一种多通道集成滤光片的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种多通道集成滤光片，包括基片，所述基片一侧覆盖有8个集成通道，所述8个集成通道相互并排连接；所述第一集成通道到第五集成通道上还覆盖一层第一公共截次膜系，所述第六集成通道、第七集成通道和第八集成通道上覆盖有一层第二公共截次膜系；所述基片另一侧设置有第三公共截次膜系；所述8个集成通道和三个公共截次膜系均由Nb2O5层和SiO2层相互交替覆盖而成。本实用新型的多通道集成滤光片在红外和可见光都有很好的透光性，该滤光片各通道在工作波段的透过率高，非工作波段截止性好；本滤光片在同一基片上设计不同的通道，体积小，每一通道可以根据需要进行设计，结构简单，功能可变，非常方便实用。
【专利说明】
-种多通道集成滤光片
技术领域
[0001] 本实用新型设及一种滤光片，特别设及一种多通道集成滤光片。
【背景技术】
[0002] 光学薄膜滤光片已经被广泛应用在显微成像、光纤通信、光学仪器、光学遥感等多 个方面，在科研、民用、工业、航空航天、军事等各个领域都有使用。随着发展，出现了一些特 殊的滤光片，集成多通道滤光片就是一个新的发展方向。所谓集成多通道滤光片，就是与传 统的带通滤光片相比，其通道数目多于一个，主要应用于多光谱成像技术中。集成多通道滤 光片目前主要应用在红外领域，在可见光领域还相对较少。在需要多个可见光工作波段同 时工作时，有时会通过多个滤光片拼凑或分光束来实现，运会增加结构的体积和光路设计 的复杂性。 【实用新型内容】
[0003] 本实用新型为克服现有技术的不足，提供一种多通道集成滤光片。
[0004] 为达到上述目的，本实用新型采用如下的技术方案：
[0005] -种多通道集成滤光片，包括基片，所述基片一侧覆盖有8个集成通道，分别是第 一集成通道、第二集成通道、第Ξ集成通道、第四集成通道、第五集成通道、第六集成通道、 第屯集成通道和第八集成通道，所述8个集成通道相互并排连接;所述第一集成通道、第二 集成通道、第Ξ集成通道、第四集成通道和第五集成通道上还覆盖一层第一公共截次膜 系，所述第六集成通道、第屯集成通道和第八集成通道上覆盖有一层第二公共截次膜系;所 述基片另一侧设置有第Ξ公共截次膜系;所述8个集成通道、第一公共截次膜系、第二公共 截次膜系和第Ξ公共截次膜系均由佩2〇5层和Si化层相互交替覆盖而成。
[0006] 优选的:所述第一集成通道中佩2〇5层和Si化层共49层；
[0007] 所述第二集成通道中佩2〇5层和Si化层共41层；
[000引所述第Ξ集成通道中佩205层和Si化层共51层；
[0009]所述第四集成通道中佩2〇5层和Si化层共39层；
[0010]所述第五集成通道中佩2〇日层和Si〇2层共51层；
[0011]所述第六集成通道中佩2〇5层和Si化层共41层；
[001^ 所述第屯集成通道中佩20日层和Si02层共45层；
[OOU]所述第八集成通道中佩2〇日层和Si〇2层共40层。
[0014] 优选的，所述第一公共截次膜系中佩2〇5层和Si化层共45层；
[0015] 所述第二公共截次膜系中佩2〇5层和Si化层共37层；
[0016] 所述第Ξ公共截次膜系中佩2〇5层和Si化层共31层。
[0017] 优选的，所述基片为D263t玻璃。
[0018] 相对现有技术，本实用新型的有益效果为：
[0019] 本实用新型的多通道集成滤光片在红外和可见光都有很好的透光性，该滤光片各 通道在工作波段的透过率高，非工作波段截止性好;本滤光片在同一基片上设计不同的通 道，体积小，每一通道可W根据需要进行设计，结构简单，功能可变，非常方便实用。
【附图说明】
[0020] 图1为本实用新型一实施例所述的多通道集成滤光片的结构示意图；
[0021] 图2为本实用新型一实施例所述的第一集成通道到第五集成通道的透过率曲线 图；
[0022] 图3为本实用新型一实施例所述的第一公共截次膜系的透过率曲线图；
[0023] 图4为本实用新型一实施例所述的第六集成通道到第屯集成通道的透过率曲线 图；
[0024] 图5为本实用新型一实施例所述的第二公共截次膜系的透过率曲线图；
[0025] 图6为本实用新型一实施例所述的第Ξ公共截次膜系的透过率曲线图。
[00%] 附图标记
[0027] 1-基片；2-第一集成通道;3-第二集成通道;4-第Ξ集成通道;5-第四集成通道;6- 第五集成通道;7-第六集成通道;8-第屯集成通道;9-第八集成通道；10-第一公共截次膜 系；11-第二公共截次膜系；12-第Ξ公共截次膜系。
【具体实施方式】
[0028] 下面结合附图对本实用新型做进一步的详细说明，W令本领域技术人员参照说明 书文字能够据W实施。
[0029] 参阅图1，一种多通道集成滤光片，包括基片1，所述基片一侧覆盖有8个集成通 道，分别是第一集成通道2、第二集成通道3、第Ξ集成通道4、第四集成通道5、第五集成通道 6、第六集成通道7、第屯集成通道8和第八集成通道9，所述8个集成通道相互并排连接;所述 第一集成通道2、第二集成通道3、第Ξ集成通道4、第四集成通道5和第五集成通道6上还覆 盖一层第一公共截次膜系10,所述第六集成通道7、第屯集成通道8和第八集成通道9上覆盖 有一层第二公共截次膜系11;所述基片1另一侧设置有第Ξ公共截次膜系12;所述8个集成 通道(2-9)、第一公共截次膜系10、第二公共截次膜系11和第Ξ公共截次膜系12均由抓2〇5层 和Si化层相互交替覆盖而成。
[0030] 所述第一集成通道2中佩2〇5层和Si化层共49层；
[0031] 所述第二集成通道3中佩2〇5层和Si化层共41层；
[0032] 所述第Ξ集成通道4中佩2〇5层和Si化层共51层；
[0033] 所述第四集成通道5中佩2〇5层和Si化层共39层；
[0034] 所述第五集成通道6中佩2〇5层和Si化层共51层；
[0035] 所述第六集成通道7中佩2〇5层和Si化层共41层；
[0036] 所述第屯集成通道8中佩2〇5层和Si化层共45层；
[0037] 所述第八集成通道9中佩2〇5层和Si化层共40层。
[003引所述第一公共截次膜系10中佩205层和Si化层共45层；
[0039] 所述第二公共截次膜系11中佩2〇5层和Si化层共37层；
[0040] 所述第Ξ公共截次膜系12中佩2〇5层和Si化层共31层。
[0041] 所述基片1为D263t玻璃。
[0042] 具体八个通道的性能参数如下表所示：
[0043]
[0044] 第一集成通道2的具体膜层结构为：
[0045] BP610, AA = 50nm，A = 610nm，H-Nb2〇5，kSi〇2
[0046] 1.638L 1.693H 1.0化 1.092H 1.411L 1.335H 1.231L 1.158H 1.081L 1.156H 1.2化 1.19H 1.246L 1.278H 1.263L 1.275H 1.095L 1.097H 0.942L 0.784H 0.728L 0.678H 0.703L 0.755H 0.836L 0.931H 0.952L 0.868H 0.857L 0.794H 0.79L 0.746H 0.761L 0.741H 0.808L 0.786H 0.847L 0.793H 0.522L 0.458H 0.661L 0.776H 0.793L 0.722H 0.72L 0.644H 0.801L 0.772H 1.644L
[0047] 第二集成通道3的具体膜层结构为：
[0048] BP580, AA = 50nm，A = 580nm，H-Nb2〇5，kSW2
[0049] 1.366L 0.954H 1.678L 1.444H 0.963L 1.058H 1.17L 1.349H 1.24L 1.287H 1.282L 1.267H 1.031L 0.88H 1.183L 1.35H 1.354L 1.393H 1.171L 0.874H 1.203L 1.192H 0.9L 0.361H 0.76L 0.823H 0.828L 0.796H 0.826L 0.796H 0.843L 0.78H 0.798L 0.719H 0.758L 0.71H 0.753L 0.676H 0.718L 0.411H 1.29L
[0050] 第Ξ集成通道4的具体膜层结构为：
[0化1] BP650, AA = 50nm，A = 650nm，H-Nb2〇5，kSi〇2
[0052] 1.05L 0.99甜 1.30化 1.486H 1.366L 1.193H 0.939L 0.987H 1.06化 1.328H 1.38化 1.327H 1.28化 1.002H 0.97化 1.036H 1.01化 1.253H 1.637L 1.413H 0.977L 0.84H 0.87化 0.857H 0.93化 0.837H 0.681L 0.695H 0.699L 0.836H 0.92化 0.86H 0.83化 0.756H 0.77化 0.611H 0.617L 0.688H 0.755L 0.747H 0.733L 0.591H 0.644L 0.686H 0.701L 0.449H 0.471L 0.659H 0.70化 0.688H 1.306L
[0053] 第四集成通道5的具体膜层结构为：
[0化4] BP540, AA = 50nm，A = 540nm，H-Nb2〇5，kSi〇2
[0055] 0.876L 1.406H 1.431L 1.263H 1.181L 1.241H 1.179L 1.212H 1.32化 1.289H 1.199L 1.077H 1.156L 1.24H 1.295L 1.335H 1.238L 1.074H 1.164L 1.135H 0.819L 0.298H 0.743L 0.853H 0.854L 0.801H 0.841L 0.846H 0.809L 0.649H 0.625L 0.727H 0.954L 1.022H 0.85L 0.546H 0.56化 0.872H 1.52化
[0056] 第五集成通道6的具体膜层结构为：
[0化7] BP480, AA = 50nm，A = 480nm，H-Nb2〇5，kSi〇2
[0058] 1.208L 1.36H 1.346L 1.339H 1.195L 1.288H 1.15L 1.2H 1.166L 1.368H 1.289L 1.147H 1.214L 1.136H 1.2：ML 1.241H 1.328L 1.319H 1.303L 1.35H 2.075L 1.413H 1.164L 1.531H 1.379L 1.263H 1.367L 2.101H 1.293L 1.243H 1.707L 1.529H 1.039L 0.628H 0.657L 0.864H 0.991L 0.724H 0.58化 0.732H 0.971L 0.804H 0.763L 0.647H 0.94化 0.914H 0.58化 0.464H 0.96化 0.912H 0.96化
[0059] 第一集成通道2、第二集成通道3、第Ξ集成通道4、第四集成通道5和第五集成通道 6的透过率曲线如图2所示。图中标记的a为第五集成通道6，b为第四集成通道5，c为第二集 成通道3; d为第一集成通道2，e为第Ξ集成通道4。
[0060] 第一公共截次膜系10具体膜层结构为：
[0061] 720nm 后截止，A = 800nm，H-Nb2〇 日，kSi〇2
[0062] 1.386L 1.103H 1.103L 0.993H 1.03化 0.98H 1.01化 0.979H 0.998L 0.984H 0.988L 0.987H 0.984L 0.99H 0.985L 0.99H 0.991L 0.992H 1.006L 0.994H 1.031L 1.03H 1.102L 1.192H 1.365L 1.292H 1.239L 1.175H 1.317L 1.32H 1.317L 1.207H 1.266L 1.282H 1.347L 1.275H 1.257L 1.152H 1.184L 1.128H 1.236L 1.313H 0.291L 0.151H 0.258L
[0063] 其透过率曲线如图3所示。
[0064] 第六集成通道7的具体膜层结构为：
[00化]BP720, AA = 80nm，A = 720nm，H-Nb2〇5，kSi〇2
[0066] 0.979L 0.576H 0.90化 2.246H 0.97化 0.803H 0.88化 1.278H 1.31化 1.781H 0.941L 0.965H 0.975L 1.011H 0.976L 1.952H 1.062L 1.047H 0.99L 1.069H 0.99L 1.894H 1.018L 1.154H 1.49化 1.752H 1.487L 1.288H 1.289L 1.433H 1.46L 1.234H 1.566L 1.697H 1.274L l.：MH 1.493L 1.409H 1.535L 1.679H 0.817L
[0067] 第屯集成通道8的具体膜层结构为：
[006引 BP920, AA = 80nm，A = 920nm，H-Nb205，kSW2
[0069] 1.103L 0.674H 0.536L 0.657H 0.767L 0.799H 0.81L 0.754H 0.583L 0.506H 0.722L 0.793H 0.782L 0.73H 0.691L 0.695H 0.767L 0.798H 0.842L 0.876H 1.001L 1.018H 0.982L 0.519H 0.557L 0.622H 1.18化 0.998H 0.921L 0.931H 0.969L 1.232H 1.772L 1.161H 0.992L 0.982H 1.01L 0.978H 1.491L 1.443H 1.097L 1.127H 1.286L 1.217H 0.6L
[0070] 第八集成通道9的具体膜层结构为：
[0071] BP820, AA = 80nm，A = 820nm，H-Nb2〇5，L-Si〇2
[0072] 0.584H 0.522L 0.713H 0.929L 0.772H 0.857L 0.82H 0.647L 0.681H 0.74L 0.88H 1.07L 0.863H 0.812L 0.763H 0.722L 0.65H 0.713L 0.755H 1.058L 0.971H 1.021L 1.386H 1.364L 1.379H 1.124L 1.082H 1.085L 1.148H 1.22L 1.442H 1.155L 1.209H 1.173L 1.203H 1.176L 1.258H 1.331L 1.606H 1.776L
[0073] 第六集成通道7、第屯集成通道8和第八集成通道9的透过率曲线如图4所示。图4中 f是第六集成通道7、g为第八集成通道9、h为第屯集成通道8。
[0074] 第二公共截次膜系11具体膜层结构为：
[0075] 600nm前截止，λ = 540nm，H-Nb2〇日，kSi〇2
[0076] 1.36L 0.587H 0.834L 1.148H 1.18L 0.521H 1.348L 1.181H 0.784L 0.859H 1.618L 0.724H 1.036L 1.071H 0.969L 1.123H 0.924L 1.045H 1.035L 0.953H 0.93L 0.821H 0.781L 0.624H 0.739L 0.874H 0.927L 0.871H 0.929L 0.86H 0.791L 0.671H 0.826L 0.757H 0.76化 0.904H 1.742L
[0077] 第二公共截次膜系11的透过率曲线如图5所示。
[0078] 第Ξ公共截次膜系12具体膜层结构为：
[0079] 420nm 前截止，A = 430nm，H-Nb2〇 日，kSi〇2
[0080] 0.47化 0.285H 1.094L 0.607H 0.878L 0.873H 0.80化 0.876H 0.901L 0.818H 0.921L 0.848H 0.903L 0.865H 0.866L 0.947H 0.79L 0.946H 0.898L 0.795H 0.971L 0.861H 0.832L 0.908H 0.956L 0.677H 1.103L 0.722H 0.875L 0.643H 1.879L
[0081] 第Ξ公共截次膜系12的透过率曲线如图6所示。
[0082] 其中BPxx是波长为xxnm带通滤光片；Δλ为带宽；Η表示厚度为A/4Nb2〇日膜层，L表 示厚度为λ/45?〇2膜层。
[0083] 尽管本实用新型的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中 所列运用，它完全可W被适用于各种适合本实用新型的领域，对于熟悉本领域的人员而言， 可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本实 用新型并不限于特定的细节和运里示出与描述的图例。
【主权项】
1. 一种多通道集成滤光片，其特征在于包括基片，所述基片一侧覆盖有8个集成通道， 分别是第一集成通道、第二集成通道、第三集成通道、第四集成通道、第五集成通道、第六集 成通道、第七集成通道和第八集成通道，所述8个集成通道相互并排连接;所述第一集成通 道、第二集成通道、第三集成通道、第四集成通道和第五集成通道上还覆盖一层第一公共截 次膜系，所述第六集成通道、第七集成通道和第八集成通道上覆盖有一层第二公共截次膜 系;所述基片另一侧设置有第三公共截次膜系;所述8个集成通道、第一公共截次膜系、第二 公共截次膜系和第三公共截次膜系均由Nb 2〇5层和Si02层相互交替覆盖而成。2. 根据权利要求1所述的多通道集成滤光片，其特征在于： 所述第一集成通道中Nb2〇5层和Si〇2层共49层； 所述第二集成通道中Nb2〇5层和Si02层共41层； 所述第三集成通道中Nb2〇5层和Si02层共51层； 所述第四集成通道中Nb2〇5层和Si02层共39层； 所述第五集成通道中Nb2〇5层和Si〇2层共51层； 所述第六集成通道中Nb2〇5层和Si02层共41层； 所述第七集成通道中Nb2〇5层和Si02层共45层； 所述第八集成通道中Nb2〇5层和Si02层共40层。3. 根据权利要求1所述的多通道集成滤光片，其特征在于： 所述第一公共截次膜系中Nb2〇5层和Si02层共45层； 所述第二公共截次膜系中Nb2〇5层和Si02层共37层； 所述第三公共截次膜系中Nb2〇5层和Si02层共31层。4. 根据权利要求1所述的多通道集成滤光片，其特征在于:所述基片为D263t玻璃。
【文档编号】G02B5/20GK205620567SQ201620081315
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2016年1月28日
【发明人】周东平
【申请人】苏州晶鼎鑫光电科技有限公司