专利名称：显示装置的前滤光片及其制造方法
技术领域：
本发明涉及通过增强滤光片的屏蔽能力而改善显示装置质量的前滤光片以及该
前滤光片的制造方法。
背景技术：
包括等离子体显示面板(PDP)的等离子体显示装置为平板显示装置，其利用气体放电现象来显示图像。 因为在前述等离子体显示装置的驱动过程中采用高电压和高频率，所以大量的电
磁波辐射到PDP的前面。此外，等离子体显示装置发射由诸如Ne或Xe的惰性气体诱发的
近红外(NIR)辐射。该NIR辐射的波长非常接近一般遥控的波长，由此导致可能的电气装
置故障。此外，设置在PDP前面的玻璃反射外部光，由此导致眩光(glare)，对比度降低等。
因此，在大多数等离子体显示装置中，滤光片提供在PDP的前面以补偿这些问题。 前滤光片可以是膜型滤光片，该膜型滤光片利用已被使用的单材料膜以降低等离
子体显示装置的价格。 然而，对于膜型滤光片，为了获得等离子体显示装置所需的低表面电阻，必须执行暴露接地部分的复杂而精细的工艺。因此，不可避免地增加制造成本，并且降低产量。
如上所述，需要应用膜型滤光片到等离子体显示装置以代替回火玻璃滤光片，这是由于膜型滤光片的轻、薄和价低特性。然而，仍然需要改善加工电磁屏蔽层的接地部分时高成本消耗的结构。
发明内容
本发明实施例的一个方面涉及制造前滤光片的方法，该前滤光片可以容易地制造且具有改善的屏蔽能力(或改善的屏蔽力)。 本发明实施例的一个方面涉及利用前述方法制造的显示装置的前滤光片，从而保
证了显示装置中所需的表面电阻，由此改善了显示装置的屏蔽能力和质量。 根据本发明一实施例，提供一种用于显示装置的前滤光片，其包括基板、第一屏蔽
结构和第二屏蔽结构。该第一屏蔽结构包括在该基板上的第一下绝缘层、在该第一下绝缘
层上的第一导电层和在该第一导电层上的第一上绝缘层。该第二屏蔽结构包括在该第一上
绝缘层上的第二下绝缘层、在该第二下绝缘层的第二导电层和在该第二导电层上的第二上
绝缘层。这里，第一屏蔽结构的边缘暴露到第二屏蔽结构外侧。 根据本发明另一实施例，提供一种用于显示装置的前滤光片，其包括基板、第一屏
蔽结构和第二屏蔽结构。该第一屏蔽结构包括在该基板上的第一导电层和在该第一导电层
上的第一绝缘层。该第二屏蔽结构包括在该第一绝缘层上的第二导电层和在该第二导电层
上的第二绝缘层。这里，第一屏蔽结构的边缘暴露到第二屏蔽结构外侧。 第一绝缘层可以覆盖第一导电层的位于第一屏蔽结构边缘的接地部分。 根据本发明再一实施例，提供一种制造显示装置的前滤光片的方法，其包括在基板上依次沉积第一下绝缘层、第一导电层和第一上绝缘层以形成第一屏蔽结构；用第一粘合构件覆盖第一屏蔽结构的边缘；在第一屏蔽结构上依次沉积第二下绝缘层、第二导电层和第二上绝缘层以形成第二屏蔽结构；以及从第一屏蔽结构的边缘去除第一粘合构件。
该方法还可以包括用第二粘合构件覆盖第二屏蔽结构的边缘；在第二屏蔽结构上依次沉积第三下绝缘层、第三导电层和第三上绝缘层以形成第三屏蔽结构；以及从第二屏蔽结构的边缘去除第二粘合构件。 形成第一和第二导电层的工艺可以包括溅射工艺。 这样，在本发明的实施例中，通过改善和/或修改传统结构可以容易地制造显示装置的前滤光片，而不增加(或者显著增加)制造成本。 此外，在本发明一实施例的包括多层结构的导电层的屏蔽结构中，降低了电连接到面板的接地端子的接地部分的表面电阻，由此改善了滤光片的屏蔽力且提高了显示装置的质量。
附图与说明书一起图解了本发明的示范性实施例，并且结合描述用于说明本发明的原理。
图1是示出根据本发明一实施例的利用前滤光片的等离子体显示装置的示意 图2A和2B是根据本发明一实施例的前滤光片的局部截面 图3A是示出根据比较例的前滤光片中噪声电压的电场强度相对于频率的曲线图； 图3B是示出根据本发明一实施例的前滤光片中噪声电压的电场强度相对于频率的曲线图； 图4是根据本发明另一实施例的前滤光片的截面图。
具体实施例方式
在下面的详细描述中，简单地借助于图示，示出和描述了本发明的仅一些示范性实施例。本领域的技术人员应当理解的是，所描述的各实施例可以以各种方式予以修改，所有这些都不脱离本发明的精神或范围。从而，附图和说明自然旨在说明而非限定。另外，当元件称为"在另一个元件上"时，它可以直接在另一个元件上，或者间接在另一个元件上，其间设有一个或多个插入元件。同样，当元件称为"连接到"另一个元件时，它可以直接连接到另一个元件，或者间接地连接到另一个元件，其间设有一个或多个插入元件。在下文，相同的附图标记指代相同的元件。
图1是示出根据本发明一实施例的利用前滤光片的等离子体显示装置的示意图。
参考图l，等离子体显示装置包括前滤光片10、等离子体显示面板(PDP)20、滤光片架22和后盖24。前滤光片IO设置在PDP 20的前面且由滤光片架22支撑。等离子体显示装置可以包括在PDP 20后面连接的底架(chassisbase)和驱动电路板，驱动电路板上安装一个或多个驱动PDP 20的电路。 例如，PDP 20可以包括前板和后板，前板具有设置在第一基板的一个表面上的X-Y电极、介电层和保护层，后板具有设置在面对(或相对于)第一基板的第二基板上的地址电极、介电层、阻挡肋和磷光层。 在一个实施例中，前滤光片10是膜型滤光片，设置在PDP 20的可见表面上。在一个实施例中，前滤光片10为利用单一材料膜的膜型滤光片。 通常，等离子体显示装置中的前滤光片可以具有利用导电网或导电层的电磁屏蔽
结构。因此，根据本发明一实施例的前滤光片io具有利用导电层的电磁屏蔽结构，其中其
制造工艺被容易地进行，由此节省了制造成本。利用溅射工艺可以容易地形成利用导电层的电磁屏蔽结构。 在一个实施例中，利用导电层的电磁屏蔽结构对光透明(即具有必要的光透射率)，并且具有显示装置所需的屏蔽能力。然而，如果导电层的厚度增大，则滤光片的屏蔽能力增强，但是滤光片的光透射率降低。如果导电层的厚度减小，则滤光片的光透射率增大，但是滤光片的屏蔽力降低。这里，根据本发明一实施例的电磁屏蔽结构具有导电层和透明绝缘层交替层叠的结构。 然而，在通过交替层叠绝缘层和导电层形成的电磁屏蔽结构中，由于覆盖各导电层的接地部分的绝缘层，增加了电连接到PDP 20的接地端子的接地部分的接触电阻。因此，不能获得电磁屏蔽结构中所需的屏蔽能力。因为导电层层叠在电磁屏蔽结构中，所以最上面的导电层可以相对容易地电连接到衬垫(gasket)。然而，较难将衬垫电连接到位于最上面的导电层下面的其它导电层。 尽管可以考虑选择性去除覆盖各导电层的接地部分的绝缘层的方法，但是该方法增加了制造成本，并且导电层的暴露于外的接地部分容易被氧化。从而，在一个实施例中，不是通过去除覆盖各导电层的接地部分的绝缘层，而是通过有效地减小连接到PDP 20的接地端子的接地部分的接触电阻，来提供能改善滤光片的屏蔽能力的前滤光片10。
图2A和2B是根据本发明一实施例的前滤光片的局部截面图。
参考图2A，前滤光片IO包括第一下绝缘层12a、第一导电层13、第一上绝缘层12b、第二下绝缘层14a、第二导电层15、第二上绝缘层14b、第三下绝缘层16a、第三导电层17、第三上绝缘层16b、第四下绝缘层18a、第四导电层19和第四上绝缘层18b，它们依次层叠在基板ll上。 基板11的材料基于所需的力学属性(dynamic property)和/或光学属性而选择。在一个实施例中，基板11具有高机械强度、低热伸縮率和受热产生少量低聚体(oligomer)。 在该实施例中，前滤光片IO包括层叠的四个导电层13U5、17和19以获得显示装置所需的表面电阻和透射率。各导电层与设置于其间的绝缘层一起构成透明屏蔽结构。换言之，第一屏蔽结构包括第一下绝缘层12a、第一导电层13和第一上绝缘层12b。第二屏蔽结构包括第二下绝缘层14a、第二导电层15和第二上绝缘层14b。第三屏蔽结构包括第三下绝缘层16a、第三导电层17和第三上绝缘层16b。而且，第四屏蔽结构包括第四下绝缘层18a、第四导电层19和第四上绝缘层18b。这里，第一屏蔽结构的边缘暴露到第二屏蔽结构的外面，第二屏蔽结构的边缘暴露到第三屏蔽结构的外面。第三屏蔽结构的边缘暴露到第四屏蔽结构的外面。 根据前述结构，前滤光片10包括第一至第四屏蔽结构，它们的边缘设置为连续的台阶结构。从而，导电层13、 15、 17和19每个的接地部分13a、15a、17a、19a能例如通过隧穿效应穿过一个上绝缘层连接到面板的接地端子。导电层13U5、17和19的位于它们的边缘处的接地部分分别由上绝缘层12b、14b、16b和18b覆盖。因此，导电层13U5、17和19每个的接地部分13a、 15a、 17a、 19a不暴露于外，且因此每个导电层被保护免于氧化。
导电层13、15、17和19每个都由具有较高电导率的材料形成。例如，银(Ag)、铟锡氧化物(IT0)等适于每个导电层的材料。另外，金属层、金属氧化物、导电聚合物等可用作每个导电层的材料。金属层包括钯、铜、钼、铑、铝、铁、钴、镍、锌、钌、锡、钨、铱、铅和/或银。金属氧化物包括锡氧化物、铟氧化物、锑氧化物、锌氧化物、锆氧化物、钛氧化物、镁氧化物、硅氧化物、铝氧化物、金属醇盐、铟锡氧化物(IT0)和/或锑锡氧化物(AT0)。
如图2B所示，每个导电层的厚度hl设置为在一范围内以具有合适的电导率和透射率(即有足够的电导率而不过于减小透射率)。例如，当导电层由银(Ag)制成时，每个导电层的厚度hl形成为在约10和16nm之间。在一实施例中，如果由银(Ag)制成的每个导电层的厚度低于10nm，则电导率过低。在另一实施例中，如果由银(Ag)制成的每个导电层的厚度超过16nm，则透射率过低。 绝缘层12a、12b、14a、14b、16a、16b、18a和18b的每个由氧化物和/或氮化物制成。如图2B所示，每个绝缘层的厚度h2形成为约50nm。每个屏蔽结构的厚度h3是选择来产生所希望的低电阻而不过度降低其透射率的值(例如，最小值)。在一实施例中，如果每个屏蔽结构的厚度h3厚于50nm，则增加材料和制造成本。 下面将描述使前滤光片10的接地部分电连接到面板的接地端子的工艺。
如图2B所示，前滤光片10的接地部分13a、15a、17a和19a每个通过衬垫23连接到面板的接地端子和电连接到衬垫23的导线。衬垫23包括导电弹性体，在滤光片架相对于面板的前面压并支撑前滤光片10的边缘时插置于滤光片架和前滤光片IO之间。例如，衬垫23包括导电海绵体，其上涂覆诸如铝的导电材料。由虚线表示的部分23a示出了衬垫23被滤光片架压之前的位置。 作为选择，衬垫23可以实施为台阶衬垫，使得与接地部分13a、15a、17a和19a接触的部分形成为具有台阶形状，如图2B所示的外形。在此情况下，衬垫23可不仅包括海绵体，还可以包括比海绵体硬的导电材料。 根据前述构造，分别被绝缘层覆盖的接地部分13a、15a、17a和19a由于隧穿效应而逐一电连接到衬垫23，每个接地部分的侧面与衬垫23接触。从而，降低了前滤光片10的接地部分的接触电阻。 在下文，将参考图2A简述制造前滤光片10的方法。 首先，第一下绝缘层12a、第一导电层13和第一上绝缘层12b依次形成在基板11上。此时，利用溅射工艺，第一导电层13沉积至16nm或更小的厚度。利用溅射工艺可以容易地形成大面积薄膜。 随后，第一粘合构件粘附在第一上绝缘层12b的边缘上。第一粘合构件包括可粘/可拆带。 然后，第二下绝缘层14a、第二导电层15和第二上绝缘层14b依次形成在第一上绝缘层12b上。与第一导电层13类似，第二导电层15也利用溅射工艺沉积至16nm或更小的厚度。 接下来，第二粘合构件粘附在第二上绝缘层14b的边缘上。第二粘合构件包括具
7有比第一粘合构件的宽度更大的宽度的带。 随后，第三下绝缘层16a、第三导电层17和第三上绝缘层16b依次形成在第二上绝缘层14b上。与第一和第二导电层13和15类似，第三导电层17也利用溅射工艺沉积至16nm或更小的厚度。 然后，第三粘合构件粘附在第三上绝缘层16b的边缘上。第三粘合构件包括具有比第二粘合构件的宽度更宽的宽度的带。 随后，第四下绝缘层18a、第四导电层19和第四上绝缘层18b依次形成在第三上绝缘层16b上。与第一至第三导电层13、15和17类似，第四导电层19也利用溅射工艺沉积至16nm或更小的厚度。 接下来，第三、第二和第一粘合构件分别从上绝缘层16b、14b和12b拆分。 根据前述构造，可以容易地制造前滤光片IO，其具有分别连接到衬垫且同时被各
绝缘层保护的接地部分。 图3A是示出根据比较例的前滤光片中噪声电压的电场强度相对于频率的曲线图。图3B是示出根据本发明一实施例的前滤光片中噪声电压的电场强度相对于频率的曲线图。 制造根据比较例的前滤光片，使得每个都具有下绝缘层、导电层和上绝缘层的屏蔽结构堆叠为具有达到四个屏蔽结构的高度，且屏蔽结构不具有台阶形状。制造根据本发明一实施例的前滤光片，使得每个都具有下绝缘层、导电层和上绝缘层的屏蔽结构堆叠为具有达到四个屏蔽结构的高度，并且屏蔽结构具有台阶形状。 参考图3A，采用根据比较例的前滤光片的等离子体显示装置在30MHz附近产生约40dBiiV/m的噪声。这是因为接触电阻相关于最上导电层上的衬垫远离其它导电层而增加。
参考图3B，采用根据本发明一实施例的前滤光片的等离子体显示装置在30MHz附近产生约38dByV/m的噪声。这是因为由于各导电层(堆叠为具有达到四个屏蔽结构的高度)分别连接到衬垫，接触电阻没有增加。 如上所述，利用根据本发明一实施例的前滤光片，滤光片的屏蔽能力能得到改善。
图4是根据本发明另一实施例的前滤光片的截面图。 参考图4，前滤光片10a包括电磁屏蔽层31、颜色涂层32和抗反射层36，依次层叠在基板11的一个表面上，且粘合层34形成在基板11的另一表面上。这里，基板11和电磁屏蔽层31对应于前述实施例的前滤光片10。 在前滤光片10a中，设置在电磁屏蔽层31的边缘部分具有台阶结构的接地部分可以形成在彼此相对的两侧、三侧或所有侧面(例如所有四个侧面)。 基板11用作前滤光片10a的基础构件，由透射率为80至99%之间的材料制成；并且具有低反射率、较高的热耐受性和适当的强度。特别地，聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene ter印hthalate， PET)适于作为基板11的材料。另外，基板11的材料可包括聚醚砜(polyethersulphone， PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate， PAR)、聚醚酰亚胺(polyetherimide， PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene n即thalate， PEN)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide,PPS)、聚丙烯酯(polyallylate)、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素(triacetatecellulose， TAC)、醋酸丙酸纤维素(CAP)等。 颜色涂层32包括用于颜色校正、近红外屏蔽或橙色波长吸收的着色物质。着色
8物质包括染料或颜料。例如，着色物质包括镍络合基材料、酞菁染料基材料、萘酞菁染料基材料、青色素基材料、二亚铵(diimmoni咖)基材料、方酸菁(squaryli咖)基材料、甲亚胺(axomethine)基材料、氧杂蒽(xanthene)基材料、oxono1基材料、或者偶氮(azo)基材料，它们可屏蔽约800nm和约1200nm之间的波长，或者屏蔽或吸收约585nm和约620nm之间的波长。着色物质的种类和浓度可以基于着色物质的吸收波长和系数、透明导电层的色调、滤光片中所需的透射率和透射特性等确定。 粘合层34用于将前滤光片10a粘附在诸如PDP的显示装置的可见表面上。粘合层34的材料可以包括亚克力(acryl)基、硅基、尿烷(urethane)基或聚乙烯基热塑性树脂和/或透明粘合剂或胶合剂例如UV固化树脂。例如，诸如丙烯酸酯基树脂的硅粘合剂或压敏粘合剂(PSA)可以用作粘合层34的材料。 此外，粘合层34可以包括用于颜色校正、近红外屏蔽或橙色波长吸收的着色物质。在此情况下，可以省略颜色涂层36，并且抗反射层36可以直接形成在电磁屏蔽层31上。 所形成的抗反射层36用于减少(或最小化)通过其的光的损耗，并防止外部光的反射和漫反射(diffused reflection)。抗反射层36可以形成单层或多层结构。单层抗反射层36形成的厚度为波长的1/4，由利用氟基透明聚合物树脂、氟化镁基树脂、硅基树脂的光学膜和/或硅氧化物薄膜形成。多层抗反射层36通过堆叠有机和无机化合物薄膜至两层或更高而形成。这里，无机化合物薄膜由金属氧化物、氟化物、硅化物、硼化物、碳化物、氮化物或硫化物等制成，有机化合物薄膜由硅基树脂、丙烯酸树脂或氟基树脂制成。有机和无机化合物薄膜具有不同的折射率。抗反射层36可以利用诸如溅射、离子镀、离子束辅助、真空沉积、化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)的方法形成。 抗反射层36可以包括执行抗反射功能的膜和形成在该膜的一个表面(顶表面)上的硬涂覆构件。这里，硬涂覆构件用于减少或防止各种类型的外力引起的划伤。亚克力基、尿烷基、环氧基或硅氧烷基聚合物可以用作硬涂覆构件的材料。作为选择，诸如低聚物的UV固化树脂可以用作硬涂覆构件的材料。可以加入硅石(silica)基填料以改善硬涂覆构件的强度。包括硬涂覆构件的抗反射层36的厚度形成在2和7 ii m之间，以获得预期的效果而不太厚。 在另一实施例中，硬涂覆构件可以不插入执行抗反射功能的膜中，而是可以形成在该膜的另一个表面(底表面)上。 包括硬涂覆构件的前滤光片10a具有这样的光学特性，l和3X之间的低雾度(haze) 、30和90%之间的可见光透射率、1和20%之间的低外部光反射率、玻璃转变温度或更高的热耐受性以及1和3H之间的铅笔硬度(pencilhardness)。 同样，在前述的实施例中已经描述了电磁屏蔽结构具有上和下绝缘层，其间具有
导电层，并且堆叠了多个这样的电磁屏蔽结构。这是因为覆盖位于导电层边缘的接地部分
的绝缘层的厚度可以做得较薄，由此降低接地部分和衬垫之间的接触电阻。然而，本发明不
限于此。例如，在一个实施例中，可以采用改善的绝缘特性的绝缘材料，从而第二屏蔽结构
的导电层形成在第一屏蔽结构的上绝缘层上，而没有第二屏蔽结构的下绝缘层。 尽管已经结合一些示范性实施例描述了本发明，但是应当理解的是，本发明不限
于所公开的实施例，而是相反，本发明旨在覆盖包括在所附权利要求及其等价物的精神和
9范围内的各种修改和等价布置。 本申请要求2008年12月5日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No. 10-2008-0123145的优先权和权益，其全部内容通过引用而结合于此。
权利要求
一种用于显示装置的前滤光片，包括基板；第一屏蔽结构，包括第一下绝缘层，在该基板上，第一导电层，在该第一下绝缘层上，及第一上绝缘层，在该第一导电层上；以及第二屏蔽结构，包括第二下绝缘层，在该第一上绝缘层上，第二导电层，在该第二下绝缘层上，及第二上绝缘层，在该第二导电层上，其中该第一屏蔽结构的边缘暴露到该第二屏蔽结构的外侧。
2. 如权利要求l所述的前滤光片，还包括第三屏蔽结构，在该第二屏蔽结构上；及第四屏蔽结构，在该第三屏蔽结构上，其中该第三屏蔽结构包括依次层叠在该第二上绝缘层上的第三下绝缘层、第三导电层和第三上绝缘层，该第四屏蔽结构包括依次层叠在该第三上绝缘层上的第四下绝缘层、第四导电层和第四上绝缘层，且其中该第四屏蔽结构的边缘暴露到该第三屏蔽结构的外侧，该第三屏蔽结构的边缘暴露到该第二屏蔽结构的外侧。
3. 如权利要求2所述的前滤光片，其中该第-一、第二、第三和第四导电层的接地部分上，该第-别在该第一、第二、第三和第四屏蔽结构的边缘处
4. 如权利要求2所述的前滤光片，其中该第-状。
5. 如权利要求4所述的前滤光片，其中该第-绵体或台阶状海绵体接地。
6. 如权利要求2所述的前滤光片，还包括在该第四屏蔽结构的第四上绝缘层上的颜色涂层。
7. 如权利要求6所述的前滤光片，其中该颜色涂层包括用于颜色校正、近红外屏蔽或橙色波长吸收的着色物质。
8. 如权利要求2所述的前滤光片，还包括在该第四屏蔽结构上的抗反射层。
9 如权利要求1所述的前滤光片，还包括在该基板下面的粘合层。
10. 如权利要求1所述的前滤光片，其中该第一、第二、第三和第四导电层包括银。
11. 如权利要求10所述的前滤光片，其中该第一、第二、第三和第四导电层每个具有约16nm或更小的厚度。
12. 如权利要求1所述的前滤光片，其中该第一上、第一下、第二上和第二下绝缘层包括氧化物或氮化物。
13. 如权利要求12所述的前滤光片，其中该屏蔽结构每个具有约50nm的厚度。
14. 一种用于显示装置的前滤光片，包括 、第二、第三和第四上绝缘层分别在该第、第二 、第三和第四导电层的接地部分分、第二、第三和第四屏蔽结构具有台阶形、第二、第三和第四屏蔽结构通过导电海基板；第一屏蔽结构，包括第一导电层，在该基板上，及第一绝缘层，在该第一导电层上；以及第二屏蔽结构，包括第二导电层，在该第一绝缘层上，及第二绝缘层，在该第二导电层上，其中该第一屏蔽结构的边缘暴露于该第二屏蔽结构的外侧。
15. 如权利要求14所述的前滤光片，其中该第一绝缘层覆盖该第一导电层的位于该第 一屏蔽结构的所述边缘处的接地部分。
16. —种制造用于显示装置的前滤光片的方法，该方法包括在基板上依次沉积第一下绝缘层、第一导电层和第一上绝缘层以形成第一屏蔽结构； 用第一粘合构件覆盖该第一屏蔽结构的边缘；在该第一屏蔽结构上依次沉积第二下绝缘层、第二导电层和第二上绝缘层以形成第二 屏蔽结构；以及从该第一屏蔽结构的边缘去除该第一粘合构件。
17. 如权利要求16所述的方法，还包括 用第二粘合构件覆盖该第二屏蔽结构的边缘；在该第二屏蔽结构上依次沉积第三下绝缘层、第三导电层和第三上绝缘层以形成第三 屏蔽结构；以及从该第二屏蔽结构的边缘去除该第二粘合构件。
18. 如权利要求16所述的方法，其中形成该第一和第二导电层的工艺包括溅射工艺。
全文摘要
本发明涉及显示装置的前滤光片及其制造方法，该前滤光片通过改善滤光片的屏蔽能力而改善了显示装置的质量。在一实施例中，该前滤光片包括基板、第一屏蔽结构和第二屏蔽结构。第一屏蔽结构包括在基板上的第一下绝缘层、在第一下绝缘层上的第一导电层和在第一导电层上的第一上绝缘层。第二屏蔽结构包括在第一上绝缘层上的第二下绝缘层、在第二下绝缘层上的第二导电层和在第二导电层上的第二上绝缘层。在该前滤光片中，第一屏蔽结构的边缘暴露到第二屏蔽结构的外侧。
文档编号H01J17/49GK101750659SQ20091025267
公开日2010年6月23日 申请日期2009年12月3日 优先权日2008年12月5日
发明者吕宰英 申请人:三星Sdi株式会社