专利名称：等离子体显示面板和用于其的基板结构体的制造方法
技术领域：
本发明涉及等离子体显示面板(下文称为"PDP")用基板结构体 的制造方法和PDP。
背景技术：
图2为现有PDP结构的立体示意图。PDP采用前面侧基板结构体 1和背面侧基板结构体2贴合的结构。前面侧基板结构体1在由玻璃基 板构成的前面侧基板la上配置由透明电极31和总线电极32构成的显 示电极3，显示电极3被电介质层4覆盖。在电介质层4上，进一步形 成包括二次电子发射系数高的由氧化镁层构成的防护层5。在背面侧基 板结构体2上，在由玻璃基板构成的背面侧基板2a上配置与显示电极 正交的地址电极6，且在地址电极6之间，设置有用于划定发光区域的 隔壁7，在利用地址电极6上的隔壁7划分出的区域形成有红、绿、蓝 荧光体层8。将由Ne—Xe气体构成的放电气体封入形成在互相贴合的 前面侧基板结构体1和背面侧基板结构体2的内部的气密放电空间。 另外，图中未表明的是，地址电极6被电介质层覆盖，隔壁7和荧光 体层8设置在该电介质层上。利用该PDP，通过在地址电极6与显示电极3之间施加电压，发 生用于寻址的放电(地址放电)，而通过在一对显示电极3之间施加 电压，发生复位放电和用于显示的维持放电等。从在电极之间施加电压到实际开始放电为止，会有若干时间差， 这被称之为放电延迟。当该放电延迟增大时，就会导致显示品质退化、 或不能正确显示等各种不良状态。为改善该放电延迟，在现有技术中，已知有将包括进行在波长 235nm附近具有峰值的阴极发光(Cathode Luminescence)(卩文称为 "CL"发光)的由氧化镁晶体构成的层设置在覆盖显示电极的电介质 层之上的技术(例如，参照专利文献l)。根据该文献，如下所述，说 明对放电延迟的改善作用。氧化镁晶体具有与235nm对应的能级，在
该能级长时间(数msec)捕捉电子，在电极之间施加电压时，释放该 电子。因此，在电极之间施加电压时，迅速供给放电所需的初始电子， 结果就改善了放电延迟。氧化镁晶体层可利用静电喷涂法等干式涂敷法，喷涂法(Spray Method)、网版印刷法(Screen Printed Method)、平版印刷法(Offset Printed Method)、滴涂法(dispense Method)、喷墨法、辊涂法等湿 式涂敷法等形成。由于湿式涂敷法可使氧化镁晶体与电介质层牢固粘合，因此优于 干式涂敷法。[专利文献1]日本专利特开2006-59786号公报发明内容采用湿式涂敷法，在将氧化镁晶体分散在分散介质中的悬浊液涂 敷在电介质层上之后，使分散介质蒸发，由此形成氧化镁晶体层，但 在某些情况下，分散介质蒸发时，会因发生氧化镁晶体的凝集，或因 分散介质的蒸发不均衡，导致不能均匀地形成氧化镁晶体层。由于在 此情况下，放电延迟的改善效果也不均衡，因此希望能形成均匀的氧 化镁晶体层。本发明即是鉴于该情况而做出的发明，提供一种能在覆盖形成在 基板上的显示电极的电介质层之上，形成均匀的氧化镁晶体层的PDP 用基板结构体的制造方法。本发明的PDP用基板结构体的制造方法的特征在于，包括在覆盖 形成在基板上的显示电极的电介质层之上，涂敷分散介质中分散有大 量氧化镁晶体的悬浊液，然后使上述分散介质蒸发，由此在上述电介 质层上形成氧化镁晶体层的工序，上述电介质层的表面均匀分布有可 捕捉上述氧化镁晶体的凹凸结构。根据本发明，在电介质层表面涂敷含有氧化镁晶体的悬浊液，氧 化镁晶体就能被均匀分布在电介质层表面的凹凸结构捕捉，由于是在 这种状态下蒸发悬浊液中的分散介质，因此，既不会导致氧化镁晶体 凝集，也不会导致分散介质蒸发不均衡等问题，从而能均匀地形成氧 化镁晶体层。 图1 (a) (c)为本发明的一个实施方式的PDP用前面侧基板 结构体的制造工序的截面图。图2为现有PDP结构的立体示意图。 符号说明1:前面侧基板结构体；la:前面侧基板；2:背面侧基板结构体； 2a:背面侧基板；3:显示电极；31:透明电极；32:总线电极；4: 电介质层；5:防护层；6:地址电极；7:隔壁；8:荧光体层；11: 基板；B:显示电极；13a:透明电极；13b:总线电极；15:电介质 层；15a:下层电介质层；15b:氧化镁层；17:氧化镁晶体层；17a: 氧化镁晶体；19:凹凸结构具体实施方式
下面，利用
本发明的实施方式。附图以及下述说明中所 示结构为举例说明，而本发明的范围则并不限于附图以及下述说明中所示。在下述实施方式中，以前面侧基板结构体上设置有显示电极、电 介质层、氧化镁晶体层等的情况为例进行了说明，但显示电极、电介 质层、氧化镁晶体层等设置在背面侧基板结构体上的情况也可适用于 本发明。采用图1 (a) (c)，说明本发明的一个实施方式的PDP用前 面侧基板结构体的制造方法。图1 (a) (c)为本实施方式的PDP 用前面侧基板结构体的制造工序的截面图。而为便于图示，以立体图 表示氧化镁晶体17a。如图1 (a) (c)所示，本实施方式的PDP用前面侧基板结构 体的制造方法，其特征在于包括在覆盖形成在前面侧基板ll上的显 示电极13的电介质层15之上，涂敷分散介质中分散有大量氧化镁晶 体17a的悬浊液，然后使上述分散介质蒸发，由此在电介质层15上形 成氧化镁晶体层17的工序，电介质层15的表面均匀地分布有可捕捉 氧化镁晶体17a的凹凸结构19。下面，对本实施方式的方法所包括的各工序进行说明。
1. 显示电极形成工序首先，如图l (a)所示，在前面侧基板11上形成显示电极13。 对前面侧基板11无特别限定，可采用本领域公知的任一种基板。 具体而言，可举出玻璃基板、塑料基板等透明基板。显示电极13可采用由ITO、 Sn02等透明电极材料形成的电极，和 由Ag、 Au、 Al、 Cu、 Cr等金属电极材料形成的电极。具体而言，可 采用包括例如ITO、 Sn02等宽宽度透明电极13a和用于降低电阻的例 如由Ag、 Au、 Al、 Cu、 Cr及其叠层体(例如Cr / Cu / Cr的叠层结构) 等构成的金属制窄宽度总线电极13b的电极等。对于显示电极13，对 Ag、 Au采用印刷法，其它材料采用蒸镀法、溅射法等成膜方法和蚀刻 法组合的方法，就能按照所需数目、厚度、宽度、间隔等形成显示电 极。2. 电介质层形成工序然后，如图1 (b)所示，在所得的基板上形成覆盖显示电极13 的电介质层15。在本实施方式中，电介质层15为双层结构，具有覆盖 显示电极13的下层电介质层15a和覆盖下层电介质层15a的氧化镁层 15b。可通过例如采用网版印刷法，将低熔点玻璃料中添加有粘合剂和 溶剂的用于形成电介质层的糊状物涂敷在所得的基板上，进行烧结， 形成下层电介质层15a。也可利用CVD法等堆积氧化硅，形成下层电 介质层15a。氧化镁层15b起到保护下层电介质层15a的防护层的功能， 利用蒸镀法、溅射法等形成。利用蒸镀法、溅射法等形成的氧化镁层 15b与后述的氧化镁晶体层17不同，不会发生在波长区域200 300nm 内具有峰值的CL发光(参照专利文献1)。另外，电介质层15可采 用不具备氧化镁层15b、而仅具备下层电介质层15a的单层结构。电介质层15表面均匀分布有可捕捉氧化镁晶体17a的凹凸结构 19。凹凸结构19的形状没有特别限定，只要可以捕捉氧化镁晶体17a 即可。凹凸结构19的一例为JIS B0601所定义的十点平均粗糙度Rz 为0.1 2,、凹凸的平均间隔Sm为0.2 40pm的形状。之所以采用 这种形状，是因为这样的凹凸结构19能有效捕捉氧化镁晶体17a。十 点平均粗糙度Rz和凹凸的平均间隔Sm的具体测量可按照JIS B0633 等实施。当十点平均粗糙度Rz过小时，难以捕捉氧化镁晶体17a，而当过 大时，氧化镁晶体17a将聚集在凹部，结果导致氧化镁晶体17a在凸 部的密度降低。因此，十点平均粗糙度Rz优选为0.1 2kuti。当凹凸的平均间隔Sm过小时，难以捕捉氧化镁晶体17a，而当过 大时，设置凹凸结构19的效果将减弱。因此，凹凸的平均间隔Sm优 选为0.1 20nm。下面，说明凹凸结构19的形成方法的具体例。另外，凹凸结构19 也可采用下述具体例之外的方法形成。(1) 喷砂或研磨的方法在该方法中，首先，在显示电极形成工序后的基板上，涂敷电介 质层形成用糊状物并进行烧结，或采用CVD法，形成表面平坦的下层 电介质层15a。然后，利用喷砂或研磨等，在下层电介质层15a表面形 成均匀的凹凸结构19。可通过改变喷砂条件(研磨材料的尺寸或用量， 喷射时间或速度等)或研磨条件(研磨材料的尺寸或用量，研磨时间、 压力或速度等)改变凹凸结构19的形状、尺寸等。在下层电介质层15a上形成凹凸结构19之后，形成覆盖下层电介 质层15a的氧化镁层15b。下层电介质层15a表面的凹凸结构19反映 到氧化镁层15b的表面形状上，在氧化镁层15b的表面也形成凹凸结 构19。这里，以在形成有凹凸结构19的下层电介质层15a上形成氧化镁 层15b的情况为例进行了说明，但也可在表面平坦的下层电介质层15a 上形成氧化镁层15b,利用喷砂或研磨等技术方案，在氧化镁层15b 表面均匀地形成凹凸结构19。(2) 在电介质层形成用糊状物中包含高熔点材料颗粒的方法 在该方法中，首先，将含有高熔点玻璃或氧化物(氧化铝或氧化镁等)等比低熔点玻璃的熔点高的材料的高熔点材料颗粒混入电介质 层形成用糊状物中，将该糊状物涂敷在显示电极形成工序后的基板上， 在高熔点材料颗粒不熔融的温度下实施烧结。这样，就得到利用高熔 点材料颗粒在表面形成有均匀的凹凸结构19的下层电介质层15a。可 通过改变高熔点材料颗粒的尺寸、数目等来改变凹凸结构19的形状、
尺寸等。而在形成凹凸结构19之后形成氧化镁层15b方面与上述(1)^^样o(3)在下层电介质层上散布高熔点材料颗粒的方法 在该方法中，首先，将电介质层形成用糊状物涂敷在显示电极形 成工序后的基板上。然后，在对涂敷后的糊状物实施烧结之前，散布 含有高熔点玻璃或氧化物(氧化铝或氧化镁等)等比低熔点玻璃的熔 点高的材料的高熔点材料颗粒，然后实施烧结。这样，就得到利用高 熔点材料颗粒在表面形成均匀的凹凸结构19的下层电介质层15a。可 通过改变高熔点材料颗粒的尺寸、数目等来改变凹凸结构19的形状、 尺寸等。而在形成凹凸结构19之后形成氧化镁层15b方面与上述(1) --样。3.氧化镁晶体层形成工序然后，如图1 (c)所示，在电介质层15上涂敷分散介质中分散有 大量氧化镁晶体17a的悬浊液，然后，使上述分散介质蒸发，在电介 质层15上形成氧化镁晶体层17。对氧化镁晶体17a的尺寸、形状没有特别限定，平均粒径优选为 0.05 20,。氧化镁晶体17a的平均粒径过小时，波长235nm附近的 CL发光较弱，因此放电延迟的改善效果较小；而当该平均粒径大时， 难以被电介质层15表面的凹凸结构19捕捉，因此难以形成均匀的氧 化镁晶体层17。氧化镁晶体17a的平均粒径可根据式1求得。式1:平均粒径二a/(SXp) (其中，a为形状系数，为6， S为根据氮吸附法求得的BET比表 面积，p为氧化镁的真密度。)氧化镁晶体17a的平均粒径具体为0.05、 0.1、 0.2、 0.3、 0.4、 0.5、 0.6、 0.7、 0.8、 0.9、 1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、 11、 12、 13、 14、 15、 16、 17、 18、 19、 20pm。氧化镁晶体17a的平均粒径的范围 可以在上述具体平均粒径所举例数值任两个之间。对氧化镁晶体17a的制造方法没有特别限定，优选利用镁蒸汽和 氧反应的气相法制造。例如，可按照日本专利特开2004—182521号公 报所述的方法或《材料》昭和62年11月号、第36巻第410号第1157 1161页的《气相法镁粉合成及其性质》(『気相法[二上37夕'氺、乂 々厶粉末o合成i:乇o性質』)等所述的方法制造。另外，氧化镁晶 体17a可从日本宇部材料株式会社购得。之所以优选按照气相法制造是因为按照气相法制造氧化镁晶体17a，可得到高纯度单晶体。对分散氧化镁晶体17a的分散介质的种类没有特别限定。考虑到 挥发性等方面，该分散介质优选为醇类，特别优选为碳原子数1 5的 低级醇。悬浊液可通过将氧化镁晶体17a和分散介质混合、搅拌制成。悬浊液的涂敷可采用喷涂法、网版印刷法、胶版印刷法、滴涂法、 喷墨法、辊涂法等湿式涂敷法等实施。在表面具有均匀的可捕捉氧化镁晶体17a的凹凸结构19的电介质 层15上涂敷悬浊液，就能利用凹凸结构19捕捉悬浊液中的氧化镁晶 体17a，难以在与主面平行的方向上移动。在该状态下， 一旦利用减压 或加热等技术方案使分散介质蒸发，就可以在避免氧化镁晶体17a凝 集的状态下除去分散介质，形成氧化镁晶体层17。由于除去分散介质 时不出现氧化镁晶体17a的凝集，因此可形成均匀的氧化镁晶体层17。按照上述工艺，可形成前面侧基板结构体。该前面侧基板结构体 与另行制造的形成有地址电极、隔壁和荧光体层等的背面侧基板结构 体贴合，形成内部具有密封放电空间的面板。前面侧基板结构体和背 面侧基板结构体贴合，使显示电极与地址电极正交。通过排出该面板 的放电空间内的气体，然后，向放电空间内引入含氖、氙等的放电气 体，就可制造PDP。该PDP具有利用显示电极与地址电极之间的交点确定在前面侧基板结构体与背面侧基板结构体之间的多个放电单元。向面板的放电空间内排放气体、向放电空间内导入放电气体是需 要花费时间的工序，但由于本实施方式的前面侧基板结构体的电介质 层15表面具有凹凸结构19，因此，在前面侧基板结构体和背面侧基板 结构体贴合时，前面侧基板结构体的电介质层15与背面侧基板结构体 的隔壁之间形成由凹凸结构19造成的空隙，这样就能提高排气传导性 (Conductance)，縮短向放电空间内排放气体、向放电空间内导入放 电气体所需的时间。
上述实施方式所示的各种特征，可相互组合。在某一实施方式中 包括多个特征时，可选出其中的一个或多个特征，单独采用或将其组 合，用于本发明。
权利要求
1.一种等离子体显示面板用基板结构体的制造方法，其特征在于包括在覆盖形成在基板上的显示电极的电介质层之上，涂敷分散介质中分散有大量氧化镁晶体的悬浊液，然后使所述分散介质蒸发，由此在所述电介质层上形成氧化镁晶体层的工序，其中，所述电介质层的表面均匀分布有可捕捉所述氧化镁晶体的凹凸结构。
2. 如权利要求1所述的等离子体显示面板用基板结构体的制造方法，其特征在于所述电介质层具有覆盖显示电极的下层电介质层、和覆盖下层电 介质层的氧化镁层。
3. 如权利要求1所述的等离子体显示面板用基板结构体的制造方 法，其特征在于所述氧化镁晶体根据式1求得的平均粒径为0.05 20pm， 式l:平均粒径二a/(SXp)其中，a为形状系数，为6， S为根据氮吸附法求得的BET比表面 积，p为氧化镁的真密度。
4. 如权利要求1所述的等离子体显示面板用基板结构体的制造方 法，其特征在于所述凹凸结构为由JIS B0601所定义的、十点平均粗糙度Rz为 0.1 2;am、凹凸的平均间隔Sm为0.2 40|tim。
5. 如权利要求1所述的等离子体显示面板用基板结构体的制造方 法，其特征在于通过对所述电介质层的表面实施喷砂或研磨而形成所述凹凸结构。
6. 如权利要求1所述的等离子体显示面板用基板结构体的制造方法，其特征在于-通过在形成有所述显示电极的所述基板上涂敷糊状物并烧结所涂 敷的糊状物的工序，形成所述介电体层，由此形成所述凹凸结构，所 述糊状物包含低熔点玻璃和熔点高于所述低熔点玻璃的颗粒，所述烧 结在所述低熔点玻璃熔融且所述颗粒不熔融的温度下进行。
7. 如权利要求1所述的等离子体显示面板用基板结构体的制造方 法，其特征在于通过在形成有所述显示电极的所述基板上涂敷糊状物并在所涂敷 的糊状物上散布颗粒，共同烧结所述糊状物和所述颗粒的工序，形成 所述介电体层，由此形成所述凹凸结构，所述糊状物包含低熔点玻璃， 所述颗粒与所述低熔点玻璃相比熔点高，所述烧结在所述低熔点玻璃 熔融且所述颗粒不熔融的温度下进行。
8. 如权利要求1所述的等离子体显示面板用基板结构体的制造方 法，其特征在于.-所述氧化镁晶体通过包括镁蒸气与氧的反应的气相法形成。
9. 一种等离子体显示面板，其特征在于-前面侧配置有按照权利要求1所述的方法制造的等离子体显示面 板用基板结构体，背面侧配置有与所述显示电极正交的方向上的地址 电极形成在基板上的等离子体显示面板用基板结构体，在这些两基板 结构体之间形成利用显示电极和地址电极的交点确定的多个放电单元。
全文摘要
本发明涉及一种PDP用基板结构体的制造方法，其可在覆盖形成在基板上的显示电极的电介质层之上均匀地形成氧化镁晶体层。本发明的PDP用基板结构体的制造方法的特征在于，包括在覆盖着形成于基板上的显示电极的电介质层之上，涂敷分散介质中分散有大量氧化镁晶体的悬浊液，然后使上述分散介质蒸发，在上述电介质层上形成氧化镁晶体层的工序，上述电介质层的表面均匀分布着可捕捉上述氧化镁晶体的凹凸结构。
文档编号H01J9/02GK101131904SQ20061016999
公开日2008年2月27日 申请日期2006年12月26日 优先权日2006年8月23日
发明者三泽智也, 笠原滋雄 申请人:富士通日立等离子显示器股份有限公司