[0045]对于使用氮氧化物、硅氧化物、氮硅化物制成的绝缘层6而言，对其进行构图工艺至少包括以下流程:
[0046]首先，在绝缘层6之上，通过涂覆等方式形成光刻胶层7。光刻胶又称光致抗蚀剂，是由感光树脂、增感剂(见光谱增感染料)和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
[0047]由于光刻胶是一种混合液体，因此在涂覆上光刻胶之后，首先需要对光刻胶进行预烘烤、固化处理，以将液体的光刻胶转变为固体，形成本发明实施例所需的光刻胶层7。
[0048]之后，如图4所示，利用光罩1，对光刻胶层7进行曝光。曝光过程可采用波长200nm至450nm的紫外光，曝光时长视光刻胶的类型及厚度而定，控制在20秒至180秒不等。
[0049]第一次对光刻胶进行曝光时，应当充分曝光光罩I的第一部分11对应的光刻胶层7。之后，对曝光之后的光刻胶层7进行显影。由于光罩I的第一部分11对应的光刻胶层7受到充分曝光，因此显影之后，光罩I的第一部分11对应的光刻胶层7被完全去除；光罩I的第二部分12的第二透光率小于第一部分11的第一透光率，因此第二部分12对应的光刻胶层7的表层部分被曝光，经过显影，第二部分12对应的光刻胶层7被部分去除；而第三部分13的第三透光率最小，甚至为O左右(接近完全不透光)，因此第三部分13对应的光刻胶层7几乎没有受到光照，显影之后，第三部分13对应的光刻胶层7基本上完全保留。
[0050]显影之后，对应光罩I的第一部分11的光刻胶层7被完全去除，这一部分光刻胶层7对应的绝缘层6暴露在外。因此，可利用对应的刻蚀液，对绝缘层6进行首次刻蚀，形成平坦层3，如图5所示。
[0051]之后，对光刻胶层7进行再次曝光并显影。由于第一次曝光中，光罩I的图形已经完全转移到光刻胶层7上，因此再次曝光无需使用光罩1，而是直接用紫外光整体照射彩膜基板。再次曝光之后，光罩I的第二部分12对应的光刻胶层7受到完全曝光，而第三部分13对应的光刻胶层7由于厚度较大，仅表层部分受到曝光。因此，显影之后，光罩I的第二部分12对应的光刻胶层7被完全去除，第三部分13对应的光刻胶层7被部分去除。
[0052]由于再次曝光并显影之后，光罩I的第二部分12对应的光刻胶层7被完全去除，第二部分12对应的绝缘层6被暴露在外。此时，可对绝缘层6进行第二次刻蚀，形成高度小于主隔垫物5的辅隔垫物4，如图6所示。
[0053]需要说明的是，由于在形成辅隔垫物4时，平坦层3部分也暴露在外、受到刻蚀液的刻蚀，因此，此时平坦层3的厚度会进一步减少。所以，对绝缘层6进行首次刻蚀形成平坦层3时，可将平坦层3的厚度多保留一些，待形成辅隔垫物4时，将多保留的平坦层3 —并去除。
[0054]最后，只要完全去除第三部分13对应的光刻胶层7，即可形成高度最大的主隔垫物5，如图2所示。
[0055]形成了主隔垫物5之后，若平坦层3的厚度、辅隔垫物4的高度和主隔垫物5的高度大于设计要求，可将彩膜基板整体进行刻蚀，适当减少平坦层3的厚度、辅隔垫物4的高度和主隔垫物5的高度。
[0056]而对于利用光刻胶形成的绝缘层6而言，利用绝缘层6形成平坦层3、辅隔垫物4和主隔垫物5的构图工艺较为简单。仅需要利用光罩1，控制紫外光的照射时长，对绝缘层6进行一次曝光，使得光罩I的第一部分11对应的绝缘层6曝光的程度、第二部分12对应的绝缘层6曝光的程度、第三部分13对应的绝缘层6曝光的程度依次减少。之后，对绝缘层6进行显影后，即可依照各部分对应的绝缘层6曝光的程度的多少，同时形成平坦层3、辅隔垫物4和主隔垫物5。
[0057]最后形成的彩膜基板中，平坦层3的厚度可为I至5 μ m，主隔垫物5的高度可为I至4 μ m，辅隔垫物4的高度小于主隔垫物5的高度。
[0058]虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
【主权项】
1.一种光罩，其特征在于，包括: 第一透光率的第一部分、第二透光率的第二部分和第三透光率的第三部分，所述第一部分对应彩膜基板的平坦层，所述第二部分对应所述彩膜基板的辅隔垫物，所述第三部分对应所述彩膜基板的主隔垫物。2.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述第一透光率大于所述第二透光率，所述第二透光率大于所述第三透光率。3.一种彩膜基板的制备方法，其特征在于，包括: 形成绝缘层； 利用光罩，对所述绝缘层进行构图工艺，形成平坦层、辅隔垫物和主隔垫物，其中，所述光罩包括第一透光率的第一部分、第二透光率的第二部分和第三透光率的第三部分，所述第一部分对应所述彩膜基板的平坦层，所述第二部分对应所述彩膜基板的辅隔垫物，所述第三部分对应所述彩膜基板的主隔垫物。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于， 所述第一透光率大于所述第二透光率，所述第二透光率大于所述第三透光率。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于， 所述平坦层的厚度为I至5 μm，所述主隔垫物的高度为I至4 μπι。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于， 所述辅隔垫物的高度小于所述主隔垫物的高度。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于， 所述绝缘层的材质为氮氧化物、硅氧化物、氮硅化物中的一种或多种。8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于， 所述绝缘层的材质为光刻胶。9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，利用光罩，对所述绝缘层进行构图工艺，形成平坦层、辅隔垫物和主隔垫物包括: 在所述绝缘层之上形成光刻胶层； 利用所述光罩，对所述光刻胶层进行曝光； 对曝光之后的光刻胶层进行显影，所述光罩的第一部分对应的光刻胶层被完全去除，第二部分对应的光刻胶层被部分去除，第三部分对应的光刻胶层完全保留； 对绝缘层进行首次刻蚀，形成平坦层； 对光刻胶层进行再次曝光并显影，所述光罩的第二部分对应的光刻胶层被完全去除，第三部分对应的光刻胶层被部分去除； 对绝缘层进行第二次刻蚀，形成辅隔垫物； 完全去除第三部分对应的光刻胶层，形成主隔垫物。10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，利用光罩，对所述绝缘层进行构图工艺，形成平坦层、辅隔垫物和主隔垫物包括: 利用光罩，对所述绝缘层进行一次曝光，对所述绝缘层进行显影后，同时形成平坦层、辅隔垫物和主隔垫物。
【专利摘要】本发明公开了一种光罩及彩膜基板的制备方法，属于显示技术领域，可简化彩膜基板的制备过程，提高彩膜基板的生产效率。该光罩包括：第一透光率的第一部分、第二透光率的第二部分和第三透光率的第三部分，所述第一部分对应彩膜基板的平坦层，所述第二部分对应所述彩膜基板的辅隔垫物，所述第三部分对应所述彩膜基板的主隔垫物。本发明可用于液晶电视、液晶显示器、手机、平板电脑等显示装置。
【IPC分类】G02F1/1335, G03F1/54, G02F1/1339
【公开号】CN104932138
【申请号】CN201510393712
【发明人】赵闯
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2015年7月7日