1.一种相移空白掩膜，其具有位于透明衬底上的相移膜，其中，
所述相移膜包括多层膜，该多层膜包括至少两层含有金属硅化物的层，并且
所述多层膜的最顶层中所含的氮比至少一层下层所含的氮更多。
2.根据权利要求1所述的相移空白掩膜，其中所述相移膜中的层包含硅化钼或者包含这样的化合物，该化合物除了含有硅化钼之外，还含有氧、氮和碳中的一种或多种元素。
3.根据权利要求1所述的相移空白掩膜，其中所述金属包括选自由以下元素构成的组中的一种或多种：铝、钴、钨、钼、钒、钯、钛、铂、锰、铁、镍、镉、锆、镁、锂、硒、铜、钇、硫、铟、锡、硼、铍、钠、钽、铪和铌。
4.根据权利要求2所述的相移空白掩膜，其中所述相移膜中的层包含2原子％至30原子％的钼、20原子％至70原子％的硅、5原子％至50原子％的氮、0原子％至30原子％的氧和0至30原子％的碳。
5.根据权利要求1所述的相移空白掩膜，其中所述相移膜中的层具有一种组成，或者具有一种组成但具有不同的组成比，或者具有不同的组成且这些组成中所包含的氧、氮和碳中的一种或多种元素有所不同。
6.根据权利要求1所述的相移空白掩膜，其中所述相移膜中的层包含氮，所述氮的含量是均匀的，或者从所述最顶层向所述透明衬底，所述氮的含量降低。
7.根据权利要求1所述的相移空白掩膜，其中在所述相移膜的层中，与所述透明衬底相邻的层中的氮含量小于上层中的至少一层的氮含量。
8.根据权利要求1所述的相移空白掩膜，其中所述相移膜的层中的最顶层的氧含量小于下层中的至少一层的氧含量，或者与所述透明衬底相邻的层中的氧含量高于某一上层的氧含量。
9.根据权利要求8所述的相移空白掩膜，其中当所述相移膜的层中的最顶层含有氧时，其氧含量不超过30原子％，并且所述最顶层具有不大于30nm的厚度。
10.根据权利要求8所述的相移空白掩膜，其中所述相移膜的层中的所述最顶层中的碳含量高于下层中的至少一层的碳含量，或者与所述透明衬底相邻的层的碳含量小于某一上层的碳含量。
11.根据权利要求8所述的相移空白掩膜，其中所述相移膜的厚度为
12.根据权利要求1至11中任一项所述的相移空白掩膜，其中所述相移膜通过主要包含氟化氢铵、过氧化氢和去离子水的蚀刻剂来蚀刻。
13.根据权利要求12所述的相移空白掩膜，其中在全部所述蚀刻剂中，氟化氢铵的含量不超过10体积％。
14.根据权利要求1所述的相移空白掩膜，其中相对于具有290nm至450nm范围内的复合波长的曝光光线，所述相移膜的反射率不高于35％。
15.根据权利要求1所述的相移空白掩膜，其中相对于在400nm至900nm范围内的一个波长，所述相移膜具有最低的反射率。
16.根据权利要求1所述的相移空白掩膜，其中相对于具有290nm至450nm范围内的复合波长的曝光光线，所述相移膜的透射率为1％至40％。
17.根据权利要求1所述的相移空白掩膜，其中相对于具有290nm至450nm范围内的复合波长的曝光光线，所述相移膜的相移量为140°至220°，并且相移量偏差不大于60°。
18.根据权利要求1所述的相移空白掩膜，还包括遮光膜、半透光膜、蚀刻停止膜、位于相移膜上方或下方的蚀刻掩膜中的一个或多个膜。