曝光方法和曝光装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及曝光方法和曝光装置。
【背景技术】
[0002]以往，作为曝光装置，已知的曝光装置包括:基座，被曝光的基板被配置在该基座的上方；及曝光用光源，其将光隔着掩模照射到基板。在这样的曝光装置中，在掩模上形成有预定的图案。并且，通过将光隔着该掩模照射到基板，从而将图案转印到基板。
[0003]此处，基板并非一定是平坦的，尤其是在作业工序已经进展的基板，发生变形的情况多。在这样基板不平坦的情况下，不能使基板适当地吸附于基座(例如工件夹具)，曝光精度有可能恶化。
[0004]因此，如图15所示，在专利文献I的基板曝光装置中，首先，利用在下表面202粘附固定有掩模膜100M的上框200来按压膜状的基板100W。由此，消除基板100W的翘曲、折皱，在下框100的上表面102上使基板100W平坦。然后，通过用真空吸附装置120进行抽真空，从而将基板100W吸附固定于下框100的上表面102。
[0005]另外，如图16所示，专利文献2的曝光装置具有:基板支承台312，其支承基板311 ;及中空的密封部件313，其以将基板311的周围围绕的方式延伸。在密封部件313上载置光掩模306。将压力供给到由基板支承台312和基板311和密封部件313和光掩模306包围的第I空间327、及密封部件313的中空内部即第2空间328。并且，通过适当设定该压力的值，从而实现使光掩模306遍及基板311的表面整体均匀地紧贴。另外，在基板支承台312上形成有多个吸引孔325，通过对吸引孔325施加负压，从而吸附并保持基板311。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1:日本特开2001 - 209192号公报
[0009]专利文献2:日本特开2004 - 54255号公报
【发明内容】
[0010]本发明欲解决的技术问题
[0011]但是，在专利文献I及2的发明中，由于需要使基板与掩模接触，因此，有可能在基板及掩模的接触面发生损伤。
[0012]另外，不只是基板，也可能存在掩模不平坦的情况，在这样的情况下，需要在使基板的形状与掩模的形状对应之后进行曝光。但是，专利文献I及2仅记载了使基板平坦，而难以对应这样的事态。
[0013]本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供能够抑制在基板及掩模上发生损伤、并且使基板具有期望的曲率的曝光方法和曝光装置。此外，所说的使“基板具有期望的曲率”也包含使基板曲率为零而使基板平坦的情况。
[0014]用于解决问题的技术方案
[0015]本发明的上述目的由下述的构成达成。
[0016](I) 一种曝光方法，
[0017]具有被曝光的基板配置于上方的基座，
[0018]所述曝光方法包括:将来自曝光用光源的光隔着掩模照射到所述基板来进行曝光的工序，
[0019]所述曝光方法的特征在于，
[0020]在所述基座的上表面设置有多个凹槽，
[0021]在所述凹槽的内部配置有波纹管，所述波纹管在上下方向伸缩自由，且所述波纹管的上端比所述基座的上表面向上方突出，
[0022]在所述凹槽的内部，在所述波纹管的内部或外部设置有具有支承面的支承部件，所述支承面与所述基座的上表面位于同一面上、或位于比该上表面靠上方的位置，
[0023]所述曝光方法包括以下工序:
[0024]将所述基板载置到多个所述波纹管上的工序；及
[0025]通过将所述波纹管的内部抽真空，从而使所述波纹管的上端吸附于所述基板的下表面并且收缩，通过将所述基板按压于所述支承部件的支承面，从而使所述基板具有与多个所述支承面的位置关系对应的曲率的工序。
[0026](2)如(I)所述的曝光方法，其特征在于，
[0027]多个所述支承部件的支承面与所述基座的上表面位于同一面上，
[0028]所述曝光方法包括以下工序:
[0029]将所述基板载置到多个所述波纹管上的工序；及
[0030]通过将所述波纹管的内部抽真空，从而使所述波纹管的上端吸附于所述基板的下表面并且收缩，通过将所述基板按压于所述支承部件的支承面，从而将所述基板以平面状固定的工序。
[0031](3)如(2)所述的曝光方法，其特征在于，
[0032]所述基座是在所述上表面形成有能够抽真空的多个真空槽的工件夹具，
[0033]所述曝光方法包括:通过将多个所述真空槽抽真空，从而将所述基板的下表面吸附固定于所述工件夹具的上表面的工序。
[0034](4)如(3)所述的曝光方法，其特征在于，
[0035]多个所述真空槽的合计面积比所述工件夹具的上表面的面积大。
[0036](5)如(3)或⑷所述的曝光方法，其特征在于，
[0037]在所述真空槽的底部形成有具有与所述真空槽的深度大致相同的高度的多个突起。
[0038](6)如(I)所述的曝光方法，其特征在于，
[0039]多个所述支承部件分别能够在保持所述波纹管的同时在上下方向升降，
[0040]所述曝光方法包括以下工序:
[0041]通过使多个所述支承部件上升，从而使该支承部件的支承面在比所述基座的上表面靠上方处互相位于同一平面上的工序；
[0042]将所述基板载置到多个所述波纹管上的工序；
[0043]通过将所述波纹管的内部抽真空，从而使所述波纹管的上端吸附于所述基板的下表面并且收缩，通过将所述基板按压于所述支承部件的支承面，从而使所述基板为平面状的工序；及
[0044]使所述支承部件下降，而使所述基板的下表面与所述基座的上表面紧贴的工序。
[0045](7)如(6)所述的曝光方法，其特征在于，
[0046]所述基座是在所述上表面形成有能够抽真空的多个真空槽的工件夹具，
[0047]所述曝光方法包括:通过将多个所述真空槽抽真空，从而将所述基板的下表面吸附固定于所述工件夹具的上表面的工序。
[0048](8)如(7)所述的曝光方法，其特征在于，
[0049]多个所述真空槽的合计面积比所述工件夹具的上表面的面积大。
[0050](9)如(7)或⑶所述的曝光方法，其特征在于，
[0051]在所述真空槽的底部形成有具有与所述真空槽的深度大致相同的高度的多个突起。
[0052](10)如(I)所述的曝光方法，其特征在于，
[0053]多个所述支承部件分别能够在保持所述波纹管的同时在上下方向升降，
[0054]所述曝光方法包括以下工序:
[0055]通过使多个所述支承部件上升，从而使该支承部件的支承面在比所述基座的上表面靠上方处互相位于同一平面上的工序；
[0056]将所述基板载置到多个所述波纹管上的工序；及
[0057]通过将所述波纹管的内部抽真空，从而使所述波纹管的上端吸附于所述基板的下表面并且收缩，通过将所述基板按压于所述支承部件的支承面，从而使所述基板为平面状的工序。
[0058](11)如(10)所述的曝光方法，其特征在于，
[0059]具有对从所述基座的上表面到所述基板的下表面的距离进行测量的传感器，
[0060]所述曝光方法包括:基于由所述传感器得到的所述基板的位置信息，使多个所述支承部件升降，使所述基板为平面状的工序。
[0061](12)如(I)所述的曝光方法，其特征在于，
[0062]多个所述支承部件分别能够在保持所述波纹管的同时在上下方向升降，
[0063]所述曝光方法包括以下工序:
[0064]通过使多个所述支承部件上升，从而使该支承部件的支承面在比所述基座的上表面靠上方处位于使得各自的所述支承面与所述掩模的下表面的上下方向距离大致相同的位置的工序；
[0065]将所述基板载置到多个所述波纹管上的工序；及
[0066]通过将所述波纹管的内部抽真空，从而使所述波纹管的上端吸附于所述基板的下表面并且收缩，通过将所述基板按压于所述支承部件的支承面，从而使所述基板具有与多个所述支承面的位置关系对应的曲率，使所述基板的上表面与所述掩模的下表面的上下方向距离均匀的工序。
[0067](13)如(I)所述的曝光方法，其特征在于，
[0068]多个所述支承部件分别能够在保持所述波纹管的同时在上下方向升降，
[0069]所述曝光方法包括以下工序:
[0070]通过使多个所述支承部件上升，从而使该支承部件的支承面在比所述基座的上表面靠上方处互相位于同一平面上的工序；
[0071]使多个所述支承部件之中的至少一个上升或下降的工序；
[0072]将所述基板载置到多个所述波纹管上的工序；及
[0073]通过将所述波纹管的内部抽真空，从而使所述波纹管的上端吸附于所述基板的下表面并且收缩，通过将所述基板按压于所述支承部件的支承面，从而在与具有局部变形的所述基板相对应的位置改变所述支承面的高度，由此使所述基板具有期望的曲率，使所述基板局部翘曲的工序。
[0074](14) 一种曝光装置，其包括:
[0075]基座，被曝光的基板配置于上方；及
[0076]曝光用光源，其隔着掩模将光照射到所述基板，
[0077]所述曝光装置的特征在于，
[0078]在所述基座的上表面设置有多个凹槽，
[0079]在所述凹槽的内部配置有波纹管，所述波纹管在上下方向伸缩自由，所述波纹管的上端比所述基座的上表面向上方突