用于形成黑矩阵的后烘装置和后烘方法
【技术领域】
[0001]本发明的实施例涉及一种用于形成黑矩阵的后烘装置和后烘方法。
【背景技术】
[0002]通常，显不面板的基板上的黑矩阵(black matrix, BM)在完成显影后需放入静止的后烘装置中进行后烘固化，此时在重力的作用下，基板上的黑矩阵会在边缘位置处发生形状变化，因此而影响基板上的黑矩阵的成型精度。
[0003]例如，对于彩膜基板上的黑矩阵，黑矩阵以及红、绿和蓝滤色器需要涂布在玻璃基底上，且经过曝光和显影而成型，继而送入后烘装置中烘干固化(简称为后烘)。在基板的后烘过程中，由于形成黑矩阵的材料在重力的作用下，黑矩阵会出现边缘上的形状坍塌现象。黑矩阵形状上的坍塌导致基板的质量受到负面影响。
【发明内容】
[0004]本发明的实施例提供一种用于形成黑矩阵的后烘装置和后烘方法，在后烘期间，形成有黑矩阵的基板和加热元件之间相对旋转；进一步地，还可以通过监测黑矩阵的变形程度改变形成有黑矩阵的基板的旋转速度，从而获得外形良好的黑矩阵。
[0005]一方面，本发明的实施例提供一种用于形成黑矩阵的后烘装置，包括:壳体，限定内部容置空间；多个加热元件，设置在所述壳体内部；至少一个托架，设置在所述内部容置空间中，且构造为承托形成有所述黑矩阵的基板，其中所述托架与所述多个加热元件是可相对旋转的。
[0006]另一方面，本发明的实施例提供一种后烘方法，包括:提供一个壳体，所述壳体限定内部容置空间，多个加热元件设置在所述壳体内部；将包括待后烘的所述黑矩阵的基板放置在至少一个托架上，且设置在所述内部容置空间中，对所述黑矩阵进行后烘，在后烘期间，利用所述加热元件进行加热，同时使得所述至少一个托架与所述加热元件相对旋转。
【附图说明】
[0007]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0008]图1示出了基板上黑矩阵显影后的截面图。
[0009]图2示出了基板上黑矩阵在静止后烘后的截面图。
[0010]图3示出了基板上黑矩阵后烘后理想截面形状的截面图。
[0011]图4示出了根据本发明实施例的用于形成黑矩阵的后烘装置的结构示意图之一。
[0012]图5示出了根据本发明实施例的用于形成黑矩阵的后烘装置的另一个结构示意图。
[0013]图6示出了基板显影后、后烘前的透光率的示意图。
[0014]图7示出了基板后烘过程中透光率变化的示意图。
【具体实施方式】
[0015]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0016]除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。
[0017]图1是示出基板上黑矩阵显影后形状的示意图。
[0018]如图1所示，待加工的基板包括基底1，例如玻璃基底1，和设置在基底1的一个表面(图1中的上表面)上的黑矩阵2。黑矩阵2首先涂布在玻璃基底1上，经过曝光和显影后形成如图1所示的底切形状。
[0019]图2是示出基板上黑矩阵静止后烘后形状的示意图，也就是，在后烘期间，形成有黑矩阵的基板相对于热源是静止的。
[0020]如图2所示，在基板水平放置在后烘装置中进行静止烘干的过程中，黑矩阵2在重力的作用下以及因受热等其它因素会变形。与图1所示的后烘之前的黑矩阵2相比，如图2所示的后烘后的黑矩阵2的形状变为上小、下大的大致梯形形状。显然，这将加大黑矩阵2对玻璃基底1的覆盖面积，对基板的透光率造成不利影响。
[0021]为了描述上的方便起见，在下文，将黑矩阵2在后烘过程中在重力作用下以及因受热等其它因素而发生变形的现象称为“坍塌现象”。
[0022]图3是示出理想化的基板上黑矩阵后烘后形状的截面图。
[0023]如图3所示，理想化的基板上黑矩阵后烘后的形状是基本上保持如图1所示的曝光、显影后的倒梯形形状，或者如图3所示的更加接近于矩形形状。
[0024]为了实现上述理想化基板上黑矩阵的成型，下面详细介绍根据本发明实施例的用于形成基板上黑矩阵的后烘装置。
[0025]图4是示出根据本发明实施例的用于形成基板上黑矩阵的后烘装置的结构示意图之一。
[0026]如图4所示，根据本发明的一个方面，提供一种用于形成基板上黑矩阵的后烘装置，包括:壳体10，限定内部容置空间；多个加热元件20，设置在所述壳体内部；至少一个托架40，设置在所述内部容置空间中，且构造为承托形成有所述黑矩阵的基板41，其中至少一个托架40与多个加热元件20是可相对旋转的。
[0027]基板41例如为彩膜基板或阵列基板等，其上待形成黑矩阵。
[0028]尽管图4中示出了壳体10为圆柱体，然而壳体10可包括横截面为多边形、正多边形的柱体等而不脱离本发明的范围。另外，如本领域技术人员所知，在后烘装置运行期间，其内部的温度较高，为了减少热量损耗，壳体10的外面可包括保温层或涂有保温材料。壳体10可包括诸如不锈钢的金属材料。虽然附图中没有具体示出，但是如本领域技术人员所知，壳体10两个端面的中心位置可以设有支座以在其中支撑托架40。
[0029]多个加热元件20可以设置在壳体10的内壁上，例如均匀或不均匀地在壳体10的内壁上。加热元件20例如可包括电阻加热器、红外线加热器、介质加热器中的任何一种或其多种的组合，加热元件20的形式可以是加热丝、加热棒或加热片的任何一个或其多个的组合，对应地，加热元件20的形状可以是面状、条状、棒状中的任意一种或多种的组合，但是本发明不限于此，而是可采用本领域技术人员已知的任何类型的加热元件。例如，如果加热元件是长度与壳体的高度相同的棒形，则其可以与壳体的中心轴平行地设置在壳体的内壁上。
[0030]示例性地，加热元件20也可以设置在壳体的端面处，壳体的中心等，本发明的实施例并不对此进行限定，本领域的技术人员可根据实际需要而进行选择。
[0031]示例性地，本发明的实施例中，可以是壳体10进行旋转也可以是托架进行旋转，或者二者都可以进行旋转。
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