一种阵列基板和显示装置的制作方法

本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板和显示装置。

背景技术：

显示面板已被大量地用作于手机、笔记本电脑、个人电脑及个人数字助理等消费电子产品的显示屏幕。显示面板包括有源矩阵阵列基板，其中各个有源元件调节光束强度以显示出影像。现有的阵列基板包括多条栅线、多条数据线以及电性连接至对应的栅线及数据线的多个像素单元；每个像素单元由晶体管单独控制光透过率。液晶显示有扭曲向列型(Twisted Nematic，TN)、边缘场开关技术(Fringe Field Switching，FFS)、平面转换(In-Plane Switching，IPS)、垂直排列(vertical alignment，VA)等几种模式，其中FFS、IPS、VA模式都是宽视角液晶显示技术，经常采用多畴设计的像素结构，有利于增大视角。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题：VA、FFS、IPS传统的多畴设计在畴边界的电场较混乱，容易造成漏光或者开口率的下降。

技术实现要素：

本实用新型针对现有的多畴设计中畴边界的混乱电场容易造成漏光或者开口率的下降的问题，提供一种阵列基板和显示装置。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是：

一种阵列基板，包括：

多条交叉设置的数据线和信号线，所述信号线包括第一信号线和第二信号线，相邻的第一信号线和相邻的数据线围成的区域为像素区域；所述像素区域内包括薄膜晶体管和子像素单元；

所述薄膜晶体管包括漏极；所述子像素单元具有子像素电极；

其中，子像素电极与薄膜晶体管的漏极电连接；

所述阵列基板还包括与所述漏极连接的漏极延长线，所述漏极延长线设于像素区域的相邻数据线之间的位置处。

可选的是，所述漏极延长线具有第一过孔，所述子像素电极通过所述第一过孔与漏极电连接。

可选的是，所述第一信号线和第二信号线中一个为扫描线，另一个为公共电极线；

薄膜晶体管的栅极连接扫描线，薄膜晶体管的源极连接数据线；

所述像素区域内包括多个子像素单元，所述漏极延长线设于同一像素区域内的相邻数据线之间的位置处。

可选的是，所述漏极延长线与数据线平行设置，所述漏极延长线的宽度为2-20微米。

可选的是，所述子像素单元还包括子公共电极，所述子公共电极与公共电极线连接，其中，子公共电极与子像素电极同层设置。

可选的是，所述子像素电极和子公共电极均为条状电极，且子像素电极与公共电极线之间的夹角为α，所述α的范围为90°＞α＞0°，子公共电极的与公共电极线之间的夹角为β，所述β的范围为90°＞β＞0°。

可选的是，所述α的范围为60°＞α＞30°；所述β的范围为60°＞β＞30°。

可选的是，所述α＝β。

可选的是，所述子像素电极的宽度与子公共电极的宽度相同，相邻的子像素电极的间距相同，相邻的公共电极的间距相同。

可选的是，所述漏极延长线远离漏极的一端与第一信号线重叠。

可选的是，所述第一信号线与漏极延长线重叠的位置处向靠近漏极的方向凸出。

可选的是，所述漏极与所述漏极延长线同层设置。

本实用新型还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。

本实用新型的阵列基板中将薄膜晶体管的漏极延长，即漏极延长线，其中，漏极延长线布设像素区域的相邻数据线之间的位置处，可以挡住子像素单元边界处的光，避免子像素单元边缘电场混乱引起的漏光。本实用新型的阵列基板适用于多畴取向的IPS模式的阵列基板，一方面漏极延长线可以做为挡光条防止子像素边缘电场混乱引起的漏光；另一方面其还可以覆盖公共电极线的中部形成存储电容。

附图说明

图1为本实用新型的实施例1的阵列基板的结构示意图；

图2-3为本实用新型的实施例2的阵列基板的结构示意图；

其中，附图标记为：11、漏极；12、源极；2、子像素单元；21、子像素电极；22、子公共电极；3、漏极延长线；31、第一过孔；41、扫描线；42、数据线；43、公共电极线。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。

实施例1：

本实施例提供一种阵列基板，如图1所示，包括多条交叉设置的数据线42和信号线，所述信号线包括第一信号线和第二信号线，相邻的第一信号线和相邻的数据线围成的区域为像素区域；所述像素区域内包括薄膜晶体管和子像素单元2；

所述薄膜晶体管包括漏极11；所述子像素单元2具有子像素电极21；子像素电极21与薄膜晶体管的漏极11电连接；所述阵列基板还包括与所述漏极11连接的漏极延长线3，所述漏极延长线3设于像素区域的相邻数据线42之间的位置处。

本实施例的阵列基板中数据线42纵向布置，信号线横向布置，二者交叉，且信号线中相邻的第一信号线与相邻的数据线围成的区域为像素区域；其中，本实施例将薄膜晶体管的漏极11延长，即漏极延长线3，其中，漏极延长线3布设于像素区域的相邻数据线42之间的位置处，可以挡住子像素单元2边界处的光，避免子像素单元2边缘电场混乱引起的漏光。

实施例2：

本实施例提供一种阵列基板，如图2所示，包括多条交叉设置的数据线42和信号线，所述信号线包括第一信号线和第二信号线，相邻的第一信号线和相邻的数据线围成的区域为像素区域；所述像素区域内包括薄膜晶体管和子像素单元2；所述薄膜晶体管包括漏极11；所述子像素单元2具有子像素电极21；子像素电极21与薄膜晶体管的漏极11电连接；所述阵列基板还包括与所述漏极11连接的漏极延长线3，所述漏极延长线3设于像素区域的相邻数据线42之间的位置处；此外，所述漏极延长线3具有第一过孔31，所述子像素电极21通过所述第一过孔31与漏极11电连接。

本实施例中的阵列基板由于漏极11延长，因此，子像素电极21可与漏极延长线3的任意位置电连接，从而将子像素电极21连接至漏极11，这样相当于增加了漏极11的可接点，增强子像素电极21与漏极11的电连接性，其中子像素电极21与漏极延长线3不同层，因此设置第一过孔31，将子像素电极21与漏极延长线3通过第一过孔31连接。

作为本实施例的一种优选方案，所述阵列基板包括多条横向设置的扫描线41、多条数据线42和多条公共电极线43；薄膜晶体管的栅极连接扫描线41，薄膜晶体管的源极12连接数据线42；相邻的公共电极线43与相邻的数据线42围成的区域为像素区域，所述像素区域内包括多个子像素单元2，所述漏极延长线3设于同一像素区域内的子像素单元2之间的位置处。

需要说明的是，附图中以公共电极线43作为第一信号线，扫描线41作为第二信号线的情况进行了说明，可以理解的是，扫描线41作为第一信号线，共电极线43作为第二信号线的情况，即公共电极线43与相邻的数据线42围成的区域为像素区域的情况与之类似，在此不再赘述。

本实施例对应的附图1-3中显示了一种四畴取向的阵列基板，扫描线41把一个像素区域分为上下两部分，虚线内圈起的位置看做一个子像素单元2，即扫描线41上方包括左右两个子像素单元2，扫描线41下方包括左右两个子像素单元2，在扫描线41上方的有源区设有两个薄膜晶体管，其中上方的一个薄膜晶体管用于控制上方的两个子像素单元2，下方的一个薄膜晶体管用于控制下方的两个子像素单元2，具体的，薄膜晶体管的源极12与数据线42连接，其中漏极延长线3为漏极11的延伸，两个薄膜晶体管的漏极延长线3均呈长条状贯穿像素区，上方的一个薄膜晶体管的漏极向上延伸，设于上部左右两个相邻子像素单元2之间的位置处，下方的一个薄膜晶体管的漏极向下延伸，设于下部左右两个相邻子像素单元2之间的位置处。具体的，漏极延长线3的宽度在2～20微米之间，单根漏极延长线3的长度大约等于像素区高度的一半。

作为本实施例的一种优选方案，所述漏极延长线3与数据线42平行设置。

本实施例对应的附图1中显示了漏极延长线3与数据线42平行设置，即漏极延长线3与扫描线41垂直设置。可以理解的是，漏极延长线3也可以是弯曲的，或者其它不规则的形状，例如，如图2所示的不规则形状，其具体形状此处不再一一列举，均可以通过刻蚀工艺实现。

作为本实施例的一种优选方案，所述漏极延长线3远离漏极11的一端与公共电极线43重叠。

也就是说，漏极延长线3的延伸端方向的端部覆盖公共电极线43的一部分，这样设计的作用是：二者之间可以形成存储电容。

作为本实施例的一种优选方案，所述公共电极线43与漏极延长线3重叠的位置处向靠近漏极11的方向凸出。

本实施例对应的附图3中显示了：上方的一根公共电极线43的中部向下凸出，这样相当于增加了其与漏极延长线3的重叠面积，因此，这种设计方式可以更多的增加二者之间的存储电容。同理，附图3中还显示了：下方的一根公共电极线43的中部向上凸出，同样相当于增加了其与漏极延长线3的重叠面积，增加二者之间的存储电容。

作为本实施例的一种可选方案，所述子像素单元2还包括子公共电极22，所述子公共电极22与公共电极线43连接，其中，子公共电极22与子像素电极21同层设置。

也就是说，本实施例适用于多畴取向的IPS模式的阵列基板。从附图中可以看出，在畴边界设置条状漏极延长线3，在增大了视角的情况下，一方面在畴边界漏极延长线3可以做为挡光条防止子像素边缘电场混乱引起的漏光；另一方面其可以覆盖公共电极线43的中部形成存储电容。可以理解的是，子像素的子公共电极22与公共电极线43的夹角(也称叉指倾斜角)可以根据实际情况进行选择。

作为本实施例的一种优选方案，所述子像素电极21和子公共电极22均为条状电极，且子像素电极21与公共电极线43之间的夹角为α，所述α的范围为90°＞α＞0°，子公共电极22的与公共电极线43之间的夹角为β，所述β的范围为90°＞β＞0°。

具体的，子像素电极21和子公共电极22均为同层设置的条状电极，同一个像素区域中的相邻的两个子像素的条状电极的倾斜方向可以相同也可以不同。

优选的是，所述α的范围为60°＞α＞30°；所述β的范围为60°＞β＞30°。

优选的是，所述α＝β。

参见附图，同一个像素区域中的相邻的两个子像素的子公共电极22与公共电极线43的叉指倾斜角可以相同也可以不同，左右相邻的两个子像素的子公共电极22与公共电极线43可以以漏极延长线3为轴呈轴对称，或者上下相邻的两个子像素的子公共电极22与公共电极线43可以以扫描线41为轴呈轴对称，可以根据实际情况进行选择。

优选的是，所述子像素电极21的宽度与子公共电极22的宽度相同，相邻的子像素电极21的间距相同，相邻的公共电极的间距相同。

具体的，子像素电极21的宽度在2至10微米之间，长度在2至50微米之间。子公共电极22的宽度在2至10微米之间，长度在2至50微米之间。更具体的，多根条状的子像素电极21与子公共电极22间隔排布，相邻的子像素电极21之间的间距在4至20微米之间，相邻的子公共电极22之间的间距在4至20微米之间，即子像素电极21与与之相邻的子公共电极22之间的间距在2至10微米之间。

附图所示各结构的大小、厚度等仅为示意。在工艺实现中，各结构层在衬底上的投影面积可以相同，也可以不同。诸如此类，此处不再列举，可以通过刻蚀工艺实现所需的各结构层投影面积；同时，附图所示结构也不限定各结构层的几何形状，例如可以是附图所示的矩形，还可以是梯形，或其它刻蚀所形成的形状，同样可通过刻蚀实现。

实施例3：

本实施例提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。所述显示装置可以为：液晶显示面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。