一种液晶显示面板及其制造方法
【专利说明】
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示器制造领域，特别是涉及一种液晶显示面板及其制造方法。【【背景技术】】
[0002]目前，由于采用低温多晶娃(Low Temperature Poly-Silicon, LTPS)薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)制造的显示面板具有分辨率高、反应速度快、高亮度、高开口率等优点，LTPS-TFT显示面板的应用越来越广泛。
[0003]如图1所示，现有的TFT阵列基板10包括透明衬底101、遮光层102、第一绝缘层103、介质层104、多晶硅层105、第二绝缘层106、栅极107、介电层108、第三绝缘层109以及源极IlOa和漏极110b。因多晶硅(p-Si)迀移率(30-300cm2/VS)较高，若其受到光照则容易导致漏电流变大，影响显示面板的显示效果。
[0004]为解决上述问题，一般通过在透明衬底101和第一绝缘层103之间设置遮光层102 (Line Shied Layer，LS)来防止背光对TFT沟道处p_Si的影响。但是，由于铺垫在遮光层102上的第一绝缘层103不可避免的存在边坡β，往往导致该坡度位置处对应的非晶硅(a-Si)经ELA(激发态激光退火)处理形成多晶硅(p-Si)时因不平而产生晶化不均匀的现象，具体如图2所示。
【
【发明内容】
】
[0005]本发明的目的在于提供一种液晶显示面板及其制造方法，以解决现有TFT阵列基板中遮光层的设置容易导致多晶硅晶化不均匀的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本发明提供了一种液晶显示面板，其包括:
[0007]显示子面板和透光板，所述显示子面板包括彩膜基板、阵列基板以及设置在所述彩膜基板和阵列基板之间的液晶层，所述透光板贴合固定在所述显示子面板靠近阵列基板侧的外表面上；
[0008]所述阵列基板包括透明衬底、形成于所述透明衬底上的第一绝缘层、形成于所述第一绝缘层上的介质层、以及形成于所述介质层上的多晶硅层；
[0009]所述透光板上形成有至少一个遮光图案，每一遮光图案在所述透明衬底上的正投影覆盖所述多晶硅层在所述透明衬底上的正投影。
[0010]进一步地，所述透光板和显示子面板之间通过胶框或静电吸附的方式进行贴合固定。
[0011]进一步地，所述显示子面板的贴合面及透光板的贴合面上分别形成有用于预定位的第一对位标记和第二对位标记，所述第一对位标记和第二对位标记彼此对准贴合。
[0012]进一步地，所述第一对位标记和第二对位标记中的一个为“十”字形或叉形，另一个的对称轴在所述透光板上的正投影与所述“十”字形或叉形的对位标记在所述透光板上的正投影重叠。
[0013]进一步地，所述阵列基板还包括第二绝缘层、介电层、第三绝缘层以及至少一个薄膜晶体管，每一薄膜晶体管包括源极、漏极和栅极，
[0014]所述源极和漏极分别位于所述多晶硅层的两侧，所述第二绝缘层位于所述多晶硅层上方，所述栅极位于所述第二绝缘层上方，所述介电层位于所述栅极上方，所述第三绝缘层位于所述介电层上方，所述源极和漏极分别贯穿所述第三绝缘层及介电层与所述多晶硅层连接。
[0015]同样为了解决上述的技术问题，本发明还提供了一种制造上述液晶显示面板的方法，其包括以下步骤:
[0016]A、制作阵列基板和彩膜基板，并将制作好的所述阵列基板与彩膜基板组装成显示子面板；
[0017]B、提供一透光板，在所述透光板上形成至少一个遮光图案，使每一遮光图案在对应的所述透明衬底上的正投影覆盖所述多晶硅层在所述透明衬底上的正投影；
[0018]C、将所述显示子面板靠近阵列基板侧的贴合面和透光板的贴合面对齐贴合并固定。
[0019]进一步地，所述步骤B中的遮光图案是采用黄光制程的方式形成的。
[0020]进一步地，所述步骤A中还包括:在所述显示子面板的贴合面上形成用于预定位的第一对位标记；
[0021]所述步骤B中还包括:在所述透光板的贴合面上形成用于预定位的第二对位标记；
[0022]所述步骤C中所述显示子面板和透光板的对齐贴合是通过将所述第一对位标记和第二对位标记对准贴合来实现的。
[0023]进一步地，所述步骤A和B中第一对位标记和第二对位标记中的一个为“十”字形或叉形，另一个的对称轴与所述“十”字形或叉形的对位标记一致；
[0024]在所述步骤C中，将所述“十”字形或叉形的对位标记在所述透光板上的正投影与所述另一对位标记的对称轴在所述透光板上的正投影重叠，以便使所述第一对位标记和第二对位标记对准。
[0025]进一步地，所述步骤C中，将所述显示子面板和透光板对齐贴合之前，还包括:在所述透光板的贴合面上涂覆用于粘合固定的胶框。
[0026]本发明的有益效果:本发明提供了一种液晶显示面板及其制造方法，该液晶显示面板通过将形成有遮光图案的透光板贴合固定在显示子面板靠近阵列基板侧的外表面上，并使该遮光图案在阵列基板的透明衬底上的正投影覆盖多晶硅层在透明衬底上的正投影，不仅能防止因光照产生的漏电流变大现象，且不影响多晶硅的晶化过程，同时采用的制造方法简单，制作工艺灵活，易于操作。
【【附图说明】】
[0027]图1为现有技术中TFT阵列基板的截面示意图；
[0028]图2为现有技术中TFT阵列基板的ELA退火示意图；
[0029]图3为本发明实施例提供的透光板的结构示意图；
[0030]图4为本发明实施例提供的显示子面板贴合面侧的结构示意图；
[0031]图5为本发明实施例提供的液晶显不面板的结构不意图；
[0032]图6为本发明实施例提供的液晶显示面板的的截面示意图。
【【具体实施方式】】
[0033]为使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0034]本发明所提到的“外”是指远离液晶层的方向，“内”是指靠近液晶层的方向。
[0035]请参阅图3、图4和图6，本发明具体描述了一种液晶显不面板，其于一较佳实施方式中包括显示子面板I和透光板2，显示子面板I包括彩膜基板(图中未示出)、阵列基板以及设置在彩膜基板和阵列基板之间的液晶层(图中未示出)，透光板2贴合固定在显示子面板I靠近阵列基板侧的外表面上。
[0036]该阵列基板包括透明衬底111、形成于透明衬底111上的第一绝缘层112、形成于第一绝缘层112上的介质层113、以及形成于介质层113上的多晶硅层114。
[0037]透光板2上形成有至少一个遮光图案21，每一遮光图案21在透明衬底111上的正投影覆盖多晶硅层114在透明衬底111上的正投影。
[0038]本实施例中，该阵列基板还包括第二绝缘层116、介电层118、第三绝缘层119以及至少一个薄膜晶体管115，每一薄膜晶体管115包括源极115A、漏极115B和栅极115C，源极115A和漏极115B分别位于多晶硅层114的两侧，第二绝缘层116位于多晶硅层114上方，栅极115C位于第二绝缘层116上方，介电层118位于栅极115C上方，第三绝缘层119位于介电层118上方，源极115A和漏极115B分别贯穿第三绝缘层119及介电层118与多晶硅层114连接。
[0039]进一步地，该阵列基板还包括至少一个数据线、扫描线和像素电极(图中未示出)，数据线与源极115A连通，用于将数据信号传输给对应的薄膜晶体管115的源极115A。扫描线与栅极115C连通，用于将扫描信号传输给对应的薄