驱动电路232的端子电气连接。安装端子273例如由铟锡氧化物膜构 成，其厚度例如是135nm以上且165nm以下。上述的第5接触孔267c贯通平坦化膜268,通 到安装端子用的第2中继电极262。安装端子273的一部分被埋入第5接触孔267c的内 侦牝与安装端子用的第2中继电极262电气连接。
[0136] 对置基板221以具有透光性的对置基板本体280作为基体而构成。在对置基板本 体280上，设置有遮光膜281。遮光膜281被设置在从液晶层228的厚度方向平面看与开关 元件234的大致整体重叠的区域。
[0137] 在包含遮光膜281上的对置基板本体280上的大致整个面，设置有对置电极282。 对置电极282例如由铟锡氧化物等透明导电材料构成。对置电极282的厚度例如是120nm 以上且160nm以下。对置电极282在基板间导通端子部中经由图示省略的导电部件，与基 板间导通端子272电连接。
[0138] 在对置电极282的上面形成有第2电介质层284。第2电介质层284的厚度比液 晶层228的厚度薄，也比第1电介质270的厚度薄。第2电介质层284的厚度例如是60nm 以上且90nm以下。第2电介质层284由电阻率比液晶层228高的材质即氧化硅构成。由 于第2电介质层284的厚度比液晶层228薄，并且电阻率比液晶层228高，因此，对液晶层 228施加的电场难以妨碍第2电介质层284。本实施方式的第2电介质层284由厚度是大 约75nm的P-TEOS膜构成，形成比下述的第2取向膜283致密的膜质。
[0139] 在第2电介质层284的上面设置有第2取向膜283。第2取向膜283与第1取向 膜271 -起限制电场未被施加的状态的液晶层228的取向状态。本实施方式的第1取向膜 271和第2取向膜283是垂直取向膜。第2取向膜283与第1取向膜271同样，由氧化硅构 成，并例如通过斜方蒸镀法、斜方溅射法形成。第2取向膜283的厚度例如是40nm以上且 80nm以下。
[0140] 接着，参照图5A、图5B说明向像素电极235施加的电位（驱动电压）以及向对置 电极282施加的电位（对置电极电位）。此外，根据上述的液晶装置201的构成，还对涉及 本发明的液晶装置的驱动方法一起说明。
[0141] 图5A是表不栅极电压和驱动电压的图，图5B是表不实效电压的图。另外，在图 5A、图5B中，横轴表示从驱动开始后的经过时间，纵轴表示电位。在图5B中图示了忽略了 泄漏影响的实效电压的波形。
[0142] 如图5A所示，在显示规定的灰度时对像素电极235施加的驱动电压Vd与栅极电 压V e的上升同步，并交替地切换为高电位Vh(例如12V)和低电位'(例如2V)。高电位Vh 和低电位'例如按每一帧切换。
[0143] 如图5B所示，当栅极电压Ve上升时，开关元件234导通，像素电极235被充电。像 素电极235的电位，即对液晶层228施加的实效电压V ef，大约上升到高电位VH。
[0144] 当开关元件234截止时，由于称为场穿透的现象（第1现象），实效电压Vef降低。 详细地，由于在开关元件234的栅极电极244和沟道区域等的寄生电容中蓄积的电荷被分 配给源极区域、漏极区域，流向像素电极235,因此，产生电压下降V 1。实际上，在开关元件 234为截止状态的期间，也产生由于泄漏而造成的电压下降。
[0145] 接着，当栅极电压Ve上升时，驱动电压V D变成低电位V y像素电极235被放电，实 效电压Vef下降到低电位V P然后，在开关元件234截止时，产生由于场穿透而引起的电压 下降V2。实际上，在开关元件234为截止状态的期间，也产生由于泄漏而造成的电压上升。
[0146] 在通常的液晶装置中，对置电极被保持在规定电位，液晶层228被交流驱动。该规 定电位被预先设定为加入由于场穿透或泄漏而造成的实效电压V ef的变动而取得相对于实 效电压Vef的规定电位的正极性（高电位）侧和负极性（低电位）侧的平衡。
[0147] 加入了场穿透的上述的规定电位变成使高电位VjP低电位Vj勺平均电位V M只偏 移施加高电位Vh时的实效电压Vef的变化量的绝对值（电压下降V 1)和施加低电位'时的 实效电压Vef的变化量的绝对值（电压下降V2)的平均值的量的电位（基准电位V st)。基准 电位Vst用下述的式⑴表示。典型地，电压下降V2与电压下降￥ 1大致相同，基准电位Vst 成为比平均电位Vm只低电压下降V i的电位。
[0148] Vm-Vst= (V^V2)/2 式（1)
[0149] 为了求出这样的基准电位Vst，例如，测量在多个帧上连续地显示规定的灰度时的 实效电压Vef。然后，通过搜索使在1个帧期间的正极性的电位的时间平均值V+与在1个帧 期间的负极性的电位的时间平均值W相等的基准电位而求出。正极性的电位的时间平均 值V+用下述的式（2)表示，负极性的电位的时间平均值VTS下述的式（3)表示。式（2)、 式（3)中的T表示1个帧期间的长度。
【主权项】
1. 一种液晶装置，其特征在于，具备： 元件基板，其具备多个扫描线和多个数据线以及与上述扫描线和上述数据线的交点对 应设置的开关元件和像素电极； 与上述元件基板相对配置的具备对置电极的对置基板； 在上述元件基板和上述对置基板之间夹持的液晶层； 在上述元件基板的上述液晶层的一侧设置的第1取向膜； 在上述对置基板的上述液晶层的一侧设置的第2取向膜； 由3102构成的第1电介质膜，其设置在上述像素电极和上述第1取向膜之间，膜厚度 比上述液晶层薄且电阻率比上述液晶层高；以及 由3102构成的第2电介质膜，其设置在上述对置电极和上述第2取向膜之间，膜厚度 比上述第1电介质膜薄且电阻率比上述液晶层高； 其中，对上述对置电极施加被设定为降低由于上述开关元件的寄生电容而引起的闪烁 的对置电极电位； 在以上述对置电极电位为基准将高位的电压设为正极性、低位的电压设为负极性时， 对上述像素电极交替地施加上述正极性的电压和上述负极性的电压； 在由上述正极性的电压被施加的第1期间和上述负极性的电压被施加的第2期间构成 的规定期间中，上述第1期间的长度被设定为比上述第2期间的长度长。
2. -种液晶装置，其特征在于，具备： 元件基板，其具备多个扫描线和多个数据线以及与上述扫描线和上述数据线的交点对 应设置的开关元件和像素电极； 与上述元件基板相对配置的具备对置电极的对置基板； 在上述元件基板和上述对置基板之间夹持的液晶层； 在上述元件基板的上述液晶层的一侧设置的第1取向膜； 在上述对置基板的上述液晶层的一侧设置的第2取向膜； 由3102构成的第1电介质膜，其设置在上述像素电极和上述第1取向膜之间，膜厚度 比上述液晶层薄且电阻率比上述液晶层高；以及 由3102构成的第2电介质膜，其设置在上述对置电极和上述第2取向膜之间，膜厚度 比上述第1电介质膜厚且电阻率比上述液晶层高； 其中，对上述对置电极施加被设定为降低由于上述开关元件的寄生电容而引起的闪烁 的对置电极电位； 在以上述对置电极电位为基准将高位的电压设为正极性、低位的电压设为负极性时， 对上述像素电极交替地施加上述正极性的电压和上述负极性的电压； 在由上述正极性的电压被施加的第1期间和上述负极性的电压被施加的第2期间构成 的规定期间中，上述第1期间的长度被设定为比上述第2期间的长度短。
3. 根据权利要求1所述的液晶装置，其特征在于， 上述像素电极由铝构成，上述对置电极由铟锡氧化物构成。
4. 根据权利要求2所述的液晶装置，其特征在于， 上述像素电极由铝构成，上述对置电极由铟锡氧化物构成。
5. -种液晶装置的驱动方法，其特征在于， 上述液晶装置具备：元件基板，其具备多个扫描线和多个数据线以及与上述扫描线和 上述数据线的交点对应设置的开关元件和像素电极；与上述元件基板相对配置的具备对置 电极的对置基板；在上述元件基板和上述对置基板之间夹持的液晶层；在上述元件基板的 上述液晶层一侧设置的第1取向膜；在上述对置基板的上述液晶层一侧设置的第2取向膜； 由310 2构成的第1电介质膜，其设置在上述像素电极和上述第1取向膜之间，膜厚度比上 述液晶层薄且电阻率比上述液晶层高；以及由310 2构成的第2电介质膜，其设置在上述对 置电极和上述第2取向膜之间，膜厚度比上述第1电介质膜薄且电阻率比上述液晶层高； 上述驱动方法对上述对置电极施加被设定为降低由于上述开关元件的寄生电容而引 起的闪烁的对置电极电位； 在以上述对置电极电位为基准将高位的电压设为正极性、低位的电压设为负极性时， 对上述像素电极交替地施加上述正极性的电压和上述负极性的电压； 在由上述正极性的电压被施加的第1期间和上述负极性的电压被施加的第2期间构成 的规定期间中，将上述第1期间的长度设定为比上述第2期间的长度长。
6. -种液晶装置的驱动方法，其特征在于， 上述液晶装置具备：元件基板，其具备多个扫描线和多个数据线以及与上述扫描线和 上述数据线的交点对应设置的开关元件和像素电极；与上述元件基板相对配置的具备对置 电极的对置基板；在上述元件基板和上述对置基板之间夹持的液晶层；在上述元件基板的 上述液晶层一侧设置的第1取向膜；在上述对置基板的上述液晶层一侧设置的第2取向膜； 由310 2构成的第1电介质膜，其设置在上述像素电极和上述第1取向膜之间，膜厚度比上 述液晶层薄且电阻率比上述液晶层高；以及由310 2构成的第2电介质膜，其设置在上述对 置电极和上述第2取向膜之间，膜厚度比上述第1电介质膜厚且电阻率比上述液晶层高； 上述驱动方法对上述对置电极施加被设定为降低由于上述开关元件的寄生电容而引 起的闪烁的对置电极电位； 在以上述对置电极电位为基准将高位的电压设为正极性、低位的电压设为负极性时， 对上述像素电极交替地施加上述正极性的电压和上述负极性的电压； 在由上述正极性的电压被施加的第1期间和上述负极性的电压被施加的第2期间构成 的规定期间中，将上述第1期间的长度设定为比上述第2期间的长度短。
7. 根据权利要求5所述的液晶装置的驱动方法，其特征在于， 当上述第1电介质膜的膜厚度和上述第2电介质膜的膜厚度的比率为1/4时，将上述 第1期间的长度和上述第2期间的长度的比率设定为43. 5/56. 5以上且46. 5/53. 5以下的 范围。
8. 根据权利要求6所述的液晶装置的驱动方法，其特征在于， 当上述第1电介质膜的膜厚度和上述第2电介质膜的膜厚度的比率为4/1时，将上述 第1期间的长度和上述第2期间的长度的比率设定为53. 5/46. 5以上且56. 5/43. 5以下的 范围。
9. 一种电子设备，其特征在于，具备权利要求1所述的液晶装置。
10. -种电子设备，其特征在于，具备权利要求2所述的液晶装置。
【专利摘要】本发明涉及液晶装置、液晶装置的驱动方法和电子设备。该液晶装置对像素电极经由开关元件交替地施加相对于对置电极电位的高电位和低电位，并在将使上述高电位和上述低电位的平均电位只偏移对上述像素电极施加上述高电位时由于上述开关元件的寄生电容而产生的上述像素电极的电位的变化量和对上述像素电极施加上述低电位时由于上述寄生电容而产生的上述像素电极的电位的变化量的平均值的量的电位设为基准电位时，上述对置电极电位比上述基准电位低。
【IPC分类】G02F1-1343, G09G3-36, G02F1-133
【公开号】CN104698642
【申请号】CN201510094464
【发明人】西田雅一, 吉田升平
【申请人】精工爱普生株式会社
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2011年3月29日
【公告号】CN102207642A, CN102207642B, US20110234930, US20140198275