专利名称：等离子体处理装置和等离子体处理方法
技术领域：
本发明涉及在半导体基板等被处理基板上进行等离子体蚀刻等的等离子体处理的等离子体处理装置和等离子体处理方法。
背景技术：
在半导体器件的制造过程中，为了在作为被处理基板的半导体晶片上形成电路，采用等离子体蚀刻处理。使用各种装置作为进行等离子体蚀刻处理的装置，其中主流为电容结合型平行平板等离子体蚀刻装置。
电容结合型平行平板等离子体蚀刻装置是在腔室内配置一对平行平板电极(上部和下部电极)，在将处理气体导入腔室内的同时，将高频电力施加在一个电极上，在电极之间形成高频电场，通过该高频电场形成处理气体的等离子体，对半导体晶片进行等离子体蚀刻处理。
然而，近年来，ULSI设计规则微细化日益进展，比孔形状的纵横尺寸比更高的纵横尺寸比被要求。由于这样，试图提高所施加的高频电力频率，维持良好的等离子体分解状态，同时形成高密度的等离子体。这样，由于可在更低压的条件下形成适当的等离子体，可以适当地与设计规则的微细化对应。
但是，这样提高高频电力的频率，必然使等离子体的均匀性不充分。
作为解决这个问题的技术，在专利文献1中公开了将27MHz以上频率的高频施加到上部电极，同时通过再施加直流电压控制等离子体，使等离子体密度均匀的技术。
然而，如上述专利文献1那样，在施加直流电压的情况下，施加的时间对等离子体形成有影响，但在专利文献1中，对为得到稳定良好的等离子体施加直流电压的时间没有说明。
本发明是鉴于这个问题而提出，其目的在于提供一种以除高频电力之外，施加直流电压的电容结合型的等离子体处理装置为前提，可以得到良好的等离子体的等离子体处理装置和等离子体处理方法。
日本专利特开2000-323460号公报发明内容为了解决上述问题，根据本发明的第一观点，提供一种等离子体处理装置，其特征在于，具有收容被处理基板并可真空排气的处理容器；在上述处理容器内相对配置的第一电极和第二电极；将处理气体供给到上述处理容器内的处理气体供给单元；将高频电力供给到上述第一电极或第二电极，用于形成上述处理气体的等离子体的高频电源；将直流电压施加到上述第一电极或第二电极的直流电源；和控制上述高频电源和上述直流电源的控制部；其中，上述控制部进行控制，在开始从上述高频电源供给上述高频电力的时刻或其后使从上述直流电源施加的上述直流电压成为电压设定值。
在上述第一观点的等离子体处理装置中，上述控制部进行控制，使得在开始从上述高频电源供给上述高频电力的时刻或其后开始从上述直流电源供给上述直流电压。
此外，在上述任意的构成中，上述控制部进行控制，使得在停止从上述高频电源供给上述高频电力的时刻或在此之前上述直流电流施加的上述直流电压从上述电压设定值开始下降。而且上述控制部进行控制，使来自上述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个缓慢减少。
进而，在上述任意的构成中，上述控制部进行控制，使得在停止从上述高频电源供给上述高频电力的时刻或在此之前停止从上述直流电源供给上述直流电压。
此外，在上述任意的构成中，上述第一电极为上部电极，上述第二电极为载置被处理的基板下部电极，上述高频电源将高频电力供给到上述第一电极。而且，上述直流电源将直流电压施加到上述第一电极。进而，上述控制部进行控制，使得来自上述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个缓慢增加。
此外，在上述任意的构成中，当来自上述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个缓慢增加时，上述控制部在施加电压、施加电流和施加电力中的任一个到达规定值以上的时刻保持从上述直流电源供给上述直流电压。
根据本发明的第二观点，提供一种等离子体处理装置，其特征在于，具有收容被处理基板并可真空排气的处理容器；设置在上述处理容器内，起上部电极作用的第一电极；在上述处理容器内与上述第一电极相对设置，起载置被处理基板的下部电极作用的第二电极；将处理气体供给到上述处理容器的处理气体供给单元；将第一高频电力供给到上述第一电极，用于形成上述处理气体的等离子体的第一高频电源；将离子引入被处理基板用的第二高频电力供给到上述第二电极的第二高频电源；将直流电压施加到上述第一电极的直流电源；和控制上述第一和第二高频电源和上述直流电源的控制部，其中，上述控制部进行控制，在开始从上述第一高频电源供给上述第一高频电力的时刻或其后使从上述直流电源施加的上述直流电压成为电压设定值。
在上述第二观点的等离子体处理装置中，上述控制部进行控制，使得在开始从上述第一高频电源供给的上述第一高频电力的时刻或其后开始从上述直流电源供给上述直流电压。
此外，在上述任意的构成中，上述控制部进行控制，使得最初从上述第二高频电流供给上述第二高频电力以比第二电力设定值低的电力值开始，接着开始从上述第一高频电源供给上述第一高频电力，之后在来自上述第二高频电源的第二高频电力成为上述第二电力设定值之前，使从上述直流电源施加的上述直流电压成为上述电压设定值。
此外，在上述任意的构成中，上述控制部进行控制，使得在停止从上述第一高频电源和第二高频电源中的至少一方供给上述高频电力的时刻或在此之前，上述直流电源施加的上述直流电压从上述电压设定值开始降低。
此外，在上述任意的构成中，上述控制部进行控制，使得来自上述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个缓慢减少。
此外，在上述任意的构成中，上述控制部进行控制，使得在停止从上述第一高频电源和第二高频电源中的至少一方供给上述高频电力的时刻或在此之前，停止从上述直流电源供给直流电压。
此外，在上述任意的构成中，上述控制部进行控制，使得来自上述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个缓慢增加。
此外，在上述任意的构成中，当来自上述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个缓慢增加时，上述控制部在施加电压、施加电流和施加电力中的任一个到达规定值以上的时刻保持从上述直流电源供给上述直流电压。
根据本发明的第三观点，提供一种等离子体处理方法，使用具有收容被处理基板并可真空排气的处理容器；在上述处理容器内相对配置的第一电极和第二电极； 将处理气体供给到上述处理容器内的处理气体供给单元；将高频电力供给到上述第一电极或第二电极，用于形成上述处理气体的等离子体的高频电源；和将直流电压施加到上述第一电极或第二电极的直流电源的等离子体处理装置对被处理基板进行等离子处理，在开始从上述高频电源供给上述高频电力的时刻或其后，使从上述直流电源施加的上述直流电压为电压设定值。
在上述第三观点的等离子体处理方法中，在开始从上述高频电源供给的上述高频电力的时刻或其后开始从上述直流电源供给上述直流电力。
此外，在上述任意的构成中，在停止从上述高频电源供给上述高频电力的时刻或在此之前，上述直流电流施加的上述直流电压从上述设定值开始下降。
此外，在上述任意的构成中，来自上述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个缓慢减少。
此外，在上述任意的构成中，在停止从上述高频电源供给上述高频电力的时刻或在此之前停止从上述直流电源供给上述直流电压。
此外，在上述任意的构成中，上述控制部进行控制，使得来自上述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个缓慢增加。
此外，在上述任意的构成中，当来自上述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个缓慢增加时，在施加电压、施加电流和施加电力中的任一个到达规定值以上的时刻保持从上述直流电源供给上述直流电压。
根据本发明的第四观点，提供一种等离子体处理方法，使用具有收容被处理基板并可真空排气的处理容器；设置在上述处理容器内，起上部电极作用的第一电极；在上述处理容器内与上述第一电极相对设置，起载置被处理基板的下部电极作用的第二电极；将处理气体供给到上述处理容器的处理气体供给单元；将高频电力供给到上述第一电极，用于形成上述处理气体的等离子体的第一高频电源；用于将离子引入被处理基板用的高频电力供给到上述第二电极的第二高频电源；和将直流电压施加到上述第一电极的直流电源的等离子体处理装置，对被处理基板进行等离子体处理，在开始从上述高频电源供给上述第一高频电力的时刻或其后，使从上述直流电源施加的上述直流电压为电压设定值。
根据本发明的第四观点，提供一种等离子体处理方法，上述控制部进行控制，使得在开始从上述第一高频电源供给上述第一高频电力的时刻或其后开始从上述直流电源供给上述直流电压。
此外，在上述任意的构成中，最初从上述第二高频电流供给上述第二高频电力以比第二电力设定值低的电力值开始，接着开始从上述第一高频电源供给上述第一高频电力，之后在来自上述第二高频电源的第二高频电力成为上述第二电力设定值之前，使从上述直流电源施加的上述直流电压成为上述电压设定值。
此外，在上述任意的构成中，在停止从上述第一高频电源和第二高频电源中的至少一方供给上述高频电力的时刻或在此之前，上述直流电源施加的上述直流电压从上述电压设定值开始下降。
此外，在上述任意的构成中，上述控制部进行控制，使得来自上述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个缓慢减少。
此外，在上述任意的构成中，上述控制部进行控制，使得在停止从上述第一高频电源和上述第二高频电源中的至少一方供给上述高频电力的时刻或在此之前，停止从上述直流电源供给上述直流电压。
此外，在上述任意的构成中，来自上述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一方缓慢增加。
此外，在上述任意的构成中，当来自上述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个缓慢增加时，在施加电压、施加电流和施加电力中的任一个在规定值以上的时刻保持从上述直流电源供给上述直流电压。
图1为表示本发明的实施方式一的等离子体蚀刻装置的概略截面图。
图2为表示图1的等离子体蚀刻装置中，与第一高频电源连接的匹配器的结构的示意图。
图3为表示图1的等离子体蚀刻装置中，当继电器电路接通、断开时，来自可变直流电源的直流电压、来自第一和第二高频电源的高频电力优选的施加顺序的一例的示意图。
图4为表示图1的等离子体蚀刻装置中，当继电器电路接通、断开时，来自可变直流电源的直流电压、来自第一和第二高频电源的高频电力优选的施加顺序的另一例的示意图。
图5为表示图1的等离子体蚀刻装置中，在等离子体蚀刻处理结束时，当继电器电路接通和断开时，来自可变直流电源的直流电压、来自第一第二高频电源发出的高频电力优选的施加顺序的一例的示意图。
图6为表示图1的等离子体蚀刻装置中，在等离子体蚀刻处理结束时，当继电器电路接通和断开时，来自可变直流电源的直流电压、来自第一第二高频电源发出的高频电力优选的施加顺序的一例的示意图。
图7为表示在图1的等离子体蚀刻装置中，当继电器电路接通和断开时，来自可变直流电源的直流电压、来自第一第二高频电源的高频电力优选的施加顺序的又一例的示意图。
图8为表示在图1的等离子体蚀刻装置中，当继电器电路接通和断开时，来自可变直流电源的直流电压、来自第一和第二高频电源的高频电力优选的施加顺序的再一例的示意图。
图9为表示在图1的等离子体蚀刻装置中，当继电器电路接通和断开时，来自可变直流电源的直流电压、来自第一和第二高频电源的高频电力优选的施加顺序的再一例的示意图。
图10为表示图1所示的等离子蚀刻装置中，当将直流电压施加到上部电极时Vdc和等离子体薄片厚度的变化图。
图11为表示在图1的等离子体蚀刻装置中，比较将直流电力施加在和不施加到上部电极的情况下的等离子体状态的示意图。
图12为表示可采用本发明的另一种形式的等离子蚀刻装置的例子的概略图。
图13为表示可采用本发明的又一种形式的等离子蚀刻装置的例子的截面图。
图14为表示可采用本发明的再一种形式的等离子蚀刻装置的例子的概略图。
图15为表示可采用本发明的再一种形式的等离子蚀刻装置的例子的截面图。
符号说明10 腔室(处理容器)16 基座(下部电极)34 上部电极44 供电棒46、48 匹配器48 第一高频电源50 可变直流电源51 控制器52 接通、断开开关66 处理气体供给源84 排气装置87 GND块体90 第二高频电源95 控制部W 半导体晶片(被处理基板)具体实施方式
以下，参照附图具体说明本发明的实施方式。
图1为表示本发明的等离子体处理装置的一个实施方式的等离子体蚀刻装置的概略截面图。
该等离子体蚀刻装置作为电容结合型平行平板等离子体蚀刻装置构成，例如表面具有经阳极氧化处理的铝构成的大致为圆筒形的腔室(处理容器)10。该腔室10保安接地。
圆柱形的基座支持台14隔着由陶瓷等构成的绝缘板12配置在腔室10的底部，该基座支持台14上设置有例如铝构成的基座16。
在基座16上面设置有由静力吸附保持作为被处理基板半导体晶片W的静电卡盘18。在该静电卡盘18上载置半导体晶片W。该静电卡盘18具有通过一对绝缘层或绝缘片夹住由导电膜构成的电极20的结构，直流电源22与电极20电连接，通过接通、断开开关22a可以接通、断开供电。而且，通过来自直流电源22的直流电压产生的库仑力等静电力，静电卡盘18吸附保持半导体晶片W。接通、断开开关22a的接通和断开由控制器23控制。
为了提高蚀刻均匀性，在静电卡盘18(半导体晶片W)的周围、基座16的上面，配置有例如硅构成的导电性聚焦环(补正环)24。在基座16和基座支持台14的侧面设置有例如石英构成的圆筒状的内壁部件26。
在基座支持台14的内部设置有冷媒室28。从设置在外部的未图示的冷却单元隔着管路30a、30b将规定温度的冷媒，例如冷却水循环供给到该冷媒室，通过冷媒的温度可以控制基座上的半导体晶片W的处理温度。
另外，将来自未图示的传热气体供给机构的传热气体，例如He气，隔着气体供给管路32供给到静电卡盘18的上面与半导体晶片W的背面之间。
在隔开作为下部电极的基座16的空间的上方，与基座16平行并相对地设置有上部电极34。此外，上部和下部电极34、16之间的空间成为等离子体生成空间。上部电极34与作为下部电极为基座16上的半导体晶片W相对，形成与等离子体生成空间连接的面，即相对面。
该上部电极34隔着边缘性遮蔽部件42支承在腔室10的上部，由构成与基座16的相对面并且具有多个输出孔37的电极板36、和由可自由装卸地支承该电极板36，由导电性材料，例如表面经阳极氧化处理的铝构成的水冷结构的电极支承体38构成。优选电极板36为焦耳热少的低电阻的导电体或半导体，此外，从强化保护层的观点看优选含有硅的物质。从这个观点出发，优选电极板36由硅和SiC构成。在电极支承体38的内部设置有气体扩散室40，与气体输出孔37连通的多个气体通流孔41从该气体扩散室40在下方延伸。
在电极支承体38上形成有将处理气体导入扩散室40的气体导入口62。气体供给管64与该气体导入口62连接，气体供给源66与气体供给管64连接。在气体供给管64上，从上游侧按顺序设置有质量流量控制器(MFC)68和开闭阀70。此外，作为蚀刻用的处理气体，例如C4F8气体那样的碳氟化合物气体(CXFY)从处理气体供给源66的气体供给管64到气体扩散室40，隔着气体通流孔41和气体输出孔37呈喷淋状输出到等离子体生成空间、即，上部电极34起供给处理气体用的喷淋头的作用。
第一高频电源48隔着匹配器46和供电棒44与上部电极34电连接。第一高频电源48输出13.56MHz以上的频率，例如60MHz的高频电力。由于匹配器46使负荷阻抗与第一高频电源48的内部(或输出)阻抗匹配，因此，当在腔室10内生成等离子体时，有使第一高频电源48的输出阻抗和负荷阻抗表观上一致的作用。匹配器46的输出端子与供电棒44的上端连接。第一高频电源48的接触、断开和功率的控制由控制器49控制。
另一方面，除第一高频电源48之外，可变直流电源50与上述上部电极34电连接。可变直流电源50优选由双极性电源构。具体而言，该可变直流电源50隔着上述匹配器46和供电棒44与上部电极34连接，通过继电器电路(接通、断开开关)52可以接通和断开供电。可变直流电源50的极性和电流、电压以及继电器电路52的接通、断开开由控制器51控制。
如图2所示，匹配器46具有从第一高频电源48的供电线路49分支设置的第一可变电容器54和设置在供电线路49的分支点下游侧的第二可变电容器56，通过这些电容器发挥上述功能。另外，在匹配器46上设置有收集来自第一高频电源48的高频电力(例如60MHz)和来自后述的第二高频电源的高频电力(例如2MHz)的滤波器58，以便可有效地将直流电压电源(以下简称为直流电压)供给到上部电极34。即，来自直流电源50的直流电流隔着滤波器58与供电线路49连接。该滤波器58由线圈59和电容器60构成，这样可以收集来自第一高频电源48的高频电力和来自后述第二高频电源的高频电力。
设置有圆筒状的接地导体10a，使其从腔室10的侧壁与上部电极34的高度位置相比的上方延伸，该圆筒状的接地导体10a的顶壁部分通过筒状的绝缘部件44a与上部供电棒44电绝缘。
第二高频电源90隔着匹配器88与作为下部电极的基座16电连接。通过从该第二高频电源90向下部电极16供给高频电力，可将离子引入到半导体晶片W。第二高频电源90输出2～27MHz范围内的频率，例如2MHz的高频电力。由于匹配器88使负荷阻抗与第二高频电源90内部(或输出)阻抗匹配，因此，在腔室10内生成等离子体时，有使第二高频电源90的内部阻抗与负荷阻抗表现上一致的作用。第二高频电源90的接通、断开和功率的控制由控制器91控制。
使来自第二高频电源90的高频电力(2MHZ)通向接地用的低通滤波器(LPF)92与上部电极34电连接，使来自第一高频电源48的高频电力(60MHz)不通过。该低通滤波器(LPF)92优选由LR滤波器或LC滤波器构成，由于即使仅用一根导线也可将充分大的电抗施加到来自第一高频电源48的高频电力(60MHz)，因此可以结束。另一方面，使来自第一高频电源48的高频电力(60MHz)通向接地用的高通滤波器(HPF)94与作为下部电极的基座16电连接。
在腔室10的底部设置有排气口80，排气装置84隔着排气管82与该排气口80连接。排气装置84具有涡轮分子泵等真空泵，可将腔室10内减压至期望的真空度。另外，在腔室10的侧壁上设置有半导体晶体W的搬入搬出口85。该搬入搬出口85可通过闸阀86开闭。此外，为了防止蚀刻副产品(沉积物)沿着腔室10的内壁附着在腔室10上，可自由装卸地设置有沉积物遮蔽板11。即，沉积物遮蔽板11构成腔室壁。此外，沉积物遮散板11也设置在内壁部件26的外周。在腔室10的底部的腔室侧壁的沉积物遮蔽板11与内壁部件26侧的沉积物遮蔽板11之间设置有排气板83。作为沉积物遮蔽板11和排气板83，可以使用在铝材上覆盖Y2O3等陶瓷。
在与构成沉积物遮蔽板11的腔室内壁的部分的晶片W高度大致相同的部分上设置有直流DC接地的部件(GND块体)87。该GND块体87在等离子体面上露出，与沉积物遮蔽板11的内部的导电部电连接。从可变直流电源50施加到上部电极34的直流电压电流经过处理空间到达GND块体87，隔着沉积物遮蔽板11接地。通过该GND块体87，可使积存在上述上部电极34上的电子放出，可防止异常放电。GND块体87为导电体，优选含有Si、SiC等含硅的物质。也可使用C。
其中，如果将上述GND块体87设置在等离子体形成区域中，则其位置不限于图1，例如设置在基座16的周围等，也可以设置在基座16侧，或呈圆环状地设置在上部电极34的外侧等，也可以设置在上部电极34附近。
等离子体蚀刻装置的各个构成部与控制部(过程控制器)95连接并进行控制。在本实施方式中，该控制部分95控制进行第一高频电源48的接通、断开和功率控制的控制器49；进行第二高频电源90的接通、断开和功率控制的控制器91；进行可变直流电源50的极性与电流、电压和继电器电路52的接通、断开控制的控制器51；以及进行使直流电源22接通、断开的接通、断开开关22a的接通、断开的控制的控制器23，控制它们的施加和停止的时间。
另外，工序管理者为了管理等离子体蚀刻装置，将进行指令输入操作等的键盘和由使等离子体处理装置的工作状况可视化显示的显示器等构成的用户界面96与控制部分95连接。
另外，存储用于以控制部95实现以等离子体蚀刻装置实行的各种处理的控制程序和根据处理条件存放由等离子体处理蚀刻装置的各个构成部运行处理用的程序，即存储方法的存储部97与控制部分95连接。方法可以存储在硬盘或半导体存储器中，也可以在收容在由CDROM、DVD等可移动的计算机可读取的存储介质上的状态下，存放在存储部97的规定位置。
此外，根据需要，可按照从用户界面96发出的指示等，从存储部分97中调出任意方法，在控制部分95上运行，在控制部分95的控制下，由等离子体蚀刻装置进行期望的处理。
在这样构成的等离子体装置中进行蚀刻处理时，首先，使闸阀86成为开的状态，隔着搬入搬出口85将作为蚀刻对象的半导体晶片W搬入腔室10内，载置在基座16上。之后，从处理气体供给源66将蚀刻用的处理气体以规定的流量供给到气体扩散室40，隔着气体通流孔41和气体输出孔37供给到腔室10内，同时通过排气装置84排出腔室10内的气体，使其中的压力为例如0.1～150Pa范围内的设定值。这里，作为处理气体可以采用现有使用的各种气体，例如可以使用含有C4F8气那样的碳氟化合物气体(CxFy)为代表的含有卤素元素的气体。此外，也可以含有Ar气或O2气等的其他气体。
这样，在将蚀刻气体导入腔室10内的状态下，以规定的功率将等离子体生成用的高频电力从第一高频电源48施加到上部电极34，同时在规定的功率下将离子引入用高频电力从第二高频电源90施加到作为下部电极的基座16。之后，从可变直流电源50将规定的直流电压施加到上部电极34。
这时的这些施加时间通过由控制部95控制控制器49、51、91进行。在这种情况下，从第一高频电源48供给高频电力的开始时刻之后，进行控制，使来自可变直流电源50的直流电压成为由预定方法设定的电压设定值。这里，所谓的电压设定值为进行蚀刻处理时，使用的直流电压和高频电力的值。这样控制是由于通过最初从第一高频电源48供给高频电力，在等离子体开始燃烧使设定供给的直流电压成为设定值难以产生异常放电。当在腔室10内完全不存等离子体的状态下使直流电压成为电压设定值时，几乎对晶片W的损坏没有影响，极容易产生异常放电。因此，优选从可变直流电源50施加直流电压在第一高频电源48开始施加之后开始。由于从第一高频电源48供给高频电力，在等离子体开始燃烧后开始供给直流电压，不但异常放电难以产生，而且可以平稳地施加电压。另外，优选来第一高频电源48的高频功率达到设定值后开始施加直流电压。这样，异常放电更难以产生。
除了从可变直流电源50施加直流电压和从第一高频电源48施加高频电力之外，参照图3说明从第二高频电源90施加高频电力的优选的顺序的一例。首先，从第二高频电源90将比设定值低，例如300W的高频电力开始供给到作为下部电极的基座16，然后，在经过0.1～2.4秒，例如0.5秒后，从第一高频电源48将设定值，例如2400W的高频电力供给到上部电极34，然后，经过2.0秒后使来自第二高频电源90的施加电力成为设定值，例如3800W，但在此之前(例如，从最初的第二高频电源90供给高频电力后，经过2.3秒后)从可变直流电源50将设定值，例如-900V的直流电压施加到上部电极34。在第二高频电源90施加的的电力成为设定值后施加直流电压的情况下，等离子体可能会波动。另外，在先从第二高频电源90施加比设定值低的高频电力、达到第一高频电源48的匹配后(例如，从第一高频电源供给高频电力后，经过1.5秒后)，通过使第二高频电源90的高频电力成为设定值(全功率)，可以减少对晶片W的损坏。
另外，在施加直流电压前，优选在从第一和第二高频电源48、90供给高频电力前接通上述继电器电路52，可使直流电压供电。其中，不优选平常接通继电器电路52，可以仅在必是时接通。
此外，使直流电压为设定值的时间不是从第一高频电源48开始供给高频电力时刻以后，可以是在开始供给高频电力的时刻。图4中表示这种顺序。首先，在从第一和第二高频电源48、90供给高频电力前接通上述继电器电路52，可以使直流电压供电。其次，与图3的情况相同，开始从第二高频电源90将比设定值低的高频电力供给到基座16，然后，从第一高频电源48将设定值的高频电力供给到上部电极34，在从第一高频电源48供给高频电力的同时，从可变直流电源50向上部电极34施加直流电压的设定值。之后，使从第二高频电源90施加的电力成为设定值。与开始从上述第一高频电源48供给高频电力时刻以后，使直流电压成为设定值的情况同样，可抑制异常放电。换句话说，使直流电压成为设定值的时间，也可以不是开始从二个高频电源48供给高频电力之前。
另外，在规定的时间，根据来自控制部分95的指令，控制器23操作接通、断开开关22a，接通直流电源22，将直流电压施加到静电卡盘18的电极20，使半导体晶片W固定在基座16上。从直流电源22施加直流电压的时间没有特别的限制，例示的是从第一高频电源48供给高频电力后，从可变直流电源50施加直流电压之后。
从在上部电极34的电极板36上形成的输出孔37输出的处理气体，在通过高频电力产生的上部电极34与作为下部电极的基座16之间的辉光放电中等离子体化，通过该等离子体生成的原子团或离子蚀刻半导体晶片W的被处理面。
在这种等离子体蚀刻装置中，由于将高频区域(离子不能跟踪的10MHz以上)的高频电力供给到上部电极34，可在优选的分解状态下实现高密度化，因此在更低压的条件下也可以形成高密度的等离子体。
这样，当形成等离子体时，在上述时间通过将规定极性和大小的直流电压从可变直流电源50施加到上部电极34，这样可不增加对晶片W的损坏，形成稳定的良好的等离子体，可达到后述的效果。
这时，如图1所示，优选从可变直流电源50施加到上部电极34的电压为负电压。正电压也可以，但在这种情况下，由于等离子体容易变成不稳定，因此在施加正电压的情况下，必需有作成脉冲状等的对策。
在规定的蚀刻处理结束后，断开第一和第二高频电源48、90和可变直流电源50，熄灭等离子体。该时间没有特别的限制，如图5所示，可在断开从可变直流电源50施加直流电压后，更优选断开从第一和第二高频电源48、90施加高频电力。另外，如图6所示，更优选同时断开从可变直流电源50施加的直流电压、从第一高频电源48施加的高频电力和从第二高频电源90施加的高频电力。在断开从第一和第二高频电源48、90施加的高频电力后，断开从可变直流电源50施加的直流电压的情况下，由于在断开施加高频电力后腔室10内成为比等离子体电阻大的真空，所以当直流电压电流通过时，有超调的可能性。此外，为了保护继电器电路52，在停止从可变直流电源50施加直流电压、从第一和第二高频电源48、90施加高频电力后，断开继电器电路52。另外，根据处理条件，选择颗粒难以附着在晶片W上的等离子体熄灭顺序也是重要的。从防止颗粒附着的观点来看，在断开从可变直流电源50供给的直流电压前，施加反极性的电压是有效的。
其次，说明实际上实施图3所示的顺序的实验结果。
腔室内压力为3.3Pa，作为蚀刻气体，在C4F8/Ar/N2＝6/1000/180mL/min的流量下导入腔室内，使频率60MHz的第一高频电源的功率设定值为2400W、第二高频电源的功率设定值为3800W、可变直流电源的电压设定值为-900V，进行按图3所述的顺序的电力供给，形成等离子体，进行晶片W的氧化膜的蚀刻。具体而言，从第二高频电源将比设定值低的300W的高频电力供给到作为下部电极的基座16，在供给开始后，经过0.5秒后，从第一高频电源将作为设定值的2400W的高频电力供给到上部电极34，之后，经过2.0秒后使从第二高频电源施加的电力为设定值3800W。另外，在此之前，最初从第二高频电源90供给高频电力后，经过2.3秒后，从可变直流电源50将设定值的-900V的直流电压施加到上部电极34。结果，稳定地形成良好的等离子体。从该结果可看出，在本实施方式的时间通过施加直流电压，不产生异常放电，可以形成稳定的良好的等离子体。
其次，说明从可变直流电源施加直流电压，从第一和第二高频电源施加高频电力的优选的顺序的又一例。
这里，采用图7所示的顺序。首先，与图3的例子同样，从第二高频电源90将比设定值低，例如300W的高频电力开始供给到作为下部电极的基座16，然后，经过0.1～2.4秒，例如0.5秒后，控制从第一高频电源48将设定值的高频电力供给到上部电极34，在与来自第一高频电源48的高频电力同时或在其后，缓慢增加从可变直流电源50施加到上部电极34的电压(逐渐施加)，最后成为设定值的例如-900V。之后，从第一高频电源48施加高频电力后，经过例如2.0秒后，使从第二高频电源90施加的电力成为设定值。这样，通过从使直流电源50逐渐增加直流电压，可以不增加对晶片W的损坏，减轻对可变直流电源50的供电电路的损坏。这时，升高电压的速度没有特别的限制，根据设定的电压适当设定即可，例如可为1kV/秒。
另外，在施加直流电压前，优选在从第一和第二高频电源48、90供给高频电力前接通上述继电器电路52，可使直流电压供电。
此外，以上表示控制使得逐渐增加可变直流电源50施加的电压的例子，但也可以控制使得逐渐增加施加的电流或施加的电力，最终成为设定电压。这样，在逐渐增加施加电压、施加电流和施加电力中的任一个的情况下，可以具有互锁功能。即，当逐渐增加它们中的任一个时，控制器51可具有在任一个的绝对值或增加量超过设定值的情况下停止电源的功能。这样，可以更有效地防止过负荷施加在可变直流电源50及其供电电路上。
其次，说明实际地缓慢增加电压的情况下的实验结果。
腔室内压力为3.3pa，作为蚀刻气体，以C4F8/Ar/O2＝30/1000/20mL/min的流量导入腔室内，使频率60MHz的第一高频电源的功率的设定值为1800W、第二高频电源的功率设定值为3800W、可变直流电源的电压设定值为-900V，按照图7所述的顺序进行电力供给，形成等离子体，进行晶片W的氧化膜的蚀刻。具体而言，从第二高频电源将比设定值低的300W的高频电力供给到作为下部电极的基座16，在供给开始后，经过0.5秒后，从第一高频电源将设定值为1800W的高频电力供给到上部电极34，与此同时，从可变直流电源50开始将直流电压施加到上部电极34，大约过0.8秒达到设定值-900V。之后，从第一高频电源施加高频电力开始经过2.0秒后，从第二高频电源施加的电力达到设定值3800W(实验A)。为了比较，最初从第二高频电源90供给高频电力后，经过2.3秒后，不逐渐增加从可变直流电源50施加到上部电极34的设定值为-900V的直流电压，而是一口气地施加(实验B)。结果，不受等离子体对晶片的损坏的元件的比例，在实验A、B中对晶片的大致100％的损坏这一点两者没有大的差别。另外，等离子体的状态在实验A、B中都可稳定地形成良好的等离子体，因此，即使缓慢增加，特性也完全没有问题，对电源的损坏减轻，这样的效果是有利的。
此外，图8表示缓慢增加从可变直流电源50施加的电压的另一例。首先，从第二高频电源90开始将比设定值低的高频电力供给到基座16，与此同时，缓慢地增加来自可变直流电源50的施加电压到比设定值低的电压值，到达后成为一定。之后，将来自第一高频电源48的设定值的高频电力供给到上部电极34，与来自第一高频电源48的高频电力同时进行控制，使缓慢增加从可变直流电源50施加到上部电极34的电压，最终成为设定值。再从第一高频电源48施加高频电力后，使从第二高频电源90施加的电力为设定值。继电器电路52与图7的情况相同。即使按这种顺序也不增加对晶片W的损坏，可以减轻对可变直流电源50的供电电路的损坏。
另外，也可以按照图9的顺序。首先，开始从第二高频电源90将比设定值低的高频电力供给基座16，与此同时，缓慢增加从可变直流电源50施加的电压，使得如描绘的图示的Sine曲线那样。再从第一高频电源48将设定值的高频电力供给到上部电极34，在从可变直流电源50施加的电压成为设定值后，使从第二高频电源90施加的电力为设定值。继电器电路52与图7、8的情况相同。根据这种顺序，不增加对晶片W的损坏，可以减轻对可变直流电源50的供电电路的损坏。
如上所述，优选进行控制，使在从第一高频电源48开始供电的时刻或其后，从可变直流电源50施加的电压为设定值。另外，优选进行控制，使在从第一高频电源48开始供电的时刻或其后，开始从可变直流电源50供电。
另外，说明了逐渐增加从可变直流电源50施加的电压的例子，但当蚀刻结束时，也可以逐渐减小从可变直流电源施加的电压。在这种情况下，时间没有特别的限制，优选在断开从第一高频电源48和第二高频电源90施加高频电力的时刻或在此之前，来自可变直流电源50的施加电压下降。另外，优选在断开从第一高频电源48和第二高频电源90施加高频电力时刻或在此之前，停止从可变直流电源50施加电压。
其中，在连续蚀刻多个层的情况下，本实施方式的施加直流电压时间，例如与在蚀刻SiO2膜后蚀刻SiC或SiN膜的情况同样可以适用。这里考虑了这种连续的蚀刻一旦切断等离子体的情况，和不切断的情况等各种情况，但详细的顺序没有特别的限制，根据处理适当设定即可。这样，优选在连续蚀刻的情况下不断开继电器电路52，仍然接通。
其次，说明从可变直流电源50将直流电压施加到上部电极34时的作用和效果。
优选进行控制，使得以从可变直流电源50施加的电压，对在作为施加电极的上部电极34的表面，即电极板36的表面上得到规定的(适当的)溅射效果的程度加大表面自偏压Vdc，即，控制使得在上部电极34的表面上的Vdc的绝对值增大。在从第一高频电源48施加的高频功率低的情况下，聚合物附着在上部电极34上，通过从可变直流电源50施加适当的直流电压，可使附着在上部电极34上的聚合物溅射，使上部电极34的表面清洁化。与此同时，将最优量的聚合物供给到半导体晶片W上，可以消除光致抗蚀刻膜表面的粗糙度。另外，调整来自可变直流电源50的电压，使上部电极34自身溅射，将电极材料本身供给到半导体晶片W的表面，这样可在光致抗蚀刻膜表面上形成碳化物，强化光致抗蚀刻膜，而且通过溅射的电极材料与碳氟化合物系的处理气体中的F反应并排出，可减少等离子体中的F比率，使得光致抗蚀刻膜难以蚀刻。电极板36为含硅或SiC等的含有硅的物质的情况下，在电极板36表面上溅射的硅与聚合物反应，在光致抗蚀刻膜表面上形成SiC，光致抗蚀刻膜极为强固，但由于Si和F容易反应，上述效果特别明显。因此，优选作为电极板36的材料为含有硅的物质。
这样，在上部电极34上施加直流电压，自偏压Vdc大的情况下，如图10所示，在上部电极34侧形成的等离子体薄片的厚度增大。当等离子体薄片变厚时，可使等离子体缩小化。例如，在不将直流电压施加在上部电极34的情况下，上部电极的Vdc为例如-300V，如图11(a)所示，等离子体为具有薄的薄片厚度do的状态。但是，当将-500V的直流电压施加到上部电极34时，上部电极的Vdc成为例如-900V，由于等离子体薄片的厚度与Vdc的绝对值的3/4成比例，所以如图11(b)所示，形成更厚的等离子体薄片d1，该等离子体缩小化。这样，通过形成厚的等离子体薄片，适当使等离子体缩小化，可增加半导体晶片W上的有效的滞留时间，而且等离子体集中在晶片W上，可抑制扩散，分解空间减少。这样，可抑制碳氟化合物系处理气体的分解，光致抗蚀刻膜难以蚀刻。因此，优选通过控制器51进行控制，使从可变直流电源50施加的电压能使上部电极34的等离子体薄片厚度增厚，达到形成期望的扁平状等离子体的程度。
此外，当形成等离子体时，在上部电极34附近生成电子。当从可变直流电源50将直流电压施加到上部电极34时，该电压具有使电子向处理空间的垂直方向加速的作用(电子由于Vpp的影响也加速)。通过使可变直流电源50的极性、电压值、电流值成为期望的值，电子可照射至半导体晶片W上。照射的电子可使作为掩模的光致抗蚀刻膜的组成改质，强化光致抗蚀刻膜。
这样，通过控制施加在上部电极34上的直流电压，发挥上部电极34的溅射功能或等离子体缩小化功能，还有将在上部电极34上生成的大量电子供给到半导体晶片W的功能，可以强化光致抗蚀刻膜和供给最优的聚合物，抑制处理气体的分解等，还可以抑制光致抗蚀刻表面的粗糙度等，可提高蚀刻对象层相对于光致抗蚀刻膜的蚀刻选择比。与此同时，可以抑制光致抗蚀刻的开口部的CD的宽度，可以形成更高精度的图案。特别是通过控制直流电压，使得可适当地发挥溅射功能和等离子体缩小化功能与电子供给功能这三个功能，可以更提高这种效果。
另外，由于处理条件等的差异，使上述各种功能中任一个是否优势地产生有所不同，优选通过控制器51控制从可变直流电源50施加的电压，使得可发挥这些功能的一种以上，有效地达到上述效果。
另外，通过控制施加在上部电极34上的直流电压，可以控制等离子体的电位。利用这一点，如果降低等离子体电位，可以抑制蚀刻副产品附着在上部电极34或构成腔室壁的沉积物遮蔽板11、内壁部件26和绝缘性遮蔽部件42上。
当蚀刻副产品附着在上部电极34或构成腔室壁的沉积物遮蔽板11等上时，处理特性变化，或可产生颗粒。特别是在连续蚀刻多层膜的情况下，由于各个膜造成蚀刻条件不同，前次处理的影响残存，对下面的处理有不利影响，产生记忆效果。这种蚀刻副产品的附着受等离子体电位、上部电极34和腔室壁等之间的电位差的影响，因此通过施加直流电压，控制等离子体电位，可抑制这种蚀刻生成物附着。
另外，通过控制施加在部电极34上的直流电压，可以有效地发挥这种等离子体电位的控制功能，上述上部电极34的溅射功能和等离子体的缩小化功能与电子供给功能。
本发明不仅限于上述实施方式，可有各种变形。例如，在上述实施方式中，表示了上部电极和下部电极相对配置，将等离子体生成用的高频电力施加在上部电极上，将离子引入用的高频电力施加在下部电极上的形式的等离子体蚀刻装置，但不必限于这种形式。例如，如图12所示，在将等离子体生成用的60MHz的高频电力从第一高频电源48’施加到作为下部电极的基座16，同时从第二高频电源90’施加离子引入用的例如2MHz的高频电力的下部两个频率的形式的等离子体蚀刻装置也适用。如图示，通过将可变直流电源101与上部电极134连接，施加规定的直流电压，可得到与实施方式一相同的效果。
此外，在这种情况下，如图13所示，也可以将直流电源102施加在作为下部电极的基座16上。
又如图14所示，在隔着腔室10使上部电极134’接地，使高频电源110与作为下部电极的基座16连接，从高频电源110施加等离子体形成用的例如13.56MHz的高频电力的形式的等离子体蚀刻装置中也可应用。在这种情况下，如图所示，通过使可变直流电源112与作为下部电极的基座16连接，施加规定的直流电压，可得到与上述实施方式同样的效果。
又如图15所示，也可以设置与上部电极134’连接的可变直流电源114代替与图14的下部电极连接的可变直流电源112。
在上述实施方式中，表示等离子体蚀刻中使用本发明情况，但不仅限于此，在溅射或等离子体CVD等其他等离子体处理中也可以应用。另外，被处理基板也不只限于半导体晶片，对LCD用的玻璃基板等其他基板也可适用。
权利要求
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有收容被处理基板并可真空排气的处理容器；在所述处理容器内相对配置的第一电极和第二电极；将处理气体供给到所述处理容器内的处理气体供给单元；将高频电力供给到所述第一电极或第二电极，用于形成所述处理气体的等离子体的高频电源；将直流电压施加到所述第一电极或第二电极的直流电源；和控制所述高频电源和所述直流电源的控制部；其中，所述控制部进行控制，在开始从所述高频电源供给所述高频电力的时刻或其后使从所述直流电源施加的所述直流电压成为电压设定值。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于所述控制部进行控制，使得在开始从所述高频电源供给所述高频电力的时刻或其后开始从所述直流电源供给所述直流电压。
3.如权利要求1所述的等离子体体处理装置，其特征在于所述控制部进行控制，使得在停止从所述高频电源供给所述高频电力的时刻或在此之前所述直流电流施加的所述直流电压从所述电压设定值开始下降。
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于所述控制部进行控制，使来自所述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个缓慢减少。
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于所述控制部进行控制，使得在停止从所述高频电源供给所述高频电力的时刻或在此之前停止从所述直流电源供给所述直流电压。
6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于所述第一电极为上部电极，所述第二电极为载置被处理的基板下部电极，所述高频电源将高频电力供给到所述第一电极。
7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于所述直流电源将直流电压施加到所述第一电极。
8.如权利要求1所述等离子体处理装置，其特征在于所述控制部进行控制，使得来自所述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个缓慢增加。
9.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于当来自所述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个缓慢增加时，所述控制部在施加电压、施加电流和施加电力中的任一个到达规定值以上的时刻保持从所述直流电源供给所述直流电压。
10.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有收容被处理基板并可真空排气的处理容器；设置在所述处理容器内，起上部电极作用的第一电极；在所述处理容器内与所述第一电极相对设置，起载置被处理基板的下部电极作用的第二电极；将处理气体供给到所述处理容器的处理气体供给单元；将第一高频电力供给到所述第一电极，用于形成所述处理气体的等离子体的第一高频电源；将离子引入被处理基板用的第二高频电力供给到所述第二电极的第二高频电源；将直流电压施加到所述第一电极的直流电源；和控制所述第一和第二高频电源和所述直流电源的控制部，其中，所述控制部进行控制，在开始从所述第一高频电源供给所述第一高频电力的时刻或其后使从所述直流电源施加的所述直流电压成为电压设定值。
11.如权利要求10所述的等离子处理装置，其特征在于所述控制部进行控制，使得在开始从所述第一高频电源供给的所述第一高频电力的时刻或其后开始从所述直流电源供给所述直流电压。
12.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于所述控制部进行控制，使得最初从所述第二高频电流供给所述第二高频电力以比第二电力设定值低的电力值开始，接着开始从所述第一高频电源供给所述第一高频电力，之后在来自所述第二高频电源的第二高频电力成为所述第二电力设定值之前，使从所述直流电源施加的所述直流电压成为所述电压设定值。
13.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于所述控制部进行控制，使得在停止从所述第一高频电源和第二高频电源中的至少一方供给所述高频电力的时刻或在此之前，所述直流电源施加的所述直流电压从所述电压设定值开始降低。
14.如权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于所述控制部进行控制，使得来自所述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个缓慢减少。
15.如要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于所述控制部进行控制，使得在停止从所述第一高频电源和第二高频电源中的至少一方供给所述高频电力的时刻或在此之前，停止从所述直流电源供给直流电压。
16.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于所述控制部进行控制，使得来自所述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个缓慢增加。
17.如权利要求16所述的等离子体处理装置，其特征在于当来自所述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个缓慢增加时，所述控制部在施加电压、施加电流和施加电力中的任一个到达规定值以上的时刻保持从所述直流电源供给所述直流电压。
18.一种等离子体处理方法，其特征在于，使用具有收容被处理基板并可真空排气的处理容器；在所述处理容器内相对配置的第一电极和第二电极；将处理气体供给到所述处理容器内的处理气体供给单元；将高频电力供给到所述第一电极或第二电极，用于形成所述处理气体的等离子体的高频电源；和将直流电压施加到所述第一电极或第二电极的直流电源的等离子体处理装置对被处理基板进行等离子处理，在开始从所述高频电源供给所述高频电力的时刻或其后，使从所述直流电源施加的所述直流电压为电压设定值。
19.如权利要求18所述的等离子体处理方法，其特征在于在开始从所述高频电源供给的所述高频电力的时刻或其后开始从所述直流电源供给所述直流电力。
20.如权利要求18所述的等离子处理方法，其特征在于在停止从所述高频电源供给所述高频电力的时刻或在此之前，所述直流电流施加的所述直流电压从所述设定值开始下降。
21.如权利要求18所述的等离子体处理方法，其特征在于来自所述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个缓慢减少。
22.如权利要求18所述的等离子体处理方法，其特征在于在停止从所述高频电源供给所述高频电力的时刻或在此之前停止从所述直流电源供给所述直流电压。
23.如权利要求18所述的等离子体处理方法，其特征在于所述控制部进行控制，使得来自所述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个缓慢增加。
24.如权利要求23所述等离子体处理方法，其特征在于当来自所述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个缓慢增加时，在施加电压、施加电流和施加电力中的任一个到达规定值以上的时刻保持从所述直流电源供给所述直流电压。
25.一种等离子体处理方法，其特征在于，使用具有收容被处理基板并可真空排气的处理容器；设置在所述处理容器内，起上部电极作用的第一电极；在所述处理容器内与所述第一电极相对设置，起载置被处理基板的下部电极作用的第二电极；将处理气体供给到所述处理容器的处理气体供给单元；将高频电力供给到所述第一电极，用于形成所述处理气体的等离子体的第一高频电源；用于将离子引入被处理基板用的高频电力供给到所述第二电极的第二高频电源；和将直流电压施加到所述第一电极的直流电源的等离子体处理装置，对被处理基板进行等离子体处理，在开始从所述高频电源供给所述第一高频电力的时刻或其后，使从所述直流电源施加的所述直流电压为电压设定值。
26.如权利要求25所述的等离子体处理方法，其特征在于所述控制部进行控制，使得在开始从所述第一高频电源供给所述第一高频电力的时刻或其后开始从所述直流电源供给所述直流电压。
27.如权利要求25所述的等离子体处理方法，其特征在于最初从所述第二高频电流供给所述第二高频电力以比第二电力设定值低的电力值开始，接着开始从所述第一高频电源供给所述第一高频电力，之后在来自所述第二高频电源的第二高频电力成为所述第二电力设定值之前，使从所述直流电源施加的所述直流电压成为所述电压设定值。
28.如权利要求25所述的等离子体处理方法，其特征在于在停止从所述第一高频电源和第二高频电源中的至少一方供给所述高频电力的时刻或在此之前，所述直流电源施加的所述直流电压从所述电压设定值开始下降。
29.如权利要求28所述的等离子体处理方法，其特征在于所述控制部进行控制，使得来自所述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个缓慢减少。
30.如权利要求25所述的等离子体处理方法，其特征在于所述控制部进行控制，使得在停止从所述第一高频电源和所述第二高频电源中的至少一方供给所述高频电力的时刻或在此之前，停止从所述直流电源供给所述直流电压。
31.如权利要求25中所述的等离子体处理方法，其特征在于来自所述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一方缓慢增加。
32.如权利要求31所述的等离子体处理方法，其特征在于当来自所述直流电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个缓慢增加时，在施加电压、施加电流和施加电力中的任一个在规定值以上的时刻保持从所述直流电源供给所述直流电压。
全文摘要
本发明提供除高频电力之外，以施加直流电压的电容结合型等离子体处理装置为前提，可以得到良好的等离子体的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在腔室(10)内相对配置的上部电极(34)和下部电极(16)之间形成处理气体的等离子体，在晶片(W)上进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置中，具有将高频电力供给到上部电极(34)，用于形成等离子体的高频电源(48)；将直流电压施加到上部电极(34)的直流电源(50)和控制高频电源(48)与可变直流电源(50)的控制部(95)。控制部(95)进行控制，使得在开始从高频电源(18)供电的时刻或其后，使从可变直流电源(50)施加的电压成设定值。
文档编号H01J37/32GK1842242SQ200610066499
公开日2006年10月4日 申请日期2006年3月31日 优先权日2005年3月31日
发明者松本直树, 田中秀朗, 藤原尚, 舆水地盐, 小岩史明, 小林俊之, 仲山阳一, 中村博 申请人:东京毅力科创株式会社