片的剩余部分分开。14.根据权利要求13所述的方法，其中施加所述光刻工艺包括蚀刻所述切单开口，以便留下延伸跨过位于所述器件和所述晶片的所述剩余部分之间的所述切单开口的接片，并且其中将所述器件分开包括使所述接片断裂。15.一种用于加工器件的方法，包括: 提供半导体材料的第一晶片和第二晶片，所述第一晶片和所述第二晶片均具有相应的第一侧和第二侧，所述第一晶片具有穿过其所述第一侧打开的多个腔； 在所述第一晶片和所述第二晶片中的至少一者的所述第一侧形成电介质层； 通过沿所述电介质层将所述第一晶片的所述第一侧键合至所述第二晶片的所述第一侧而将所述第一晶片和所述第二晶片接合在一起； 当所述第一晶片和所述第二晶片被接合在一起时，处理所述第二晶片以形成所述器件的特征部；以及 在处理所述第二晶片之后，通过将蚀刻剂穿过所述腔施加至所述电介质层来从所述第二晶片移除所述第一晶片和所述电介质层。16.根据权利要求15所述的方法，其中处理所述第二晶片包括减薄所述第二晶片。17.根据权利要求15或16所述的方法，其中处理所述第二晶片包括蚀刻所述器件的所述特征部的图案至所述第二晶片中。18.根据权利要求15-17中任一项所述的方法，并且包括在移除所述第一晶片之后，通过将所述第一晶片接合至一个或多个另外的晶片来重新使用所述第一晶片以用于处理所述另外的晶片。19.根据权利要求15-18中任一项所述的方法，其中所述第一晶片中的所述腔限定所述第一晶片的所述第一侧的所述腔之间的第一突起和第二突起，所述突起具有不同的相应第一尺寸和第二尺寸，并且 其中所述第一尺寸和所述第二尺寸被选择为使得施加所述蚀刻剂从所述第一突起移除所述电介质层，而所述第二突起保持键合至所述第二晶片。20.根据权利要求19所述的方法，其中处理所述第二晶片包括在所述第二晶片的与所述第一突起接触的区域中形成所述器件的所述特征部，以及围绕所述区域穿过所述第二晶片蚀刻切单开口，并且 其中所述方法包括沿所述切单开口将所述器件与所述晶片的剩余部分分开，而所述晶片的所述剩余部分保持键合至所述第二突起。21.根据权利要求20所述的方法，其中蚀刻所述切单开口包括在所述蚀刻之后留下延伸跨过位于所述器件和所述晶片的所述剩余部分之间的所述切单开口的接片，并且其中将所述器件分开包括使所述接片断裂。22.根据权利要求15-21中任一项所述的方法，其中提供所述第一晶片包括从所述第一晶片的所述第一侧图案化并蚀刻所述腔至所述第一晶片中。23.根据权利要求15-22中任一项所述的方法，其中所述半导体材料包括硅，并且所述电介质材料包括二氧化硅，并且其中所述蚀刻剂包括氢氟酸。24.根据权利要求15-23中任一项所述的方法，并且包括在蚀刻所述图案之后但在移除所述第一晶片和所述电介质层之前，将所述第二晶片的所述第二侧安装在支撑结构上，由此在移除所述第一晶片和所述电介质层之后，所述第二晶片由所述支撑结构支撑。25.根据权利要求24所述的方法，并且包括在将所述第二晶片的所述第二侧安装在所述支撑结构上之后，围绕所述特征部蚀穿所述第二晶片，以便将所述器件从所述支撑结构释放。26.根据权利要求15-25中任一项所述的方法，并且包括在移除所述第一晶片和所述电介质层之后，在所述第二晶片的所述第一侧沉积反射层，由此所述器件被配置为用作扫描镜。27.一种用于加工器件的方法，包括:使用粘合剂将半导体材料的具有第一侧和第二侧的晶片的第一侧键合至支撑衬底；以及 当所述晶片被键合至所述支撑衬底时，围绕所述器件的区域穿过所述晶片蚀刻释放开口至所述支撑衬底； 其中在蚀刻所述释放开口之后，所述粘合剂能够解键合以便释放所述器件的运动部件。28.根据权利要求27所述的方法，并且包括当所述晶片被键合至所述支撑衬底时，蚀刻所述器件的特征部的图案至所述晶片的所述第二侧中。29.根据权利要求27或28所述的方法，并且包括当所述晶片被键合至所述支撑衬底时，围绕所述释放开口穿过所述晶片蚀刻切单开口，并且沿所述切单开口将所述器件与所述晶片的剩余部分分开，而所述晶片的所述剩余部分保持键合至所述支撑衬底。30.根据权利要求27-29中任一项所述的方法，并且包括当所述晶片被键合至所述支撑衬底时减薄所述晶片。31.根据权利要求27-30中任一项所述的方法，其中所述支撑衬底对于光辐射是透明的，并且其中所述方法包括通过利用所述光辐射穿过所述支撑衬底照射所述粘合剂来解键合所述粘合剂。32.根据权利要求31所述的方法，其中照射所述粘合剂包括向所述粘合剂施加紫外线辐射。33.根据权利要求27-30中任一项所述的方法，并且包括通过穿过所述支撑衬底加热所述粘合剂来解键合所述粘合剂。34.根据权利要求27-33中任一项所述的方法，并且包括在将所述晶片的所述第一侧键合至所述支撑衬底之前在所述第一侧沉积反射层，由此所述器件被配置为用作扫描镜。35.一种用于使用具有第一侧和第二侧的第一半导体晶片来加工器件的方法，所述方法包括: 提供其中具有腔的第二半导体晶片； 将所述第一半导体晶片的所述第一侧键合至所述第二半导体晶片，使得所述腔被定位在所述第一半导体晶片中的所述器件的区域上方； 当所述第一半导体晶片的所述第一侧被键合至所述第二半导体晶片时，减薄所述第一半导体晶片的所述第二侧至预定义的厚度；以及 蚀刻释放开口至所述第一半导体晶片中，使得所述释放开口在所述减薄之后穿过所述第一半导体晶片，以便释放所述器件的运动部件；以及将所述器件与所述第二半导体晶片分开。36.根据权利要求35所述的方法，其中将所述器件分开包括当所述第一半导体晶片的所述第一侧被键合至所述第二半导体晶片时围绕所述释放开口穿过所述第一半导体晶片来蚀刻切单开口，以及沿所述切单开口将所述器件与所述第一半导体晶片的剩余部分分开，所述第一半导体晶片的所述剩余部分保持键合至所述第二半导体晶片。37.根据权利要求35或36所述的方法，其中蚀刻所述释放开口包括在将所述第一半导体晶片的所述第一侧键合至所述第二半导体晶片之前在所述第一半导体晶片的所述第一侧中形成所述释放开口。38.根据权利要求37所述的方法，其中所述器件的图案被蚀刻至第一深度，并且其中所述释放开口被蚀刻至第二深度，所述第二深度大于所述第一深度但小于所述第一半导体晶片在所述减薄之前的厚度。39.根据权利要求35或36所述的方法，其中蚀刻所述释放开口包括在将所述第一半导体晶片的所述第一侧键合至所述第二半导体晶片并减薄所述第一半导体晶片的所述第二侧之后，穿过所述第一半导体晶片的所述第二侧形成所述释放开口。40.根据权利要求35-39中任一项所述的方法，所述腔在所述第二半导体晶片的近侧中被形成至一深度，使得所述腔的与所述近侧相反的远侧保持闭合，其中所述第一半导体晶片的所述第一侧随后被键合至所述第二半导体晶片的所述近侧。41.根据权利要求35-39中任一项所述的方法，其中提供所述第二半导体晶片包括将湿法蚀刻工艺施加至所述第二半导体晶片的近侧和远侧两者以便形成所述腔。42.根据权利要求35-41中任一项所述的方法，并且包括在所述减薄之后在所述第一半导体晶片的所述第二侧沉积反射层，由此所述器件被配置为用作扫描镜。43.根据权利要求35-42中任一项所述的方法，并且包括在将所述第一半导体晶片的所述第一侧键合至所述第二半导体晶片之前，蚀刻所述器件的特征部的图案至所述第一半导体晶片的所述第一侧中。44.一种用于由半导体材料的具有第一侧和第二侧的晶片来加工器件的系统，所述系统包括: 减薄站，所述减薄站被配置为通过使用湿法蚀刻工艺从所述晶片的至少所述第一侧移除所述半导体材料来在所述器件的区域中局部减薄所述晶片至预定义的厚度；和 至少一个蚀刻站，所述至少一个蚀刻站被配置为在所述器件的所述区域中蚀穿所减薄的晶片以便释放所述器件的运动部件。45.一种用于加工器件的系统，包括: 沉积站，所述沉积站被配置为在半导体材料的第一晶片和第二晶片中的至少一者的第一侧形成电介质层，所述第一晶片和所述第二晶片均具有相应的第一侧和第二侧，所述第一晶片具有穿过其所述第一侧打开的多个腔； 键合站，所述键合站被配置为通过沿所述电介质层将所述第一晶片的所述第一侧键合至所述第二晶片的所述第一侧来将所述第一晶片和所述第二晶片接合在一起； 至少第一蚀刻站，所述至少第一蚀刻站被配置为当所述第一晶片和所述第二晶片被接合在一起时处理所述第二晶片以形成所述器件的特征部；和 第二蚀刻站，所述第二蚀刻站被配置为在所述第二晶片中形成所述特征部之后，通过将蚀刻剂穿过所述腔施加至所述电介质层来从所述第二晶片移除所述第一晶片和所述电介质层。46.一种用于加工器件的系统，包括: 键合站，所述键合站被配置为使用粘合剂将半导体材料的具有第一侧和第二侧的晶片的第一侧键合至支撑衬底；和 至少一个蚀刻站，所述至少一个蚀刻站被配置为当所述晶片被键合至所述支撑衬底时，围绕所述器件的区域穿过所述晶片蚀刻释放开口至所述支撑衬底， 其中在蚀刻所述释放开口之后解键合所述粘合剂，以便释放所述器件的运动部件。47.一种用于加工器件的系统，包括: 键合站，所述键合站被配置为将第一半导体晶片的第一侧键合至其中具有腔的第二半导体晶片，使得所述腔被定位在所述第一半导体晶片的包含图案的区域上方； 减薄站，所述减薄站被配置为当所述第一半导体晶片的所述第一侧被键合至所述第二半导体晶片时，减薄所述第一半导体晶片的第二侧至预定义的厚度；和 至少一个蚀刻站，所述至少一个蚀刻站被配置为在所述第一半导体晶片中的所述器件的区域中蚀刻释放开口至所述第一半导体晶片中，使得所述释放开口在所述减薄之后穿过所述第一半导体晶片，以便释放所述器件的运动部件。
【专利摘要】本发明公开了一种用于由半导体材料的晶片(170)加工器件(206)的方法，该方法包括通过使用湿法蚀刻工艺从晶片的至少第一侧移除半导体材料来在器件的区域中局部减薄晶片至预定义的厚度，并且在器件的区域中蚀穿所减薄的晶片以便释放器件的运动部件(202)。还描述了用于进行加工的其他方法和系统。
【IPC分类】B81C3/00, H01L21/02, H01L21/68, H01L21/58, B81C1/00, G02B26/08
【公开号】CN105229511
【申请号】CN201380055371
【发明人】R·埃尔里奇, Y·格尔森, A·斯庞特
【申请人】苹果公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2013年10月22日
【公告号】DE112013005128T5, US20150338643, WO2014064606A1