即，通过在元件基板一侧的像素电极和第1取向膜之间配置膜厚 度比对置基板一侧的对置电极和第2取向膜之间的第2电介质膜厚的第1电介质膜，与第 1电介质膜的膜厚度和第2电介质膜的膜厚度相同的情况相比，V。》向正方向偏移（偏移后 的对置电极电位从偏移前的对置电极电位向正方向偏离）变得明确。这样，由于预先确定 了 ￥_偏移的偏离方向，因此，与现有技术的向哪儿偏离不确定的情况相比，可以可靠地进 行对V。》偏移的修正。因此，可以提供抑制闪烁等显示缺陷的发生并提高显示品质的液晶 装置。
[0027] 本发明的第4液晶装置具备：元件基板，其具备多个扫描线和多个数据线以及与 上述扫描线和上述数据线的交点对应设置的开关元件和像素电极；与上述元件基板相对配 置的具备对置电极的对置基板；在上述元件基板和上述对置基板之间夹持的液晶层；在上 述元件基板的上述液晶层的一侧设置的第1取向膜；在上述对置基板的上述液晶层的一侧 设置的第2取向膜；在上述像素电极和上述第1取向膜之间设置的膜厚度比上述液晶层薄 且电阻率比上述液晶层高的由310 2构成的第1电介质膜；以及在上述对置电极和上述第2 取向膜之间设置的膜厚度比上述第1电介质膜厚且电阻率比上述液晶层高的由SiO 2构成 的第2电介质膜。对上述对置电极施加被设定为降低由于上述开关元件的寄生电容而引起 的闪烁的对置电极电位。
[0028] 对上述像素电极在以上述对置电极电位为基准将高位的电压设为正极性、低位的 电压设为负极性时交替地施加上述正极性的电压和上述负极性的电压。在由上述正极性的 电压被施加的第1期间和上述负极性的电压被施加的第2期间构成的规定期间中，上述第 1期间的长度被设定为比上述第2期间的长度短。
[0029] 根据该液晶装置，由于对置电极电位被预先偏移地设定为降低由于开关元件的寄 生电容而造成的闪烁，因此，加入了对第1现象的修正。此外，规定期间中第1期间的长度 被设定为比第2期间的长度短，因此，也加入了对第2现象的修正。该修正是基于本发明者 发现通过在元件基板一侧的像素电极和第1取向膜之间配置膜厚度比液晶层薄且电阻率 比液晶层高的由氧化硅（SiO 2)构成的第1电介质膜、并在对置基板一侧的对置电极和第2 取向膜之间配置膜厚度比上述第1电介质膜厚且电阻率比液晶层高的由氧化硅（SiO 2)构 成的第2电介质膜，实效电压波形向电位的负方向偏移。关于这一点，也可以根据本发明者 进行的实验结果确认。即，通过在元件基板一侧的像素电极和第1取向膜之间配置膜厚度 比对置基板一侧的对置电极和第2取向膜之间的第2电介质膜薄的第1电介质膜，与第1 电介质膜的膜厚度和第2电介质膜的膜厚度相同的情况相比，V_向负方向偏移（偏移后 的对置电极电位从偏移前的对置电极电位向负方向偏离）变得明确。这样，由于预先确定 了 ￥_偏移的偏离方向，因此，与现有技术的向哪儿偏离不确定的情况相比，可以可靠地进 行偏移的修正。因此，可以提供抑制闪烁等显示缺陷的发生并提高显示品质的液晶装 置。
[0030] 本发明的第1、第2液晶装置，其特征在于，上述第1电介质层和第2电介质层的厚 度都比上述液晶层薄，并且电阻率都比上述液晶层高。
[0031] 这样，对液晶层施加的电场难以妨碍第1电介质层、第2电介质层。
[0032] 本发明的第1、第2、第3、第4液晶装置，其特征在于，上述像素电极由铝构成，上述 对置电极由铟锡氧化物构成。
[0033] 这样，可以构成反射型的液晶装置，可以提高像素的开口率、实现液晶装置的薄型 化等。
[0034] 此外，与像素电极和对置电极由相同的材料（例如ΙΤ0)构成的情况相比，能够明 确向负方向或者正方向偏移，元件基板和对置基板的特性的非对称性变得显著。关于这 一点，也可以根据本发明者进行的实验结果确认。因此，与像素电极和对置电极例如由ITO 构成的情况相比，由于夹持液晶层的元件基板和对置基板的特性差而造成的直流电压分量 显著地产生。因此，可抑制闪烁等显示缺陷的发生，提高显示品质。
[0035] 本发明的第1液晶装置，其特征在于，当上述第1电介质层的厚度是75nm，上述 第2电介质层的厚度是300nm时，上述对置电极电位和上述低电位的电位差的绝对值对 上述对置电极电位和上述高电位的电位差的绝对值的比率被设定为43. 5/56. 5以上且 46. 5/53. 5以下的范围。
[0036] 这样，可以有效地减少由于第1电介质层和第2电介质层的厚度的差异而导致的 电荷的不平衡。
[0037] 本发明的第2液晶装置，其特征在于，当上述第1电介质层的厚度是300nm，上述第 2电介质层的厚度是75nm时，上述对置电极电位和上述低电位的电位差的绝对值对上述对 置电极电位和上述高电位的电位差的绝对值的比率被设定为53. 5/46. 5以上且56. 5/43. 5 以下的范围。
[0038] 这样，可以有效地减少由于第1电介质层和第2电介质层的厚度的差异而导致的 电荷的不平衡。
[0039] 本发明的第一液晶装置的驱动方法，该液晶装置具备：像素电极；与上述像素电 极电气连接的开关元件；与上述像素电极相对配置并被施加对置电极电位的对置电极；在 上述像素电极和上述对置电极之间设置的液晶层；在上述液晶层和上述像素电极之间设置 的第1取向膜；在上述第1取向膜和上述像素电极之间设置的由氧化硅构成的第1电介质 层；在上述液晶层和上述对置电极之间设置的第2取向膜；以及在上述第2取向膜和上述 对置电极之间设置的由氧化硅构成的厚度比上述第1电介质层薄的第2电介质层。该驱动 方法对上述像素电极经由上述开关元件交替地施加相对于上述对置电极电位的高电位和 低电位，并在将使上述高电位和上述低电位的平均电位只偏移对上述像素电极施加上述高 电位时由于上述开关元件的寄生电容而产生的上述像素电极的电位的变化量和对上述像 素电极施加上述低电位时由于上述寄生电容而产生的上述像素电极的电位的变化量的平 均值的量的电位设为基准电位时，使上述对置电极电位比上述基准电位低。
[0040] 这样，由于如上所述地设定对置电极电位，因此，由于场穿透而造成的电荷的不平 衡以及由于第1电介质层和第2电介质层的厚度的差异而造成的电荷的不平衡都可以减 少。
[0041] 本发明的第二液晶装置的驱动方法，该液晶装置具备：元件基板，其具备多个扫描 线和多个数据线以及与上述扫描线和上述数据线的交点对应设置的开关元件和像素电极； 与上述元件基板相对配置的具备对置电极的对置基板；在上述元件基板和上述对置基板之 间夹持的液晶层；在上述元件基板的上述液晶层的一侧设置的第1取向膜；在上述对置基 板的上述液晶层的一侧设置的第2取向膜；在上述像素电极和上述第1取向膜之间设置的 膜厚度比上述液晶层薄且电阻率比上述液晶层高的由310 2构成的第1电介质膜；以及在上 述对置电极和上述第2取向膜之间设置的膜厚度比上述第1电介质膜薄且电阻率比上述液 晶层高的由310 2构成的第2电介质膜。该驱动方法对上述对置电极施加被设定为降低由于 上述开关元件的寄生电容而引起的闪烁的对置电极电位，并在以上述对置电极电位为基准 将高位的电压设为正极性、低位的电压设为负极性时，对上述像素电极交替地施加上述正 极性的电压和上述负极性的电压，在由上述正极性的电压被施加的第1期间和上述负极性 的电压被施加的第2期间构成的规定期间中，将上述第1期间的长度设定为比上述第2期 间的长度长。
[0042] 根据本发明的第二液晶装置的驱动方法，由于对置电极电位被预先偏移地设定为 降低由于开关元件的寄生电容而造成的闪烁，因此，加入了对第1现象的修正。此外，由于 规定期间中第1期间的长度被设定为比第2期间的长度长，因此，也加入了对第2现象的修 正。该修正是基于本发明者发现通过在元件基板一侧的像素电极和第1取向膜之间配置膜 厚度比液晶层薄且电阻率比液晶层高的由氧化硅（SiO 2)构成的第1电介质膜并在对置基 板一侧的对置电极和第2取向膜之间配置膜厚度比上述第1电介质膜薄且电阻率比液晶层 高的由氧化硅（SiO 2)构成的第2电介质膜，实效电压波形向电位的正方向偏移。关于这一 点，也可以根据本发明者进行的实验结果确认。因此，可以抑制闪烁等显示缺陷的发生，并 提尚显不品质。
[0043] 本发明的第三液晶装置的驱动方法，该液晶装置具备：元件基板，其具备多个扫描 线和多个数据线以及与上述扫描线和上述数据线的交点对应设置的开关元件和像素电极； 与上述元件基板相对配置的具备对置电极的对置基板；在上述元件基板和上述对置基板之 间夹持的液晶层；在上述元件基板的上述液晶层的一侧设置的第1取向膜；在上述对置基 板的上述液晶层的一侧设置的第2取向膜；在上述像素电极和上述第1取向膜之间设置的 膜厚度比上述液晶层薄且电阻率比上述液晶层高的由310 2构成的第1电介质膜；以及在上 述对置电极和上述第2取向膜之间设置的膜厚度比上述第1电介质膜厚且电阻率比上述液 晶层高的由310 2构成的第2电介质膜。该驱动方法对上述对置电极施加被设定为降低由于 上述开关元件的寄生电容而引起的闪烁的对置电极电位，并在以上述对置电极电位为基准 将高位的电压设为正极性、低位的电压设为负极性时，对上述像素电极交替地施加上述正 极性的电压和上述负极性的电压，在由上述正极性的电压被施加的第1期间和上述负极性 的电压被施加的第2期间构成的规定期间中，将上述第1期间的长度设定为比上述第2期 间的长度短。
[0044] 根据本发明的第三液晶装置的驱动方法，由于对置电极电位被预先偏移地设定为 降低由于开关元件的寄生电容而造成的闪烁，因此，加入了对第1现象的修正。此外，由于 规定期间中第1期间的长度被设定为比第2期间的长度短，因此，也加入了对第2现象的修 正。该修正是基于本发明者发现通过在元件基板一侧的像素电极和第1取向膜之间配置膜 厚度比液晶层薄且电阻率比液晶层高的由氧化硅（SiO 2)构成的第1电介质膜并在对置基 板一侧的对置电极和第2取向膜之间配置膜厚度比上述第1电介质膜厚且电阻率比液晶层 高的由氧化硅（SiO 2)构成的第2电介质膜，实效电压波形向电位的负方向偏移。关于这一 点，也可以根据本发明者进行的实验结果确认。因此，可以抑制闪烁等显示缺陷的发生，并 提尚显不品质。
[0045] 此外，上述第二液晶装置的驱动方法，其特征在于，当上述第1电介质膜的膜厚度 和上述第2电介质膜的膜厚度的比率为1/4时，也可以将上述第1期间的长度和上述第2 期间的长度的比率设定为43. 5/56. 5以上且46. 5/53. 5以下的范围。
[0046] 根据该液晶装置的驱动方法，由于变成与闪烁容限对应的最佳时间分配比率，因 此，可有效进行对第2现象的修正。相反，如果第1期间的长度和第2期间的长度的比率比 43. 5/56. 5小，则存在第1期间的长度过长而不能有效修正的情况。此外，如果第1期间的 长度和第2期间的长度的比率比46. 5/53. 5大，则存在第1期间的长度过短而不能有效修 正的情况。
[0047] 此外，上述第三液晶装置的驱动方法，其特征在于，当上述第1电介质膜的膜厚度 和上述第2电介质膜的膜厚度的比率为4/1时，将上述第1期间的长度和上述第2期间的 长度的比率设定为53. 5/46. 5以上且56. 5/43. 5以下的范围。
[0048] 根据该液晶装置的驱动方法，由于变成与闪烁容限对应的最佳时间分配比率，因 此，可有效进行对第2现象的修正。相反，如果第1期间的长度和第2期间的长度的比率比 53. 5/46. 5小，则存在第1期间的长度过长而不能有效修正的情况。此外，如果第1期间的 长度和第2期间的长度的比率比56. 5/43. 5大，则存在第1期间的长度过短而不能有效修 正的情况。
[0049] 本发明的电子设备，其特征在于，具备上述的液晶装置。
[0050] 根据该电子设备，由于具备上述的液晶装置，因此，可提供能够抑制闪烁等显示缺 陷的发生并提高显示品质的电子设备。
【附图说明】