032]备选地，对于可旋转的托架，托架的转速也可以进行改变。
[0033]示例性地，根据本发明实施例的后烘装置还可以包括构造为旋转所述托架的驱动装置。例如，该驱动装置可以是电动机，当然也可为其他动力源。根据后烘装置的托架40的转速范围，该电动机可选择为具有相应转速的可调速电动机。另外，尽管图中没有示出，但是在托架和电动机之间可包括变速箱，以便以预定的变速比匹配托架和电动机的转速。在实验的基础上，根据每种基板成型所需的离心力确定托架的转速，并且进而以托架的转速选定可调速电动机的转速。
[0034]图4中，托架40被示出为横截面为多边形的柱体且柱体的中心与壳体的中心重合，基板41设置在柱体的一个侧面上，或者，每个侧面上设置有一个基板41，但柱体的中心也可以不与壳体的中心重合而偏向一侧。例如，托架40横截面可为正三边形、正四边形、正五边形或正六边形。设计人员可根据壳体10的直径或周向尺寸以及需要后烘的基板的尺寸酌情考虑后烘装置每一次处理几个基板，进而确定托架40横截面为正三边形、正四边形、正五边形或正六边形。
[0035]示例性地，托架40还可以为平板状、其中心与壳体的中心平行，其中心也可以与壳体的中心重合或者相对于壳体的中心偏移一距离。
[0036]示例性地，托架40的数量可以为两个或两个以上，可以同时对多个基板进行后烘，每个托架可以为平板形，多个托架可以彼此平行设置或者可以彼此接合设置而构成一个棱柱体，每个托架构成柱状的一个侧面。
[0037]示例性地，如果是壳体10进行旋转，则托架40的两端可以通过连接件固定到壳体的内壁或壳体的端面上，本发明的实施例并不对此进行限定。但是对于可旋转的托架，则托架的固定方式必须不能妨碍其进行旋转，例如，托架可以设置有转轴，由转轴来带动托架进行旋转。
[0038]示例性地，转轴可以与所述托架固定到一起且构造为由驱动装置驱动。例如，当托架为多个时，可以每个托架配置有一个转轴或者多个托架共用一个转轴，当转轴数量为多个时，驱动装置可以同步驱动多个转轴。
[0039]备选地，托架40上可设有卡具(未示出)以便将基板41可拆卸地设置在托架40上。
[0040]在本发明的一个实施例中，后烘装置还可包括:检测装置，构造为检测通过基板的形成有黑矩阵的区域的光的光强度、判断黑矩阵是否变形且输出驱动信号到驱动装置。
[0041]示例性地，检测装置可以包括:光源50，向所述基板的形成有黑矩阵的所述区域发射光；以及光度计60，构造为接收从所述光源发射且通过所述区域的光、检测通过所述区域的光的光强度，例如如图5所示。
[0042]进一步地，该检测装置还可以包括处理单元，构造为根据所述光度计60检测的所述光强度、与预设光强度比较、判断所述黑矩阵是否变形且输出所述驱动信号。所述检测装置还可以包括:存储单元，存储所述预设光强度。处理单元例如可以使用专用或通用计算设备实现，例如中央处理器或DSP等。该存储单元例如各自可用的存储器，例如非易失性存储器或易失性存储器，具体地例如闪存等。
[0043]这里，应该注意的是，预设光强度可以是黑矩阵未变形时，也就是，显影后、后烘前黑矩阵的截面形状或者黑矩阵的截面形状为理想状态(例如，设计值)时的光强度。
[0044]在另一示例中，检测装置可以包括:光源，向所述基板的形成有黑矩阵的所述区域发射光；以及光电传感器，构造为接收从所述光源发射且通过所述区域的光、检测通过所述区域的光的光强度、判断黑矩阵是否变形且输出驱动信号，这里光电传感器内部集成有存储模块、处理模块进行上述操作。
[0045]驱动信号被提供给驱动装置，使得驱动装置可以驱动托架旋转或者根据黑矩阵的变形情况使托架以不同的转速旋转。
[0046]例如，如图5所示，光源50可发射预定波长的光，设置在壳体10内壁上。壳体10在光源50附近的侧壁上可设置检修孔以及透明的观察窗口，或者二者可结合设置。光源50向基板41的形成有黑矩阵的区域发射光。透过基板41上黑矩阵之间的间隙的光，被设定在基板41之后光程上的光度计60或光电传感器接收。于是，检测装置的光度计60或光电传感器可检测所接收光的光强度，进而检测装置可以判断黑矩阵的变形情况，从而发出与其对应的驱动信号。驱动装置接收驱动信号后可相对应地驱动所述托架旋转。
[0047]这里应该注意的是，光源50可以是面光源，或者具有一定辐照面积的点光源，从而能够保证基板41的形成有黑矩阵的具有一定面积的区域被辐照，而不是仅一个点被辐照。
[0048]图6是示出基板显影后、后烘前的透光率的示意图，而图7是示出基板后烘过程中透光率变化的示意图。
[0049]现在参见图6，在后烘处理前，对于不同的基板41，黑矩阵之间的间隔可能不同，其透光率也不同。但是，对于每一种基板41，黑矩阵未变形时，也就是，显影后、后烘前黑矩阵的截面形状或者黑矩阵的截面形状为理想状态(例如，设计值)时黑矩阵区域的透光率是可以事先获得的，预先测得或者通过预先模拟而得到，从而可以获得对应的光强度作为预设光强度存贮在独立的存储单元或者存在光电传感器中。
[0050]现在参见图7，在后烘处理过程中，基板41上的黑矩阵在重力作用下以及因受热等因素可能变形，发生坍塌现象。因此，黑矩阵之间的间隔将变小，相应地透光率下降。于是，光度计60或光电传感器检测到的光强度减小，检测装置可以根据所检测的光强度与事先存储的预设光强度的大小的比较判断基板41上黑矩阵之间间隔的大小而判断黑矩阵的变形程度，从而生成相应的驱动信号，且依此而驱动装置控制托架，例如，转轴的转速。例如，如果检测到光强度相对于预设光强度变小时，说明黑矩阵之间的间隔变小，也就是发生了坍塌现象，于是驱动装置根据驱动信号驱动托架40以增大的转速旋转。由于转速的增加，设置在托架40上的基板41上的黑矩阵所受到的离心力增加，从而可防止其进一步形变。如果检测到的光强度相对于预设光强度变大时，则采用与上述相反的操作，驱动装置根据驱动信号驱动托架40以减小的转速旋转。结果，可有效地提高基板41上黑矩阵在后烘过程中的成型质量。
[0051]另外，光度计60或光电传感器可设置在壳体10的两个端面之一上。
[0052]根据本发明的实施例，后烘装置还可包括设置在基板41与光度计60或光电传感器之间的光学系统70，其构造为将所述光源发射而通过基板41的形成有黑矩阵的区域的光导向光度计或光电传感器。
[0053]该光学系统70可包括反射镜，例如，平面反射镜或凹面反射镜。在此情况下，反射镜可设置在壳体10的两个端面之一且在由光源发射而通过基板的形成有黑矩阵的区域的光的光程上，且将该光反射到光度计60或光电传感器。光学系统70还可包括凸透镜。该凸透镜设置在由光源发射而通过基板的形成有黑矩阵的区域的光的光程上，将光聚焦在光度计60或光电传感器上，减少光的散射，并且相应地提高检测精度。光学系统70还可包括凸透镜和平面反射镜的组合。在此情况下，凸透镜可将由光源发射而通过基板的形成有黑矩阵的区域的光聚焦在平面反射镜上，并且平面反射镜将光反射到光度计60或光电传感器。光学系统70还可包括凸透镜和凹面反射镜的组合。在此情况下，凸透镜可将由