专利名称：发光装置及其制造方法、发光装置封装和光照系统的制作方法
技术领域：
本申请要求在2009年6月10日提交的韩国专利申请No. 10-2009-0051249的优 先权，其通过引用被整体包含在此。
背景技术：
III-V族氮化物半导体由于其物理和化学特性而已经被广泛地用作诸如发光二极 管(LED)或者激光二极管(LD)这样的发光装置的主要材料。一般，III-V族氮化物半导体 包括具有构成分子式InxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1、0彡y彡1和0彡x+y彡1)的半导体材料。LED是半导体器件，其通过下述方式来发送/接收信号通过使用化合物半导体的 特性将电信号转换为红外线或光。LED也被用作光源。使用氮化物半导体材料的LED或者LD主要用于发光装置，以提供光。例如，LED或 者LD被用作诸如蜂窝电话的小键盘发光部分、电子招牌和发光装置这样的各种产品的光 源。
发明内容
实施例提供了具有新颖结构的发光装置、其制造方法、发光装置封装和光照系统。实施例提供了发光装置、其制造方法、发光装置封装和光照系统，它们能够通过在 已经执行了激光划片处理后执行蚀刻处理来改善生产率。根据实施例，发光装置包括导电支撑件；发光结构层，其包括在导电支撑件上的 第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；以及，在发光结构层上的电极。导电支撑 件具有向内凹进的弯曲侧表面。发光装置封装包括封装体；在封装体上的第一和第二电极层；发光装置，其被安 装在封装体上，并且电连接到第一电极层和第二电极层；以及，围绕所述发光装置的模制 件。发光装置包括导电支撑件；发光结构层，其包括在导电支撑件上的第一导电半导体 层、有源层和第二导电半导体层；以及，在发光结构层上的电极。导电支撑件具有向内凹进 的弯曲侧表面。根据实施例，光照系统包括衬底和在衬底上安装的发光装置。发光装置包括导电 支撑件；发光结构层，其包括在导电支撑件上的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导 体层；以及，在发光结构层上的电极。导电支撑件具有向内凹进的弯曲侧表面。根据实施例，用于制造发光装置的方法包括形成发光结构层，发光结构层包括在 生长衬底上的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；并且，选择性地在发光结 构层上形成保护层；在发光结构层和保护层上形成导电支撑件；从发光结构层去除生长衬 底；通过相对于发光结构层执行隔离蚀刻形成芯片边界区域，使得发光结构层被划分为多 个芯片单元；通过相对于芯片边界区域执行激光划片处理、同时穿过所述导电支撑件来形 成分离段，通过该分离段，导电支撑件被划分为多个分离的部分；相对于分离段执 蚀刻处 理；并且，通过断开导电支撑件来以芯片为单位划分发光结构层和导电支撑件。
实施例可以提供具有新颖结构的发光装置、其制造方法、发光装置封装和光照系 统。实施例可以提供发光装置、其制造方法、发光装置封装和光照系统，它们能够通过 在已经执行了激光划片处理后执行蚀刻处理来改善生产率。
图1-11是示出根据实施例的发光装置及其制造方法的剖面图；图12是示出根据实施例的、包括发光装置的发光装置封装的视图；图13是示出根据实施例的、包括发光装置或者发光装置封装的背光单元的视图； 以及图14是根据实施例的、包括发光装置或者发光装置封装的光照系统。
具体实施例方式以下，将查看
实施例。在实施例的说明中，将参考
术语“在每层 上”或者“在每层下”的概念。同时，可以明白，当层(或者膜)、区域、图案或者结构被称为 在另一个衬底、另一层(或者膜)、另一个区域、另一个垫或者另一个图案“上”或者“下”，则 其可以“直接地”或者“间接地”在所述另一个衬底、层(或者膜)、区域、垫或者图案“上”， 或者也可以存在一个或多个插入层。已经参考附图描述了所述层的这样的位置。图1-11是示出根据实施例的发光装置及其制造方法的剖面图。参见图1，发光结构层135形成在生长衬底101上。发光结构层135包括第一导电 半导体层110、在第一导电半导体层110上的有源层120和在有源层120上的第二导电半导 体层130。生长衬底101 可以包括蓝宝石(Al2O3)、GaN, SiC、ZnO、Si、GaP、InP 或者 GaAs 之 一。缓冲层和/或无掺杂的半导体层可以形成在生长衬底101上。发光结构层135可以包括基于GaN的半导体层。发光结构层135可以包括GaN、 InGaN, AlGaN 或者 InAlGaN 的至少一个。第一导电半导体层110可以包括N型半导体层。第一导电半导体层110可以包括 具有构成分子式InxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的半导体材料。例如， 第一导电半导体层110可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN或者InN。第一 导电半导体层110可以被掺杂诸如Si、Ge和Sn这样的N型掺杂剂。通过第一导电半导体层110注入的电子(或者空穴)在有源层120遇到通过第二 导电半导体层130注入的空穴(或者电子)，以便有源层120根据有源层120的材料来发出 基于能带的带隙差的光。有源层120可以具有单量子结构、多量子阱结构、量子点结构和量子线结构之一， 但是实施例不限于此。有源层120可以包括具有构成分子式InxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1， 0 ^ x+y ^ 1)的半导体材料。如果以MQW结构形成有源层120，则有源层120具有多个阱 层和多个阻挡层的堆叠结构。例如，有源层120可以具有InGaN阱层/GaN阻挡层的堆叠结 构。
掺杂了 η型掺杂剂或者ρ型掺杂剂的镀层(未示出)可以形成在有源层120之上 和/或之下，并且可以包括AlGaN层和InAlGaN层。例如，第二导电半导体层130可以包括P型半导体层。第二导电半导体层130可 以包括具有构成分子式InxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的半导体材料。 例如,第二导电半导体层130可以包括InAlGaN、GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN或者InN。 第二导电半导体层130可以包括P型掺杂剂，诸如Mg、Zn、Ca、Sr和Ba。同时，第一导电半导体层110可以包括P型半导体层，并且第二导电半导体层130 可以包括N型半导体层。包括N型半导体层或者P型半导体层的第三导电半导体层(未示 出)可以形成在第二导电半导体层130上。因此，发光结构层135可以具有NP、PN、NPN或 者PNP结结构的至少一个。第一和第二导电半导体层110和130的掺杂剂的掺杂密度可以 是规则的或者不规则的。换句话说，发光结构层135可以具有各种结构，但是实施例不限于 此。包括第一导电半导体层110、有源层120和第二导电半导体层130的发光结构层 135可以具有不同地修改的结构。换句话说，发光结构层135不限于根据所述实施例的上述结构。在根据所述实施例的制造发光装置的方法中，可以一起提供多个发光装置芯片。 以下，为了说明的目的，仅仅说明对应于第一和第二芯片的区域。参见图2，在第二导电半导体层130上选择性地形成保护层140。例如，可以沿着第一和第二芯片区域的外围部分在第二导电半导体层130上选择 性地形成保护层140。保护层140可以包括绝缘材料或者在隔离蚀刻处理中不产生碎片的材料。例如， 保护层140可以包括Si02、SiOx, SixNy、A1203、TiO2, ITO、IZO或者AZO的至少一个。保护层 140可以防止发光结构层135在隔离蚀刻处理中被电短路。参见图3，在第二导电半导体层130上形成接触层150。另外，可以在保护层140 上形成接触层150。接触层150可以包括Al、Ag、Pd、Rh或Pt或者其合金的至少一个。另外，接触层 150可以包括具有欧姆接触属性或者高反射效率的材料。参见图4，在接触层150上形成导电支撑件160。导电支撑件160可以包括铜(Cu)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、铝(Al)、钼(Pt)、金 (Au)、钼(Mo)和载体晶片的至少一个，所述载体晶片包括Si、Ge、GaAS、ZnO、SiGe、GaN或者 Ga203。导电支撑件160作为基本衬底。例如，可以通过电镀处理或者粘结处理来形成导电 支撑件160。导电支撑件160的厚度可以在大约10微米到大约500微米的范围中。导电支撑件160支撑发光结构层135。接触层150和导电支撑件160可以形成为一层。例如，接触层150和导电支撑件 160可以被制备为具有高反射率的支撑件，但是所述实施例不限于此。参见图5，去除生长衬底101。可以通过激光剥离(LLO)方案或者化学剥离(CLO) 方案去除生长衬底101。根据LLO方案，具有预定波长带的激光束被辐射到生长衬底101中，以分离生长衬 底101。另外，如果在生长衬底101和第一导电半导体层110之间形成另一个半导体层(例如缓冲层)，则可以使用CLO方案来使用湿蚀刻剂去除缓冲层。然后，可以通过抛光机来抛光没有生长衬底101的第一导电半导体层110的表面。为了参考，通过反转图4的结构来获得图5的结构。参见图6，相对于发光结构层135执行隔离蚀刻处理，以选择性地去除发光结构层 135，因此形成芯片边界区域105。发光结构层135被芯片边界区域105划分为多个芯片单 元。例如发光结构层135可以被划分为第一和第二芯片。可以在芯片边界区域105中执行 隔离蚀刻处理，以便可以暴露保护层140，但是所述实施例不限于此。另外，电极171可以以预定的图案形成在第一导电半导体层110上。参见图7，第一芯片保护层180可以形成在发光结构层135和保护层140上，并且 第一支撑层190可以形成在导电支撑件160下。当执行LLO处理以形成单独的芯片时，第一芯片保护层180防止发光结构层135 被损坏。当执行LLO处理时，第一支撑层190支撑发光结构层135和导电支撑件160。如果必要，可以省略或者加上第一芯片保护层180和第一支撑层190。例如，可以 在导电支撑件160和第一支撑层190之间另外插入芯片保护层。第一芯片保护层180可以包括光刻胶层，但是实施例不限于此。可以以具有粘结属性的、诸如UV片或者蓝片这样的粘结片的形式来提供第一支 撑层190，但是实施例不限于此。参见图8，沿着芯片边界区域105通过第一芯片保护层180、保护层140、接触层 150和导电支撑件160来执行激光划片处理，由此形成分离段200，用于将在芯片单元中的 芯片区域彼此分离。如图8中所示，分离段200可以被形成以将第一和第二芯片彼此分离。在这种情况下，分离段200将第一和第二芯片彼此部分地分离。虽然导电支撑件 160在激光划片处理期间被熔化，但是熔化的导电支撑件160弯曲以在已经完成了激光划 片处理后形成重新组合部分165。重新组合部分165将导电支撑件160部分地彼此连接，并且，当导电支撑件160的 厚度增加时，重新组合部分165的厚度增加。可以在激光划片处理后去除第一芯片保护层180和第一支撑层190。参见图9，相对于分离段200来执行蚀刻处理，以去除重新组合部分165的至少一 部分，以便子重新组合部分165a保持如图9所示。蚀刻处理可以包括使用化学溶液来作为蚀刻剂的湿蚀刻和使用气体来作为蚀刻 剂的干蚀刻。图9示出了使用湿蚀刻的情况。当执行湿蚀刻时，分离段200的蚀刻轮廓，即，导 电支撑件160的侧表面168变为向内凹进的弯曲表面。这是因为可以将湿蚀刻执行为没有 特定方向的各向同性蚀刻。当与蚀刻剂的接触增加时，蚀刻轮廓，即，导电支撑件160的侧表面168更凹进。例 如，当从导电支撑件160的上表面执行蚀刻处理时，导电支撑件160的侧表面168在上部比 下部更凹进。如果执行干蚀刻，则可以获得具有均勻的方向的蚀刻。因此，与湿蚀刻不同，导电 支撑件160可以具有向内凹进的弯曲的侧表面168。但是，干蚀刻可缓慢地被执行。参见图10，可以在导电支撑件160下形成第二支撑层210。
可以以具有粘结属性的、诸如UV片或者蓝片的粘结片的形式来提供第二支撑层 210，但是实施例不限于此。当通过后述的断开处离以芯片为单位将发光装置划分为分离的部分时，第二支撑 层210固定发光装置的分离的部分，以便发光装置的分离的部分不散开。同时，在发光结构层135和电极171上形成第二保护层(未示出)，由此在下面的 断开处理中保护发光装置。参见图10和11，相对于分离段200执行断开处理，以便以芯片为单位将多个芯片 彼此分离。如图10和11中所示，通过断开处理来将第一和第二芯片彼此分离。根据断开处理，通过使用切割器来切割分离段200的重新组合部分165，以便第一 和第二芯片以芯片为单元彼此完全分离。但是，因为断开处理使用切割器，当分离段200的重新组合部分165被切割时，可 能在发光装置上出现裂缝。具体地，如上所述，当导电支撑件160的厚度增加时，重新组合部分165的厚度变 得增加。因此，如果相对于分离段200直接地执行断开处理而没有根据实施例的蚀刻处理， 则当重新组合部分165的厚度增加时，从裂缝导致的发光装置的故障的概率增加。例如，如果导电支撑件160的厚度是大约75微米，则在发光装置的制造处理中的 生产率在大约70%到大约80%的范围中。但是，如果导电支撑件160的厚度超过150微米， 则发光装置的制造处理中的生产率近似于0%。但是，因为相对于分离段200执行蚀刻处理以去除重新组合部分165的至少一部 分，所以减小了重新组合部分165的厚度，以便可以降低由断开处理引起的缺陷，并且可以 改善在发光装置的制造处理中的生产率。具体地，当导电支撑件160的厚度在大约75微米到大约500微米的范围中时，可 执行根据所述实施例的蚀刻处理。即使导电支撑件160具有厚的厚度，也可以改善在发光 装置的制造处理中的生产率。换句话说，根据该实施例，导电支撑件160的厚度可以在大约75微米到大约500 微米的范围中。在已经执行了断开处理后，可以去除第二支撑层210和第二芯片保护层(未示 出)。因此，可以提供根据该实施例的发光装置。根据所述实施例的发光装置包括导电支撑件160、在导电支撑件160上的发光结 构层135和在发光结构层135上的电极171。可以在导电支撑件160和发光结构层135之间设置保护层140的一部分，并且可 以向上暴露保护层140的该部分。接触层150可以插在发光结构层135和导电支撑件160之间，并且可以同时被插 入保护层140和导电支撑件160之间。导电支撑件160可以具有向内凹进的弯曲侧表面168。导电支撑件160的侧表面 168可以与保护层140垂直地重叠。图12是示出根据实施例的、具有发光装置的发光装置封装600的剖面图。参见图12，根据该实施例的发光装置封装600包括封装体300 ；在封装体300上
8形成的第一和第二电极层310和320 ；发光装置200，其被设置在封装体300上，并且电连接 到第一和第二电极层31和32 ；以及，模制件500，其围绕所述发光装置200。封装体300可以包括硅、合成树脂或者金属材料之一。可以围绕发光装置200形 成倾斜的表面。第一和第二电极层310和320彼此电隔离，以向发光装置200提供电力。另外，第 一和第二电极层310和320反射从发光装置200发出的光以改善光效率，并且向外部散发 从发光装置200产生的热量。发光装置200可以被安装在封装体300或者第一和第二电极层310和320上。发光装置200通过导线400电连接到第一和第二电极层310和320。模制件500围绕发光装置200以保护发光装置200。另外，模制件500可以包括荧 光粉，用于改变从发光装置200发出的光的波长。因为根据该实施例的发光装置封装600包括其中发光装置结构层的损坏较小的 发光装置200，因此发光装置封装600可以呈现良好的发光效率。根据该实施例的多个发光装置封装600被排列在衬底上，并且可以在从发光装置 封装600发出的光的路径上设置作为光学件的光导板、棱镜片、扩散片和荧光片。发光装置 封装、衬底和光学件构成背光单元或者光照单元。例如，光照系统可以包括背光单元、光照 单元、指示器、灯和街灯。图13是示出根据实施例的、包括发光装置或者发光装置封装的背光单元1100的 分解透视图。在图13中示出的背光单元1100是光照系统的示例，但是实施例不限于此。参见图13，背光单元1100包括底框1140、在底框1140中安装的光导件1120和在 光导件1120的一个侧表面或者底表面安装的发光组件1110。另外，在光导件1120下布置 了反射片1130。底框1140具有盒子形状，该盒子形状顶表面打开以在其中容纳光导件1120、发光 组件1110和反射片1130。另外，该底框可以包括金属材料或者树脂材料，但是实施例不限 于此。发光组件1110可以包括衬底700和在衬底700上安装的多个发光装置封装600。 发光装置封装600向光导件1120提供光。根据实施例，虽然发光组件1110包括在衬底700 上设置的发光装置封装600，但是根据实施例的发光装置200可以直接地被安装在发光组 件1110中。如图13中所示，发光组件1110被安装在底框1140的至少一个内侧上，以向光导 件1120的至少一侧提供光。另外，发光组件1110可以被设置在底框1140之下，以向光导件1120的底表面提 供光。可以根据背光单元1100的设计来不同地改变这样的布置，但是实施例不限于此。光导件1120可以被安装在底框1140中。光导件1120将从发光组件1110发出的 光转换为表面光，以将该表面光引导向显示板(未示出)。光导件1120可以包括光导板。例如，光导板可以包括选自下组的一个，该组由基 于丙烯醛基的树脂构成，基于丙烯醛基的树脂诸如PMMA (聚甲基丙烯酸甲酯)、PET (聚对苯 二甲酸乙二醇酯)、PC (聚碳酸酯)、COC或者PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)树脂。可以在光导件1120上设置光学片1150。
光学片1150可以包括扩散片、光收集片、亮度增强片和荧光片的至少一个。例如， 光学片1150可以具有扩散片、光收集片、亮度增强片和荧光片的堆叠结构。在这种情况下， 扩散片均勻地扩射从发光组件1110发出的光，以便可以由光收集片在显示板(未示出)上 收集扩射的光。从光收集片输出的光被任意地偏振，并且亮度增强片提高从光收集片输出 的光的偏振度。光收集片可以包括水平和/或垂直棱镜片。另外，亮度增强片可以包括双 亮度增强膜，并且荧光片可以包括包含荧光粉的透射板或者透射膜。反射片1130可以被布置在光导件1120之下。反射片1130向光导件1120的光出 射表面反射通过光导件1120的底表面发出的光。反射片1130可以包括具有高反射率的树脂材料，诸如PET、PC或者PVC树脂，但是 实施例不限于此。图14是示出根据实施例的、包括发光装置或者发光装置封装的光照单元1200的 透视图。在图14中所示的照明单元1200是光照系统的示例，但是实施例不限于此。参见图14，光照单元1200包括壳体1210 ；发光组件1230，其被安装在壳体1210 中；以及连接终端1220，其被安装在壳体1210内以从外部电源接收电力。优选的是，壳体1210包括具有良好的散热属性的材料。例如，壳体1210包括金属 材料或者树脂材料。发光组件1230可以包括衬底700和在衬底700上安装的至少一个发光装置封装 600。根据实施例，虽然根据实施例的发光组件1110包括在衬底700上设置的发光装置封 装600，但是可以在发光组件1110上直接地安装发光装置200。衬底700包括印刷有电路图案的绝缘件。例如，衬底300包括PCB (印刷电路板)、 MC (金属芯)PCB、F (柔性)PCB或者陶瓷PCB。另外，衬底700可以包括有效地反射光的材料。衬底300的表面可以被涂敷诸如 白色或者银色的颜色，以有效地反射光。根据实施例的至少一个发光装置封装600可以被安装在衬底700上。每个发光装 置封装600可以包括至少一个LED(发光二极管)。LED可以包括彩色LED，其发出具有红 色、绿色、蓝色或者白色的光；以及，UV(紫外线)LED，其发出UV光。发光组件1230的LED可以被不同地布置来提供各种颜色和亮度。例如，白色LED、 红色LED和绿色LED的组合可以被布置来实现高显色指数(CRI)。另外，可以还在从发光组 件1230发出的光的路径上设置荧光片，以改变从发光组件1230发出的光的波长。例如，如 果从发光组件1230发出的光具有蓝光的波长带，则荧光片可以包括黄色荧光粉。在这种情 况下，从发光组件1230发出的光通过荧光片，从而光被观看为白光。连接终端1220电连接到发光组件1230以向发光组件1230提供电力。参见图14， 连接终端1220具有插座的形状，其通过螺纹与外部电源耦接，但是实施例不限于此。例如， 可以以插入外部电源或者通过导线连接到外部电源的销的形式来制备连接终端1220。根据如上所述的光照系统，在从发光组件发出的光的路径上设置光导件、扩散片、 光收集片、亮度增强片和荧光片的至少一个，从而可以实现期望的光学效果。在本说明书中对于“一个实施例”、“示例实施例”等的引用表示在本发明的至少一 个实施例中包括结合所述实施例描述的特定的特征、结构或者特性。这样的短语在说明书 中的不同位置的出现不必然全部指的是同一实施例。而且，当结合任何实施例描述特定的特征、结构或者特性时，可认为其在本领域技术人员结合其他实施例实现这样的特征、结构 或者特性的范围中。 虽然已经参考其多个说明性实施例描述了实施例，但是应当明白，本领域技术人 员可以设计落在本公开的原理的精神和范围内的多个其他修改和实施例。更具体地，在本 公开、附图和所附的权利要求的范围内，在主题组合布置的部件部分和/或布置上可进行 各种改变和修改。除了在部件部分和/或布置上的改变和修改外，替代用途对于本领域技 术人员也是显然的。
权利要求
一种发光装置，包括导电支撑件；发光结构层，其包括在所述导电支撑件上的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；以及，在所述发光结构层上的电极，其中，所述导电支撑件具有向内凹进的弯曲侧表面。
2.根据权利要求1的发光装置，还包括在所述导电支撑件和所述发光结构层之间的保 护层，其中，所述保护层的一部分向上暴露。
3.根据权利要求2的发光装置，其中，所述导电支撑件的侧表面与所述保护层垂直地重叠。
4.根据权利要求1的发光装置，还包括在所述导电支撑件和所述发光结构层之间的接触层。
5.根据权利要求4的发光装置，其中，所述接触层包括铝(Al)、银(Ag)、钯(Pd)、铑 (Rh)、钼(Pt)或其合金的至少一个。
6.根据权利要求1的发光装置，其中，所述导电支撑件包括(Cu)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍 (Ni)、铝(Al)、钼(Pt)、金(Au)、钼(Mo)或载体晶片之一。
7.根据权利要求1的发光装置，其中，所述导电支撑件具有在10微米到500微米的范 围内的厚度。
8.一种发光装置封装，包括 封装体；在所述封装体上的第一和第二电极层；根据权利要求1到7的任何一个的发光装置，其被安装在所述封装体上，并且电连接到 第一电极层和第二电极层；和 围绕所述发光装置的模制件。
9.一种光照系统，包括 衬底；和在所述衬底上的根据权利要求1到7的任何一个的发光装置。
10.一种用于制造发光装置的方法，包括形成发光结构层，所述发光结构层包括在生长衬底上的第一导电半导体层、有源层和 第二导电半导体层；选择性地在所述发光结构层上形成保护层； 在所述发光结构层和所述保护层上形成导电支撑件； 从所述发光结构层去除所述生长衬底；通过相对于所述发光结构层执行隔离蚀刻形成芯片边界区域，使得所述发光结构层被 划分为多个芯片单元；通过相对于所述芯片边界区域执行激光划片处理、同时穿过所述导电支撑件来形成分 离段，通过所述分离段，所述导电支撑件被划分为多个分离的部分； 相对于所述分离段执行蚀刻处理；以及通过断开所述导电支撑件来以芯片为单位划分所述发光结构层和所述导电支撑件。
11.根据权利要求10的方法，其中，所述蚀刻处理包括湿蚀刻处理。
12.根据权利要求10的方法，还包括在相对于所述分离段执行所述蚀刻处理之前，在 所述导电支撑件之下形成支撑层。
13.根据权利要求10的方法，还包括在形成所述导电支撑件之前，在所述发光结构层 上形成接触层。
14.根据权利要求10的方法，其中，所述导电支撑件包括Cu、Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、Mo或者载体晶片之一。
15.根据权利要求10的方法，其中，所述导电支撑件具有在10微米到500微米的范围 内的厚度。
全文摘要
本发明公开了发光装置及其制造方法、发光装置封装和光照系统。发光装置包括导电支撑件；发光结构层，其包括在该导电支撑件上的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；以及，在发光结构层上的电极。导电支撑件具有向内凹进的弯曲侧表面。
文档编号F21S2/00GK101924174SQ20101020649
公开日2010年12月22日 申请日期2010年6月10日 优先权日2009年6月10日
发明者郑泳奎, 郑畴溶 申请人:Lg伊诺特有限公司