一种显示面板和显示装置的制作方法
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术：
随着科技的发展和进步，液晶显示器由于具备机身薄、省电和辐射低等热点而成为显示器的主流产品，得到了广泛应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括显示面板及背光模组(backlightmodule)。显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，并在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。
hsd(half-sourcedriver，半源极驱动技术)技术是目前显示面板业界常用的一种低成本生产方案，该方案是将扫描线的数目增加一倍，使单一数据线可以对应相邻两列的子像素，藉此节省半数的源极驱动集成芯片，但会有垂直亮暗线的问题产生。
技术实现要素：
鉴于上述问题，本发明所要解决的技术问题是提供一种亮度均衡的显示面板。
为实现上述目的，本发明提供了一种显示面板，包括：
基板，所述基板上设置有：
多条数据线、多条栅极线及多个像素；
所述像素包括沿着栅极线方向分别设置不同颜色的子像素；
栅极驱动芯片，用于输出栅启动信号到栅极线以打开所述像素；
每一行所述像素包括多个像素组，每个所述像素组包括相邻的在前的第一列像素和在后的第二列像素，所述第一列像素和第二列像素与同一数据线连接，且所述第一列像素和第二列像素连接至两条不同的栅极线；
每一行所述像素中的每个像素组和相邻的像素组采用的数据驱动信号的极性相反；
所述第二列像素对应的主动开关的沟道宽长比大于对应所述第一列像素对应的主动开关的沟道宽长比。
可选的，所述第一列像素和第二列像素对应的数据驱动电压极性相反，所述第一列像素为奇数列像素，所述第二列像素为偶数列像素；
对应所述偶数列像素对应的主动开关的沟道宽长比大于所述奇数列像素对应的主动开关的沟道宽长比。
本方案中，第一列像素为奇数列像素，第二列像素为偶数列像素，设计使得所述偶数列像素对应的薄膜晶体管沟道宽长比大于奇数列像素的沟道宽长比，那么偶数列像素的充电效率和充电能力就能够强于奇数列像素，用于抵消偶数列的充电电压低于奇数列像素的问题，进而减少设置消除两者最终的充电状态的差异，使得奇数列像素和偶数列像素充电电压相同，从而解决视觉上的亮暗线问题。
可选的，所述奇数列像素包括第一主动开关和第一子像素，所述偶数列像素包括第二主动开关和第二子像素，所述数据线与第一主动开关的漏极、第二主动开关的漏极连接，所述第一主动开关的源极与第一子像素相连，所述第二主动开关的源极与第二子像素相连；
其中，(w/l)奇＝m*(w/l)偶，m大于等于0.5且小于1。
本方案中，基于薄膜晶体管的沟道宽长比越大，开态电流越大，充电能力越强，若m小于0.5，偶数列像素的充电效率和充电能力虽然能够强于奇数列像素，能部分抵消偶数列的充电电压低于奇数列像素的问题，亮暗线的问题还是会存在；若m大于1，奇数列像素的充电效率和充电能力远大于偶数列像素的充电效率和充电能力，会使亮暗线的问题更明显。
可选的，沟道宽长比满足公式
其中，所述w为沟道宽，所述l为沟道长，所述a为源极半圆区的半径，所述b为半圆的圆心到漏极的水平距离，所述c为漏极两侧平行区的长度；
所述第二主动开关的沟道宽长比w/l大于所述第一主动开关的沟道宽长比w/l。
通过调节影响沟道宽长比的参数，使得所述偶数列像素对应的薄膜晶体管沟道宽长比大于奇数列像素的沟道宽长比，那么偶数列像素的充电效率和充电能力就能够强于奇数列像素，用于抵消偶数列的充电电压低于奇数列像素的问题，进而减少设置消除两者最终的充电状态的差异，使得奇数列像素和偶数列像素充电电压相同，从而解决视觉上的亮暗线问题。
可选的，所述第一列像素和第二列像素对应的数据驱动电压极性相同，所述第一列像素为偶数列像素，所述第二列像素为奇数列像素；
对应所述奇数列像素的主动开关的沟道宽长比大于所述偶数列像素的主动开关的沟道宽长比。
本方案中，第一列像素为偶数列像素，第二列像素为奇数列像素，设计使得所述奇数列像素对应的薄膜晶体管沟道宽长比大于偶数列像素的沟道宽长比，那么奇数列像素的充电效率和充电能力就能够强于偶数列像素，用于抵消奇数列的充电电压低于偶数列像素的问题，进而减少设置消除两者最终的充电状态的差异，使得奇数列像素和偶数列像素充电电压相同，从而解决视觉上的亮暗线问题。
可选的，所述偶数列像素包括第一主动开关和第一子像素，所述奇数列像素包括第二主动开关和第二子像素，所述数据线与第一主动开关的漏极、第二主动开关的漏极连接，所述第一主动开关的源极与第一子像素相连，所述第二主动开关的源极与第二子像素相连；
其中，m*(w/l)奇＝(w/l)偶，m大于等于0.5且小于1。
本方案中，基于薄膜晶体管的沟道宽长比越大，开态电流越大，充电能力越强，若m小于0.5，奇数列像素的充电效率和充电能力虽然能够强于偶数列像素，能部分抵消奇数列的充电电压低于偶数列像素的问题，亮暗线的问题还是会存在；若m大于1，偶数列像素的充电效率和充电能力远大于奇数列像素的充电效率和充电能力，会使亮暗线的问题更明显。
可选的，所述沟道宽长比满足公式
其中，所述w为沟道宽，所述l为沟道长，所述a为源极半圆区的半径，所述b为半圆的圆心到漏极的水平距离，所述c为漏极两侧平行区的长度；
所述第二主动开关的沟道宽长比w/l大于所述第一主动开关的沟道宽长比w/l。
通过调节影响沟道宽长比的参数，使得所述奇数列像素对应的薄膜晶体管沟道宽长比大于偶数列像素的沟道宽长比，那么奇数列像素的充电效率和充电能力就能够强于偶数列像素，用于抵消奇数列的充电电压低于偶数列像素的问题，进而减少设置消除两者最终的充电状态的差异，使得奇数列像素和偶数列像素充电电压相同，从而解决视觉上的亮暗线问题。
可选的，所述显示面板还包括检测模块，所述检测模块用于检测并比较第一列像素和第二列像素的亮度；
若第一列像素偏暗，则调整第一列像素对应的充电时间c1和第二列像素对应的充电时间c2，使得c1大于c2；
若第一列像素偏亮，则调整第一列像素对应的充电时间c1和第二列像素对应的充电时间c2，使得c1小于c2。
虽然在生产前已经进行了测试，但是可能最终的产品中，实际设计的效用比预计的要差，仅通过调整沟道宽长比不一样，无法完全弥补亮暗线的差异，利用检测模块检测并比较第一列像素和第二列像素的实际亮度，根据实际情况调整充电时间，使得最后的显示效果更好。
本发明公开了一种显示面板,包括：
基板，所述基板上设置有：
多条数据线、多条栅极线及多个像素；
所述像素包括沿着栅极线方向分别具有不同颜色的子像素；
栅极驱动芯片，用于输出栅启动信号到栅极线以打开所述像素；
每一行所述像素包括多个像素组，每个所述像素组包括相邻的在前的第一列像素和在后的第二列像素，所述第一列像素和第二列像素与同一数据线连接，且所述第一列像素和第二列像素连接至两条不同的栅极线；
每一行所述像素中的每个像素组和相邻的像素组采用的数据驱动信号的极性相反；
所述第一列像素和第二列像素对应的数据驱动电压极性相反，所述第一列像素为奇数列像素，所述第二列像素为偶数列像素；
所述奇数列像素包括第一主动开关和第一子像素，所述偶数列像素包括第二主动开关和第二子像素，所述数据线与第一主动开关的漏极、第二主动开关的漏极连接，所述第一主动开关的源极与第一子像素相连，所述第二主动开关的源极与第二子像素相连；
其中，(w/l)奇＝m*(w/l)偶，m大于等于0.5且小于1；
所述沟道宽长比满足公式
其中，所述w为沟道宽，所述l为沟道长，所述a为源极半圆区的半径，所述b为半圆的圆心到漏极的水平距离，所述c为漏极两侧平行区的长度；
所述第二主动开关的沟道宽长比w/l大于所述第一主动开关的沟道宽长比w/l。
本发明还公开了一种显示装置，包括如上所述的显示面板。
由于数据线正负极性转换导致当前组的第二列像素对应的数据驱动电压需要一段时间才能反转到预设的电压水平，使得该第二列像素的充电电压以及充电状态要比同行下一组第一列像素对应的充电电压以及充电状态要低，最后导致像素的充电电压差异，从而出现垂直亮暗线的问题；本方案中，基于薄膜晶体管的沟道宽长比越大，开态电流越大，充电能力越强；设计使得该当前组的第二列像素对应的薄膜晶体管的沟道宽长比大于该同行下一组的第一列像素的沟道宽长比，那么该第二列像素的充电效率和充电能力就能够强于该第一列像素，用于抵消该第二列像素的充电电压低于该第一列像素的问题，进而减少甚至消除两者最终的充电状态的差异，从而使得两个相邻的像素充电电压相同，从而解决视觉上的垂直亮暗线问题。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
图1是本发明实施例半源极驱动架构的示意图；
图2是图1中a区域局部放大的示意图；
图3是本发明实施例半源极驱动架构数据输出波形的示意图；
图4是本发明实施例半源极驱动架构数据实际输出波形的示意图；
图5是本发明实施例半源极驱动架构像素电压的示意图；
图6是本发明实施例一种显示面板的像素结构示意图；
图7是本发明实施例一种显示面板的像素电压的示意图；
图8是本发明实施例一种显示面板的另一种半源极驱动架构的示意图；
图9是本发明实施例一种显示面板驱动时序信号的示意图；
图10是本发明实施例一种显示装置框图的示意图。
其中，100、显示装置；101、显示面板；102、栅极驱动芯片；110、栅极线；120、数据线；130、像素；131、第一列像素；1311、第一主动开关；1312、第一子像素；132、第二列像素；1321、第二主动开关；1322、第二子像素。
具体实施方式
这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
参考图1、图2，相邻的两列像素共用一数据线120，相邻的像素之间与不同的栅极线110连接。当栅启动信号打开时，将相应一行的薄膜晶体管打开。此时，垂直方向的数据线120送入对应的数据信号，对存储电容充电至适当的电压，便可显示一行的图像。参考图3和图4，其中data表示的是数据线120的波形，gate为栅极线110的波形，当gate为最高峰的时候为打开状态，打开对应的奇数列像素odd和偶数列像素even。由于数据线120会有正负极性的转换，当数据线120正负极性转换时，极性反转之后的对应的奇数列像素的数据驱动电压需要一定时间才能够达到预设的电压强度，导致当前奇数列像素和与它相邻列且共用一条数据线120的偶数列像素在同样的栅启动信号启动下，两者的导通时间一样，c1为第一行栅启动信号导通的时间，c2为第二行栅启动信号导通的时间，此时c1＝c2；而使得两像素最终的充电状态有差异。参考图5，偶数列像素的电压大于奇数列像素的电压，vp_even为偶数列对应的像素电压，vp_odd为奇数列对应的像素电压，从而偶数列像素的亮度亮于奇数列像素的亮度，因此存在垂直亮暗线的问题。
参考图1、图6和图7所示，本发明实施例公开了一种显示面板，包括：
基板，所述基板上设置有：
多条数据线120、多条栅极线110及多个像素130；
所述像素130包括沿着栅极线110方向分别设置不同颜色的子像素；
栅极驱动芯片102，用于输出栅启动信号到栅极线110以打开所述像素130；
每一行所述像素包括多个像素组，每个所述像素组包括相邻的在前的第一列像素131和在后的第二列像素132，所述第一列像素131和第二列像素132与同一数据线120连接，且所述第一列像素131和第二列像素132连接至两条不同的栅极线110；
每一行所述像素中的每个像素组和相邻的像素组采用的数据驱动信号的极性相反；
所述第二列像素132对应的主动开关的沟道宽长比大于对应所述第一列像素131对应的主动开关的沟道宽长比。
由于数据线120正负极性转换导致当前组的第二列像素132对应的数据驱动电压需要一段时间才能反转到预设的电压水平，使得该第二列像素132的充电电压以及充电状态要比同行下一组第一列像素131对应的充电电压以及充电状态要低，最后导致像素的充电电压差异，从而出现垂直亮暗线的问题；本方案中，基于薄膜晶体管的沟道宽长比越大，开态电流越大，充电能力越强；设计使得该当前组的第二列像素132对应的薄膜晶体管的沟道宽长比大于该同行下一组的第一列像素131的沟道宽长比，那么该第二列像素132的充电效率和充电能力就能够强于该第一列像素131，用于抵消该第二列像素132的充电电压低于该第一列像素131的问题，进而减少甚至消除两者最终的充电状态的差异，从而使得两个相邻的像素充电电压相同，从而解决视觉上的垂直亮暗线问题。
参考图1、图6和图7，本实施例可选的，所述第一列像素131和第二列像素132对应的数据驱动电压极性相反，所述第一列像素131为奇数列像素，所述第二列像素132为偶数列像素；
所述偶数列像素对应的主动开关的沟道宽长比大于所述奇数列像素对应的主动开关的沟道宽长比。
本方案中，第一列像素131为奇数列像素，第二列像素132为偶数列像素，设计使得所述偶数列像素对应的薄膜晶体管沟道宽长比大于奇数列像素的沟道宽长比，那么偶数列像素的充电效率和充电能力就能够强于奇数列像素，用于抵消偶数列的充电电压低于奇数列像素的问题，进而减少设置消除两者最终的充电状态的差异，使得奇数列像素和偶数列像素充电电压相同，从而解决视觉上的亮暗线问题。
本实施例可选的，所述奇列像素131包括第一主动开关1311和第一子像素1312，所述偶数列像素132包括第二主动开关1321和第二子像素1322，所述数据线120与第一主动开关1311的漏极、第二主动开关1321的漏极连接，所述第一主动开关的源极与第一子像素1312相连，所述第二主动开关的源极与第二子像素1322相连；
其中，(w/l)奇＝m*(w/l)偶，m大于等于0.5且小于1。
本方案中，基于薄膜晶体管的沟道宽长比越大，开态电流越大，充电能力越强，若m小于0.5，偶数列像素的充电效率和充电能力虽然能够强于奇数列像素，能部分抵消偶数列的充电电压低于奇数列像素的问题，亮暗线的问题还是会存在；若m大于1，奇数列像素的充电效率和充电能力远大于偶数列像素的充电效率和充电能力，会使亮暗线的问题更明显。
其中，m＝0.5,0.55,0.6,0.65,0.7,0.75,0.8,0.85,0.9,0.95……但不仅限于此。
本实施例可选的，沟道宽长比满足公式
所述第二主动开关的沟道宽长比w/l大于所述第一主动开关的沟道宽长比w/l。
其中沟道宽长比w/l的值通过a，b，c的值来实现，所以abc根据计算满足w/l计算得出结果即可。
通过调节影响沟道宽长比的参数，使得所述偶数列像素对应的薄膜晶体管沟道宽长比大于奇数列像素的沟道宽长比，那么偶数列像素的充电效率和充电能力就能够强于奇数列像素，用于抵消偶数列的充电电压低于奇数列像素的问题，进而减少设置消除两者最终的充电状态的差异，使得奇数列像素和偶数列像素充电电压相同，从而解决视觉上的亮暗线问题。
参考图8和图9，本实施例可选的，所述第一列像素131和第二列像素132对应的数据驱动电压极性相同，所述第一列像素131为偶数列像素，所述第二列像素132为奇数列像素；
对应所述奇数列像素的主动开关的沟道宽长比大于所述偶数列像素的主动开关的沟道宽长比。
本方案中，第一列像素131为偶数列像素，第二列像素132为奇数列像素，设计使得所述奇数列像素对应的薄膜晶体管沟道宽长比大于偶数列像素的沟道宽长比，那么奇数列像素的充电效率和充电能力就能够强于偶数列像素，用于抵消奇数列的充电电压低于偶数列像素的问题，进而减少设置消除两者最终的充电状态的差异，使得奇数列像素和偶数列像素充电电压相同，从而解决视觉上的亮暗线问题。
本实施例可选的，所述偶数列像素包括第一主动开关1311和第一子像素1312，所述奇数列像素包括第二主动开关1321和第二子像素1322，所述数据线120与第一主动开关1311的漏极、第二主动开关1321的漏极连接，所述第一主动开关的源极与第一子像素1312相连，所述第二主动开关的源极与第二子像素1322相连；
其中，m*(w/l)奇＝(w/l)偶，m大于等于0.5且小于1。
本方案中，基于薄膜晶体管的沟道宽长比越大，开态电流越大，充电能力越强，若m小于0.5，奇数列像素的充电效率和充电能力虽然能够强于偶数列像素，能部分抵消奇数列的充电电压低于偶数列像素的问题，亮暗线的问题还是会存在；若m大于1，偶数列像素的充电效率和充电能力远大于奇数列像素的充电效率和充电能力，会使亮暗线的问题更明显。
其中，m＝0.5,0.55,0.6,0.65,0.7,0.75,0.8,0.85,0.9,0.95……但不仅限于此。
本实施例可选的，沟道宽长比满足公式
其中，所述w为沟道宽，所述l为沟道长，所述a为源极半圆区的半径，所述b为半圆的圆心到漏极的水平距离，所述c为漏极两侧平行区的长度；
所述第二主动开关的沟道宽长比w/l大于所述第一主动开关的沟道宽长比w/l。
通过调节影响沟道宽长比的参数，使得所述奇数列像素对应的薄膜晶体管沟道宽长比大于偶数列像素的沟道宽长比，那么奇数列像素的充电效率和充电能力就能够强于偶数列像素，用于抵消奇数列的充电电压低于偶数列像素的问题，进而减少设置消除两者最终的充电状态的差异，使得奇数列像素和偶数列像素充电电压相同，从而解决视觉上的亮暗线问题。
本实施例可选的，所述显示面板还包括检测模块，所述检测模块用于检测并比较第一列像素131和第二列像素132的亮度；
若第一列像素131偏暗，则调整第一列像素131对应的充电时间c1和第二列像素132对应的充电时间c2，使得c1大于c2；
若第一列像素131偏亮，则调整第一列像素131对应的充电时间c1和第二列像素132对应的充电时间c2，使得c1小于c2。
虽然在生产前已经进行了测试，但是可能最终的产品中，实际设计的效用比预计的要差，仅通过调整沟道宽长比不一样，无法完全弥补亮暗线的差异，利用检测模块检测并比较第一列像素131和第二列像素132的实际亮度，根据实际情况调整充电时间，使得最后的显示效果更好。其中，调整充电时间可以通过时序控制芯片来控制第一列像素和第二列像素的充电时间不同，也可以通过预充电或者其他方式实现。
作为本发明的另一实施例，参考图1、图6至图7所示，公开了一种显示面板101,包括：
基板，所述基板上设置有：
多条数据线120、多条栅极线110及多个像素；
所述像素包括沿着栅极线110方向分别具有不同颜色的子像素；
栅极驱动芯片102，用于输出栅启动信号到栅极线110以打开所述像素；
每一行所述像素包括多个像素组，每个所述像素组包括相邻的在前的第一列像素131和在后的第二列像素132，所述第一列像素131和第二列像素132与同一数据线120连接，且所述第一列像素131和第二列像素132连接至两条不同的栅极线110；
每一行所述像素中的每个像素组和相邻的像素组采用的数据驱动信号的极性相反；
所述第一列像素131和第二列像素132对应的数据驱动电压极性相反，所述第一列像素131为奇数列像素，所述第二列像素132为偶数列像素；
所述奇数列像素包括第一主动开关1311和第一子像素1312，所述偶数列像素包括第二主动开关1321和第二子像素1322，所述数据线120与第一主动开关1311的漏极、第二主动开关1321的漏极连接，所述第一主动开关的源极与第一子像素1312相连，所述第二主动开关的源极与第二子像素1322相连；
其中，(w/l)奇＝m*(w/l)偶，m大于等于0.5且小于1；
沟道宽长比满足公式
其中，所述w为沟道宽，所述l为沟道长，所述a为源极半圆区的半径，所述b为半圆的圆心到漏极的水平距离，所述c为漏极两侧平行区的长度；
所述第二主动开关的沟道宽长比w/l大于所述第一主动开关的沟道宽长比w/l。
w/l的计算由次公式决定，所以abc根据计算满足w/l计算得出结果即可。
由于数据线120正负极性转换导致当前组的第二列像素132对应的数据驱动电压需要一段时间才能反转到预设的电压水平，使得该第二列像素132的充电电压以及充电状态要比同行下一组第一列像素131对应的充电电压以及充电状态要低，最后导致像素的充电电压差异，从而出现垂直亮暗线的问题；本方案中，基于薄膜晶体管的沟道宽长比越大，开态电流越大，充电能力越强；设计使得该当前组的第二列像素132对应的薄膜晶体管的沟道宽长比大于该同行下一组的第一列像素131的沟道宽长比，那么该第二列像素132的充电效率和充电能力就能够强于该第一列像素131，用于抵消该第二列像素132的充电电压低于该第一列像素131的问题，进而减少甚至消除两者最终的充电状态的差异，从而使得两个相邻的像素充电电压相同，从而解决视觉上的垂直亮暗线问题。
作为本发明的另一实施例，参考图10所示，公开了一种显示装置100，包括上述的显示面板101。
由于数据线120正负极性转换导致当前组的第二列像素132对应的数据驱动电压需要一段时间才能反转到预设的电压水平，使得该第二列像素132的充电电压以及充电状态要比同行下一组第一列像素131对应的充电电压以及充电状态要低，最后导致像素的充电电压差异，从而出现垂直亮暗线的问题；本方案中，基于薄膜晶体管的沟道宽长比越大，开态电流越大，充电能力越强；设计使得该当前组的第二列像素132对应的薄膜晶体管的沟道宽长比大于该同行下一组的第一列像素131的沟道宽长比，那么该第二列像素132的充电效率和充电能力就能够强于该第一列像素131，用于抵消该第二列像素132的充电电压低于该第一列像素131的问题，进而减少甚至消除两者最终的充电状态的差异，从而使得两个相邻的像素充电电压相同，从而解决视觉上的垂直亮暗线问题。
本发明的面板可以是tn面板(全称为twistednematic，即扭曲向列型面板)、ips面板(in-planeswitching，平面转换)、va面板(multi-domainverticalalignment，多象限垂直配向技术)，当然，也可以是其他类型的面板，适用即可。
以上内容是结合具体的可选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
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