5至图12，图5至图12为本使用新型另一实施方式提供的显示基板的制作过程中的剖面图。本实施方式中，仍以显示基板为薄膜晶体管阵列基板为例进行说明，如图4至图12所示，对位标记的形成方法包括：

步骤1，如图5所示，提供一基底211，并在所述基底211上形成第一膜层30。

步骤2，对所述第一膜层30进行曝光、显影和刻蚀等工艺，图案化所述第一膜层30，以得到如图6和图7所示的具有栅极(图未示)的所述显示基板的第一金属层，同时，在得到栅极的同时，一并经过图案化所述第一膜层30得到具有第一子标记2211的两个在不同位置第一组标记221。

在得到第一组标记221之后，可以将得到的所述第一组标记211作为参考标记，以供与后续膜层形成的标记进行对比，来测试不同的两层膜层图形的位移偏差。

本实施方式中，是将最初形成的第一组标记211作为参考标记，但并不局限于此，在其他实施方式中，还可以以第二组甚至第三组标记作为参考标记。

步骤3，如图8所示，在所述第一金属层及所述第一组标记221上依次形成第一保护层40、第二膜层50及光阻层60。本实施方式中，仅以一个位置的对位标记的形成过程为例进行说明，其他位置的对位标记的形成过程与本实施例的对位标记的形成过程相同，仅是因为作用于不同膜层而已。

步骤4，对所述光阻层60进行曝光、显影等工艺，图案化所述光阻层60，以得到如图9所示的具有源极图案(图未示)、漏极图案(图未示)以及标记62图案的光罩61。

在得到具有源极图案(图未示)、漏极图案(图未示)以及标记62图案的光罩61之后，将光罩61上的标记62与第一金属层中的第一组标记221进行比对，来得知所述光罩61与所述第一金属层之间是否存在位移偏差，位移偏差量是否在允许范围内，如果位移偏差量在允许范围内，可以认为两层膜层之间的不存在位移偏差，执行步骤5，如果位移偏差量超出允许范围，说明两层膜层之间位移偏差较多，需要重新进行对位，那么执行步骤6。

具体的，可以是将光罩61上的标记62的中心，也就是标记62中不同组的子标记621中相对设置的子标记621之间的连线的交点，与第一组标记221的中心进行比对，来确定第一金属层与所述光罩61之间的位移偏差量，然后看位移偏差量是否在误差允许范围内，如果位移偏差量在允许范围内，可以认为两层膜层之间的不存在位移偏差，执行步骤5，如果位移偏差量超出允许范围，说明两层膜层之间位移偏差较多，需要重新进行对位，那么执行步骤6。

步骤5，使用所述光罩61对所述第二膜层50进行刻蚀等工艺，图案化所述第二膜层50，以得到如图10所示的具有源极和漏极(图未示)的所述显示基板的第二金属层，同时，在得到源极和漏极的同时，一并经过图案化所述第二膜层50得到具有第二子标记2221的第二组标记222。

步骤6、如图11所示，剥离所述光罩61，重新在所述第二膜层上形成一层光阻层70，并图案化光阻层70，以得如图12所示的到具有源极图案(图未示)、漏极图案(图未示)以及标记72形状的光罩71。

在得到具有标记72的光罩71之后，将光罩71上的标记72与第一金属层中的第一组标记221进行比对，来得知所述光罩71与所述第一金属层之间是否存在位移偏差，位移偏差量是否在允许范围内，如果位移偏差量在允许范围内，可以认为两层膜层之间的不存在位移偏差，执行步骤5，如果位移偏差量超出允许范围，说明两层膜层之间位移偏差较多，需要重新进行对位，那么重新执行步骤6。

步骤7，重复步骤3、步骤4、步骤5和步骤6，以制作得到其他膜层的对位标记，并且直至获得每层膜层与其他膜层之前均无位移偏差，或者位移偏差量在允许范围内的，如图13和图14所述的具有由两组标记221组成的位于不同位置的连个对位标记22的显示基板。

本实用新型实施例提供的对位标记、显示基板及显示装置，在基底上设置用于测试两层膜层图形的位移偏差的对位标记，所述对位标记包括两组标记，每组标记由不同膜层形成，每组标记包括至少一个圆形的子标记。这样，在基底上形成不同膜层的时候使用对位标记进行对位，可降低甚至避免不同膜层之间的位移偏差，从而避免因为膜层之间会的位移偏差造成的串色、亮度降低、短路等不良问题。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以权利要求的保护范围为准。