专利名称：不同类型的磁光光学衰减元件串接在一起的光学衰减装置的制作方法
本申请以1999年2月18日提交的日本专利申请No 11-039337为基础，并要求该申请的优先权，该申请的内容在此引为参考。
本发明涉及一种光学衰减装置。更具体地说，本发明涉及一种至少有两个不同类型的磁光光学衰减元件串接在一起的光学衰减装置。
可以相信，在二十一世纪之初随着宽带多媒体业务真正变得日益广泛，干线网络的无线电通信容量将需要万亿位量级的系统(万亿位/秒)，这是当前系统容量的上百倍。
由于这种需求，把波分多路复用(WDM)传输用作下一代无线电通信技术。
WDM在一根单光纤中传递不同波长的多束光。沿波长轴的多路复用使得能够大容量地传递数据。因为可以把波长的传递率设置得很低，所以缓解了电子和光纤装置的负担，并且在光纤的非线性特性和波长及偏振波扩散特性中只有很少的光学脉冲波长衰变。这是WDM的优点。
图1表示经历了波分多路复用的光学信号波长和强度之间的关系。在图1的例子中，n个不同波长λ1至λn的光波以0.8nm的间隔分布，并且每个波长载送不同的信息。
利用WDM对每个波长预备一个光学衰减装置以使得随着波长的变化而具有均匀的光功率。每个光学衰减装置必须根据光学衰减装置的输出光功率控制。
另外，因为光纤的衰减特性或多或少地依据波长，所以光纤衰减装置必须把衰减特性和反向预加强特性应用到预传输光信号上，并且尽力使传输后光信号的功率均匀。图2表示这种预加强特性类型的例子。在该例中光与波长成比例地加强。
以此种方式用于调节光功率的光纤衰减装置必须根据光信号的输出特性适当地调节它们的衰减特性。为此，利用例如磁光光学衰减元件的光学衰减装置被广泛地使用。
有两种类型的磁光光学衰减装置，D型和I型。图3表示D型磁光光学衰减元件电流和衰减量之间的关系。如图3所示，D型磁光光学衰减元件当电流低时有峰值。
图4表示I型磁光光学衰减元件电流和衰减量之间的关系。在I型磁光光学衰减元件中，衰减量按与电流粗略成正比的方式增加。
传统地做法是使用当电流截止时具有大的光学衰减量的D型磁光光学衰减元件。这是因为甚至当系统被关闭并且没有控制电流供给元件时也可以防止光学信号从装置中不必要地输出。
但是D型磁光光学衰减元件有这样的问题其特性曲线比I型磁光光学衰减元件的特性曲线复杂，因此使得控制变得困难。
另外，D型磁光光学衰减元件在其特性曲线中有一个峰，峰值根据温度而变化并且随一个元件到另一个元件而不同。这导致另一个难于精确控制的问题。
本发明的目的是提供一种易于控制的光学衰减装置。
本发明的另一个目的在于提供一种可以方便地控制均匀光传输的光学传送装置。
本发明的目的和优点通过提供一种光学衰减装置而实现。光学衰减装置包括一个至少有两个不同类型的磁光光学衰减元件串接在一起的光学衰减单元，和一个向光学衰减单元供给控制电流的电流供应单元。
根据本发明的实施例，不同类型的磁光光学元件的一种是D型磁光光学衰减元件，另一种不同类型的磁光光学元件是I型磁光光学衰减元件。
根据本发明的实施例，不同类型的磁光光学元件的一种包括一个法拉第旋转器，一个起偏器和一个检偏器。起偏器具有相对于检偏器的偏振方向成90°的偏振方向。不同类型的磁光光学元件的另一种包括一个法拉第旋转器，一个起偏器和一个检偏器。起偏器具有与检偏器的偏振方向平行的偏振方向。
根据本发明的实施例，一种不同类型的磁光光学元件是一个当控制磁光光学衰减元件的电流低时有衰减峰值的磁光光学衰减元件，另一种不同类型的磁光光学元件是衰减量与磁光光学衰减元件的驱动电流大致成正比增加的元件。
根据本发明的实施例，光学衰减装置还包括一个安放衰减单元的外壳。
本发明的目的和优点通过提供一种光学衰减装置而实现。光学衰减装置包括衰减光信号以输出衰减的光信号的第一磁光光学衰减元件，和衰减从第一磁光光学衰减元件中输出的衰减光学信号的第二磁光光学衰减元件。第一磁光光学衰减元件和第二磁光光学衰减元件是不同的类型。
本发明的目的和优点通过提供一种光学传送装置而实现。光学传送装置包括一个至少有两个不同类型的磁光光学衰减元件串接在一起的光学衰减单元，光束被至少两个不同类型的磁光光学衰减元件衰减，还包括一个控制光学衰减单元的衰减特性以适应预定特性的控制单元。
根据本发明的实施例，控制单元给不同类型的磁光光学衰减元件的一种提供恒定的电流并控制供应给另一个不同类型的磁光光学衰减元件的电流，使得衰减特性适应预定的特性。
根据本发明的实施例，一种不同类型的磁光光学衰减元件是D型磁光光学衰减元件，另一种不同类型的磁光光学衰减元件是I型磁光光学衰减元件。
根据本发明的实施例，一种不同类型的磁光光学衰减元件包括一个法拉第旋转器，一个起偏器和一个检偏器。起偏器具有相对于检偏器的偏振方向成90°的偏振方向。另一种不同类型的磁光光学衰减元件包括一个法拉第旋转器，一个起偏器和一个检偏器。起偏器具有与检偏器的偏振方向平行的偏振方向。
根据本发明的实施例，一种不同类型的磁光光学衰减元件是一个当控制磁光光学衰减元件的电流低时有峰值衰减量的磁光光学衰减元件，另一种不同类型的磁光光学衰减元件是衰减量与磁光光学衰减元件的驱动电流大致成正比增加的元件。控制单元给一个不同类型的磁光光学衰减元件供应高于其衰减量有峰值的电流的电流，并且控制供应给另一个不同类型的磁光光学衰减元件的电流，使得该衰减特性适应预定的特性。
根据本发明的实施例，光学传送装置还包括一个安放衰减单元的外壳。
本发明的目的和优点通过提供一个光学传送装置实现。光学传送装置包括多个输出对应于输入信号的光的光输出单元，多个分别包括至少两种串接在一起的不同类型的磁光光学衰减元件的光学衰减单元，其中从输出单元输出的光被辐射并衰减，和一个控制单元，首先向一个不同类型的磁光光学衰减元件供应恒定的电流，然后再控制供应给另一个不同类型的磁光光学衰减元件的电流，以使得该衰减特性适应预定的特性。
本发明的目的和优点通过提供一个光学传送装置实现。光学传送装置包括一个用于分开光学信号的一部分的分离器，一个用于衰减从此分开的部分的光信号以输出衰减的光信号的第一衰减器，一个用于衰减从第一衰减器输出的衰减光信号的第二衰减器，和一个根据分开的部分控制第一衰减器和第二衰减器中至少一个的衰减特性的控制器。
本发明的目的和优点通过提供一个光学通讯系统而实现。光学通讯系统包括一个输出被衰减单元衰减的光信号的输送装置，和一个接收衰减的光信号的接收装置，其中衰减单元至少包括串接在一起的两个不同类型的磁光光学衰减元件。
本发明的目的和优点通过提供一种光学衰减方法而实现。光学衰减方法包括用第一磁光光学衰减元件衰减光学信号的步骤，用第二磁光光学衰减元件衰减被第一磁光光学衰减元件衰减的光学信号的步骤，其中第一磁光光学衰减元件和第二磁光光学衰减元件为不同的类型，还包括控制提供给第一磁光光学衰减元件和第二磁光光学衰减元件的电流的步骤。
下面通过参考附图对优选实施例进行的描述，本发明的各种目的和优点将变得更加清晰和易于理解。在附图中图1(先有技术)是波分多路复用光学信号的波长和强度的关系曲线。
图2(先有技术)是一个预加强特性实例的曲线。
图3(先有技术)是供应给D型磁光光学衰减元件的电流和衰减量之间的关系曲线。
图4(先有技术)是是供应给I型磁光光学衰减元件的电流和衰减量之间的关系曲线。
图5是根据本发明的光学衰减装置的结构实例简图。
图6是根据本发明的光学衰减装置的简图。
图7是图6所示D型磁光光学衰减元件的工作曲线。
图8是图6所示I型磁光光学衰减元件的工作曲线。
图9是根据本发明光学衰减装置的另一结构实例简图。
图10是根据本发明光学输送装置详细结构实例框图。
图11图10所示单个单元的详细结构实例框图。
图12是图10所示光学调节单元中执行的过程实例流程图。
图13是图10所示光谱分析单元中执行的过程实例流程图。
图14是根据本发明的光学通讯系统框图。
现在详尽地参阅本发明的实施例，其中的实例以
，所有相同的元件用相同的标号表示。
利用附图对本发明的实施例进行解释。
图5表示根据本发明的光学衰减装置的结构实例。如图5所示，根据本发明的光学衰减装置1由衰减入射光的光学衰减单元10和向光学衰减单元10供应电流的电流供给单元11组成。
光学衰减单元10由通过串接而耦合的D型磁光光学衰减元件10a和I型磁光光学衰减元件10b形成。一般地，光学衰减装置1以D型磁光光学衰减元件10a和I型磁光光学衰减元件10b封装在如图5所示的同一个外壳100中而组装成一个单独的光学衰减单元。
入射光λi通过D型磁光光学衰减元件10a之后穿过I型磁光光学衰减元件10b并作为出射光λo输出。
电流供给单元11例如是一个连接终端，把外部的输入控制电流i1和i2提供给组成光学衰减单元10的D型磁光光学衰减元件10a和I型磁光光学衰减元件10b。
图6是根据本发明的光学衰减装置的简图。如图6所示，可变光学衰减器包括以串联连接的D型磁光光学衰减元件10a和I型磁光光学衰减元件10b。用于本发明的两种元件在USP5,867,300的图1至图5中公开，在此引为参考。
D型元件10a由起偏器(P)21，法拉第元件(FR)22和检偏器(A)23组成。法拉第元件22是一种磁光元件，如磁光晶体。入射光λi被起偏器21接收并偏振。偏振的入射光λi先后通过法拉第元件22和检偏器23。起偏器21和检偏器23的结构构成使得被起偏器21起偏的线性偏振入射光λi的偏振方向实质上垂直于当法拉第元件22不提供法拉第旋转时检偏器23的偏振方向。D型元件10a还包括对法拉第元件22施加永久磁场的永久磁铁27和由磁轭25和线圈26形成的电磁铁24。电磁铁24施加的磁场大小可以通过改变施加到线圈26的电流“i1”而变化。当入射光λi穿过法拉第元件22时电磁铁24施加的可变磁场平行于入射光λi的光路。
I型元件10b由起偏器(P)31，法拉第元件(FR)32和检偏器(A)33组成。法拉第元件32是一种磁光元件，如磁光晶体。从D型元件10a输出的入射光λi被起偏器31接收并偏振。偏振的入射光λi先后通过法拉第元件32和检偏器33。起偏器31和检偏器33的结构构成使得被起偏器31起偏的线性偏振入射光λi的偏振方向实质上平行于当法拉第元件32不提供法拉第旋转时检偏器33的偏振方向。I型元件10b还包括对法拉第元件32施加永久磁场的永久磁铁37和由磁轭35和线圈36形成的电磁铁34。电磁铁34施加的磁场大小可以通过改变施加到线圈36的电流“i2”而变化。当入射光λj穿过法拉第元件32时电磁铁34施加的可变磁场平行于入射光λj的光路。
接下来对D型元件10a的工作进行解释。I型元件10b的工作与D型元件10a的相同。
由永久磁铁27(37)提供的磁场应该大得足以把法拉第元件22(32)内的磁畴集合成一个单畴。结果是，由永久磁铁27(37)和电磁铁24(34)产生的混合磁场如此之大，使得法拉第元件22(32)内的入射光λi、λj的损耗相对较小。检偏器23(33)具有相应的偏振方向，并且接收来自法拉第元件22(32)的偏振旋转入射光λi、λj。当偏振旋转入射光λi、λj的偏振方向与检偏器23(33)的偏振方向不一致时，入射光λi、λj的部分或全部被检偏器23(33)阻挡，从而衰减入射光λi、λj。
图7和8是图6所示实施例的工作曲线。
图7是图6所示的D型磁光光学衰减元件的工作曲线。如图7所示，D型元件在电流低的区域中有其峰值。因此把在工作期间控制电流i1的范围设置在高于峰值的电流区域D1之内。为了使控制简单，控制电流i1保持为恒定值。
图8是图6所示的I型磁光光学衰减元件的工作曲线。如图8所示，I型元件具有接近线性的特征。因此对于工作期间控制电流i2的范围，可以使用区域D2，该区域比D型元件情况中的大。衰减量的控制通过改变供应给I型元件的电流i2来进行。
因此，当光学衰减装置工作时，通过传输对应于图8所示I型磁光光学衰减元件10b的衰减特性的预定电流，可以控制整个装置的衰减特性，从而使得控制比传统的单独使用D型元件时容易。
但是，在上述实施例中，当外部控制电流i1和i2截止时，没有电流时D型元件有G1的衰减量，如图7所示。没有电流时I型元件有G2的衰减量，如图8所示。因此，当没有电流时整个装置的衰减量是二者之和，即G1+G2。
这样，可以获得与当使用传统的D型元件本身时大致相同的衰减量。因此，即使在使用I型磁光光学衰减元件的系统中发生某种故障并且控制电流被截止，也可以避免系统不必要的光学信号输出。
在上述实施例中，入射光首先穿过D型磁光光学衰减元件10a，然后穿过I型磁光光学衰减元件10b。如图9所示，D型元件和I型元件的位置可以颠倒。在此实施例中，元件的位置从图5反转，但其余的结构一样。从这种实施例中可以得到与上述实施例相同的效果。
另外，在上述实施例中使用了一个D型元件和一个I型元件的结合，但也可以使用多个元件的结合。例如，可以使用两个D型元件和一个I型元件的结合。在那种情况下，当控制电流关停时衰减量将是2×G1，因此提高了截止不必要的光学信号的能力。
图10是根据本发明光学输送装置的详细结构实例框图。参考图10，对根据本发明的光学输送装置结构的实例进行描述。在本实施例中，WDM光学发送器作为光学输送装置结构的一个例子。光学输送装置是一个输出对应于输入的光信号和电信号的光信号的装置。有一些实例是光学发送器和光学中继器。
如图10所示，本实施例中的光学发送器包括一个光调节单元50，一个光合成单元60，一个光学放大单元70和一个频谱分析单元80。
光调节单元50接收八种根据被传送的信息调制的不同波长类型的光信号(WDM调制的光信号)，匀化它们的功率并进行预加强。光合成单元60合成八种类型的其功率已被调节的光信号。光放大单元70以预定的增益放大合成光。频谱分析单元80分析光放大单元70输出的光信号频率，判断每个波长是否有其预定的功率，并把判断的结果通告光调节单元50。
虽然在图10中只详细示出了单元51以简化该图，但光调节单元50包括对应于八种不同波长类型的光信号的八个单元51至58。单个单元的结构相同，因此将利用单个单元51的实例进行解释。
单个单元51包括光输入部分51a，耦合器51b，光衰减部分51c，耦合器51d，光输出部分51e。
根据被传输的信息调制的光信号被输入到光输入部分51a。
耦合器51b分出入射光的一部分。然后，耦合器51b再把这部分光辐射到光电二极管(后面讨论)中，并且产生一个正比于入射光功率的电信号。耦合器51b还传输光的主要剩余部分，将其供应给光学衰减部分51c。
如图5所示的光学衰减部分51c由D型和I型磁光光学衰减元件(后面将详细描述)形成。光学衰减部分51c以预定的衰减量衰减从耦合器51b发出的光信号并将它们输出。
耦合器51d把从光学衰减器51c发出的光信号分出一部分。然后再把这部分光辐射到后面将要讨论的光电二极管中，并产生一个正比于发射的光功率的电信号。耦合器51d还传输光的主要剩余部分，将其供应给光输出部分51e。
光功率被调节的光信号从光输出部分51e输出。
CPU 59适用于探测从频谱分析单元80和单个单元51至58输出的信号，并控制光学衰减器51c至58c(图中未示出)的衰减量。
图11是单个单元51的详细结构实例框图。
如图11所示，单个单元51包括一个光输入部分51a，一个耦合器51b，一个光学衰减部分51c，一个耦合器51d，光电二极管51g和51h，放大器51i至51o，比较器1p至51q，A/D转换器51r至51u，D/A转换器51v至51x和总线51y。在图11中，对应于图10的部分用同样的标志符并在此对它们不做解释。
光学衰减部分51c由串接在一起的D型磁光光学衰减元件51ca和I型磁光光学衰减元件51cb构成。
光电二极管51g把由耦合器51b分出的光信号(辐射到光学衰减部分51c中之前的光信号)转换成电信号并将其输出。
光电二极管51b把由耦合器51d分出的光信号(已穿过光学衰减部分51c的光信号)转换成电信号并将其输出。
AMP 51i以预定的增益放大从光电二极管51g输出的信号(与由耦合器51b分出的光信号成正比的电信号)并将其输出。
AMP 510以预定的增益放大从光电二极管51h输出的信号(与由耦合器51d分出的光信号成正比的电信号)并将其输出。
比较器51p比较参考电压V1和输出电压。当AMP 51i的输出电压低于参考电压V1时，产生预定的输出信号并向外输出。当入射到单个单元51上的光被截止时，比较器51探测此情况并通知其预置的外部装置。
A/D转换器51r利用A/D转换把AMP 51i的输出转换成数字信号。输出的信号经总线51y供给CPU 59。
比较器51q比较由放大器AMP 51j以预定增益放大的从D/A转换器(51v)输出之后的输出电压(此电压由CPU 59设置)和来自AMP 51i的输出电压。当AMP 51i的输出较低时，比较器51q输出预定的信号。换言之，当正比于从AMP 51i输出的光并且输入到单个单元51中的光的电压低于预定电平时比较器51q通知CPU。
D/A转换器51w把从CPU 59提供的数字信号(控制信号)转换成相应的模拟信号并将它们输出。
AMP 51k以预定的增益放大从D/A转换器51w输出的模拟信号并将其输出给D型磁光光学衰减元件51ca。
AMP 51l以预定的增益放大流动于D型磁光光学衰减元件51ca中的电流并将其输出。
A/D转换器51s利用A/D转换把AMP 511的输出转换成数字信号并将其输出。
D/A转换器51x把由CPU 59提供的数字信号(控制信号)转换成相应的模拟信号并将其输出。
AMP 51m以预定的增益放大从D/A转换器51x输出的模拟信号，并将其输出给I型磁光光学衰减元件51cb。
AMP 51n以预定的增益放大流动于I型磁光光学衰减元件51cb中的电流并将其输出。
A/D转换器51t利用A/D转换把AMP51n的输出转换成数字信号并将其输出A/D转换器51u利用A/D转换把从AMP51o输出的信号转换相应的数字信号并将其输出。
总线51y使比较器51p和51g，A/D转换器51r至51u和D/A转换器51v至51x与CPU59连接起来，从而使得数据在它们之间的传输成为可能。
回过来参考图10，光合成单元60包括一个光合成单元60a。
光合成单元60a合成分别从光调节单元50的单个单元51至58输出的预定波长的光信号并将它们作为一个单独的光信号输出。
光学放大单元70包括一个光输入部分70a，一个光放大部分70b，一个耦合器70c，一个光输出单元70d和一个控制信号输送部分70e。
光输入部分70a辐射从光合成单元60发出的光信号。
AMP部分70b以预定的增益放大经光输入部分70a输入的光信号并将它们发射。
由AMP部分70b放大的光信号被辐射到耦合器70c中。其中一部分被分出并输入到频谱分析单元80中。重叠由控制信号发送部分70e提供的监控信号并发送给光输出单元70d。
光输出单元70d把来自耦合器70c的光信号作为输出光输出。
控制信号发送部分70e输出用于监测和控制的信号并将其供给耦合器70c。
频谱分析单元80包括光输入部分80a，频谱分析部分80b和CPU80c。
由光学放大单元70的耦合器70c分出的光学信号被输入到光输入部分80a。
频谱分析部分80b对从光输入部分80a输入的光信号(基于WDM的光信号)进行频率分析并计算每个频率区域的光功率。
CPU 80c对频谱分析部分80b的分析结果进行规定的处理之后将其通知光调节单元50。
接下来，对上述实施例的操作进行解释。
根据要传输的信息调制的八种类型不同波长的光信号被分别输入到光调节单元50的单个单元51至58，在那儿调节光功率。
图12是在光调节单元50中执行的过程实例流程图。该流程图是当给装置供电时执行的过程。当此流程开始时执行下列过程。
步骤S1CPU 59给每个单个单元的D型磁光光学衰减元件提供预定的控制电流。电流值设置在图7中所示的区域D1的范围之内。
步骤S2CPU 59识辨出输入光的波数N。换言之，CPU 59识辨出从八个类型的输入光中实际输入的输入光波数。
步骤S3CPU 59把可变量i的初始值设置为“1”。
步骤S4CPU 59借助从第i个单个单元的输入侧耦合器(针对单个单元51，耦合器51b)输出的信号识辨第i个输入光的功率。
步骤S5CPU 59借助从第i个单个单元的输出侧耦合器(针对单个单元51，耦合器51d)输出的信号识辨第i个输出光的功率。
步骤S6CPU 59获得第i个分析数据，该数据是从频谱分析单元80输出的第i个单个单元的输出光分析结果。
步骤S7CPU 59借助第i个输入/输出光的光功率和第i个分析数据，计算要供应给第i个单个单元的I型磁光光学衰减元件的控制电流电流值。
步骤S8CPU 59开始把计算出的控制电流提供给第i个单个单元的I型磁光光学衰减元件。
步骤S9CPU 59给变量i增加“1”。
步骤S10如果变量i的值小于波数N，则CPU 59返回到步骤S4。在所有其它的情况下，过程进行到步骤S11。
步骤S11如果，例如因为能量供应被截止或其它类似的原因而使处理过程结束，则CPU 59结束处理(结束)。在所有其它的情况下，CPU 59返回到步骤S2并重复同样的过程。
通过上述过程设置每个单个单元的输出光，使其具有预定的功率。
以这种方式，通过光合成单元60合成其功率已被调节的八种类型的光信号并作为单束输出。
光放大单元70以预定的增益放大由光合成单元60合成的光信号并将其输出。由光放大单元70的AMP单元70b放大的光信号的一部分作为监视光束而供应给频谱分析单元80，并且由此频谱分析单元80分析每个波长成分的功率并反馈给光调节单元50。然后这样进行控制，使输出光的水平总是保持恒定。
图13是图10所示光谱分析单元中执行的过程实例流程图。接下来参见图13，对由光谱分析单元80执行的处理过程实例给出解释。当对装置供电时开始此过程。当开始此流程时，执行下列过程。
步骤S20CPU 80c借助频谱分析部分80b的输出识辨所有波长的光的总功率。
步骤S21CPU 80c借助频谱分析部分80b的输出识辨当前输出的输出光波数N。
步骤S22CPU 80c把变量i的初始值设为“1”。
步骤S23CPU 80c借助频谱分析部分80b的输出识辨从第I个单个单元输出的光信号的功率。
步骤S24CPU 80c计算从第i个单个单元输出的光信号功率值和目标值之差。
步骤S25CPU 80c把在步骤S24中算出的差值，作为第i个分析数据通知光调节单元50的CPU 59。
步骤S26CPU 80c给变量i增加“1”。
步骤S27如果变量i的值低于波数N，则CPU 80c返回到步骤S23。在所有其它的情况下，过程进行到步骤S28。
步骤S28如果，例如因为能量供应被截止或其它类似的原因而使处理过程结束，则CPU 80c结束处理(结束)。在所有其它的情况下，操作返回到步骤S20并重复同样的过程。
通过上述过程可以计算包含在输出光中的每个波长的功率并告知光调节单元50。
图14是根据本发明光通讯系统的框图。如图14所示，光通讯系统包括一个发送装置90和一个接收装置93。发送装置90包括一个发送器91和多个中继器92。发送器91或中继器92的结构与上述实施例中的相同。发送装置90输出一个光信号。光信号被至少包括两个串接在一起的不同类型的磁光光学衰减元件的衰减单元衰减。接收装置93接收衰减的光信号。
根据本发明的上述解释，衰减入射光的强度并将其输出的光学衰减装置具有一个包括串接在一起的D型磁光光学衰减元件和I型磁光光学衰减元件的光学衰减单元和一个向光学衰减单元供给电流的电流供应单元。因此衰减特性可以通过简单的控制而调节。
另外，输出对应于输入信号的光信号的光学传递装置具有一个输出对应于输入信号的光的输出单元，一个由串接在一起的D型磁光光学衰减元件和I型磁光光学衰减元件构成的、从输出单元输出的光被其辐射并衰减的光学衰减单元以及一个控制衰减单元的特性使其具有预定特性的控制单元。因此即使当发生故障时，也一定可以避免不必要的光信号向外输出。
虽然显示并描述了本发明的优选实施例，但应理解本领域的技术人员在不脱离本发明实质和范围的前提下可在这些实施例中做各种修改。本发明的范围由所属的权利要求书及其对应内容限定。
权利要求
1.一种光学衰减装置，包括一个至少有两个不同类型的磁光光学衰减元件串接在一起的光学衰减单元；和一个向光学衰减单元供给控制电流的电流供应单元。
2.根据权利要求1所述的光学衰减装置，其特征在于不同类型的磁光光学元件的一种是D型磁光光学衰减元件，另一种不同类型的磁光光学元件是I型磁光光学衰减元件。
3.根据权利要求1所述的光学衰减装置，其特征在于不同类型的磁光光学元件的一种包括一个法拉第旋转器，一个起偏器和一个检偏器，起偏器具有相对于检偏器的偏振方向成90°的偏振方向，不同类型的磁光光学元件的另一种包括一个法拉第旋转器，一个起偏器和一个检偏器，起偏器具有相对于检偏器的偏振方向而平行的偏振方向。
4.根据权利要求1所述的光学衰减装置，其特征在于一种不同类型的磁光光学元件是一个当控制磁光光学衰减元件的电流低时有一个峰值衰减量的磁光光学衰减元件，另一种不同类型的磁光光学元件具有与磁光光学衰减元件的驱动电流大致成正比例增加的衰减量。
5.根据权利要求1所述的光学衰减装置，其特征在于光学衰减装置还包括一个安放衰减单元的外壳。
6.一种光学衰减装置，包括一个衰减光信号以输出衰减的光信号的第一磁光光学衰减元件；和一个衰减从第一磁光光学衰减元件中输出的衰减光信号的第二磁光光学衰减元件，其特征在于第一磁光光学衰减元件和第二磁光光学衰减元件是不同的类型。
7.一种光学传送装置，包括一个至少有两个不同类型的磁光光学衰减元件串接在一起的光学衰减单元，光束被至少两个不同类型的磁光光学衰减元件衰减；和一个控制光学衰减单元的衰减特性以适应预定特性的控制单元。
8.根据权利要求7所述的光学传送装置，其特征在于控制单元给不同类型的磁光光学衰减元件的一种提供恒定的电流并控制供应给另一个不同类型的磁光光学衰减元件的电流，使得衰减特性适应预定的特性。
9.根据权利要求7所述的光学传送装置，其特征在于一种不同类型的磁光光学衰减元件是D型磁光光学衰减元件，另一种不同类型的磁光光学衰减元件是I型磁光光学衰减元件。
10.根据权利要求7所述的光学传送装置，其特征在于一种不同类型的磁光光学衰减元件包括包括一个法拉第旋转器，一个起偏器和一个检偏器，起偏器具有相对于检偏器的偏振方向成90°的偏振方向，另一种不同类型的磁光光学衰减元件包括一个法拉第旋转器，一个起偏器和一个检偏器，起偏器具有相对于检偏器的偏振方向而平行的偏振方向。
11.根据权利要求7所述的光学传送装置，其特征在于一种不同类型的磁光光学衰减元件是一个当控制磁光光学衰减元件的电流低时有一个峰值衰减量的磁光光学衰减元件，另一种不同类型的磁光光学衰减元件是衰减量与磁光光学衰减元件的驱动电流大致成正比例增加的元件，并且控制单元给一种不同类型的磁光光学衰减元件供应高于其衰减量有峰值的电流的恒定电流，并且控制供应给另一个不同类型的磁光光学衰减元件的电流，使得该衰减特性适应预定的特性。
12.根据权利要求7所述的光学传送装置，还包括一个安放衰减单元的外壳。
13.一种输出光信号的光学传送装置，传递多个具有不同波长的对应于输入信号的光，包括多个输出对应于输入信号的光的光输出单元；多个分别至少有两个串接在一起的不同类型的磁光光学衰减元件的光学衰减单元，其中从输出单元输出的光被辐射并衰减；和一个控制单元，首先向一个不同类型的磁光光学衰减元件供应恒定的电流，然后再控制供应给各个另一个不同类型的磁光光学衰减元件的电流，以使得该光学衰减单元的衰减特性适应预定的特性。
14.一种光学传送装置，包括一个用于分出光学信号的一部分的去耦器；一个用于衰减具有从此去耦的部分的光信号以输出衰减的光信号的第一衰减器；一个用于衰减从第一衰减器输出的衰减光信号的第二衰减器；一个根据去耦部分控制第一衰减器和第二衰减器中至少一个的衰减特性的控制器。
15.一种光学通讯系统，包括一个输出被衰减单元衰减的光信号的输送装置，其中衰减单元至少包括串接在一起的两种不同类型的磁光光学衰减元件；和一个接收衰减的光信号的接收装置。
16.一种光学衰减方法，包括用第一磁光光学衰减元件衰减光学信号；用第二磁光光学衰减元件衰减被第一磁光光学衰减元件衰减的光学信号，其中第一磁光光学衰减元件和第二磁光光学衰减元件为不同的类型；和控制提供给第一磁光光学衰减元件和第二磁光光学衰减元件的电流。
全文摘要
一种衰减输入光强度的光学衰减装置,包括一个至少有两种串接在一起的不同类型的磁光光学衰减元件的光学衰减单元。
文档编号G02F1/01GK1264049SQ9912289
公开日2000年8月23日 申请日期1999年12月9日 优先权日1999年2月18日
发明者中里浩章, 川原井正繁 申请人:富士通株式会社