专利名称：场发射器件的制作方法
场发射器件
技术领域：
本发明涉及场发射技术领域，尤其是一种场发射设备的场发射器件。背景技术：
场发射器件通常包括带有发射极的阴极基板、涂覆发光层的阳极基板和支撑体。 阴极基板和阳极基板相对设置并保持一定的间隔，四周封接，中间为真空空间。传统的支撑体通常为球状支撑，球状支撑是一种将预先制好的多个球形陶瓷或玻 璃微珠直接放置在器件上下板间作为支撑的方法。这种方法虽然工艺简单，但微珠直径误 差很难控制在要求范围内，而且球状支撑体的位置容易发生移动，从而使得基板和支撑体 之间承受的压力不均衡，基板容易破碎，从而降低器件的稳定性以及缩短器件的寿命。
发明内容基于此，有必要提供一种受力均衡的的场发射器件。一种场发射器件包括具有发光层的阳极基板、具有阴极层的阴极基板和连接支撑 所述阳极基板和阴极基板的支撑体，所述发光层与所述阴极层相对设置，所述阳极基板上 围绕发光层设置有第一凸缘，所述阴极基板上围绕阴极层设置有第二凸缘，所述支撑体上 开设有相背的可与所述第一凸缘卡固的第一凹槽和可与所述第二凸缘卡固的第二凹槽。优选的，所述的支撑体为框体状。优选的，所述第一凸缘呈矩形框体状。优选的，所述第一凸缘包括第一凸肋和第二凸肋，所述第一凸肋、第二凸肋通过一 圆弧圆滑过渡连接。优选的，所述第一凸缘还包括第三凸肋和第四凸肋，所述第二凸肋和第三凸肋、第 三凸肋和第四凸肋以及第四凸肋和第一凸肋均是通过一圆弧圆滑过渡连接。优选的，所述阳极基板为ITO玻璃材料制成。优选的，所述阴极基板为ITO玻璃材料制成。优选的，所述支撑体为氧化铝材料制成。优选的，所述阳极基板和阴极基板分别为一透明件上覆一层导电材料。优选的，所述支撑体可为氧化锆陶瓷材料制成。上述场发射器件的支撑体与阴极基板和阳极基板通过第一凹槽与第一凸缘和第 二凹槽与第二凸缘配合，并采用封接材料进行封接，因此，在对器件进行抽真空和封离，支 撑体与阳极基板和阴极基板之间紧密接触，使得受力均勻。
图1为本发明场发射器件第一实施方式的剖面示意图。图2为图1中阳极基板的仰视图。图3为图2中阳极基板的III-III剖面图。
图4为图1中支撑体的俯视图。图5为图4中支撑体的V-V剖面图。图6为本发明场发射器件第二实施方式中的剖面示意图。图7为图6中阳极基板的仰视图。图8为图7中阳极基板的VIII-VIII剖面图。图9为图6中支撑体的俯视图。图10为图9中支撑体的X-X剖面图
具体实施方式
如图1所示，本发明场发射器件100包括具有发光层11的阳极基板10、具有阴极 层21的阴极基板20和连接支撑阳极基板10和阴极基板20的支撑体30，其中，阴极基板 20与阳极基板10相对设置，其间的距离为3mm。支撑体30设置于阳极基板10和阴极基板 20之间。进一步的，发光层11与阴极层21相对设置，阳极基板10上围绕发光层11设置有 第一凸缘12，阴极基板20上围绕阴极层21设置有第二凸缘22，第二凸缘22与第一凸缘12 的形状、大小相同，且位置相对应。另外，支撑体30上开设有相背的可与所述第一凸缘12卡固的第一凹槽31和可与 第二凸缘22卡固的第二凹槽32。本实施方式中，阳极基板10和阴极基板20为ITO玻璃材 料制成。请参阅图2和图3，第一凸缘12呈矩形框体状，其包括顺次首尾相连第一凸肋 121、第二凸肋122、第三凸肋123和第四凸肋124。其中，第一凸肋121和第三凸肋123与 第二凸肋122和第四凸肋124垂直。第二凸缘22与第一凸缘12的形状、大小相同，且位置 相对应。请同时参阅图4和图5，支撑体30为矩形框体状，其上相背的两端面上分别开设有 与第一凸缘12和第二凸缘22对应第一凹槽31和第二凹槽32。第一凹槽31的大小和形 状与第一凸缘12相吻合，用以收容第一凸缘12。第二凹槽32的大小和形状与第二凸缘22 相吻合，用于收容第二凸缘22。在本实施方式中，支撑体30为氧化铝材料制成。组装时，首先，将支撑体30设置于阳极基板10和阴极基板20之间，并将阳极基板 10的第一凸缘12设置于支撑体30的第一凹槽31内，将阴极基板20的第二凸缘22设置 于支撑体30的第二凹槽32内；然后，再通过封接材料，进行封接；最后，对器件进行抽真空 和封离，使得支撑体30与阳极基板10和阴极基板20之间紧密接触，使得受力尽均勻。另 外，支撑体30为一整体，与现有的球状支撑体相比，支撑体具有更好承受压力，不会出现在 接触点应力集中现象，因此，在同样的大气压下，其受力更加均勻。请参阅图6，第二实施方式场发射器件400亦包括阳极基板40、阴极基板50和支 撑体60。支撑体60设置于阳极基板40和阴极基板50之间。在本实施方式中，阳极基板 40和阴极基板50分别为一透明件上覆一层导电材料，支撑体可为氧化锆陶瓷材料制成。另 外，第二实施方式场发射器件400与第一实施方式场发射器件100的区别点在于，第一凸 缘、第二凸缘、第一凹槽和第二凹槽的形状不同。请参阅图7和图8，阳极基板40的第一凸缘42包括第一凸肋421、第二凸肋422、
4第三凸肋423和第四凸肋424。第一凸肋421与第二凸肋422通过一圆弧圆滑过渡连接，同 样，第二凸肋422和第三凸肋423、第三凸肋423和第四凸肋424以及第四凸肋424和第一 凸肋421均是通过一圆弧圆滑过渡连接。阴极基板50的第二凸缘52与阳极基板40的第一凸缘42的形状、大小相同，且位
置相对应。请参阅图9和图10，支撑体60的第一凹槽61和第二凹槽62的的大小和形状分别
与第一凸缘42和第二凸缘52相吻合。组装时，首先，将支撑体60设置于阳极基板40和阴极基板50之间，并将阳极基板 40的第一凸缘42设置于支撑体60的第一凹槽61内，将阴极基板50的第二凸缘52设置 于支撑体60的第二凹槽62内；然后，再通过封接材料，进行封接；最后，对器件进行抽真空 和封离，使得支撑体60与阳极基板40和阴极基板50之间紧密接触，使得受力尽均勻。另 外，支撑体60为一整体，与现有的球状支撑体相比，支撑体具有更好承受压力，不会出现在 接触点应力集中现象，因此，在同样的大气压下，其受力更加均勻。以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并 不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员 来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保 护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
权利要求
一种场发射器件，包括具有发光层的阳极基板、具有阴极层的阴极基板和连接支撑所述阳极基板和阴极基板的支撑体，所述发光层与所述阴极层相对设置，其特征在于所述阳极基板上围绕发光层设置有第一凸缘，所述阴极基板上围绕阴极层设置有第二凸缘，所述支撑体上开设有相背的可与所述第一凸缘卡固的第一凹槽和可与所述第二凸缘卡固的第二凹槽。
2.如权利要求1所述的场发射器件，其特征在于所述的支撑体为框体状。
3.如权利要求1所述的场发射器件，其特征在于所述第一凸缘呈矩形框体状。
4.如权利要求1所述的场发射器件，其特征在于所述第一凸缘包括第一凸肋和第二 凸肋，所述第一凸肋、第二凸肋通过一圆弧圆滑过渡连接。
5.如权利要求4所述的场发射器件，其特征在于所述第一凸缘还包括第三凸肋和第 四凸肋，所述第二凸肋和第三凸肋、第三凸肋和第四凸肋以及第四凸肋和第一凸肋均是通 过一圆弧圆滑过渡连接。
6.如权利要求1所述的场发射器件，其特征在于所述阳极基板为ITO玻璃材料制成。
7.如权利要求1所述的场发射器件，其特征在于所述阴极基板为ITO玻璃材料制成。
8.如权利要求1所述的场发射器件，其特征在于所述支撑体为氧化铝材料制成。
9.如权利要求1所述的场发射器件，其特征在于所述阳极基板和阴极基板分别为一 透明件上覆一层导电材料。
10.如权利要求1所述的场发射器件，其特征在于所述支撑体可为氧化锆陶瓷材料制成。
全文摘要
一种场发射器件包括具有发光层的阳极基板、具有阴极层的阴极基板和连接支撑所述阳极基板和阴极基板的支撑体，所述发光层与所述阴极层相对设置，所述阳极基板上围绕发光层设置有第一凸缘，所述阴极基板上围绕阴极层设置有第二凸缘，所述支撑体上开设有相背的可与所述第一凸缘卡固的第一凹槽和可与所述第二凸缘卡固的第二凹槽。上述场发射器件的支撑体与阴极基板和阳极基板通过第一凹槽与第一凸缘和第二凹槽与第二凸缘配合，并采用封接材料进行封接，因此，在对器件进行抽真空和封离，支撑体与阳极基板和阴极基板之间紧密接触，使得受力均匀。
文档编号H01J29/08GK101916705SQ20101020687
公开日2010年12月15日 申请日期2010年6月18日 优先权日2010年6月18日
发明者周明杰, 李清涛, 马文波 申请人:海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司