专利名称：微波陶瓷元器件制作的激光微调刻蚀方法
技术领域：
本发明涉及一种微波介质陶瓷元器件，尤其是涉及一种用于对微波陶瓷元器件制作过程中的激光微调刻蚀方法。
背景技术：
微波介质陶瓷(也称微波陶瓷，英文缩写为MWDC)是指应用于微波频段(主要是UHF、SHF频段，300MHz～300GHz)电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷，是近年来国内外研究的热点。利用微波介质陶瓷材料制作的滤波器、双工器、GPS天线、片式电容器等，具有体积小、重量轻、温度稳定性好、价格便宜等优点，是现代通信设备小型化、集成化的关键部件(参见文献Reaney I M and Iddles D.Microwave Dielectric Ceramics forResonators and Filters in Mobile Phone Networks[J].J.Am.Ceram.Soc.，2006，89(7)2063-2072)微波介质陶瓷的制作通常要经过配料、球磨、烘干、预烧、二次球磨、烘干、造粒、压片和烧结等过程。目前，一般制作出的微波陶瓷普遍存在尺寸不能精确控制的问题，主要有两方面的原因一方面，微波陶瓷的烧结受炉膛内温度很难完全均匀的影响，直径和厚度等几何尺寸的精确度较难控制；另一方面，微波陶瓷的厚度虽然可以通过后期的抛光等工序加以调整，但是普遍存在厚度控制连续性差、手工抛光效率低等问题。因此，生产出的微波介质陶瓷半成品合格率较低，大大影响微波陶瓷用于制作元器件的成品合格率。
激光微调刻蚀是利用激光束可聚集成很小的光斑，达到适当的能量密度，有选择地气化部分材料来精密调节微电子元器件性能的一种方法(参见文献曹宇，李祥友，蔡志祥，等.激光微加工技术在集成电路制造中的应用[J].光学与光电技术，2006，4(4)25-28)激光微调刻蚀技术具有精度高、通用性强、效率高、成本低和综合技术经济效益显著等优点，已成为现代制造领域的关键技术之一。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可微细调节，具有速度快、成本低、效率高、可连续监控等优点的微波陶瓷元器件制作的激光微调刻蚀方法，在制作微波陶瓷元器件过程中可调节微波陶瓷元器件的谐振频率和品质因子Q值等。
本发明包括以下步骤 1)用网络分析仪测试出微波陶瓷的微波介电性能参数； 2)打开激光仪，选择微调刻蚀的形状和大小，并设置好有关加工参数； 3)将激光仪的激光束对准待刻蚀的微波陶瓷，聚焦完毕后，即可微调刻蚀； 4)用网络分析仪测试经过微调刻蚀的微波陶瓷的微波介电性能参数； 5)观察并比较微调刻蚀前后的微波陶瓷的微波介电性能参数数据，根据预先设定的微波陶瓷的微波介电性能参数，判断是否需要继续微调刻蚀，若需要继续微调刻蚀，重复步骤2～5，至达到预先设定的微波陶瓷的微波介电性能参数。
微波陶瓷的微波介电性能参数包括谐振频率fc、品质因子Q值等。加工参数包括速度、电流、频率、加工方式、加工次数等。
与现有手工抛光等方法进行微波介质陶瓷调谐相比较，本发明具有以下突出优点 1)由于本发明利用激光微调刻蚀技术实现对微波陶瓷元器件的微调刻蚀，因此具有速度快、成本低、效率高、可控性强等优点。
2)微波陶瓷元器件谐振频率fc和品质因子Q值等的调整可以通过在微波陶瓷的表面、侧面等部位微调刻蚀来实现。沿着微波陶瓷表面或侧面相关部位进行激光微调刻蚀，会导致谐振频率和品质因子Q值等的改变，其改变的幅度取决于激光微调刻蚀的位置和深度。
3)微波陶瓷元器件谐振频率fc和品质因子Q值等的调整可以通过在微波陶瓷表侧面微调刻蚀的形状不同来实现。沿着对微波陶瓷表侧面各部位微调刻蚀，形状有实心圆或圆环形等，能够改变微波陶瓷的谐振频率fc和品质因子Q值等性能，其改变的幅度取决于激光微调刻蚀的形状和尺寸大小。
4)本发明还提供了通过用激光束在微波陶瓷元器件一次或多次累加微调刻蚀，对其谐振频率进行微调刻蚀，以及调整品质因子Q值的方法。
图1为实施例1的微波陶瓷表面激光微调刻蚀示意图。
图2为实施例2的微波陶瓷表面激光微调刻蚀示意图。
图3为实施例3的微波陶瓷表面激光微调刻蚀示意图。
图4为实施例4的微波陶瓷表面激光微调刻蚀示意图。
图5为实施例5的微波陶瓷表面激光微调刻蚀示意图。
图6为实施例6～18的微波陶瓷表面激光微调刻蚀示意图。
具体实施例方式 以下结合实施例和附图对本发明作进一步的说明。
实施例1 参见图1，采用CTLA微波陶瓷，尺寸为7.26mm×2.57mm。微调刻蚀之前，用网络分析仪测试其微波介电性能，包括谐振频率fc、品质因子Q值等，然后用激光仪在微波陶瓷上表面中部1处微调刻蚀，刻蚀直径为1mm，形状为实心圆，激光参数设置为速度3500mm/s，电流6A，频率10kHz，加工次数1000。微调刻蚀后，进行微波介电性能测试，测量出谐振频率fc、品质因子Q值等。此后，再在微波陶瓷的侧面中部2处微调刻蚀，刻蚀直径和激光参数设置同上，微调刻蚀后测量出其谐振频率fc、品质因子Q值等。类似地，接下来依次在微波陶瓷3和4部位微调刻蚀，并测量出其谐振频率fc、品质因子Q值等，观察其变化情况。随后，依次再在微波陶瓷样品的1、2、3和4部位微调刻蚀，刻蚀直径为2mm，形状为实心圆，激光参数设置为速度3500mm/s，电流6A，频率10kHz，加工次数1000。每次微调刻蚀结束，进行微波介电性能测试。最后，结合数据判断微波陶瓷各部位的敏感程度，即对谐振频率fc和品质因子Q值的影响。表1总结了在尚未微调刻蚀的微波陶瓷上进行激光微调刻蚀后，谐振频率fc和Q×fc值的变化情况。
表1微波陶瓷激光微调刻蚀的谐振频率fc和Q×fc值的变化 实施例1表明，微波陶瓷的不同部位对谐振频率fc的敏感程度不同，且不管是微调刻蚀直径为1mm还是2mm，微波陶瓷各部位的敏感程度从大到小的顺序为2＞4＞3＞1；微波陶瓷的不同部位对Q×fc值的敏感程度也不同，且不管是微调刻蚀直径为1mm还是2mm，部位2和4较为敏感，部位1和3较不敏感；激光微调刻蚀的目的是为了起到既能较大幅度地调整谐振频率fc值，又尽可能不恶化Q×fc值，甚至还能改善Q×fc值的作用。综合考虑这两个因素，通过ΔQ×fc/Δfc值的大小，可以大致判读各部位微调刻蚀的效果。从表1看出，微调刻蚀直径为2mm较1mm效果好，微波陶瓷的部位1较差，部位2、3和4稍好。
实施例2 参见图2，采用CTLA微波陶瓷，尺寸为7.23mm×2.61mm。微调刻蚀之前，先用网络分析仪测试出其微波介电性能，包括谐振频率fc、品质因子等，然后用激光仪在微波陶瓷上表面5处微调刻蚀，刻蚀直径为1mm，形状为实心圆，激光参数设置为速度3500mm/s，电流6A，频率10kHz，加工次数1000。微调刻蚀后，进行微波介电性能测试，测量出谐振频率fc、品质因子Q值等。类似地，接下来依次在微波陶瓷6、7和8部位微调刻蚀，并测出谐振频率fc、品质因子Q值等，每次微调刻蚀结束，进行微波介电性能测试。最后，结合数据判断微波陶瓷的各部位的敏感程度，即对谐振频率和品质因子Q值的影响。表2总结了在尚未微调刻蚀的微波陶瓷上进行激光微调刻蚀后，谐振频率fc和Q×fc值的变化情况。 表2微波陶瓷激光微调刻蚀的谐振频率fc和Q×fc值的变化 实施例2表明，微波陶瓷的不同部位对谐振频率fc和Q×fc值的敏感程度不同，部位7和8较为敏感，部位5和6较不敏感；激光微调刻蚀的目的是为了起到既能较大幅度地调整谐振频率fc值，又尽可能不恶化Q×fc值，甚至还能改善Q×fc值的作用，综合考虑这两个因素，通过ΔQ×fc/Δfc值的大小，可以大致判断微波陶瓷的各部位微调刻蚀的效果。从表2看出，部位5和6较差，部位7和8稍好。
实施例3 参见图3，采用CTLA微波陶瓷，尺寸为10.56mm×6.91mm。微调刻蚀之前，先用网络分析仪测试出其微波介电性能，包括谐振频率fc、品质因子Q值等，然后用激光仪在微波陶瓷上表面9处微调刻蚀，刻蚀直径为2mm，形状为实心圆，激光参数设置为速度3500mm/s，电流6A，频率10kHz，加工次数1000。微调刻蚀后，进行微波介电性能测试，测量出谐振频率fc、品质因子Q值等。此后，再在微波陶瓷的10处微调刻蚀，刻蚀直径和激光参数设置同上，微调刻蚀后测量出其谐振频率fc、品质因子Q值等。类似地，接下来依次在微波陶瓷11、12和13部位微调刻蚀，刻蚀直径和激光参数设置同上。每次微调刻蚀结束，进行微波介电性能测试。最后，结合数据判断微波陶瓷的各部位的敏感程度，即对谐振频率fc和品质因子Q值的影响。表3总结了在尚未微调刻蚀的微波陶瓷上进行激光微调刻蚀后，谐振频率fc和Q×fc值的变化情况。表3微波陶瓷激光微调刻蚀的谐振频率fc和Q×fc值的变化 实施例3表明，尺寸较大的微波陶瓷其不同部位对谐振频率fc的敏感程度也不同，部位11和12较为敏感，部位9、10和13较不敏感；微波陶瓷其不同部位对Q×fc值的敏感程度也不同，部位11、12和13较为敏感，部位9和10较不敏感；激光微调刻蚀的目的是为了起到既能较大幅度调整谐振频率fc值，又尽可能不恶化Q×fc值，兼顾这两个因素，通过ΔQ×fc/Δfc值的大小，可以大致判读微波陶瓷的各部位微调刻蚀的效果。从表3看出，部位9、10和13较差，部位11和12稍好。
实施例4 参见图4，采用CTLA微波陶瓷，尺寸为7.30mm×2.66mm。微调刻蚀之前，用网络分析仪测试出其微波介电性能，包括谐振频率fc、品质因子Q值等，然后用激光仪在微波陶瓷上表面中心14处微调刻蚀，形状为圆环形，内径为1mm，外径为2mm，激光参数设置为速度3500mm/s，电流5A，频率10kHz，加工次数300。微调刻蚀后，测量出谐振频率fc、Q值等。此后，再在微波陶瓷的15处微调刻蚀，形状为圆环形，内径为1mm，外径为3mm，激光参数设置同上，微调刻蚀后测量出谐振频率fc、品质因子Q值等。随后，再在微波陶瓷16部位微调刻蚀，形状为圆环形，内径为1mm，外径为4mm，激光参数设置同上，并测量出其谐振频率fc、Q值等，观察其变化情况。最后，结合数据判断微波陶瓷的各部位的敏感程度，即对谐振频率fc和品质因子Q值的影响。表4总结了在尚未微调刻蚀的微波陶瓷上进行激光微调刻蚀后，谐振频率fc和Q×fc值的变化情况。 表4微波陶瓷激光微调刻蚀的谐振频率fc和Q×fc值的变化 实施例4表明，微调刻蚀形状为圆环形时(内径为1mm)，微波陶瓷其微调刻蚀形状大小对谐振频率fc的影响程度不同，内外圆间距越大，对谐振频率fc的影响越大；微波陶瓷其微调刻蚀形状大小对Q×fc值的影响程度也不同，内外圆间距较小时，Q×fc值下降，而内外圆间距达到一定值时，Q×fc值上升；激光微调刻蚀的目的是为了起到既能较大幅度得调整fc值，又尽可能不恶化Q×fc值，甚至还能改善Q×fc值的作用，兼顾这两个因素，通过ΔQ×fc/Δfc值的大小，可以大致判读微波陶瓷的微调刻蚀形状大小微调刻蚀的效果。从表4看出，微调刻蚀形状为圆环形时，内径为1mm，外径为4mm，其微调刻蚀效果较佳。
实施例5 参见图5，采用CTLA微波陶瓷，尺寸为7.32mm×2.64mm。微调刻蚀之前，先用网络分析仪测试出其微波介电性能，包括谐振频率fc、品质因子Q值等，然后用激光仪在微波陶瓷上表面中心17处微调刻蚀，刻蚀形状为圆环形，内径为2mm，外径为3mm，激光参数设置为速度3500mm/s，电流5A，频率10kHz，加工次数300。微调刻蚀后，测量出谐振频率fc、品质因子Q值等。此后，再在微波陶瓷的18处微调刻蚀，形状为圆环形，内径为2mm，外径为4mm，激光参数设置同上，此后测量出其fc、品质因子Q值等等。随后，再在微波陶瓷19部位微调刻蚀，形状为圆环形，内径为2mm，外径为5mm，激光参数设置同上，并测量出其fc、品质因子Q值等，观察其变化情况。最后，结合数据判断微波陶瓷的各部位的敏感程度，即对谐振频率fc和品质因子Q值的影响。表5总结了在尚未微调刻蚀的微波陶瓷上进行激光微调刻蚀后，谐振频率fc和Q×fc值的变化情况。
表5微波陶瓷激光微调刻蚀的谐振频率fc和Q×fc值的变化 实施例5表明，微调刻蚀形状为圆环形时(内径为2mm)，微波陶瓷其微调刻蚀形状大小对谐振频率fc的影响程度不同，内外圆间距越大，对谐振频率fc的影响越大；微波陶瓷其微调刻蚀形状大小对Q×fc值的影响程度也不同，内外圆间距较小时，Q×fc值上升，而内外圆间距较大时，Q×fc值下降；激光微调刻蚀的目的是为了起到既能较大幅度得调整谐振频率fc值，又尽可能不恶化Q×fc值，甚至还能改善Q×fc值的作用，兼顾这两个因素，通过ΔQ×fc/Δfc值的大小，可以大致判读微波陶瓷的微调刻蚀形状大小微调刻蚀的效果。从表5看出，微调刻蚀形状为圆环形时，内径为2mm，外径为3mm，其微调刻蚀效果较佳。
实施例6～10 参见图6，实施例6采用BMZN微波陶瓷，尺寸为7.69mm×2.64mm。微调刻蚀之前，先用网络分析仪测试出其微波介电性能，包括谐振频率fc、品质因子Q值等，然后用激光仪在微波陶瓷上表面中部20处微调刻蚀，刻蚀形状为圆环形，内径为1mm，外径为2mm，激光参数设置为速度3500mm/s，电流5A，频率10kHz，加工次数200。微调刻蚀后，进行微波介电性能测试，测量出谐振频率fc、品质因子Q等。实施例7采用的BMZN微波陶瓷尺寸为7.64mm×2.56mm。微调刻蚀之前，测量出谐振频率fc、品质因子Q等，然后用激光仪在微波陶瓷上表面中部20处微调刻蚀，形状为圆环形，内径为2mm，外径为3mm，激光参数设置同上。微调刻蚀后，测量出谐振频率fc、品质因子Q等。实施例8采用的BMZN微波陶瓷尺寸为7.64mm×2.58mm。微调刻蚀之前，测量出谐振频率fc、品质因子Q等，然后用激光仪在微波陶瓷上表面中部20处微调刻蚀，形状为圆环形，内径为3mm，外径为4mm，激光参数设置同上。微调刻蚀后，测量出谐振频率fc、品质因子Q等。实施例9采用的BMZN微波陶瓷尺寸为7.68mm×2.60mm。微调刻蚀之前，测试出谐振频率fc、品质因子Q等，然后用激光仪在微波陶瓷上表面中部20处微调刻蚀，刻蚀形状为圆环形，内径为4mm，外径为5mm，激光参数设置同上。微调刻蚀后，测量出谐振频率fc、品质因子Q值等。实施例10采用的BMZN微波陶瓷尺寸为7.66mm×2.55mm。微调刻蚀之前，测量出谐振频率fc、品质因子Q等，然后用激光仪在微波陶瓷上表面中部20处微调刻蚀，形状为圆环形，内径为5mm，外径为6mm，激光参数设置同上。微调刻蚀后，测量出谐振频率fc、品质因子Q等。表6总结了在尚未微调刻蚀的微波陶瓷上进行激光微调刻蚀后，谐振频率fc和Q×fc值的变化情况。
表6微波陶瓷激光微调刻蚀的谐振频率fc和Q×fc值的变 上述实施例表明，微调刻蚀形状为圆环形时(内外径间距为0.5mm)，微波陶瓷其微调刻蚀形状大小对谐振频率fc的影响程度不同，随着内外径的增加，谐振频率fc调整幅度增加，但Q×fc值保持不恶化或恶化较少态势。激光微调刻蚀的目的是既能较大幅度得调整谐振频率fc值，又尽可能不恶化Q×fc值，甚至还能改善Q×fc值，考虑这两个因素，从表6看出，微调刻蚀形状为圆环形时(内外径间距为0.5mm)，对BMZN微波陶瓷微调刻蚀效果均较为理想，其中当刻蚀形状为圆环形，内径为5mm，外径为6mm时，谐振频率fc值调整幅度最大。
实施例11～13 参见图6，实施例11采用BMZN微波陶瓷，尺寸为7.64mm×2.56mm。微调刻蚀前，先用网络分析仪测出微波介电性能，包括谐振频率fc、品质因子Q值等，然后用激光仪在微波陶瓷上表面中部20处微调刻蚀成圆环形，内径为2mm，外径为4mm，激光参数设置为速度3500mm/s，电流5A，频率10kHz，加工次数100。微调刻蚀后，测量出谐振频率fc、品质因子Q值等。实施例12采用的BMZN微波陶瓷尺寸为7.62mm×2.54mm。微调刻蚀前，测量出谐振频率fc、品质因子Q值等，然后用激光仪在微波陶瓷20部位微调刻蚀，形状为圆环形，内径为3mm，外径为5mm，激光参数设置同上。微调刻蚀后，测出谐振频率fc、品质因子Q值等。实施例13采用的BMZN微波陶瓷尺寸为7.66mm×2.60mm。微调刻蚀前，测出谐振频率fc、品质因子Q值等，然后用激光仪在陶瓷20部位微调刻蚀成圆环形，内径为4mm，外径为6mm，激光参数设置同上。微调刻蚀后，测出谐振频率fc、品质因子Q值等。表7总结了在尚未微调刻蚀的微波陶瓷上进行激光微调刻蚀后，谐振频率fc和Q×fc值的变化情况。
表7微波陶瓷激光微调刻蚀的谐振频率fc和Q×fc值的变化 上述实施例表明，微调刻蚀形状为圆环形时(内外径间距为1mm)，微波陶瓷其微调刻蚀形状大小对谐振频率fc的影响程度不同，随着内外径的增加，谐振频率fc调整幅度增加，但Q×fc值保持恶化较少态势。激光微调刻蚀的目的是为了起到既能较大幅度得调整谐振频率fc值，又尽可能不恶化Q×fc值，甚至还能改善Q×fc值的作用，考虑这两个因素，从表7看出，微调刻蚀形状为圆环形时(内外径间距为1mm)，对BMZN微波陶瓷微调刻蚀效果均较为理想，其中当刻蚀形状为圆环形，内径为4mm，外径为6mm时，谐振频率fc值调整幅度最大。
实施例14～16 参见图6，实施例14采用BMZN微波陶瓷，尺寸为7.66mm×2.58mm。微调刻蚀前，先用网络分析仪测出微波介电性能，包括谐振频率fc、品质因子Q值等，然后用激光仪在微波陶瓷上表面中部20处微调刻蚀成圆环形，内径为5mm，外径为6mm，激光参数设置为速度3500mm/s，电流5A，频率10kHz，加工次数100。刻蚀后，测量出谐振频率fc、品质因子Q值等。实施例15采用的BMZN微波陶瓷尺寸为7.62mm×2.54mm。微调刻蚀前，测量出谐振频率fc、品质因子Q值等，然后用激光仪在微波陶瓷20部位微调刻蚀成圆环形，尺寸同上，激光参数设置加工次数150，其它参数同上。刻蚀后，测出谐振频率fc、品质因子Q值等。实施例16采用的BMZN微波陶瓷尺寸为7.60mm×2.53mm。微调刻蚀前，测出谐振频率fc、品质因子Q值等，然后用激光仪在微波陶瓷20部位微调刻蚀成圆环形，尺寸同上，激光参数设置加工次数200，其它参数同上。刻蚀后，测出谐振频率fc、Q值等。表8总结了在尚未微调刻蚀的微波陶瓷上进行激光微调刻蚀后，谐振频率fc和Q×fc值的变化情况。
表8微波陶瓷激光微调刻蚀(内径＝5mm，外径＝6mm)的fc和Q×fc值的变化 上述实施例表明，微波陶瓷微调刻蚀成圆环形，内径为5mm，外径为6mm，微波陶瓷其微调刻蚀深度不同对谐振频率fc的影响程度不同，随着激光加工次数的增加，谐振频率fc调整幅度增加，但Q×fc值保持不恶化态势。激光微调刻蚀的目的是为了起到既能较大幅度得调整谐振频率fc值，又尽可能不恶化Q×fc值，甚至还能改善Q×fc值的作用，兼顾这两个因素，从表8看出，微调刻蚀形状为圆环形，内径为5mm，外径为6mm，激光加工次数100、150或200，对BMZN微波陶瓷微调刻蚀效果均较为理想，即可以实现调整不同幅度的谐振频率fc值而对Q×fc值有所改善。
实施例17～18 参见图6，实施例17采用BMZN微波陶瓷，尺寸为7.63mm×2.57mm。微调刻蚀前，先用网络分析仪测出微波介电性能，包括谐振频率fc、品质因子Q值等，然后用激光仪在微波陶瓷上表面中部20处微调刻蚀成圆环形，内径为4mm，外径为6mm，激光参数设置为速度3500mm/s，电流5A，频率10kHz，加工次数50。微调刻蚀后，测量出谐振频率fc、品质因子Q值等。实施例15采用的BMZN微波陶瓷尺寸为7.64mm×2.54mm。微调刻蚀前，测量出谐振频率fc、品质因子Q值等，然后用激光仪在微波陶瓷20部位微调刻蚀成圆环形，尺寸同上，激光参数设置加工次数100，其它参数同上。微调刻蚀后，测出谐振频率fc、品质因子Q值等。表9总结了在尚未微调刻蚀的微波陶瓷上进行激光微调刻蚀后，谐振频率fc和Q×fc值的变化情况。 表9微波陶瓷激光微调刻蚀(内径4mm，外径6mm)的fc和Q×fc值的变化 上述实施例表明，微波陶瓷微调刻蚀成圆环形，内径为4mm，外径为6mm，微波陶瓷其微调刻蚀深度不同对谐振频率fc的影响程度不同，随着激光加工次数的增加，谐振频率fc调整幅度增加，但Q×fc值保持不恶化态势。激光微调刻蚀的目的是既能较大幅度地调整微波陶瓷的谐振频率fc值，又尽可能不恶化Q×fc值，甚至还能改善Q×fc值，综合这两个因素，从表9看出，微调刻蚀形状为圆环形，内径为4mm，外径为6mm，激光加工次数50或100，对BMZN微波陶瓷微调刻蚀效果均较为理想，即可以实现不同幅度地调整谐振频率fc值且对Q×fc值有所改善。
权利要求
1.微波陶瓷元器件制作的激光微调刻蚀方法，其特征在于包括以下步骤
1)用网络分析仪测试出微波陶瓷的微波介电性能参数；
2)打开激光仪，选择微调刻蚀的形状和大小，并设置好有关加工参数；
3)将激光仪的激光束对准待刻蚀的微波陶瓷，聚焦完毕后，即可微调刻蚀；
4)用网络分析仪测试经过微调刻蚀的微波陶瓷的微波介电性能参数；
5)观察并比较微调刻蚀前后的微波陶瓷的微波介电性能参数数据，根据预先设定的微波陶瓷的微波介电性能参数，判断是否需要继续微调刻蚀，若需要继续微调刻蚀，重复步骤2～5，至达到预先设定的微波陶瓷的微波介电性能参数。
2.如权利要求1所述的微波陶瓷元器件制作的激光微调刻蚀方法，其特征在于微波陶瓷的微波介电性能参数包括谐振频率fc、品质因子Q值。
3.如权利要求1所述的微波陶瓷元器件制作的激光微调刻蚀方法，其特征在于加工参数包括速度、电流、频率、加工方式、加工次数。
全文摘要
微波陶瓷元器件制作的激光微调刻蚀方法，涉及一种微波介质陶瓷元器件。提供一种可微细调节，具有速度快、成本低、效率高、可连续监控等优点的微波陶瓷元器件制作的激光微调刻蚀方法。用网络分析仪测试出微波陶瓷的微波介电性能，打开激光仪，选择微调刻蚀的形状和大小，设置加工参数，如速度、电流、频率、加工方式、加工次数；将激光束对准待刻蚀的微波陶瓷，聚焦，微调刻蚀；用网络分析仪测试经过微调刻蚀的微波陶瓷的微波介电性能，观察并比较微调刻蚀前后的微波陶瓷的谐振频率fc、品质因子Q值等，根据预先设定的微波陶瓷的微波介电性能参数，判断是否需继续微调刻蚀，若需要，重复上述步骤，至达到预先设定的微波陶瓷的微波介电性能参数。
文档编号C04B41/91GK101234913SQ20081007067
公开日2008年8月6日 申请日期2008年2月27日 优先权日2008年2月27日
发明者熊兆贤, 郑建森, 芬 肖, 杨国山, 昊 薛 申请人:厦门大学