具有可配置的多电极式像素的光调变底板的制作方法_5

文档序号:9374198阅读:来源:国知局
)(2*Y+1)_XY、以及DECC_(2*X+1) (2*Y)_XY均被设置成现用状态(即,导电的),进而使像素控制电路 PCC_X_Y 能够控制点电极 DE_ (2*X+1) _ (2*Y+1)、DE_ (2*X) _ (2*Y+1)、DE_ (2*X+1) _(2*Y)、以及 DE_(2*X)_(2*Y) o
[0052]在本发明的大部分实施例中,每一像素控制电路为--位元存储器单元(memory
cell)。利用各种脉宽调变技术迅速改变存储器单元的值,以在可配置的多电极式像素中产生不同的对比度。大部分传统的存储器单元皆可用于像素控制电路。图7为在本发明某些实施例中所使用的一存储器单元700的电路图。存储器单元700包含一晶体管710、一晶体管720、一反相器730、以及一反相器740。反相器730与740被交叉耦接(即,反相器730的输入端子耦接至反相器740的输出端子,且反相器740的输入端子耦接至反相器730的输出端子)以储存一位元值。反相器730的输出端子为存储器单元700提供输出端子OUT。输出端子OUT将被耦接至点电极及点电极连接电路。晶体管710及720用于改变由反相器730及740所储存的值。具体而言,互补输入信号BIT及! BIT分别施加至晶体管720及710的一输入端子。晶体管710的输出端子親接至反相器730的输入端子,且晶体管720的输出端子耦接至反相器740的输入端子。晶体管710及720的栅极端子耦接至一写入控制信号WRITE。当写入控制信号WRITE处于一现用状态(例如,逻辑I)时,反相器730及740所储存的位元会被晶体管710及720覆写。当写入控制信号WRITE处于非现用状态时,则反相器730及740不会受到干扰并储存当前位元值。在本发明的大多数实施例中,像素控制电路被形成为一存储器阵列。在这些实施例中,写入控制电路WRITE经常被称作列选择线(row select line),且互补输入BIT及! BIT将延伸至多行存储器单元。
[0053]点电极连接电路为简单的开关,其可被置入一导电的现用状态或一不导电的非现用状态(即,不导电的)。可将任何可被配置成导电或不导电的电路用作点电极连接电路。图8为在本发明某些实施例中所使用的一点电极连接电路800的电路图。点电极连接电路800为由并联地親接于一第一输入/输出端子1l与一第二输入/输出端子102之间的一NMOS晶体管810及一 PMOS晶体管820构成的一传统CMOS传输栅极。一第一控制端子C耦接至NMOS晶体管810的栅极端子,且一第二控制端子! C耦接至PMOS晶体管820的栅极端子。当控制信号C处于逻辑高且控制信号! C处于逻辑低时,点电极连接电路800处于现用状态并变得在输入输出端子101与输入/输出端子102之间导电。相反地,当控制信号C处于逻辑低且控制信号! C处于逻辑高时,点电极连接电路800处于非现用状态并在输入输出端子101与输入/输出端子102之间变得不导电。
[0054]—般而言,交错式显示器(interlace display)不会提供与具有相同解析度的渐进式显示器(progressive display)相同的图片品质。举例而言,一高清晰度显示器具有一 1920 X 1080的解析度。一利用五点形交错的显示器将仅需要一 960X540的解析度来显示高清晰度的影像。然而,在五点形交错显示器上图片品质将会降低。因此,本发明的某些实施例利用一种新颖的过抽样(oversampling)技术来实现等效的图片品质。具体而言,在本发明的某些实施例中,一五点形交错显示器将具有一高于960 X 540但低于1920 X 1080的解析度。HD影像将被升级成更高的等效五点形交错解析度并接着被显示。举例而言,利用五点形交错的本发明一特定实施例具有等效于一 2560X 1440解析度的一 1280X720解析度。因此,1920X1080的影像在显示于利用五点形交错的显示器上之前被首先升级至2560X1440。更高解析度的五点形交错显示器的影像品质补偿了交错技术,进而将图片品质提升至与1920X1080显示器相同的位准。
[0055]在本发明的各个实施例中,已阐述新颖的结构及方法来制造一高解析度光调变底板。以上所述的本发明结构及方法的各个实施例仅是用于例示本发明的原理,而并非旨在将本发明的范围限制于所述的特定实施例。举例而言,根据本揭露内容,熟习此项技术者可定义其他像素控制电路、点电极、点电极连接电路、可配置的多电极式像素、光调变单元等,并使用这些替代特征来根据本发明的原理提出一种方法或系统。因此,本发明仅受随附权利要求书限制。
【主权项】
1.一种光调变底板的像素,其特征在于,包含: 一像素控制电路; 一第一点电极; 一第一点电极连接电路,耦接至该像素控制电路及该第一点电极; 一第二点电极; 一第二点电极连接电路,耦接至该像素控制电路及该第二点电极。2.如权利要求1所述的像素,其特征在于,更包含一专用点电极,耦接至该像素控制电路。3.如权利要求2所述的像素,其特征在于,该第一点电极连接电路经由该专用点电极耦接至该像素控制电路。4.如权利要求3所述的像素,其特征在于,该第二点电极连接电路经由该专用点电极耦接至该像素控制电路。5.如权利要求2所述的像素,其特征在于,该像素被配置成使该第一点电极连接电路在一第一域中处于一现用状态且在一第二域中处于一非现用状态。6.如权利要求5所述的像素,其特征在于,该像素被配置成使该第二点电极连接电路在该第一域中处于该非现用状态且在该第二域中处于该现用状态。7.如权利要求2所述的像素,其特征在于,更包含: 一第三点电极; 一第三点电极连接电路,耦接至该像素控制电路及该第三点电极; 一第四点电极;以及 一第四点电极连接电路,耦接至该像素控制电路及该第四点电极。8.如权利要求7所述的像素,其特征在于,该专用点电极位于该第一点电极与该第二点电极之间,且其中该专用点电极位于该第三点电极与该第四点电极之间。9.如权利要求8所述的像素,其特征在于,该像素被配置成: 该第一点电极连接电路在一第一域中处于一现用状态且在一第二域中处于一非现用状态; 该第二点电极连接电路在该第一域中处于该非现用状态且在该第二域中处于该现用状态; 该第三点电极连接电路在该第一域中处于该现用状态且在该第二域中处于该非现用状态;以及 该第四点电极连接电路在该第一域中处于该非现用状态且在该第二域中处于该现用状态。10.如权利要求8所述的像素,其特征在于,该第三点电极连接电路经由该第一点电极耦接至该像素控制电路。11.如权利要求7所述的像素,其特征在于,更包含: 一第五点电极; 一第五点电极连接电路,耦接至该像素控制电路及该第五点电极; 一第六点电极; 一第六点电极连接电路,耦接至该像素控制电路及该第六点电极。12.如权利要求11所述的像素,其特征在于,该专用点电极位于该第一点电极与该第二点电极之间,且其中该专用点电极位于该第三点电极与该第四点电极之间,且其中该专用点电极位于该第五点电极与该第六点电极之间。13.如权利要求12所述的像素,其特征在于,该第一点电极、该第三点电极、该第五点电极及该专用点电极形成一第一矩形。14.如权利要求13所述的像素,其特征在于,该第一矩形为一正方形。15.如权利要求13所述的像素,其特征在于,该第二点电极、该第四点电极、该第六点电极、及该专用点电极形成一第二矩形。16.如权利要求12所述的像素,其特征在于,该像素被配置成: 该第一点电极连接电路在一第一域中处于一现用状态且在一第二域中处于一非现用状态; 该第二点电极连接电路在该第一域中处于该非现用状态且在该第二域中处于该现用状态; 该第三点电极连接电路在该第一域中处于该现用状态且在该第二域中处于该非现用状态;以及 该第四点电极连接电路在该第一域中处于该非现用状态且在该第二域中处于该现用状态;以及 该第五点电极连接电路在该第一域中处于该现用状态且在该第二域中处于该非现用状态; 该第六点电极连接电路在该第一域中处于该非现用状态且在该第二域中处于该现用状态。17.如权利要求12所述的像素,其特征在于,更包含: 一第七点电极; 一第七点电极连接电路,耦接至该像素控制电路及该第七点电极; 一第八点电极; 一第八点电极连接电路,耦接至该像素控制电路及该第八点电极; 其中该专用点电极位于该第七点电极与该第八点电极之间。18.如权利要求17所述的像素,其特征在于, 该第一点电极、该第三点电极、该第五点电极及该专用点电极形成一第一矩形; 该第二点电极、该第四点电极、该第六点电极、及该专用点电极形成一第二矩形; 该第二点电极、该第三点电极、该第八点电极、及该专用点电极形成一第三矩形;以及 该第一点电极、该第四点电极、该第七点电极、及该专用点电极形成一第四矩形。19.如权利要求1所述的像素,其特征在于,该第一点电极及该第二点电极形成于一第一平面中,且该第一点电极连接电路、该第二点电极连接电路及该像素控制电路形成于该第一平面之下。20.如权利要求1所述的像素,其特征在于,该第一点电极及该第二点电极是使用一反射性材料形成。21.如权利要求1所述的像素,其特征在于,该像素控制电路为一存储器单元。
【专利摘要】揭露一种具有可配置的多电极式像素的光调变底板。该可配置的多电极式像素包含位于一第一域中的一第一组点电极以及位于一第二域中的一第二组点电极。概言之,点电极是包含于该第一组点电极及该第二组点电极两者中。举例而言,一像素控制电路耦接至一专用点电极。一第一点电极经由一第一点电极连接电路耦接至该像素控制电路,且一第二点电极经由一第二点电极连接电路耦接至该像素控制电路。在该第一域中,该第一点电极连接电路为现用的,而该第二点电极连接电路为非现用的。在该第二域中,该第一点电极连接电路为非现用的,而该第二点电极连接电路为现用的。
【IPC分类】G02F1/1343
【公开号】CN105093714
【申请号】CN201410625351
【发明人】安德鲁·伊恩·鲁塞尔, 克雷格·迈克尔·沃勒, 埃里克·保罗·艾森布兰特
【申请人】晶典有限公司, 张家口晶典科技有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2014年11月7日
【公告号】US20150323851
当前第5页1 2 3 4 5 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1