专利名称：液晶装置、液晶装置的制造方法及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种通过控制液晶的取向来调制光，以显示文字、数字之类可视图像的液晶装置。而且，本发明涉及用此液晶装置构成的电子设备。进而，本发明涉及用于制造这种液晶装置的制造方法。
(1)近年来，液晶装置已用于车辆导向(カ-ナビゲ-シヨン)系统、便携式电子终端、及其它各种电子设备的可视图像显示部分里。众所周知，在该液晶装置中，在元件基片上形成多个象素电极和非线性元件的对耦，在相对基片上形成相对电极，并根据需要形成滤色器，使这些元件基片与相对基片贴合起来，接着，在两个基片之间形成的单元间隙内封入液晶，从而构成液晶装置。
如今，若考虑将作为TFD(Thin Film Diode薄膜二极管)元件的代表例的MIM(Metal Insulator Metal金属绝缘物金属)元件，用作非线性元件的液晶装置，则在该液晶装置的元件基片上边形成的象素电极和非线性元件周边的图象构造以往被构成为例如图6所示的样子。就是，在玻璃基片81上边形成布线线路82和第1电极83，其上边形成阳极氧化膜84，接着在该阳极氧化膜84的上边形成第2电极86。通过这些的第1电极83、阳极氧化膜84和第2电极86的叠层构造，形成作为非线性元件的MIM元件87。象素电极88，与MIM元件87的第2电极86顶端相重叠而形成。
象素电极88一般用光刻处理法来形成。具体说，首先，用溅射等方法在玻璃基片81上边，形成一样厚度的ITO(Indium Tin Oxide铟锡氧化物)膜，以后，通过用蚀刻处理除去不要的ITO，形成希望的图象形状的象素电极88。这里存在的问题是，在用溅射等方法在玻璃基片81上边形成ITO膜的时候，如图7所示，与MIM元件第2电极86重叠的部分ITO膜88’，不能完全与第2电极86贴紧，而有在两者之间形成间隙G的问题。
要是产生了这样的间隙G，此后为了把ITO膜88’制成图形而进行蚀刻处理时，蚀刻液就会浸入其间隙G之中，其结果，在第2电极86与象素电极88之间，便存在发生断线的危险。若发生这样的断线，则有在液晶装置的可视图像显示区域内发生点缺陷的危险。另外，作为用作象素电极的透明导电膜，可以认为除ITO以外，还有SnOx、ZnOx等。有关这种膜材料，也与ITO同样，存在着与第2电极86的紧贴性不够的危险，因此对于这些材料也存在由于蚀刻处理而发生断线的危险。
(2)尽管一般，就液晶装置而言，有把非线性元件附设于各自象素上的形式的有源矩阵方式的液晶装置，和不用这种非线性元件形式的简单矩阵方式的液晶装置两种。但就有源矩阵方式的液晶装置来说，使已形成非线性元件和透明象素电极的元件基片与已形成相对电极的相对基片互相粘合，进而，将液晶封入两基片之间形成的单元间隙内。
元件基片和相对基片不是各自一个个制作的，而一般是在大面积的基片母材内分别形成多个元件基片和相对基片，并通过把所制成的元件基片母材和相对基片母材互相粘合起来的办法，同时制作多个液晶板。事先在粘合元件基片母材和相对基片母材之际，在这些基片母材的适当处形成对准标记，以这些对准标记重合的方法，将两个基片母材粘合起来。
在现有的液晶装置的制造方法中，为了确认元件基片母材和相对基片母材，是不是以适当的位置关系粘合，采取使用CCD摄象机等的所谓摄象装置，对液晶板内的1个象素部分进行摄象，使之在CRT监视器等的图象上映现出来，或者，用显微镜观察1个象素部分的办法，检查粘合状态在位置上是不是适当。
尽管，以现有的检查方法来说，例如，将元件基片一侧的透明象素电极的外周边线与相对基片一侧规定的参照标记，比如与黑色基体的开口部周边线对比，判定它们是否处于适当的位置关系，由此判定元件基片与与相对基片之间的粘合状态的好坏。而且，若为合格品，就作为成品上市，若为不合格品就废弃。但是，因为在元件基片一侧形成的透明象素电极几乎是无色透明的，故在把它作为基准，用视觉进行检查而做出来的现有的液晶装置，要在短时间内进行正确检查就非常困难。
(3)本发明是鉴于上述各问题而作出的发明，其目的在于通过在象素电极的周边部设置适宜的构件，提高液晶装置的生产能力。
更具体地说，本发明的第1目的是，通过在象素电极的周边部设置适宜的构件，防止在非线性元件与象素电极之间起因于蚀刻处理而发生的接触不良，防止在液晶装置的可视图像显示区域内发生点缺陷的液晶装置。
其次，本发明的第2个目的是，通过在象素电极的周边部设置适宜的构件，能够在短时间用视觉正确地检查出元件基片与相对基片之间的位置偏离量。
本发明的公开(1)为了达成上述第1目的，本发明的液晶装置具有多个象素电极、和包括与这些象素电极电连接的元件侧电极的非线性元件，其特征为上述元件侧电极按沿上述象素电极边缘部形成的图形而成形。
根据本液晶装置，由于与象素电极的重叠部分的元件侧电极按沿该象素电极边缘部形成的图形而成形，故在蚀刻处理ITO膜而分隔形成象素电极时，可以防止蚀刻液浸入到元件侧电极与ITO膜之间，从而，可以防止两者之间发生断线。
(2)在上述的结构中，最好将元件侧电极沿象素电极缘部的整个区域设置成为环状框形。这样，因能极大地抑制蚀刻液的浸入，故能更加确实地防止断线的发生。
(3)并且，元件侧电极的外形尺寸最好比象素电极的外形尺寸还大。这样，能更加确实地防止蚀刻液的浸入。
(4)其次，为了达到上述第1目的，本发明的电子设备包括具有上述结构的液晶装置，和控制该液晶装置的动作的控制部。作为这样的电子设备，可以是例如车辆导向系统、便携式终端机、及其它各种电子设备。
(5)其次，为了达成上述第2目的，本发明的液晶装置具有在基片上边形成非线性元件和透明象素电极而形成的元件基片，和与该元件基片相对配置的相对基片，其特征为，具有与上述透明象素电极的外周边的至少一部分平面重叠且其遮光性比该透明象素电极高的标记。
根据本液晶装置，由于标记与透明象素电极的外周边的至少一部分平面重叠，通过用视觉对比设于元件基片的标记与相对基片的参照标记，就能判定元件基片与相对基片之间的位置关系是否适当。特别是，因为形成的标记遮光性比透明象素电极的遮光性高，所以用视觉容易识别，从而，在短时间内就能进行正确判定。
(6)在上述结构的液晶装置中，最好将标记至少设于透明象素电极的对角角部的2处位置，进而，最好具有沿与该角部接邻的两边方向延伸的两个分支部分，该两边方向大致成直角。如把标记设置到透明象素电极的对角角部的两个处位置，则与该透明象素电极相对的相对基片一侧的规定区域，例如黑色基体的开口部，相对于该透明象素电极向上下左右无论哪一边偏离的情况下，也能判定其偏离。
并且，如果标记包括沿与透明象素电极的1个角部接邻的两边方向延伸的两个分支部分，则可以简单且正确地识别开口部相对于透明象素电极的向上下左右方向的任一方向的位置偏离。
(7)并且，上述标记，也可以沿透明象素电极外周边的整个区域设置成框状。这样一来，在透明象素电极的整个外周区域范围都可以判定位置偏离，故可以更加简单正确地进行检查。
(8)尽管根据液晶装置的不同，有的液晶装置具有在基片的上边形成基底层以后，在该基底层的上边形成非线性元件的构造。此基底层例如用钽氧化物(TaOX)形成，且有提高非线性元件粘附性的功能。但是，该基底层若也存在于透明象素电极的下侧，会损害象素区域的透明性，所以在大多数情况下要除去与透明象素电极区域相当的基底层。在这样的情况下，可以将已除去的基底层的周边，作为位置确定用标记使用。
(9)在本发明的液晶装置中，非线性元件可以是二端型非线性元件。一般，这种二端型非线性元件由第1电极、在该第1电极上边叠层的绝缘膜、以及在该绝缘膜上边叠层的第2电极所构成。在使用这种二端型非线性元件的情况下，可以用与该二端型非线性元件的第1电极或第2电极相同的材料来形成标记。这样一来，在把第1电极或第2电极制成图形的时候，可以同时通过制成图形来形成标记，所以作业工序不会变得复杂起来。
(10)在本发明的液晶装置中，非线性元件可以是薄膜晶体管元件。在使用这种薄膜晶体管元件的情况下，可以用构成元件的薄膜中至少比象素电极的遮光性高的材料来形成标记。这样一来，可以在把该膜制成图形的，同时，通过制成图形来形成标记，所以作业工序不会变得复杂起来。
(11)在本发明的液晶装置中，可以边对比设于元件基片侧的标记与相对基片侧的参照标记，边进行位置偏离的检查。这时，对于使用什么样的标记作为相对基片侧的参照标记，可以有各种选择。例如，在相对基片上形成黑色基体，该黑色基体用于分隔形成与象素相当的开口部的的情况下，可以将该黑色基体的开口部周边与标记进行对比。而在相对基片具有滤色器的情况下，也可以将构成该滤色器的各色点的周边与标记进行对比。
(12)其次，本发明的液晶装置的制造方法具有使通过在基片上形成非线性元件和透明象素电极而构成的元件基片，和与元件基片相对配置的相对基片互相粘合的工序，其特征为(a)在上述元件基片上形成与上述透明象素电极外周边的至少一部分重叠，且其遮光性比该透明象素电极高的标记；(b)以该标记作为基准，确定是否已按适合的位置关系粘合元件基片与相对基片。
根据本制造方法，由于标记至少与透明象素电极的外周边的一部分平面重叠，故通过用视觉，将设于元件基片侧的标记与相对基片侧的参照标记进行对比，就可以判定元件基片与相对基片之间的位置关系是不是适合。特别是由于形成的标记其遮光性比透明象素电极的遮光性要高，所以用视觉容易设别，从而，在短时间内就能进行正确判定。在本制造方法中，作为用于与元件基片侧标记对比的相对基片侧参照标记，可以是黑色基体的开口部周边、滤色器的各色点的周边等之类。
(13)在上述液晶装置的制造方法中，在上述相对基片上边形成黑色基体，该黑色基体用于分隔形成与象素相当的开口部，通过将上述标记与该黑色基体的开口部的周边在位置上进行比较，可以确定元件基片与相对基片之间的位置关系。
(14)在上述液晶装置的制造方法中，在上述相对基片上边形成包括多种颜色的色点的滤色器，而且将上述标记与该滤色器的色点的周边在位置上进行比较，可以确定元件基片与相对基片之间的位置关系。
附图的简要说明
图1是表示本发明的液晶装置一实施例的重要部分，特别是象素电极和MIM元件的周边的平面图。
图2是沿图1的X-X线的侧面剖面图。
图3是表示将本发明的液晶装置的一实施例部分剖开的平面图。
图4示出的平面图是本发明的液晶装置另一实施例的重要部分。
图5示出的图是本发明的电子设备一实施例的外观和电控制系统。
图6示出的平面图是现有的液晶装置一例的重要部分。
图7是概略表示形成图6所示的现有元件结构的中间过程的、沿图6的V-V线的剖面图。
图8是表示本发明的液晶装置一实施例的重要部分，特别是形成于元件基片内的1个象素电极及其周边部分的平面图。
图9是表示沿图8的Y-Y线的剖面构造的剖面图。
图10是表示一部分剖开本发明的液晶装置一实施例的平面图。
图11是表示在构成用于制造本发明的液晶装置的制造方法的一系列工序里的中间工序中，所制作的元件基片母材的平面图。
图12是在构成用于制造本发明的液晶装置的制造方法的一系列工序里的中间工序中，所制作的相对基片母材的平面图。
图13是表示本发明的液晶装置另一实施例的重要部分，特别是形成于元件基片内的1个象素电极及其周边部分的平面图。
图14是表示本发明的液晶装置再一实施例的重要部分，特别是形成于元件基片内的1个象素电极及其周边部分的平面图。
图15是表示沿图14的Z-Z线的剖面构造的剖面图。
图16示出的平面图是本发明的液晶装置另一实施例的重要部分。
图17是表示图16重要部分的TFT元件附近部分的平面图。
图18是表示图17的TFT元件的剖面构造的剖面图。
图19是表示图16所示元件基片母材在制造过程中的状态的平面图。
实施发明的最佳形态(第1实施例)图3是将本发明的权利要求1的液晶装置的一实施例部分剖开的平面图。该液晶装置1具有将通过用印制等法形成长方形的环状密封构件2互相粘合形成的一对基片，即元件基片3a和相对基片3b。
元件基片3a，具有例如用玻璃形成的透光性基片5a，且在该透光性基片5a的表面上，形成多条线路布线4和多个透明象素电极6。这些线路布线4的每一条都形成为直线状，而且相邻的各条布线互相平行排列着。另外，象素电极6，在这些线路布线4之间被排列成列状，而作为整体排列成矩阵状。各线路布线4，与安装于透先性基片5a伸出部分的液晶驱动用IC7a输出端子进行电连接。
与元件基片3a相对的相对基片3b，具有例如用玻璃形成的透光性基片5b，在该透光性基片5b的表面上，形成多个透明的相对电极8。这些相对电极8，各自形成为直线状，且相邻的相对电极互相平行排列。这些相对电极8，与已安装于透光性基片5b伸出部分的液晶驱动用IC7b的输出端子进行电连接。
在线路布线4与象素电极6之间，如图1所示，形成作为非线性元件的MIM元件11。此MIM元件11，由从线路布线4伸出的第1电极12、通过阳极氧化处理已形成于该第1电极12上边的阳极氧化膜13、以及已形成于该阳极氧化膜13上边的第2电极14而构成。
第2电极14的顶端14a，被形成为沿象素电极6的边缘部的整个区域的环状框形，如图2所示，将象素电极6重叠形成在该电极顶端14a上边，在本实施例中，第2电极14的框形顶端14a的外形尺寸S，设为与象素电极6的外形尺寸相等。
象素电极6，是在构成元件基片3a的透光性基片5a上边，按规定形状形成MIM元件11的第2电极14之后，用公知的光刻法处理形成的，具体地说，通过溅射法处理，在透光性基片5a上边的整个区域，以一样的厚度，形成均一膜厚的ITO膜，再通过用蚀刻处理除去不要的IT0膜，而形成与第2电极14的顶端部14a的框形重合的长方形。
在对ITO膜进行蚀刻处理时，蚀刻液也许会浸入到第2电极14的框形顶端14a的四周外侧，但是借助于该框形就不会浸向堵住了的顶端14a的内部区域。因而，变成为蚀刻液不浸入到顶端14a与象素电极6之间，所以，其间不会发生断线。而且其结果，可以制造出没有点缺陷的正常液晶装置。(第2实施例)图5示出了的有关本发明的权利要求4的电子设备的一实施例。本实施例，是把本发明的液晶装置，用做作为电子设备的车辆导向系统的显示部分时的实施例。这里所谓车辆导向系统，就是用GPS(GlobalPositioning System全球定位系统)显示车辆在地图上的位置的电子设备。
本实施例的车辆导向系统，具有例如包括示于图3的液晶装置1而构成的显示部70、GPS控制部66、输入装置67以及电源部68。输入装置67具有GPS天线69和红外线遥控器71。
GPS控制部66具有用于执行对显示图象的全盘控制的CPU(中央处理器)72；存储各种运算控制程序的主存储器73该运算控制程序是用于进行显示车辆位置的分析或地图的图象的运算，各种运算控制程序的主存储器73、存储地图数据文件的文件存储器74；以及为了显示图象向液晶显示部70传送驱动信号的图象显示电路76。另外，电源部68向液晶显示部70和GPS控制部66的各个部分供给电力。(改变例)以上，已举出最佳实施例，说明了和权利要求1和权利要求4相关的本发明。本发明并不限于这些实施例，而在权利要求的范围所记载的范围内可以作出各种改变。
例如，可以设想关于权利要求1的液晶装置，就示于图1的实施例来说，虽然在象素电极6边缘部的整个区域上配置有MIM元件11的第2电极14的顶端部分14a，但是如图4所示，不是把第2电极14的顶端部分14a形成环状，而也可以代之以B侧一边开放的形状。
即使在该变形例的情况下，与示于图6的现有技术比较，由于能够降低对第2电极14蔓延蚀刻液的可能性，故可减少在象素电极6与第2电极14之间发生断线的机率。但是，将具有图4那样的开放部分B的电极顶端形状，和图1那样的不具有开放部分的环状电极顶端进行比较，图1的实施例，可以更加确实地可以防止蚀刻液的蔓延，进而可以防止断线的发生。
示于图3的液晶装置，虽然是采用MIM元件的有源矩阵方式及COG(Chip ON Glass玻璃衬底芯片)方式的液晶装置，但是不言而喻，本发明也适用于COG方式以外的装配方式的液晶装置、或用MIM元件以外的非线性元件的有源矩阵方式的液晶装置之类。
并且，对于权利要求4的电子设备来说，本发明适用于示于图5实施例中的车辆导向系统，但不言而喻对于所谓便携式电子终端机、图象摄象机、电子笔记本等的其它各种电子设备，也都可以应用本发明。(第3实施例)图10是表示一部分剖开关于权利要求5记载的本发明的液晶装置的一实施例的平面图。该液晶装置21具有将通过印制等方法形成的长方形环状密封构件2互相粘附起来的一对基片，即元件基片3a和相对基片3b。
元件基片3a具有例如用玻璃形成的透光性基片5a，在该透光性基片5a的表面上形成多条线路布线4和多个透明象素电极6。线路布线4的每一条部形成为直线状，而且相邻的各条布线互相平行排列。另外，象素电极6在这些线路布线4之间被排列成列状，而作为整体被排列成矩阵状。在各象素电极6和与之对应的布线4之间，形成作为二端型非线性元件的MIM元件11。各线路布线4，与安装于透光性基片5a伸出部分上的液晶驱动用IC7a输出端子连接。
与元件基片3a相对的相对基片3b具有例如用玻璃形成的透光性基片5b，在此透光性基片5b的表面上形成滤色器9，进而在该滤色器9的表面上形成相对电极8。各相对电极8，各自形成为直线状，相邻的相对电极互相平行排列。这些相对电极8，与已安装于透光性基片5b伸出部分上的液晶驱动用IC7b输出端子进行导电连接。
现在，要是放大观察在元件基片3a上形成的多个象素电极6之中的1条周边，就是图8所示的那样。另外，要是沿着图8的Y-Y间断线示出其剖面结构，就是示于图9的那样。在这些图中，布线4通过叠层第1层4a、第2层4b和第3层4c的各个层而形成。另外，MIM元件11通过叠层第1电极12、阳极氧化膜13和第2电极14的各层而形成。
布线4的第1层4a和MIM元件11的第1电极12，都由导电性的金属例如Ta(钽)形成，其厚度约2000埃。另外，布线4的第2层4b和MIM元件11的绝缘层13都由阳极氧化膜形成，其厚度约500埃。进而，布线4的第3层4c和MIM元件11的第2电极14，都用导电性的金属例如Cr(铬)来形成。象素电极6，例如用ITO(Indium Tin Oxide)来形成，并被配置为使之与MIM元件11的第2电极14的顶端重叠而进行电连接。
在图9中，在相对基片3b的透光性基片5b与相对电极8之间所形成的滤色器9包括，R(红)、G(绿)B(兰)等多色的色点部分9c、及形成于这些色点部分9c之间的黑色基体9b。各色点部分9c，与由黑色基体9b包围的开口部K重合。假定元件基片3a和相对基片3b被粘合到适当的位置关系上，则黑色基体的开口部K，如图8所示，其全部区域就设定为位于与象素电极6的外边缘线间隔为δ的内侧的区域。
在本实施例中，在MIM元件11的第2电极14顶端，形成了沿着象素电极6的两边方向延伸的两个分支部分15a和15a。另外，在与第2电极14成对角的象素电极6的角部，也形成了沿着象素电极6的两边方向延伸的两个分支部分15b和15b。这些分支部分15a和15b都用与第2电极14相同的材料，在本实施例中，用Cr来形成。Cr与作为象素电极6材料的ITO相比，是一种遮光性高的材料，以它形成的分支部分15a和15b，用作检查黑色基体的开口部K与象素电板6之间的位置偏离时用的位置确定用标记。
本实施例的液晶装置具有以上的结构，因而在图10中采用借助于液晶驱动用IC7b，在每条线上扫描选择相对电极8，同时，借助于液晶驱动用IC7a，给所需的象素的MIM元件加上规定电压，由此控制包含在对应象素内的液晶取向，将所要求的可视图像显示在液晶装置21的显示区域V内。这时，在图9中，对除开口部K以外的区域进行遮光的黑色基体9b，防止向外部漏出多余的光，而实现高反差的显示。
由于黑色基体9b呈现规定的遮光性，所以开口部K与象素电极6必须以适当的位置关系相对。在本实施例中，采用一对设于象素电极6的对角角部的位置确定用标记15a和15b，来检查开口部K与象素电极6之间的位置关系。
具体地说，例如，(1)将黑色基体开口部K的周边线L与作为位置确定用标记的分支部分15a和15b进行比较，并将所有四个分支部分15a和15b隐藏在黑色基体9b里，并且不出现于开口部K中的情况下，被判定为合格产品。另外，(2)四个分支部分15a和15b的任何一部分出现于开口部K之中，而在位置确定用标记15a或15b没有全部出现于开口部K之中的情况下，也被判定为合格产品。而且，(3)在四个分支部分15a和15b之中的任何一个，整个都出现在开口部K之中的情况下，开口部K于象素电极6之间的位置偏离已超过容许界限，就被判定为是不合格产品。
另外，为容易理解说明起见，举出位置确定用的分支标记15a和15b的尺寸例子，在图9中，当将K开口部与象素电极6之间的适当间隙设定为δ=10μm时，可将各分支标记15a和15b的宽度a设定为a=5μm，而从各分支标记15a和15b到开口部周边线L的间隔b设定为b=5μm。而且，各分支标记15a和15b的长度c可以设定为c=15μm左右。
以上的说明，是对已完成的一个液晶装置的说明，而以下，则说明用于制作这样的液晶装置的制造方法。
首先，如图11所示，准备例如用玻璃制的大面积的透光性基片5a’，在该基片母材5a’的表面上，形成液晶板的多个象素电极6、MIM元件11以及布线4。在本实施例中，在元件基片母材5a’上形成四个液晶板区域R。示于图8的位置确定用标记15a和15b是当通过制成图形形成MIM元件11的第2电极14(参照图9)时与其同时形成，而并不需要特别的工序。
在已形成了MIM元件11等的元件基片母材5a’上边，又形成取向膜，对该取向膜进行被称为摩擦(rubbing)法处理的取向处理，进而，用印制法等在各液晶板区域R内的象素电极6周围形成密封构件2。这样一来，就制成备有四个液晶板的元件基片母材3a’。另外，标号2a示出了用于注入液晶的液晶注入口。
另一方面，与元件基片母材3a’所用的透光性基片母材5a’不同，预备示于图12那样的玻璃制成的面积宽大的透光性基片母材5b’，在其表面上设定四个部分的液晶板区域R，在各液晶板区域R内，形成滤色器9和相对电极8，由此，形成大面积的相对基片母材3b’。
其次，将图11的元件基片母材3a’与图12的相对基片母材3b’互相粘合，使得各母材内的液晶板区域R正确重合，由此制成大面积的空板。通常，在元件基片母材3a’与相对基片母材3b’的各自适当处预先形成对准标记，以这些标记为基准进行粘合。
而且，在各个液晶板区域R周围的规定位置上形成刻痕线，即形成所谓划线，并对元件基片母材3a’或相对基片母材3b’的任一方，根据划线破开液晶注入口2a的部分，使各液晶注入口2a露出于外部，经由该液晶注入口2a向各液晶板区域R内注入液晶，进而，在注入完毕后密封该液晶注入口2a，制成装有液晶的大面积板。此后，根据已形成于各液晶板区域R周围的划线切断大面积板，切成一个个液晶板，制成如图10示出那样的一个液晶板。
如用图8说明过的那样，关于本发明的液晶装置，可以利用位置确定用标记15a和15b，在短时间内正确检查黑色基体开口部K与象素电极6之间的位置偏离，该检查工序，可以对最终所得的一个个液晶装置1进行，也可以在大面积的空板状态下进行，或者，也可以在封入液晶后进行划线处理前的大面积板的状态下进行。如果在大面积空板状态下或大面积板装液晶状态下，进行位置确定检查，预先筛选不合格产品，由于对于不合格产品省去此后的处理，所以能够提高作业效率。(第4实施例)
图13示出了权利要求3记载的液晶装置的另一实施例的重要部分，特别是在元件基片表面上形成的多个象素电极之中的一个及其周边部分。这里对示出元件基片23a构造的各构成要素之中，用与图8场合同一标号表示的，是表示同一的构成要素，对其有关的说明从略。
这里示出的元件基片23a与示于图8的元件基片3a的不同点在于，在元件基片3a的情况下，是在象素电极6的对角角部形成一对位置确定用标记15a和15b，而在本实施例中，是在象素电极6的外周边整个区域范围，形成框状位置确定用标记35。该位置确定周标记35，也可以在形成MIM元件11的第2电极14之际同时形成。
在本实施例中，在象素电极6的周边部分整个区域上设置位置确定用标记35，因而在利用位置确定用标记35确定黑色基体开口部K与象素电极6之间的位置偏离的时候，就变成可以用标记35的所有各处进行其确定，结果，可以进行更加正确的判定。(第5实施例)图14和图15示出了权利要求5记载的液晶装置的又一个实施例的重要部分。特别是图14示出了在元件基片的表面上所形成的多个象素电极之中的一个及其周边部分，图15示出了沿图14的Z-Z线的剖面构造。
这里示出的实施例，示出了把本发明应用于具有所谓背对背(Back-to-Back)构造的MIM元件的液晶装置的实施例。这一背对背构造的MIM元件就是，如图14所示，通过电的反向串联连接一对MIM元件11A和11B，使MIM元件的开关特性稳定的元件。这些MIM元件11A和11B，如图15所示，各自具有由第1电极12、阳极氧化膜13和第2电极14构成的叠层构造。
在使用这种背对背构造的MIM元件的液晶装置中，为了提高MIM元件11A和11B的贴紧性，大多在形成MIM元件11A和11B之前，先行在元件基片33a侧的透光性基片5a的表面上，用钽氧化物(TaOX)形成一样厚度的基底层22。而且，这样的基底层22要是残存于象素电极6与透光性基片5a之间，就会发生该象素电极6的部分的光透射率降低，液晶装置显示区域变暗的问题。
为了消除这个问题，在用于制造元件基片33a的一系列工序中，是在形成了MIM元件11A和11B的第2电极14之后，而且在该第2电极14的顶端上重叠形成象素电极6之前，除去用于形成该象素电极6的规定区域中存在的基底层22，而后进行所说的形成象素电极6的工序，则是有效果的。图15中用符号J表示的区域，示出了在规定区域，除去基底层22后的情况，其除去区域的外边缘线，即基底层22的周边线。
在本实施例中，为了提高MIM元件11A和11B的贴紧性，在透光性基片5a上边形成的基底层22之中，除去与象素电极6对应的部分时，要这样设定该除去区域，即使之与黑色基体的开口部K的大小重合。而且，随着除去基底层22而出现的基底层22周边线J，作为确定元件基片33a与相对基片33b之间的位置偏离时的位置确定用标记。
基底层22的除去区域的周边线J总是按相对于象素电极6具有某种一定的位置关系而形成，因而若对此周边线J与黑色基体开口部K进行比较，就能正确确定相对基片33b与元件基片33a之间有无位置偏离。并且，作为基底层22材料的TaOX，要比形成象素电极6的ITO遮光性高，因而与将黑色基体开口部K的周边线与象素电极6的周边对比的情况相比较，将格外容易看清楚，因此，能在短时间内正确进行位置偏离的检查。(改变例)以上，举出有关权利要求5记载的液晶装置的最佳几个实施例作出其说明，但本发明不限于这些实施例，在权利要求范围记载的发明范围内还可以有各种改变。
例如，位置确定用标记的形状，不一定限于具备有图8所示那样的两个分支部分的标记，也可以是没有分支部分的标记。而且，位置确定用标记的材料不限于与MIM元件的第2电极相同的材料，例如，也可以是与MIM元件的第1电极，或MIM元件无关的材料。但是，倘若使用与MIM元件相同的材料，则可以在形成MIM元件的规定的工序中，同时形成位置确定用标记，因而是有利的。
并且，也可以采用例如用与象素电极同样的ITO来形成MIM元件的第2电极的办法，将该第2电极和象素电极形成为一体，这样一来，就可以省去形成第2电极的工序。这时，用与第1电极同样的材料形成位置确定用标记也行。
并且，作为与元件基片侧上形成的位置确定标记比较的相对基片侧的参照标记，不限于黑色基体的开口部，例如，也可以把在相对基片上形成的滤色器之中的R、G、B各色点的周边线作为比较对象。
并且，非线性元件不限定于MIM元件。在上述的说明中，使用取四个液晶板的大面积元件基片母材和相对基片母材，但不言而喻也可以使用其大小能制造少于四个，或多于四个的多个液晶板的基片母材。
另外，图10举例示出的液晶装置，是具有在透光性基片上边直接安装液晶驱动用IC的结构的、即所谓COG(Chip on Glass玻璃衬底芯片)方式的液晶装置，但也可以把本发明应用到除此以外的任何构造的液晶装置里，例如TAB(Tape Automated Bonding带式自动焊接)方式的液晶装置等里。(第6实施例)图16示出了权利要求1和权利要求5的液晶装置的又一个实施例，特别是平面性放大示出了关于大面积的元件基片母材43a’的各个象素部分。在该图中，主要是用一个象素电极6构成一个象素。在元件基片母材43’的表面上，全面地以一样的厚度形成基底层22，在其上互相平行地形成多条直线状的栅电极线52，进而形成与这些栅电极线52的各条通电的图形57。该通电图形57是用于向各栅电极线52供给电流的通电图形。
栅电极线52和象素电极6，如图17所示，通过作为有源元件的TFT元件55互相进行连接。该TFT元件55，如图18所示，通过依次进行叠层形成了下面的各个层，也就是，栅电极52a、作为栅极绝缘膜的阳极氧化膜53、作为又一个栅极绝缘膜的氮化膜59、作为沟道部分本征半导体膜的a-Si(非晶硅)膜61、作为接触部分半导体膜的N+a-Si(搀杂非晶硅)膜62、以及沟道部分保护用氮化膜63。
在图16中，在元件基片母材43a’的表面上，按照与栅电极线52正交的位置关系，互相平行地形成多条直线状的源电极线64。这些源电极线64，如图17和图18所示，在N+a-Si膜62的一侧(图17的左半边)的上边叠层而形成。另外，在N+a-Si膜62的另一侧(即，图17的右半边)的上边叠层形成象素电极6。
上述构造的TFT元件55，例如按以下所述。也就是，在图19中，首先，预备用玻璃等形成的元件基片母板43’，在其上采用溅射等方法，形成一样厚度的Ta2O5等来形成基底层22。
其次，通过用周知的制作图形技术，例如光刻法，把在基底层22上边的Ta制成图形的办法，来连接多条直线状的栅电极线52、从这些栅电极线52伸出的TFT元件用的栅电极52a以及各液晶装置部分的栅电极线52，而形成通电图形57。
以后，将元件基片母材43a’浸渍到合成液，即阳极氧化处理溶液中，进而，通过给通电图形57施加规定的电压，实行阳极氧化处理，而在栅电极52a以外的图形上边形成阳极氧化膜53。
其次，在图18中，要象上述的那样，在已形成的各个阳极氧化膜53上边，例如用CVD法将Si3N4制成图形形成栅极保护膜59。进而淀积一样厚度的a-Si，再在其上边淀积一样厚度的N+a-Si，再用光刻法等将N+a-Si制成图形形成接触部分半导体膜62，再将a-Si制成图形形成沟道本征半导体膜61。
以后，用周知的制成图形的技术将Si3N4制成图形，形成沟道部分保护用氮化膜63，进而，采用以ITO(Indium Tin Oxide)的一部分与N+a-Si膜62重叠，且以规定的点形状ITO(Indium Tin Oxide)制成图形的办法，形成矩阵形状的象素电极6。进而，采用以铝(Alunium)的一部分与N+a-Si膜62重叠，且以互相平行排列的方式将铝Al(Aluninium)制成图形的办法，形成源电极线64。
以后，在基片表面上形成一样厚度的取向膜，对该取向膜施行单轴取向处理，例如搓条法处理，进而通过用丝网印制法等形成环状的密封构件料而完成对元件基片母材的规定处理。接着，将与该元件基片母材分开准备好的相对基片母材，重叠到该元件基片母材上，形成大面积的屏板构造体，再将液晶密封到此屏板构造体内的各个液晶装置部分内，切断此屏板构造体作成多个液晶板，每个液晶板为一个液晶装置，并且通过在这些液晶板上安装偏光板、液晶驱动用IC等，就制造出多个所要求的液晶装置。
在本实施例中，在用光刻等方法形成作为元件侧电极的N+a-Si膜62之际，将此N+a-Si膜62的形状，作成沿象素电极6的一边6a的边缘部的图形形状，如图16所示。该N+a-Si膜62遮光性比象素电极6高，故可以用作使象素电极6边缘部视觉上显眼的高遮光性标记。在本实施例中，在象素电极6内设有TFT元件55的角部的对角一侧的角部，也形成了N+a-Si膜62a。该N+a-Si膜62a，主要是用作使象素电极6的边缘部功能视觉上显眼的遮光性高的标记。如上述的那样，倘采用本发明，则由于将N+a-Si膜62形成为具有沿象素电极6的一边6a的边缘部的图形形状，所以当蚀刻处理ITO膜形成象素电极6时，可以防止蚀刻液浸入到N+a-Si膜62与ITO膜之间而在两者之间发生断线。
并且，由于与象素电极6的对角角部对应，形成了比象素电极6遮光性高的N+a-Si膜62和62a，所以当把相对基片母材(参照图12)粘合到元件基片母材43a’上边去的时候，通过视觉将设于元件基片母材一侧的标记，例如黑色基体的周边部与上述N+a-Si膜62上述和62a进行对比，就能容易而且正确地判定元件基片母材与相对基片母材之间的位置关系是否适合。
在本实施例中，虽然作为非线性元件的一例说明了非晶硅型TFT元件，但是不限于此，也可以应用到多晶硅型TFT元件里，可以将构成TFT元件的薄膜中遮光性比象素电极高的薄膜，至少与象素电极的对角角部平面地重叠而形成。
工业上利用的可能性本发明的液晶装置，适用于移动电话的显示部分、便携式计算机的显示器等。并且，本发明的液晶装置的制造方法，是一种在制造液晶装置时，能够有效地抑制不合格产品的发生的技术而被加以利用。并且，本发明的电子设备能用于广阔的市场，例如用于移动电话、计算机等民用和办公用的设备。
权利要求
1．一种液晶装置，具有多个象素电极、和包括与这些象素电极电连接的元件侧电极的非线性元件，其特征是上述元件侧电极按沿上述象素电极边缘部形成的图形而成形。
2．根据权利要求1所述的液晶装置，其特征是元件侧电极沿象素电极边缘部的全部区域被设置成环状框形。
3．根据权利要求1或2所述的液晶装置，其特征是元件侧电极的外形尺寸，比象素电极的外形尺寸大。
4．一种电子设备，其特征是具有根据权利要求1所述的液晶装置、和控制该液晶装置动作的控制部分。
5．一种液晶装置，具有通过在基片上边形成非线性元件及象素电极而构成的元件基片、和与该元件基片相对而配置的相对基片，其特征是具有与上述象素电极的外周边的至少一部分平面重叠且其遮光性比该象素电极高的标记。
6．根据权利要求5所述的液晶装置，其特征是上述标记至少设置在上述象素电极的对角角部的2处位置，并且具有沿与该角部接邻的两边方向延伸的两个分支部分。
7．根据权利要求5所述的液晶装置，其特征是上述标记沿象素电极外周边的全部区域设置成为框状。
8．根据权利要求5所述的液晶装置，其特征是上述元件基片具有在上述基片和上述非线性元件之间的基底层，该基底层的与上述象素电极相当的象素区域部分被从上述基片上除去，而且，该基底层的象素区域部分的周边被作为上述标记使用。
9．根据权利要求5到8之中的至少任一项所述的液晶装置，其特征是上述非线性元件是具有第1电极、在该第1电极上边叠层的氧化膜、以及在该氧化膜上边叠层的第2电极的二端型非线性元件；上述标记由与该二端型非线性元件的第1电极或第2电极相同的材料形成。
10．根据权利要求5到8之中的至少任一项所述的液晶装置，其特征是上述非线性元件是薄膜晶体管元件；上述标记由构成该薄膜晶体管元件的膜中遮光性比上述象素电极高的材料形成。
11．根据权利要求5到8之中的至少任一项所述的液晶装置，其特征是上述相对基片具有分隔形成与象素相当的开口部的黑色基体；上述标记是用于对该黑色基体的开口部周边的位置的确定。
12．一种液晶装置的制造方法，具有将通过在基片上形成非线性元件及象素电极而构成的元件基片，和与上述元件基片相对配置的相对基片互相粘合的工序，其特征是在上述元件基片上，形成与上述象素电极外周边的至少一部分平面重叠且遮光性比该象素电极高的标记；以该标记作为基准，确定是否已按适合的位置关系粘合元件基片和相对基片。
13．根据权利要求11所述的液晶装置的制造方法，其特征是上述相对基片具有分隔形成与象素相当的开口部的黑色基体，并且将上述标记相对于该黑色基体的开口部周边进行位置上的比较。
14．根据权利要求11所述的液晶装置的制造方法，其特征是上述相对基片具有包括多种色的色点的滤色器，并且将上述标记相对于该滤色器的色点的周边进行位置上的比较。
全文摘要
一种液晶装置,具有多个象素电极(6)、和包括与这些象素电极(6)导通的元件侧电极(14)的非线性元件(11)。元件侧电极(14)具有沿象素电极(6)的边缘部的图形形状(14a)。由于该元件侧电极图形(14a)的存在,故在对象素电极(6)制成图形的时候,可以防止蚀刻液浸入该象素电极(6)与元件侧电极(14)之间使两者断线。并且,当元件侧电极图形(14a)使用比象素电极(6)遮光性还高的材料时,在使元件基片与相对基片粘合时,可将该图形(14a)用作位置调整用的标记。
文档编号G02F1/1343GK1234879SQ98801039
公开日1999年11月10日 申请日期1998年7月17日 优先权日1997年7月23日
发明者大池一夫, 山口善夫, 牧野直树 申请人:精工爱普生株式会社