专利名称：超高功率led光源的封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种LED光源的封装结构。
背景技术：
发光二极管(LED)因为具有省电、体积小、拥有许多不同颜色以及环保 的优势，使得无论在手机、汽车、中小尺寸面板背光源、交通标志等应用上都 有良好的效果，且正逐渐进入照明领域中，近来相关业者更是致力于开发户内 外照明的LED灯具，希望有朝一日能用来真正取代传统照明，但碍于目前大功 率的LED，使用时存在有发热的问题，发热现象会随着功率的增加而增强，LED 晶片的温度升高，又会造成光输出效率降低以及减短使用寿命，所以如何提供 良好散热的灯体结构，且设置符合LED平面发光特性的导光面，改变光线输出 角度，提升光学效率，是整个技术重要层面极待突破的部份。
另外，现有照明设备虽然也有加强散热的设计，如中国台湾专利公告第 M289519号为一种"超高功率封装结构"，其是将发光二极管(LED)晶片单 颗或单颗以上，固着在一导热良好的金属沉热体上的承载面上，在金属沉热体 下方嵌置固设有一导热基座，且在金属沉热体与导热基座间设有导热绝缘层， 使三者结合一体，让晶片所产生的热能快速散出，然而，由于多颗晶片阵列方 式排列，晶片间会相互阻隔吸收光线，使出光效率降低，若晶片数或瓦数增大 时，热将过度集中，使晶片区局部温度过高，有鉴于此，如何将上述缺失加以 摒除，并提供一种完善的精简结构，即为本案实用新型设计人所欲解决的技术 重点所在。
发明内容
针对现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种超高功率LED光 源的封装结构，使设置在金属沉热体上的LED晶片所产生的热能快速散出，大 幅降低LED晶片温度。为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是 一种超高功率LED光源的封装结构，其特征在于，包括 一反射杯，其内设置反光曲面；
一金属沉热体，其外缘嵌置固设在所述的反射杯中，金属沉热体上设置有 能够改变光线输出角度的导光面，且金属沉热体是导热良好、热容量大的导热 体；
以及一导热基座，设置嵌槽，供金属沉热体作嵌置固定。 与现有技术相比较，采用上述技术方案的本实用新型具有的优点在于在 金属沉热体上设置导光面，导光面的几何结构增加热扩散的截面积，能有效的 扩散晶片产生的热能，使沉热体上的温度均匀不致局部过热，同时改变光线输 出角度，提升光学效率，且增加金属沉热体表面积，可快速吸收LED晶片热量， 并扩散至导热基座上，使设置在金属沉热体上的LED晶片所产生的热能快速散 出，大幅降低LED晶片温度，达到有效全方位的散热功效，以延长LED灯正常 使用寿命。
图l是本实用新型的立体分解图2是本实用新型的立体组合图3是本实用新型的金属沉热体实施例示意图4是本实用新型另一较佳实施例立体分解图5是本实用新型的实施例示意图。
附图标记说明l反射杯；2金属沉热体；3导热基座 光曲面；12凹缘；13切面；20透孔；21导光面；22翼片 32贯穿孔。
具体实施方式
为使贵审查委员方便了解本实用新型的内容，以及所能达成的功效、兹配 合图式列举一具体实施例，详细介绍说明如下
请参阅图1和图2所示，本实用新型一种超高功率封装结构，是由反射杯1、 金属沉热体2、以及导热基座3所组成，导热基座3设置嵌槽31和贯穿孔32, 嵌槽31供金属沉热体2作嵌置固定，贯穿孔32供螺丝插置锁合在灯具上，且
;IOLED晶片；11反 ;30通孔；31嵌槽；嵌槽31内设置通孔30;金属沉热体2上设置符合LED平面发光特性的导光面 21,改变光线输出角度，提升光学效率，且金属沉热体2是导热良好、热容量 大的导热体，可快速吸收LED晶片热量，并经由较大的表面积扩散至导热基座 3上，使设置在金属沉热体2上的LED晶片所产生的热能快速散出，大幅降低 LED晶片温度；金属沉热体2外缘嵌置固设一符合LED平面光源发光特性的反 射杯l,反射杯l为中空状，其内设置反光曲面ll,反射杯l的一端口设置一 凹缘12,另一端口设置与金属沉热体2外缘相结合的切面13,凭借改变反光曲 率，得到不同光线投射分布。
请参阅图3和图5所示，本实用新型的金属沉热体2上设置透孔20供LED 晶片IO的接脚设置，且金属沉热体2的表面冲压导光面21，由金属沉热体2的 中央向两旁分别设置右斜导光面与左斜导光面，将LED晶片IO的光线部份导 向右斜方向与左斜方向，搭配本实用新型的反射杯1的反光曲面11设计，使光 线均匀分布在左、右两侧。
请参阅图4所示，是本实用新型另一较佳实施例，为符合超高功率的快速 散热，本实用新型的金属沉热体2为加强散热面积，更增设翼片22，扩充金属 沉热体2与导热基座3的接触面积，可快速吸收超高功率的LED晶片热量，并 快速扩散至导热基座3上，使设置在金属沉热体2上的LED晶片所产生的热能 快速散出，大幅降低LED晶片温度。
以上说明对本实用新型而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术 人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修改、 变化或等效，但都将落入本实用新型的保护范围之内。
权利要求1. 一种超高功率LED光源的封装结构，其特征在于，包括一反射杯，其内设置反光曲面；一金属沉热体，其外缘嵌置固设在所述的反射杯中，金属沉热体上设置有能够改变光线输出角度的导光面，且金属沉热体是导热良好、热容量大的导热体；以及一导热基座，设置嵌槽，供金属沉热体作嵌置固定。
2. 根据权利要求1所述的超高功率LED光源的封装结构，其特征在于导热基座设置贯穿孔，供螺丝插置锁合在灯具上。
3. 根据权利要求1所述的超高功率LED光源的封装结构，其特征在于金属沉热体上设置透孔，供LED晶片的接脚设置。
4. 根据权利要求1所述的超高功率LED光源的封装结构，其特征在于金属沉热体上设置的导光面，是由金属沉热体的中央向两旁分别设置右斜导光面与左斜导光面。
5. 根据权利要求1所述的超高功率LED光源的封装结构，其特征在于金属沉热体进一步设置有翼片。
专利摘要本实用新型一种超高功率LED光源的封装结构，是由反射杯、金属沉热体、以及导热基座所组成，导热基座设置嵌槽，供金属沉热体作嵌置固定；金属沉热体上设置符合LED平面发光特性的导光面，改变光线输出角度，提升光学效率，且金属沉热体是导热良好、热容量大的导热体，可快速吸收LED晶片热量，并经由较大的表面积扩散至导热基座上，使设置在金属沉热体上的LED晶片所产生的热能快速散出，大幅降低LED晶片温度；金属沉热体外缘嵌置固设一符合LED平面光源发光特性的反射杯，反射杯内设置反光曲面，凭借改变反光曲率，得到不同光线投射分布。
文档编号F21V7/20GK201288953SQ20082013691
公开日2009年8月12日 申请日期2008年9月16日 优先权日2008年9月16日
发明者李家茂 申请人:李家茂