等离子体显示板的制作方法

文档序号:2934198阅读:89来源:国知局
专利名称:等离子体显示板的制作方法
技术领域
本发明涉及等离子体显示板。
背景技术
等离子体显示板包括由障壁(barrier rib)分割的放电单元内部的荧光 体层和多个电极。
当驱动信号被施加到等离子体显示板的电极时,在放电单元内部发生 放电。换言之,当通过向放电单元施加驱动信号而使等离子体显示M电 时,填充在放电单元中的放电气体产生真空紫外线,从而使位于障壁之间 的荧光体发光,由此产生了可见光。由于可见光而在等离子体显示板的屏 幕上显示图像。


图1图示了根据示例性实施例的等离子体显示板的结构; 图2图示了才艮据示例性实施例的等离子体显示板的工作的例子; 图3和4图示了制造等离子体显示板的方法的例子; 图5和6是用于说明密封层的示图7至10是用于说明珠子(bead)和上介电层的厚度之间的关系的示
图11至13是用于说明珠子和下介电层的厚度之间的关系的示图; 图14和15是用于说明双蛋珠子(double egg bead)的示图; 图16和17是用于说明双蛋珠子的效果的示图; 图18图示了另外形式的双蛋珠子;
图19至21是用于说明密封层的高度和珠子的尺寸的示5图22是用于说明为什么密封层的高度大于障壁的高度的原因的示
图23是用于说明制造珠子的方法的示图24至27是用于说明珠子的形状和珠子在密封层内部的位置的示
图28至30是用于说明珠子的尺寸和障壁的高度之间的关系的示图31是用于说明哑障壁的示图;以及
图32图示了根据示例性实施例的等离子体显示设备的例子。
具体实施例方式
图1图示了根据示例性实施例的等离子体显示板的结构。
如图1所示,根据示例性实施例的等离子体显示板100包括前J4! 101,扫描电极102和维持电极103彼此平行地放置在该前基板101上; 以;S^141111,寻址电极113放置在该后基仗111上以与扫描电极102 和维持电极103相交。前基板101和后基板111通过密封层(未示出)彼 此^^以彼此相对。
上介电层104放置在扫描电极102和维持电极103上,以提供扫描电 极102和维持电极103之间的电绝缘。
保护层105放置在上介电层104上以有利于放电状态。保护层105 可以包括具有高二次电子发射系数的材料例如氧化镁(MgO )。
下介电层115放置在寻址电极113上,以提供寻址电极113的电绝缘。
条型、井型、三角型和蜂窝型等的障壁112放置在下介电层115上以 分割放电空间(亦即放电单元)。红色(R)放电单元、绿色(G)放电单 元和蓝色(B)放电单元等可以放置在前基板101和后基板111之间。除 了红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)放电单元之外,还可以进一步放置 白色(W)放电单元或黄色(Y)放电单元。
由障壁112分割的每个放电单元都填充有包括氙(Xe)和氖(Ne) 等的放电气体。
荧光体层114放置在放电单元内部,以在寻址放电期间发出用于图像 显示的可见光。例如,分别发出红色(R)、蓝色(B)和绿色(G)光的第一、第二和第三荧光体层可以放置在放电单元内部。除了红色(R)、 绿色(G)和蓝色(B)光之外,还可以进一步放置发出白色或黄色光的 荧光体层。
形成在红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)放电单元内部的荧光体层 114中的至少一个的厚度可以不同于其它荧光体层的厚度。例如,蓝色(B ) 和绿色(G )放电单元内部的第二和第三荧光体层的厚度可以大于红色(R) 放电单元内部的第一荧光体层的厚度。第二荧光体层的厚度可以基本上等 于或不同于第三荧光体层的厚度。
红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)放电单元的宽度可以基本上彼此 相等。进一步,红色(R)、绿色(G)或蓝色(B)放电单元中的至少一 个的宽度可以不同于其它放电单元的宽度。例如,红色(R)放电单元的 宽度可以是最小的,而绿色(G)和蓝色(B)放电单元的宽度则可以大 于红色(R)放电单元的宽度。绿色(G)放电单元的宽度可以基本上等 于或不同于蓝色(B)放电单元的宽度。因此,可以改善等离子体显示板 上显示的图像的色温。
等离子体显示板100可以具有如图1所示的障壁112的结构以及不同 形式的障壁结构。例如,障壁112包括第一障壁112b和第二障壁112a。 障壁112可以具有差别型障壁结构,其中,第一和第二障壁112b和112a 的高度彼此不同。
在差别型障壁结构中,第一障壁112b的高度可以小于第二障壁112a 的高度。
虽然图1已图示和描述了其中红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)放 电单元布置在相同的线上的情况,但是红色(R)、绿色(G)和蓝色(B) 放电单元可以以不同的模式布置。例如,可以应用其中红色(R)、绿色
(G)和蓝色(B)放电单元布置成三角形形状的三角型布置。进一步, 放电单元可以具有多种多边形形状如五边形和六边形形状以及矩形形状。
虽然图1已图示和描述了其中障壁112形成在后1^L111上的情况, 但是障壁112可以形成在前基tl 101或后基板111中的至少一个上。
在图l中,上介电层104和下介电层115每个具有单层结构。然而, 上介电层104或下介电层115中的至少一个可以具有多层结构。
虽然放置在后基板111上的寻址电极113可以具有基本上恒定的宽度 或厚度,但是放电单元内部的寻址电极113的宽度或厚度可以不同于放电单元外部的寻址电极113的宽度或厚度。例如,放电单元内部的寻址电极 113的宽度或厚度可以大于放电单元外部的寻址电极113的宽度或厚度。
图2图示了根据示例性实施例的等离子体显示板的工作的例子。示例 性实施例不限于图2,并且等离子体显示板可以以不同的方式工作。
如图2所示,在用于初始化的复位期期间,对扫描电极施加复位信号。 复位信号包括上升信号和下降信号。复位期进一步分成上升期和下降期。
在上升期期间对扫描电极施加上升信号,从而在上升期期间在放电单 元内部产生弱暗放电(亦即上升放电)。因此,在放电单元内部累积适当 量的壁电荷。
在下降期期间对扫描电极施加下降信号,从而在放电单元内部产生弱 擦除放电(亦即下降放电)。因此,剩余的壁电荷在放电单元内部均匀到 寻址放电稳^JL生的程度。
在复位期之后的寻址期期间,对扫描电极施加扫描偏置信号,该扫描 偏置信号基本上维持在比下降信号的最低电压V5更高的第六电压V6。
对扫描电极施加从扫描偏置信号下降的扫描信号。
在至少一个子场的寻址期期间施加的扫描信号的宽度可以不同于在 其它子场的寻址期期间施加的扫描信号的宽度。
子场中的扫描信号的宽度可以大于时间顺序上的下一个子场中的扫 描信号的宽度。例如,在相继排列的子场中,扫描信号的宽度可以按照 2.6 ns、 2.3 ps、 2.1jns、 1.9 p s等的顺序逐渐减少,或者可以按照2.6 ji s、 2.3ns、 2.3ps、 2.1ns......1.9jus、 1.9ps等的顺序减少。
如上所述,当对扫描电极施加扫描信号时,对寻址电极施加对应于扫 描信号的数据信号。
随着扫描信号和数据信号之间的电压差被添加到复位期期间产生的 壁电压,在对其施加数据信号的放电单元内部发生寻址放电。
在寻址期期间对维持电极施加维持偏置信号,以便防止维持电极的干 扰产生不稳定的寻址放电。
维持偏置信号基本上维持在维持偏置电压Vz。维持偏置电压Vz低于 维持信号的电压Vs并高于接地电平电压GND。
在寻址期之后的维持期期间,可以对扫描电极或维持电极中的至少一个施加维持信号。例如,交替地对扫描电极和维持电极施加维持信号。
随着通过执行寻址放电选择的放电单元内部的壁电压被添加到维持
信号的维持电压Vs,每次施加维持信号时,维持放电亦即显示放电都在 扫描电极和维持电极之间发生。
在至少一个子场的维持期期间施加多个维持信号,并且多个维持信号 中的至少一个的宽度可以不同于其它维持信号的宽度。例如,多个维持信 号中施加的第一维持信号的宽度可以大于其它维持信号的宽度。因此,维 持放电可以更加稳定地发生。
图3和4图示了制造等离子体显示板的方法的例子。
如图3所示,密封层300形成在前J41101或后基仗lll中的至少一 个的边缘,并且前基板101和后基敗111利用密封层300而彼此M。例
如,密封层300形成在后14iiii的哑区域中,并且前Mioi和后a
111可以通过以下彼此^^:对前基tl 101和后基敗111施加压力以完成 接合结构。
如图4所示,固定装置310如夹具设置在接合结构的边缘。固定装置 310固定^结构以1更前^41101和后141111彼此对准,直到密封层300 硬化为止。
图5和6是用于说明密封层的示图。在下文中,省略保护层的示意图 和描述。
如图5所示,等离子体显示板100的密封层400包括珠子410。
珠子410可以适当地维持前基板101和后基板111之间的间隔,从而 防止驱动期间前基tl 101和后基仗111的碰撞。因此可以减少噪声。
在没有珠子410的情况下,如图6所示,密封层400可能被用于在前 101和后基仗111的#^过程中使前基板101和后基板111对准的固 定装置如夹具过度挤压。因此,前基&101和后基fellll之间的间隔可能 不均匀。
在没有珠子410的情况下,可以如图4所示通it4掩^结构的边缘设 置固定装置来使前基仗101和后基板111对准。然而,密封层400可能如 图6所示被过度挤压,因为固定装置对接合结构的边缘施加了压力。因此, 前^101和后基^111之间的间隔可能不均匀。进一步,前基&101由 于不均匀的间隔而与障壁112碰撞,从而可能过度产生噪声。另一方面,如图5所示,当密封层400包括珠子410时,珠子410 支持前基&101和后141111以防止过度挤压密封层400。因此,密封层 400的厚度可以保持恒定。进一步,可以充分防止前基仗101和障壁的碰 撞,并且可以防止噪声。
下面来描述制造密封层400的方法的例子。
首先,混合密封材料、溶剂、粘合剂和珠子410以形成具有流动性的 密封糊剂。
其后,将密封糊剂涂敷在前a 101或后J4! 111中的至少一个的哑 区域上,以使前基&101附着到后基tllll。
在焙烧炉中执行用于焙烧密封糊剂的过程,以使前基板101和后^L 111之间涂敷的密封糊剂的密封材料熔化并烧灼粘合剂和溶剂。由此形成 密封层400。
如果与密封材料混合的珠子410在密封糊剂的焙烧过程中熔化,则难 以适当地维持前基板101和后14llll之间的间隔。因此,不使珠子410 在焙烧过程中熔化可以是优选的。珠子410的熔点可以高于密封材料的熔 点。珠子410的熔点可以等于或高于500匸。
除了珠子410不在密封糊剂的焙烧过程中熔化之外并不特别地限制 珠子410的材料。珠子410的材料可以是金属、塑料、玻璃和硅等。
珠子410可以随机地分布在密封层400内部。大量的珠子400可以i殳 置在上介电层104和下介电层115之间。
在图5中,R指示珠子410的尺寸,tl指示上介电层104的厚度,而 t2则指示下介电层115的厚度。
图7至10是用于"i兌明珠子和上介电层的厚度之间的关系的示图。
如图7所示,珠子410设置在上介电层104和下介电层115之间。
珠子410支持前14ll01和后Ml11,以便当前141101和后141 111接合时适当地维持前基板101和后基仗111之间的间隔。上介电层104 充当能够防止由珠子410造成的对前基仗101的破坏的緩冲器。下介电层 115充当能够防止由珠子410造成的对后基板111的破坏的緩冲器。
由于珠子410,压力可能被集中施加到上介电层104的特定部分。例 如,由于珠子410支持前^i4ll01和后141111,所以由前MlOl的重 量造成的压力可能被集中施加到位置P。如果前MlOl过薄,则上介电层104可能会被集中施加到位置P的压力物理地损坏。这可以等同地适用 于下介电层115。
如图8所示,由于扫描电极102和维持电极103设置在同一层上,所 以扫描电极102和维持电极103之间的点火电压比较高。
在上介电层104被珠子410物理地损坏的情况下,需要具有高电压的 驱动信号以在扫描电极102和维持电极103之间产生放电。由于具有高电 压的驱动信号而可能发生上介电层104的电介质击穿。
在图8中,扫描电极102和维持电极103每个具有多层结构。例如, 扫描电极102和维持电极103中的每一个可以包括透明电极102a和103a 以及汇流电极102b和103b。可以进一步在透明电极102a和103a与汇流 电极102b和103b之间放置黑层500和510。
图9是g,该表指示了当上介电层的厚度tl与珠子的尺寸R的比 率tl/R在0.1到0.47的范围时,在对扫描电极施加的192V、 242V、 360V 和485V中的每个电压下,上介电层的电介质击穿是否发生。使用了具有 大约145 n m的尺寸R的珠子。
在图9中,O指示上介电层的电介质击穿没有发生,而X则指示上 介电层的电介质击穿发生。
当比率tl/R为0.1时,上介电层的电介质击穿在除了 192V之外的 242V、 360V和485V下发生。在这种情况下,因为上介电层的厚度tl过 小,所以上介电层可以被珠子容易地破坏。因此,上介电层难以承受242V 的相对低的电压。
相反地,当比率tl/R为0.125时,上介电层的电介质击穿仅在485V 的高电压下发生,并且上介电层的电介质击穿在192V、 242V和360V下 不发生。
由于在等离子体显示板的驱动期间对扫描电极施加485V的高电压是 稀有的情况,所以当比率tl/R为0.125时可以在某种程度上保证等离子体 显示板的可靠性。
当比率tl/R等于或大于0.13时,上介电层的电介质击穿在485V的 高电压下不发生。
图10是指示当比率tl/R在0.1到0.47的范围时的驱动效率的表。在 图10中,O指示驱动效率极好,Q指示驱动效率好,而X则指示驱动效率差。
当比率tl/R在0.1到0.35的范围时,因为上介电层的厚度tl足够小, 所以可以以相对低的电压在扫描电极和维持电极之间发生放电。因此驱动 效率极好。
当比率tl/R在0.38到0.42的范围时,因为上介电层的厚度tl适当, 所以驱动效率好。
相反地,当比率tl/R等于或大于0.46时,因为上介电层的厚度tl可 能过大,所以可以以相对高的电压在扫描电极和维持电极之间发生放电。 在这种情况下,因为扫描电极和维持电极之间的点火电压过高,所以驱动 效率差。
考虑到图7至10的描述,比率tl/R可以在0.125到0.42的范围。进 一步,比率tl/R可以在0.13到0.35的范围。因此,当密封层包括珠子时, 通过防止上介电层的电介质击穿可以提高等离子体显示板的可靠性,并且 通过减少扫描电极和维持电极之间的点火电压可以防止驱动效率下降。
图11至13是用于说明珠子和下介电层的厚度之间的关系的示图。
如图11所示,因为前141101上的扫描电极102和后基fel 111上的 寻址电极113彼此相对地放置,所以扫描电极102和寻址电极113之间的 点火电压可能低于扫描电极102和维持电极103之间的点火电压。
因此,可以对寻址电极113施加比对扫描电极102或维持电极103施 加的电压更低的电压。进一步,提供寻址电极113的绝缘的下介电层U5 的厚度t2可以小于提供扫描电极102和维持电极103的绝缘的上介电层 104的厚度tl。
图12是g,该表指示了当下介电层的厚度t2与珠子的尺寸R的比 率t2/R在0.03到0.21的范围时,在对寻址电机逸加的192V、 235V、 320V 和452V中的每个电压下,下介电层的电介质击穿是否发生。使用了具有 大约145 in m的尺寸R的珠子。
在图12中,O指示下介电层的电介质击穿没有发生,而X则指示下 介电层的电介质击穿发生。
当比率t2/R为0.03时,下介电层的电介质击穿在除了 192V之外的 235V、 320V和452V下发生。在这种情况下,因为下介电层的厚度t2过 小,所以下介电层可以被珠子容易地破坏。因此,下介电层难以承受235V
12的相对低的电压。
相反地,当比率t2/R为0.05时,下介电层的电介质击穿仅在452V 的高电压下发生,并且下介电层的电介质击穿在192V、 235V和320V下 不发生。
由于在等离子体显示板的驱动期间对寻址电极施加452V的高电压是 稀有的情况,所以当比率t2/R为0.05时可以在某种程度上保证等离子体 显示板的可靠性。
当比率t2/R等于或大于0.055时,下介电层的电介质击穿在452V的 高电压下不发生。
图13是指示当比率t2/R在0.03到0.21的范围时的驱动效率的表。 在图13中,0指示驱动效率核^好,O指示驱动效率好,而X则指示驱动 效率差。
当比率t2/R在0.03到0.14的范围时,因为下介电层的厚度t2足够 小,所以可以以相对低的电压在扫描电极和寻址电极之间充分发生放电。 因此驱动效率核*好。
当比率t2/R在0.15到0.17的范围时,因为下介电层的厚度t2适当, 所以驱动效率好。
相反地,当比率t2/R等于或大于0.20时,因为下介电层的厚度t2可 能过大,所以可以以相对高的电压在扫描电极和寻址电极之间发生放电。 在这种情况下,因为扫描电极和寻址电极之间的点火电压过高,所以驱动 效率差。
考虑到图11至13的描述,比率t2/R可以在0.05到0.17的范围。进 一步,比率t2/R可以在0.055到0.14的范围。因此,当密封层包括珠子 时,通过防止下介电层的电介质击穿可以提高等离子体显示板的可靠性, 并且通过减少扫描电极和寻址电极之间的点火电压可以防止驱动效率下 降。
图14和15是用于说明双蛋珠子的示图。
如图14所示,多个珠子410中的至少一个可以具有使相同形状或不 同形状的至少两个珠子彼此连接的形式。例如,珠子410可以包括1型笫 一珠子410a和2型第二珠子410b。第二珠子410b例如可以具有连接两 个珠子的哑铃形状。如图15所示,第二珠子410b可以包括头部411、体部412和连接部 413,其中连接部413的尺寸小于头部411和体部412的尺寸。连接部413 将头部411连接到体部412。换言之,第二珠子410b是通过连接部413 连接相同形状或不同形状的两个珠子(亦即头部411和体部412 )的形式。
连接部413的截面宽度W3可以小于头部411的截面宽度Wl和体部 412的截面宽度W2。连接部413的体积可以小于头部411和体部412中 的每一个的体积。
如上所述,具有使至少两个珠子彼此连接的形式的珠子(例如第二珠 子410b )被称为双蛋珠子。
图16和17是用于说明双蛋珠子的效果的示图。
在图16中,密封层400包括如图16的1型第一珠子那样的单蛋珠子 410a,并且不包括双^"珠子。
单蛋珠子410a放置在上介电层104和下介电层115之间,并且支持 前基板101和后基板U1。在这种情况下,由于压力被集中施加到前J41 101和后J41111的位置Pl和P2,所以存在很大的下述可能性位置Pl 处的上介电层104或位置P2处的下介电层115被物理地损坏。
相反地,如图17所示,在密封层400包括双蛋珠子410b的情况下, 对前基tl 101和后基fel 111施加的压力可以^t到位置P3、 P4、 P5和P6 中。上介电层104和下介电层115被物理地损坏可能性小。进一步,可以 改善前基板101和后基板111之间的支持力。假定包括在双蛋珠子410b 中的两个珠子具有相同的尺寸。
图18图示了另外形式的双蛋珠子。
在图18中,(a)示出了使用连接部900c来连接两个不同的珠子900a 和900b的双蛋珠子,其中连接部卯0c的尺寸小于珠子卯0a和卯0b的尺 寸;(b )示出了使用两个连接部910d和910e来连接三个珠子910a、 910b 和910c的双蛋珠子;而(c)则示出了使用两个连接部920d和920e来连 接三个珠子920a、 920b和920c的双蛋珠子,其中三个珠子920a、 920b 和920c具有相同的尺寸。
双蛋珠子的形式不限于图18中示出的形式,而是可以进行各种改变。 例如,使四个珠子彼此连接的双蛋珠子也是可以的。
图19至21是用于说明密封层的高度和珠子的尺寸的示图。
14如图19至21所示,密封层400放置在前基板101和后基板111之间, 位于aioi和in的边缘,以使前MlOl附着到后基板lll。密封层 400的高度h2可以大于障壁112的高度hl。因此,障壁112不接触上介 电层104,并且与上介电层104隔开预定距离。
密封层400的珠子410适当地维持前^i41101和后^i4! 111之间的间 隔。因此,前基板101和后基敗111之间的间隔可以由珠子410的尺寸确 定。例如,假定珠子410的尺寸R为200 n m,则前差—板101和后差—板111 之间的间隔可以等于或大于200 pm。
如图20所示,珠子410的尺寸R可以比障壁112的高度hl大AT 的量值,所以密封层400的高度h2大于障壁112的高度hl。
如图21所示,当包括头部1000a、体部1000b和连接部1000c的双 蛋珠子1000放置在水平表面1010上时,双蛋珠子1000在垂直于水平表 面1010的方向上的最大高度可以被称为双蛋珠子1000的尺寸R。
如果在图19中忽略保护层(未示出)的厚度,则上介电层104和下 介电层115之间的间隔可以基本上等于珠子410的尺寸R。
图22是用于说明为什么密封层的高度大于障壁的高度的原因的示图。
在图22中,障壁112的高度hl大于密封层400的高度h2。在这种 情况下,尽管未示出,密封层400中包括的珠子的尺寸小于障壁112的高 度hl。
因此,由于密封层400的高度h2因为固定装置如夹具施加的压力而 小于障壁112的高度hl,所以前基tl 101可能在等离子体显示板的驱动 期间常常与障壁112碰撞。因此,产生的噪声可能增加。
另一方面,如图19和20所示,当珠子410的尺寸R高于障壁112 的高度hl并且密封层400的高度h2大于障壁112的高度hl时,可以防 止前J41101和障壁112之间的碰撞,并且可以减少产生的噪声。
图23是用于说明制造珠子的方法的示图。图24至27是用于说明珠 子的形状和珠子在密封层内部的位置的示图。
首先,如图23所示,包括多个孔1201的过滤单元1200对通过预定 过程制造的珠子1210、 1211和1212执行过滤^Mt。孔1201的直径可以 为Rl。更加具体地,珠子1210、 1211和1212放置在过滤单元1200上。然 后,具有小于孔1201的直径Rl的尺寸的珠子1211和1212可以穿过过 滤单元1200,而具有大于孔1201的直径Rl的尺寸的珠子1210则不可以 穿过过滤单元1200。
经历了过滤过程的珠子1211和1212与密封材料混合以形成密封层。
图24示出了具有尺寸R和长度Ll的双蛋珠子1300。
如图25所示,过滤单元1230使双蛋珠子1300以双蛋珠子1300的纵 向方向穿过过滤单元1230的孔1231以滤过双蛋珠子1300。双蛋珠子1300 的尺寸R小于孔1231的直径Rl。
如图26所示,双蛋珠子1300可以以双^"珠子1300的横向方向放置 在密封层400内部。
因为固定装置在前a和后a的接合过程中对前基板和后基板施 加了压力,所以双蛋珠子1300在能够承受压力的方向上例如在如图26 所示的横向方向上放置在密封层400内部。
双蛋珠子1300的尺寸R可以被限定为过滤单元1230的孔1231的直 径Rl,以便滤过双蛋珠子1300。进一步,双蛋珠子1300的尺寸R可以 被限定为双蛋珠子1300在与穿过孔1231的方向垂直的方向上的最大截面 长度。
如图27所示,(a)中示出的双蛋珠子1310可以以能够有效地^W 前基仗和后^1施加的压力的方向放置在密封层400内部。例如,双蛋珠 子1310可以如图27 (b )所示地放置。
双蛋珠子1310可以在第一方向上穿过图23的孔1201,并且还可以 以与第一方向平行的方向放置在密封层400内部。
双蛋珠子131的尺寸R可以被限定为双蛋珠子1310在与第一方向垂 直的方向上的长度。
图28至30是用于说明珠子的尺寸和障壁的高度之间的关系的示图。
在图28至30中,当障壁112的高度h为125pm并且珠子的尺寸R 与障壁112的高度h的比率R/h在0.9到1.8的范围时,测量在等离子体 显示板的驱动期间产生的噪声并观察在相邻放电单元之间产生的串扰。
在下述条件下测量噪声噪声测量装置设置在等离子体显示板前面 lm处,并且向等离子体显示板提供相同的视频数据。假定珠子的尺寸R基本上等于密封层的高度。
如图28所示,当比率R/h在0.9到0.95的范围时,因为珠子的尺寸 R与障壁的高度h相比较小,所以前基板可能接触障壁。因此,噪声可能 由于前基板和障壁在驱动期间的经常碰撞而增加,从而面板状态差(X)。
当比率R/h为1.01时,因为珠子的尺寸R适当,所以可以防止前基 板和障壁的碰撞。因此,可以减少噪声的产生,从而面板状态好(O)。 在这种情况下,尽管噪声发生,但是噪声的产生量可以很少。
当比率R/h等于或大于1.04时,珠子的尺寸R与障壁的高度h相比 较大,并且可以充分地保证障壁和前141之间的间隔。由于即使在驱动期 间发生振动也可以防止前基fel和障壁的碰撞,所以可以有效地防止噪声的 产生,并且面板状态极好(◎)。
当比率R/h为0.9时,因为前基仗可能接触障壁,所以不能提供相邻 放电单元之间的电荷转移的路径。因此,因为由相邻放电单元之间的电荷 转移造成的串扰的产生可以减少,所以面板状态好(O)。在这种情况下, 由于前基板的中间部分可以比其边缘部分更凸,所以可能提供相邻放电单 元之间的电荷转移的iJ^圣。然而,尽管串M生,但是串扰的产生量可以 很少。
当比率R/h为1.45时,前M与障壁隔开适当距离,从而串扰的产 生减少。尽管相邻放电单元之间的电荷转移发生,但是串扰的产生量可以 很少。
当比率R/h在0.95到1.37的范围时,前^41与障壁隔开足够小的间 隔以便防止相邻放电单元之间的串扰。因此,可以减少串扰并且面板状态 极好(◎)。
如图29所示,当比率R/h等于或大于1.7时,密封层400的高度可 能比障壁112的高度h过高。如图29的区域A所示,前MlOl和障壁 112之间的间隔可能过宽。因此,可能增加串扰并且面板状态差(X)。
图30是示出海拔高度和噪声之间的关系的曲线图。
1型等离子体显示板指示其中密封层没有珠子的情况;2型等离子体 显示板指示其中珠子的尺寸R与障壁的高度h的比率R/h为1.0 (亦即珠 子的尺寸R基本上等于障壁的高度h)的情况;而3型等离子体显示板则 指示其中珠子的尺寸R与障壁的高度h的比率R/h为1.1的情况。
17当在0m、 500m、 1000m、 1500m、 2000m、 2500m、 3000m和3500m 的海拔高度驱动l型、2型和3型等离子体显示板时,测量噪声。
通过以下计算噪声的量在O.SkHz、 lkHz、 2kHz、 4kHz、 8kHz和 16kHz中的每一个频率下测量噪声,然后将在这些频率下测量的噪声相 加。其它实验务fr与图28至30的实验务降相同。
l型、2型和3型等离子体显示M Om的海拔高度可以具有大约22dB 的噪声。
1型等离子体显示板在500m、 1000m、 1500m、 2000m、 2500m、 3000m 和3500m的海拔高度可以分别具有大约22.7dB、大约24dB、大约25.8dB、 大约28dB、大约33.4dB、大约40.9dB和大约45.5dB的噪声。
在不包括珠子的l型等离子体显示板中,随着海拔高度从Om上升到 3500m,噪声从22dB上升到45.5dB。
随着海拔高度上升,等离子体显示板的内部压力高于面板的外部空气 压力。因此,在前基敗和障壁之间提供了小间隔,并且前基仗由于驱动期 间的振动而与障壁经常碰撞,从而大大产生了噪声。例如,由于前基tl上 的保护层和后基仗上的障壁的碰撞而可能发生噪声。
2型等离子体显示板在500m、 1000m、 1500m、 2000m、 2500m、 3000m 和3500m的海拔高度可以分别具有大约22.3dB、大约22.3dB、大约24dB、 大约26.7dB、大约30.1dB、大约36.5dB和大约42.2dB的噪声。
在2型等离子体显示板中,随着海拔高度从0m上升到3500m,噪声 从22dB上升到42.2dB。
3型等离子体显示板在500m、 1000m、 1500m、 2000m、 2500m、 3000m 和3500m的海拔高度可以分别具有大约22.1dB、大约22.2dB、大约 23.1dB、大约24dB、大约25.8dB、大约27.5dB和大约30.6dB的噪声。
在3型等离子体显示板中,随着海拔高度从Om上升到3500m,噪声 从22dB上升到30.6dB。
考虑到图28至30的描述,比率R/h可以在1.01到1.45的范围。进 一步,比率R/h可以在1.04到1.37的范围。
通过调整等离子体显示板的放电气体的压力,可以减少图30中的与 海拔高度相关的噪声。
例如,在面板内部的气体压力过高(亦即面板的内部压力高于面板的外部空气压力)的情况下,前基仗可能在驱动期间与障壁经常碰撞。因此, 产生的噪声可能增加。在这种情况下,即使海拔高度略微较高,噪声的产 生量也可能急剧增加。
相反地,在面板内部的气体压力过低的情况下,放电气体的粒子数可 能减少。因此,在驱动期间由放电气体产生的紫外线的量可能减少,并且
图像的亮度可能下降。因此,放电气体的压力可以为350托(torr)至450 托。
图31是用于说明哑障壁的示图。
如图31所示,等离子体显示板可以包括有效区域,在其中放置由 障壁112分割的放电单元;哑区域,在其中放置哑障壁1500;以及密封 区域,在其中放置密封层400。
哑区域可以放置在有效区域外部,而密封区域则可以放置在哑区域外 部。哑障壁1500可以放置在密封区域中的密封层和有效区域中的障壁112 之间。
荧光体层114可以放置在有效区域的放电单元内部。砸放电单元可以 由哑区域中的哑障壁1500分割。荧光体层114可以放置也可以不放置在 哑放电单元内部。
哑障壁1500的高度h3可以小于密封层400的高度。哑障壁1500的 高度h3可以小于密封层400中包括的珠子410的尺寸R。因此,可以减 少噪声的产生。
图32图示了根据示例性实施例的等离子体显示诏:备的例子。
如图32所示,根据示例性实施例的等离子体显示设备包括显示图像 的等离子体显示板卯o和显示过滤器910。通过图1至31详细地描述了 等离子体显示板卯0。
显示过滤器910可以包括用于屏蔽来自外部的光的屏蔽层920。显示 过滤器910可以进一步包括颜色层930和电磁干扰(EMI)屏蔽层940。
第二粘接层951可以放置在屏M 920和颜色层930之间以使屏蔽层 920附着到颜色层930。第三粘接层952可以放置在颜色层930和EMI 屏蔽层940之间以使颜色层930附着到EMI屏蔽层940。
标号960指示M。
960提供了能够形成屏蔽层920、颜色层930 和EMI屏蔽层940的空间。141960可以由聚合树脂形成。显示过滤器910可以进一步包括近红外屏蔽层。
屏蔽层920、颜色层930、 EMI屏蔽层940和^i4l960的位置可以变 化。例如,EMI屏蔽层940可以放置在基板960上,颜色层930可以放 置在EMI屏蔽层940上,而屏蔽层920则可以放置在颜色层930上。
显示过滤器910可以放置在等离子体显示板卯0前面。显示过滤器 910可以力度过滤器。例如,显示过滤器910可以包括第一粘接层950, 并且可以使用第一粘接层950将显示过滤器910附着到等离子体显示板 卯0的前表面。
下面来描述显示过滤器910是膜过滤器的原因。
显示过滤器910主要可以分成玻璃过滤器和膜过滤器。
玻璃过滤器具有其中至少一个功能层堆叠在作为基础层的玻璃^ 上的结构。玻璃过滤器可以与等离子体显示板的前表面隔开预定距离。
膜过滤器比玻璃过滤器更加便宜,并且可以通过层压方法容易地附着 到等离子体显示板的前表面。用于保持和支持玻璃过滤器的结构对于将玻 璃过滤器定位在等离子体显示板前面是必须的,从而增加了玻璃过滤器的 制造成本。
因为玻璃a是玻璃过滤器中的^i^rS4良,所以玻璃过滤器可以在某
种程度上防止驱动期间在等离子体显示板中产生的噪声释放到外面。
另一方面,因为膜过滤器基于例如由聚合树脂形成的基板,所以膜过 滤器中的驱动期间在等离子体显示板中产生的噪声的防止水平低于玻璃 过滤器中的噪声的防止水平。膜过滤器可能造成噪声的问题。
当用于附着等离子体显示板的前基敗和后a的密封层包括珠子并 且珠子的尺寸大于障壁的高度时,可以减少噪声的产生。
因为根据示例性实施例的等离子体显示板包括珠子,所以可以减少噪 声的产生。
尽管包括珠子的等离子体显示板的前面放置的膜过滤器没有防止驱 动期间在等离子体显示板中产生的噪声,但是可以解决噪声问题并且可以 减少制造成本。
因此,由于根据示例性实施例的等离子体显示板包括了包括珠子的密 封层和作为显示过滤器的膜过滤器,所以可以实现减少制造成本以及防止 噪声。前述实施例和优点只是示例性的,而不是被解释为限制本发明。# 导可以容易地适用于其它类型的设备。前述实施例的描述旨在进行示意而 不是限制权利要求的范围。许多替选、修改和改变对于本领域技术人员而 言将会是明显的。
权利要求
1. 一种等离子体显示板,包括前基板;后基板,其与所述前基板相对地放置;障壁,其放置在所述前基板和所述后基板之间;以及密封层,其放置在所述前基板和所述后基板之间,所述密封层包括多个珠子,所述珠子的尺寸大于所述障壁的高度。
2. 如权利要求l所述的等离子体显示板,其中,所述珠子的尺寸与 所述障壁的高度的比率在1.01到1.45的范围。
3. 如权利要求2所述的等离子体显示板,其中,所述珠子的尺寸与 所述障壁的高度的比率在1.04到1.37的范围。
4. 如权利要求l所述的等离子体显示板,其中,所述密封层的高度 大于所述障壁的高度。
5. 如权利要求l所述的等离子体显示板,其中,在所述前基板上放 置有上介电层,在所述后基板上放置有下介电层,并且所述珠子的尺寸基本上等于所述上介电层和所述下介电层之间的间隔。
6. —种等离子体显示板,包括后基板,其与所述前14M目对M置;障壁,其放置在所述前基板和所述后a之间;以及密封层,其放置在所述前基板和所述后M之间,所述密封层包括多 个珠子,所述多个珠子中的至少一个包括头部、体部和连接所述头部到所 述体部的连接部。
7. 如权利要求6所述的等离子体显示板,其中,所述连接部的截面 宽度小于所述头部的截面宽度和所述体部的截面宽度。
8. 如权利要求6所述的等离子体显示板,其中,所述珠子的尺寸大 于所述障壁的高度。
9. 如权利要求8所述的等离子体显示板,其中,所述珠子的尺寸与所述障壁的高度的比率在1.01到1.45的范围。
10. 如权利要求6所述的等离子体显示板,其中,所述密封层的高度 大于所述障壁的高度。
11. 如权利要求6所述的等离子体显示板,其中,所述多个珠子中的 至少一个具有连接相同形状或不同形状的至少两个珠子的形式。
12. 如权利要求6所述的等离子体显示板,其中,在所述前g上放 置有上介电层,在所^基板上放置有下介电层,并且所述珠子的尺寸基本上等于所述上介电层和所述下介电层之间的间隔。
13. —种等离子体显示板,包括 前M,在其上放置有上介电层;后基tl,在其上放置有下介电层,所述后基&与所述前^^目对; 障壁,其放置在所述前基板和所述后141之间;以及密封层,其放置在所述前基板和所i^l^之间,所述密封层包括多 个珠子,其中,所述上介电层的厚度与所述珠子的尺寸的比率在0.125到0.42 的范围。
14. 如权利要求13所述的等离子体显示板,其中,所述上介电层的 厚度与所i^子的尺寸的比率在0.13到0.35的范围。
15. 如权利要求13所述的等离子体显示板,其中,所述下介电层的 厚度与所i^K子的尺寸的比率在0.05到0.17的范围。
16. 如权利要求15所述的等离子体显示板,其中,所述下介电层的 厚度与所述珠子的尺寸的比率在0.055到0.14的范围。
17. 如权利要求13所述的等离子体显示板,其中,所述珠子的尺寸 大于所述障壁的高度。
18. 如权利要求17所述的等离子体显示板,其中,所述珠子的尺寸 与所述障壁的高度的比率在1.01到1.45的范围。
19. 如权利要求13所述的等离子体显示板,其中,所述密封层的高 度大于所述障壁的高度。
20.如权利要求13所述的等离子体显示板,其中,所述珠子的尺寸 基本上等于所述上介电层和所述下介电层之间的间隔。
全文摘要
公开了一种等离子体显示板。该等离子体显示板包括前基板;后基板,其与所述前基板相对地放置;障壁,其放置在所述前基板和所述后基板之间;以及密封层,其放置在所述前基板和所述后基板之间。该密封层包括多个珠子,并且珠子的尺寸大于障壁的高度。
文档编号H01J17/18GK101490787SQ200780027456
公开日2009年7月22日 申请日期2007年12月31日 优先权日2007年5月18日
发明者全佑坤, 吴在永, 金熙洛, 韩大日 申请人:Lg电子株式会社
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