发光二极管封装结构及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种半导体发光元件，尤其涉及一种发光二极管封装结构及其制造方 法。
【背景技术】
[0002] 传统的发光二极管包括基板、设置在基板上的电极结构、设置在基板上且与电极 结构电性连接的发光二极管晶粒。发光二极管晶粒包括磊晶结构及设置在磊晶结构上的第 一电极及第二电极。所述发光二极管晶粒通过第一电极与第二电极分别与所述电极结构对 应焊接。然而，传统发光二极管焊接至基板后，第一电极及第二电极外露在空气中，从而导 致第一电极及第二电极易被水、气等侵袭，从而导致发光二极管的可靠性较差。
【发明内容】
[0003] 有鉴于此，有必要提供一种可靠性高的发光二极管封装结构及其制造方法。
[0004] -种发光二极管封装结构，包括基板以及覆晶设置在基板上的发光二极管晶粒， 所述发光二极管晶粒包括磊晶结构及设置在磊晶结构上的第一电极及第二电极，所述第一 电极及第二电极包覆在保护层内。
[0005] -种发光二极管封装结构的制造方法，其包括： 在磊晶结构的一侧表面形成光阻层； 去除部分光阻层以形成贯穿光阻层的多个第一沟道； 在所述多个第一沟道内填充形成金属层； 去除剩余的的光阻层，以在金属层之间形成第二沟道； 在所述第二沟道内设置绝缘层，形成发光二极管晶粒，所述金属层分别形成第一电极 及第二电极； 将所述发光二极管晶粒固定至基板上； 在所述发光二极管晶粒的第一电极及第二电极外露的表面形成覆盖第一电极及第二 电极的保护层。
[0006] 本发明的发光二极管封装结构及其制造方法中，由于所述发光二极管晶粒的第一 电极及第二电极均包覆在保护层的内部，减小了水、气等对第一电极及第二电极的侵袭，提 高了整个发光二极管封装结构的可靠性。
【附图说明】
[0007] 图1为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的组装示意图。
[0008] 图2为本发明第二实施例的发光二极管封装结构的组装示意图。
[0009] 图3为本发明第三实施例的发光二极管封装结构的组装示意图。
[0010] 图4为本发明第四实施例的发光二极管封装结构的组装示意图。
[0011] 图5为本发明第五实施例的发光二极管封装结构的组装示意图。
[0012] 图6至图15为本发明一实施例的发光二极管封装结构的制造方法示意图。
[0013] 主要元件符号说明
如下【具体实施方式】将结合上述附图进一步说明本发明。
【具体实施方式】
[0014] 第一实施例 请参见图1，本发明的发光二极管封装结构100,包括基板10以及覆晶设置在基板10 上的发光二极管晶粒20。所述发光二极管晶粒20包括磊晶结构21及设置在磊晶结构21 上的第一电极22及第二电极23,所述第一电极22及第二电极23包覆在保护层30内。
[0015] 所述基板10为高导热封装用板体，其包括第一表面11及与该第一表面11相对的 第二表面12。所述基板10的第一表面11上设置有用以与发光二极管晶粒20电性连接的电 极结构（图未示)。所述基板10的材料可包括镍（Ni)、铜（Cu)、金（Au)、银（Ag)、铝（A1)等 高导热金属。所述基板10可为金属基印刷电路板。优选地，所述基板10的厚度小于50um。
[0016] 所述发光二极管晶粒20的第一电极22及第二电极23可直接焊接至所述基板10 的电极结构上，也可通过导电胶40固定至基板10第一表面11。本实施例中，所述发光二 极管晶粒20通过导电胶40直接粘结在基板10上，且所述导电胶40同所述发光二极管晶 粒20的第一电极22及第二电极23 -并包覆在保护层30的内部。所述第一电极22及第 二电极23可由镍、银、白金、铬、金、银或复合金属等制成。所述导电胶40的制作材料包括 镍（Ni)、银（Ag)、铂（Pt)、金（Au)、钛（Ti)、铬（Cr)。
[0017] 优选地，所述第一电极22及第二电极23之间的空隙24内也可填充有上述保护层 30 〇
[0018] 所述保护层30由绝缘材料制成。优选地，所述保护层30为为旋涂式玻璃（Spin onglass，S0G)。所述旋涂式玻璃由娃氧烷基（Siloxane)、二氧化娃基（SI02)、氟、碳掺杂、 娃酸盐（Si1icate)类等低介电系数之材料组成。
[0019] 所述保护层30自所述基板10的第一表面11沿着所述第一电极22的外露的表面、 第二电极23的外露的表面向上攀爬。本实施例中，所述保护层30向攀爬至恰好覆盖所述 第一电极22及第二电极23外露的表面即可。
[0020] 第二实施例 请参见图2,所述保护层30沿着所述第一电极22及第二电极23外露的表面攀爬并覆 盖磊晶结构21部分侧面。
[0021] 第三实施例 请参见图3,所述保护层30沿着所述第一电极22及第二电极23外露的表面攀爬以覆 盖磊晶结构21整个侧面。
[0022] 第四实施例 请参见图4,所述第一电极22及第二电极23之间的空隙24内填充所述保护层30及所 述绝缘层50。所述保护层30与所述绝缘层50堆叠设置。所述保护层30设置在所述基板 10的第一表面11，所述绝缘层50设置在所述保护层30与所述磊晶结构21之间。
[0023] 所述绝缘层50的材料包括二氧化硅（Si02)、氮化硅（Si3N4)、氧化铝（A1203)、氮 化铝（A1N)、碳氧化合物。当所述绝缘层50的厚度小于20um时，磊晶结构21产生的热量自 绝缘层50传导至基板10的速率较快。
[0024] 本实施例中，由于所述第一电极22及第二电极23包覆在所述保护层30内部，从 而减小了水、气对发光二极管晶粒20第一电极22及第二电极23的可靠性的影响，进而提 高了整个发光二极管封装结构100的稳定性。
[0025] 第五实施例 请参见图5,所述第一电极22a包括多个间隔设置的电极接脚220。此时，所述保护层 30包覆所述多个电极接脚220于其内部。
[0026] 所述电极接脚220之间填充绝缘层50。所述多个电极接脚220增大了第一电极