1.一种光刻装置，包括：
照射系统，被配置为照射图案形成设备的图案；
投影系统，被配置为将所述图案的图像投影到衬底上；和
量测系统，包括：
辐射源，被配置为生成辐射；
光学元件，被配置为将所述辐射导向目标；
检测器，被配置为接收由所述目标散射的第一辐射和第二辐射，并基于接收到的第一辐射和第二辐射分别产生第一测量和第二测量；和
控制器，被配置为
确定所述第一测量的校正，
确定所述第一测量的校正与所述第一测量之间的误差，以及
基于所述第一测量的校正、所述第二测量和所述误差确定第二测量的校正，所述光刻装置由此在后续的光刻工艺中使用所述校正来调节所述衬底的位置。
2.根据权利要求1所述的光刻装置，其中，所述误差是所述第一测量的校正与所述第一测量之间的差值。
3.根据权利要求1所述的光刻装置，其中，所述第二测量的校正进一步基于所述第二测量与所述第一测量的校正和具有所述误差的差值的组合。
4.根据权利要求1所述的光刻装置，其中，所述第二测量的校正进一步基于：使用第一系数来修改所述第一测量的校正和所述第二测量，并且使用第二系数来修改所述误差。
5.根据权利要求1所述的光刻装置，还包括衬底台，其中，所述目标是所述衬底台的基准。
6.根据权利要求1所述的光刻装置，其中，所述第二测量的校正抵消所述量测系统的漂移。
7.根据权利要求1所述的光刻装置，其中，所述第二测量的校正被应用于所述衬底上的目标的后续测量。
8.根据权利要求1所述的光刻装置，其中，所述第一系数基于延迟常数。
9.一种量测系统，包括：
辐射源，被配置为生成辐射；
光学元件，被配置为将所述辐射导向目标；
检测器，被配置为接收由所述目标散射的第一辐射和第二辐射，并基于接收到的第一辐射和第二辐射分别产生第一测量和第二测量；和
控制器，被配置为确定所述第一测量的校正，
确定所述第一测量的校正与所述第一测量之间的误差，以及
基于所述第一测量的校正、所述第二测量和所述误差确定所述第二测量的校正，所述光刻装置由此在后续的光刻工艺中使用所述校正来调节衬底的位置。
10.根据权利要求9所述的量测系统，其中，所述误差是所述第一测量的校正与所述第一测量之间的差值。
11.根据权利要求9所述的量测系统，其中，所述第二测量的校正进一步基于所述第二测量与所述第一测量的校正和具有所述误差的差值的组合。
12.根据权利要求9所述的量测系统，其中，所述第二测量的校正进一步基于使用第一系数来修改所述第一测量的校正和所述第二测量，并且使用第二系数来修改所述误差。
13.根据权利要求9所述的量测系统，还包括衬底台，其中，所述目标是所述衬底台的基准。
14.根据权利要求9所述的量测系统，其中，所述第二测量的校正抵消所述量测系统的漂移。
15.根据权利要求9所述的量测系统，其中，所述第二测量的校正被应用于所述衬底上的目标的后续测量。
16.根据权利要求9所述的量测系统，其中，所述第一系数基于延迟常数。