一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构的制作方法

文档序号:17571167发布日期:2019-05-03 19:20阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构,其特征在于:在IC Bonding的区域中,相交的两条ITO线的夹角α为180±30度。

2.根据权利要求1所述的一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构,其特征在于:所述相交的两条ITO线夹角为圆弧夹角,该圆弧夹角的半径R大于1mm。

3.根据权利要求1或2所述的一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构,其特征在于:相邻的两条ITO线之间的电场强度E小于0.25×10-6V/m。

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