发光器件、发光器件封装和照明系统的制作方法

专利名称：发光器件、发光器件封装和照明系统的制作方法
技术领域：
实施方案涉及发光器件、发光器件封装和照明系统。
背景技术：
发光器件(LED)包括具有将电能转化为光能的特性的p-n结型二极管。p_n结型 二极管可通过将周期表的III-V族元素组合而形成。LED可通过调节化合物半导体的组成 比例而表现出各种颜色。当对LED施加正向电压时，η层的电子与ρ层的空穴复合，使得可产生对应于导带 和价带间能隙的能量。该能量主要实现为热或光，并且LED将该能量作为光发射。氮化物半导体表现出优异的热稳定性和宽的带隙能，使得氮化物半导体在光学器 件和高功率电子器件领域得到关注。特别地，使用氮化物半导体的蓝色发光器件、绿色发光 器件和紫外(UV)发光器件已经得到发展和广泛应用。根据相关技术，当发生静电放电(ESD)时，电流可反向流动，由此导致在发光区域 中形成的有源层受损。为防止LED由于ESD而受损，根据相关技术，在LED的反方向上通过将齐纳二极管 与封装并联连接而在封装中安装齐纳二极管。因此，当施加恒定电压时，电流流向LED，使得 LED发光。此外，当发生ESD时，电流流向齐纳二极管，从而防止LED受损。然而，根据相关技术，在封装中安装齐纳二极管使得可能发生光吸收损失。

发明内容
实施方案提供一种能够防止LED受损而不导致光吸收损失的发光器件、发光器件 封装和照明系统。根据实施方案的一种发光器件可包括发光结构，其包括第一导电型半导体层、第 二导电型半导体层、和在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层；在第 一导电型半导体层的第一区域上的介电层；在介电层上的第二电极；以及在第一导电型半 导体层的第二区域上的第一电极。根据实施方案的一种发光器件包括发光结构，其包括第一导电型半导体层、在第 一导电型半导体层上的有源层和在有源层上的第二导电型半导体层；在发光结构的第一区 域上的电容器；以及在第一导电型半导体层的第二区域上的第一电极。根据实施方案的一种发光器件封装包括封装体；在封装体上的至少一个电极 层；以及与电极层电连接的发光器件。根据实施方案的一种照明系统包括具有发光器件封装的发光模块，所述发光模 块具有衬底和在衬底上的发光器件封装，其中发光器件封装包括封装体；在封装体上的 至少一个电极层；以及与电极层电连接的发光器件。


图la、lb是显示根据实施方案的发光器件的截面图；图2a、2b是显示根据实施方案的发光器件的平面图；图3是显示对根据实施方案的发光器件施加恒定电压时载流子运行的截面图；图4是显示在根据实施方案的发光器件中发生ESD时载流子运行的截面图；图5是根据实施方案的发光器件的电路图；图6是显示在根据实施方案的发光器件中发生ESD时的波形图；图7 10是显示根据实施方案的发光器件的制造方法的截面图；图11是显示根据实施方案的发光器件封装的截面图；图12是显示根据实施方案的照明单元的立体图；和图13是显示根据实施方案的背光单元的分解立体图。
具体实施例方式以下，将参考附图详细地描述根据实施方案的发光器件、发光器件封装和照明系统。在实施方案的描述中，应理解当层(或膜)称为在另一层或衬底“上”时，其可直 接在另一层或衬底上，或者也可存在中间层。此外，应理解当层被称为在另一个层“下”时， 其可以直接在另一层下，也可存在一个或更多个中间层。另外，也应理解当层被称为在两层 “之间”时，其可以是在所述两层之间仅有的层，或也可存在一个或更多个中间层。(实施方案)图Ia是沿着图加的线1-1’截取的根据实施方案的发光器件的截面图，图加是显示根据实施方案的发光器件的平面图。根据实施方案的发光器件100包括具有第一导电型半导体层102、有源层104和 第二导电型半导体层106的发光结构110。在第一导电型半导体层102的第一区域上形成 介电层132，在介电层132上形成第二电极134，在第一导电型半导体层102的第二区域上 形成第一电极140。根据实施方案，第一导电型半导体层102、介电层132和第二电极134可构成电容 器130。当施加反向电压时，反向电压从第一电极140流向第一导电型半导体层102。根据实施方案，在第二导电型半导体层106上形成导电衬底120。第二电极134可 与导电衬底120电连接并且可不与第一电极140电连接。图Ia涉及垂直型LED，但是实施方案不限于垂直型LED，实施方案可应用于横向型 LED。图加是显示根据实施方案的发光器件的平面图，第一电极140延伸至第一导电型 半导体层102的边缘区域并由此增加发光面积。第一电极140不限于图加，例如第一电极 140不延伸至第一导电型半导体层102的边缘区域，如图Ib所示。图2b是显示根据实施方案的发光器件的另一平面图，第一电极140包括网格形状 并由此有助于电流散布。根据实施方案，通过调整第一电极140的宽度可增加横向电流散布。例如，第一电 极140的靠近焊盘(pad)电极的区域的第一宽度可较宽，第一电极140的远离焊盘电极的 区域的第二宽度可较窄，并可由此增加横向电流散布。
根据实施方案的发光器件可防止LED由于ESD而受损且不导致光吸收损失。图3是显示对根据实施方案的发光器件施加恒定电压时载流子运行的截面图，图 4是显示在根据实施方案的发光器件100中发生ESD时载流子运行的截面图。根据实施方案，当如图3所示施加恒定电压时，载流子流至有源层，使得有源层发 光。此外，当如图4所示发光器件100中发生ESD时，高频能量施加于介电层，从而可保护 有源层。亦即，根据实施方案，在LED芯片的局部区域上形成介电层，并且在介电层上形成 电极，由此形成电容器。然后，电极和导电衬底电短路，使得电流在恒定电压下流向用作有 源区的发光层。此外，在放电操作期间发生脉冲型ESD时，高频能量通过介电层，从而可保 护发光层。此外，根据实施方案，在LED芯片中形成电容器以防止由ESD导致的损伤，使得封 装的制造成本和工艺减少并且使得光吸收的损失最小化。图5是根据实施方案的发光器件100的电路图。 在图5中，与LED连接的电阻为约1.涨Ω，这与人体电阻类似，但是实施方案不限 于此。根据实施方案，第一导电型半导体层102、介电层132和第二电极134可构成 MOS (金属/氧化物/半导体)电容器130。因此，根据实施方案的发光器件可具有如图5所示的电路。如果在恒定电压条件 下施加正向电压，则电流流过LED，使得LED发光。此外，如果由于ESD而施加反向电压，则 电流流过MOS电容器130。亦即，如果根据ESD施加反向电压，则由于总电容CTot因ESD应力而增加，所以流 到有源层104的电流减少，从而可减轻冲击。这可通过下式表示。Qms = CesdVesd(QDis是放电操作期间的电荷量，Cesd是放电操作期间的电容)C ‘ Tot = C 二极管 +Cmos (具有 M0S)CTot = C 二极管(没有 M0S)I = dQ/dt = AQ/ τ = Qllis/ (RClot) .·. Clot 个-> I IΛ I' = Qms/(RC ) < I = QDis/(RClot)换言之，如果根据ESD施加反向电压，则由于总电容CT。t因ESD应力而增加，所以 流到有源层104的电流I'减少，从而可减轻冲击。图6是显示在根据实施方案的发光器件中发生ESD时的波形图。如图6所示，脉冲波形通过傅里叶变换可具有高频分量。此外，高频分量随着上升 时间、缩短而增加。如下式所示，由电容引起的阻抗可随着频率增加而减小。因此，如果由于ESD施加 反向电压，则MOS电容器阻抗减小，使得高频电流流向MOS电容器。阻抗Z = ZE+jZIffl(ZE是真阻抗，j是虚部因子，Zlffl是由电容器引起的阻抗)，电容器ZIm,c = 1/ (j ω C)，(ω = 2 π f)。因此，由于ESD施加反向电压时，MOS电容器阻抗减小，使得高频电流流向MOS电容器。
根据实施方案的发光器件可防止LED因ESD而受损且不导致光吸收损失。亦即，根据实施方案，在LED芯片的局部区域上形成介电层，并且在介电层上形成 电极，由此形成电容器。然后，电极和导电衬底电短路，使得在DC恒定电压下电流流向用作 有源区的发光层。此外，在放电操作期间发生脉冲型ESD时，高频能量通过介电层，从而可 保护发光层。此外，根据实施方案，在LED芯片中形成电容器以防止由ESD导致的损伤，使得封 装的制造成本和工艺可减少并且使得光吸收的损失可最小化。以下，将参考图7 10详细地描述根据实施方案的发光器件的制造方法。根据实施方案，发光器件可包括GaN、GaAs、GaAsP或者GaP。例如，绿色-蓝色LED 可包括GaN(InGaN)，黄色-红色LED可包括InGaAIP或者AIGaAs。此外，通过调整上述材 料的组成可实现全部颜色。首先，准备第一衬底105，如图7所示。第一衬底105包括导电衬底或者绝缘衬底。 例如，第一衬底 105 可包括 Al203、SiC、GaAs、GaN、ai0、Si、GaP、InP、Ge 和 Ga2O3 中的至少一 种。在第一衬底105上可形成凹凸结构，但是实施方案不限于此。可对第一衬底105进行湿清洗以从第一衬底105的表面移除杂质。然后，在第一衬底105上形成包括第一导电型半导体层102、有源层104和第二半 导体层106的发光结构110。例如，发光结构110可通过MOCVD (有机金属化学气相沉积)、CVD (化学气相沉 积)、PECVD (等离子体增强化学气相沉积)、MBE (分子束外延)或者HVPE (氢化物气相外 延)形成，但是实施方案不限于此。在第一衬底105上可形成缓冲层(未显示)。缓冲层可使得发光结构110和第一 衬底105之间的晶格失配减小。缓冲层可包括III-V族化合物半导体。例如，缓冲层可包 括GaN、InN, A1N、InGaN, AlGaN, InAlGaN和AUnN中的至少一种。在缓冲层上可形成未掺 杂的半导体层，但是实施方案不限于此。第一导电型半导体层102可包括掺杂有第一导电掺杂剂的III-V族化合物半导 体。如果第一导电型半导体层102是N型半导体层，则第一导电掺杂剂是N型掺杂剂，例如 Si、Ge、Sn、Se或者Te，但是实施方案不限于此。第一导电型半导体层102可包括组成式为^/0410(0彡χ彡1，0彡y彡1， 0 ^ x+y ^ 1)的半导体材料。此夕卜，第一导电型半导体层102 可包括 GaN、InN, A1N、InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs、AlInGaAs、(iaP、AlGaP、InGaP, AlInGaP 和 hP 中的至少一种。第一导电型半导体层102可包括通过CVD、MBE、溅射或者HVPE形成的N型GaN层。 此外，第一导电型半导体层102可通过将三甲基镓(TMGa)气体、氨气(NH3)、氮气(N2)和包 含η型杂质例如硅的硅烷(SiH4)气体注入室中形成。然后，在第一导电型半导体层102上形成有源层104。通过第一导电型半导体层102注入的电子与通过第二导电型半导体层106注入的 空穴在有源层104处相遇，使得有源层104可发射光，所述光的能量由有源层(发光层)104 的本征能带决定。有源层104可包括单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构和量子点结构中的至少之一。例如，有源层104可通过注入TMfei气体、NH3气体、N2气体和三甲基铟(TMh) 气体而形成为MQW结构，但是实施方案不限于此。有源层104 可具有包括 hfeiN/feiN、InGaN/InGaN,AIGaN/GaN, InAlGaN/GaN.GaAs/ AlGaAs (InGaAs)和GaP/AWaP (InGaP)中的至少之一的阱层/势垒层，但是实施方案不限于 此。阱层可包括带隙能低于势垒层带隙能的材料。在有源层104上方和/或下方可形成导电覆层(未显示)。导电覆层可包括带隙 能高于有源层104带隙能的AWaN基半导体。然后，在有源层104上形成第二导电型半导体层106。第二导电型半导体层106包括掺杂有第二导电掺杂剂的III-V族化合物半导 体。例如，第二导电型半导体层106可包括组成式为hxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1， 0 ^ x+y ^ 1)的半导体材料。具体地，第二导电型半导体层106可包括选自GaN、AlN、AWaN、 InGaN, InN, InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP 禾口 AlGaInP 中的一种。如果第二导 电型半导体层106是P型半导体层，则第二导电掺杂剂包括P型掺杂剂例如Mg、Zn、Ca、Sr 或者Ba。第二导电型半导体层106可制备为单层或者多层，但是实施方案不限于此。第二导电型半导体层106可包括ρ型GaN层，其可通过将TMfei气体、NH3气体、N2 气体和包括P型杂质(例如Mg)的^tCp2Mg) (Mg(C2H5C5H4)J气体注入室中形成，但是实施 方案不限于此。根据实施方案，第一导电型半导体层102可包括N型半导体层，第二导电型半导 体层106可包括P型半导体层，但是实施方案不限于此。此外，在第二导电型半导体层106 上可形成极性与第二导电型半导体层106的极性相反的半导体层例如N型半导体层(未显 示)。因此，发光结构110可包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P_N_P结结构中 的一种。然后，如图8所示，在第二导电型半导体层106上形成第二电极层120。第二电极层120可包括第二欧姆层122、反射层124、结层和导电支撑衬底128。例如，第二电极层120的欧姆层122与发光结构110欧姆接触以易于为发光结构 110供电。欧姆层122可通过堆叠单金属、金属合金和金属氧化物制备为多层。例如，欧姆层122可包括选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、IZTO(氧化铟 锌锡)、IAZO (氧化铟铝锌)、IGZO (氧化铟镓锌)、IGTO (氧化铟镓锡)、AZO (氧化铝锌)、 ATO (氧化锑锡)、GZO (氧化镓锌)、IZON (氮化 ΙΖ0)、AGZO (Al-Ga ZnO)、IGZO (In-Ga ZnO)、 ZnO、IrOx, RuOx, NiO、RuOx/1 TO, Ni/IrOx/Au、Ni/Ir0x/Au/IT0、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、 Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少之一，但是实施方案不限于此。此外，第二电极层120可包括反射层124以将从发光结构110入射的光反射，由此 改善光提取效率。例如，反射层124 可包括含有 Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au 和 Hf 中的 至少之一的金属或者金属合金。此外，反射层1 可通过使用上述金属或金属合金以及透 射导电材料例如IZ0、IZT0、IAZ0、IGZ0、IGT0、AZ0或ATO制备为多层。例如，反射层124可 具有包括 IZ0/Ni、AZ0/Ag、IZO/Ag/Ni 或 AZO/Ag/Ni 的堆叠结构。此外，如果第二电极层120包括结层126，则反射层IM可用作接合层或者可包括 阻挡金属或者接合金属。例如，结层1 可包括选自Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag和Ta中的至少之一。第二电极120包括导电支撑衬底128。导电支撑衬底1 支撑发光结构110以对 发光结构110供电。导电支撑衬底1 可包括具有优异电导率的金属、金属合金或导电半 导体材料。导电支撑衬底1 可包括选自Cu、Cu合金、Au、Ni、Mo、Cu-W和载体晶片例如Si、 Ge、GaAs、GaN、ZnO、SiGe 和 SiC 中的至少之一。导电支撑衬底128的厚度可为约30 μ m 500 μ m,该厚度可以随发光器件的设计 规则而改变。导电支撑衬底1 可通过电化学金属沉积方案、镀覆方案或者使用共晶金属的接 合方案形成。然后，如图9所示，移除第一衬底105使得可暴露出第一导电型半导体层102。第 一衬底105可通过激光剥离方案或者化学剥离方案移除。此外，第一衬底105可通过物理 研磨第一衬底105来移除。然后，在第一导电型半导体层102的第一区域上形成介电层132。介电层132可包 括氧化物层或者氮化物层，例如 SiO2, TiO2, Al2O3^ Si3N4, SrBi2 (Ta, Nb) 209 (SBT)、Pb (Zr，Ti) O3(PZT)、Bi4Ti3012 (BTO)，但是实施方案不限于此。介电层132可为铁电材料，并且即使宽度
小也可获得大容量。例如，形成用于暴露出第一导电型半导体层102的第一区域的第一图案(未显 示)，并且通过使用第一图案作为掩模在暴露出的第一导电型半导体层102的第一区域上 形成介电层132。然后，移除第一图案。或者，在第一导电型半导体层102的整个区域上形成介电层，并且形成阻挡第一 区域的第二图案(未显示)。然后，通过使用第二图案作为掩模，移除在除第一区域之外的 第一导电型半导体层上形成的介电层，由此在第一区域上形成介电层132。然后，移除第二 图案。然后，如图10所示，在介电层132上形成第三电极134，在第一导电型半导体层 102的第二区域上形成第一电极140。第一电极140包括进行引线接合的焊盘部以及从焊盘部延伸的指部。指部可分 支为预定图案。指部可具有各种形状。第一电极140和第三电极134可依次或者同时形成。此外，第一电极140和第三电极134可具有相同材料。例如，在形成用于暴露出在其中形成第一电极140和第三电极134的第一区域和 第二区域的第三图案之后，通过使用第三图案作为掩模，在第一区域和第二区域上形成电 极材料，使得第一电极140和第三电极134可通过使用相同材料同时形成。然后，移除第三 图案。然后，将第三电极134与第二电极120电连接。根据实施方案的发光器件及其制造方法，可防止LED由于ESD而受损并且不引起 光吸收损失。亦即，根据实施方案，在LED芯片的局部区域上形成介电层，并且在介电层上形成 电极，由此形成电容器。然后，电极和导电衬底电短路，使得在DC恒定电压下电流流向用作有源区的发光层。此外，在放电操作期间发生脉冲型ESD时，高频能量通过介电层，从而可 保护发光层。此外，根据实施方案，在LED芯片中形成电容器以防止由ESD导致的损伤，使得封 装的制造成本和工艺减少并且使得光吸收的损失最小化。图11是显示根据实施方案的发光器件封装200的截面图。参考图11，发光器件封装200包括封装体205、在封装体205上形成的第五电极 层213和第六电极层214、提供在封装体205上并与第五电极层213和第六电极层214电连 接的发光器件100、以及包围发光器件100的模制构件M0。封装体205可包括硅、合成树脂或金属材料。在发光器件100周围可形成倾斜表第五电极层213和第六电极层214彼此电隔离以对发光器件100供电。此外，第 五电极层213和第六电极层214将从发光器件100发射出的光反射，以改善光效率并将由 发光器件100产生的热发散至外部。图1中显示的垂直型发光器件可用作发光器件100，但是实施方案不限于此。例 如，横向型发光器件可用作发光器件100。发光器件100可安装在封装体205上或者第五电极层213和第六电极层214上。发光器件100通过引线接合方案、倒装芯片接合方案和芯片接合方案中的至少之 一与第五电极层213和/或第六电极层214电连接。根据实施方案，光发光器件100通过 导线230与第五电极层213电连接并且通过芯片接合方案与第六电极层214电连接。模制构件240包围发光器件100以保护发光器件100。此外，模制构件240可包括 磷光体以改变从发光器件100发射的光的波长。可在衬底上布置多个根据实施方案的发光器件封装，并且可在从发光器件封装发 射出的光的光路上提供包括导光板、棱镜板、散射板或荧光板的光学构件。发光器件封装、 衬底和光学构件可用作背光单元或者照明单元。例如，照明系统可包括背光单元、照明单 元、指示器、灯或者街灯。图12是显示根据实施方案的照明单元1100的立体图。图12中显示的照明单元 1100是照明系统的一个实例，但实施方案不限于此。参考图12，照明单元1100包括壳体1110、安装于壳体1110中的发光模块1130、 以及安装于壳体1110中以从外部电源接收电力的接线端子1120。优选地，壳体1110包括具有优异散热性能的材料。例如，壳体1110包括金属材料 或树脂材料。发光模块1130可包括衬底1132和安装于衬底1132上的至少一个发光器件封装 200。衬底1132包括印刷有电路图案的绝缘元件。例如，衬底1132包括PCB(印刷电路 板)、MC (金属芯)PCB、F (柔性)PCB或者陶瓷PCB0此外，衬底1132可包括有效反射光的材料。衬底1132的表面可涂覆颜色例如白 色或者银色，以有效地反射光。在衬底1132上可安装至少一个发光器件封装200。每个发光器件封装200可包 括至少一个LED (发光二极管)。LED可包括发射红色光、绿色光、蓝色光或者白色光的彩色LED或者发射紫外线的UV(紫外)LED。 发光模块1130的LED可进行各种布置以提供各种颜色和亮度。例如，可布置白色 LED、红色LED和绿色LED以实现高的显色指数(CRI)。接线端子1120与发光模块1130电连接以对发光模块1130供电。参考图12，接线 端子1120具有与外部电源插座螺旋连接的形状，但是实施方案不限于此。例如，接线端子 1120可制备为插入外部电源中的引脚形式或者通过导线与外部电源连接。图13是显示根据实施方案的背光单元1200的分解立体图。图13中显示的背光 单元1200是照明系统的一个实例，实施方案不限于此。根据实施方案的背光单元1200包括导光板1210，用于为导光板1210提供光的 发光模块1240，位于导光板1210下方的反射构件1220，以及用于在其中容纳导光板1210、 发光模块1240和反射构件1220的底盖1230，但是实施方案不限于此。导光板1210将光散射以提供表面光。导光板1210包括透明材料。例如，导光板 1210可通过使用丙烯酰基树脂例如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇 酯)、PC (聚碳酸酯)、COC或者PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)树脂制造。发光模块1240为导光板1210的至少一个横向侧面提供光，并用作包括背光单元 的显示器的光源。发光模块1240可定位为与导光板1210邻接，但是实施方案不限于此。具体而言， 发光模块1240包括衬底1242和在衬底1242上安装的多个发光器件封装200，衬底1242 可与导光板1210邻接，但是实施方案不限于此。衬底1242可包括具有电路图案(未显示)的印刷电路板(PCB)。此外，衬底1242 可还包括金属芯PCB (MCPCB)或者柔性PCB (FPCB)，但是实施方案不限于此。此外，发光器件封装200布置为使得发光器件封装200的出光面与导光板1210间
隔开预定距离。在导光板1210下方设置反射构件1220。反射构件1220将穿过导光板1210的底 表面向下行进的光反射向导光板1210，由此改善背光单元的亮度。例如，反射构件1220可 包括PET、PC或者PVC树脂，但是实施方案不限于此。底盖1230可容纳导光板1210、发光模块1240和反射构件1220。为此，底盖1230 为具有开放上表面的盒形，但是实施方案不限于此。底盖1230可利用金属材料或者树脂材料通过压制工艺或者挤出工艺制造。如上所述，根据实施方案的照明系统包括根据实施方案的发光器件封装，从而可 改善照明系统的可靠性。在本说明书中对“一个实施方案”、“实施方案”、“示例性实施方案”等的任何引用， 表示与实施方案相关描述的具体的特征、结构或特性包含于本发明的至少一个实施方案 中。在说明书不同地方出现的这些措词不必都涉及相同的实施方案。此外，当结合任何实 施方案描述具体的特征、结构或特性时，认为将这种特征、结构或特性与实施方案的其它特 征、结构或特性关联均在本领域技术人员的范围之内。虽然参考大量其说明性的实施方案已经描述了实施方案，但是应理解本领域技术 人员可设计很多的其它改变和实施方案，这些也将落入本公开的原理的精神和范围内。更 具体地，在本公开、附图和所附的权利要求的范围内，在本发明的组合排列的构件和/或结构中可能具有各种的变化和改变。除构件和/或结构的变化和改变之外，对本领域技术人 员而言，可替代的用途也会是明显的。
权利要求
1.一种发光器件，包括发光结构，其包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及在所述第一导电型 半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层； 在所述第一导电型半导体层的第一区域上的介电层； 在所述介电层上的第二电极；和 在所述第一导电型半导体层的第二区域上的第一电极。
2.根据权利要求1所述的发光器件，还包括在所述第二导电型半导体层上的导电衬底。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第二电极与所述导电衬底电连接。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极不与所述第二电极电连接。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中在恒定电压下电流流向所述有源层使得所述 有源层发光，当发生静电放电(ESD)时静电通过所述介电层。
6.一种发光器件，包括发光结构，其包括第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层上的有源层和在 所述有源层上的第二导电型半导体层；在所述发光结构的第一区域上的电容器；和 在所述第一导电型半导体层的第二区域上的第一电极。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述电容器包括在所述第一导电型半导体 层的第一区域上的介电层和在所述介电层上的第二电极。
8.根据权利要求7所述的发光器件，还包括在所述第二导电型半导体层上的导电衬底。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述第二电极与所述导电衬底电连接。
10.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述第一电极不与所述第二电极电连接。
11.根据权利要求6所述的发光器件，其中在恒定电压下电流流向所述有源层使得所 述有源层发光，当发生静电放电(ESD)时高频电流通过所述电容器。
12.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述介电层包括Si02、TiO2,A1203、Si3N4, SrBi2 (Ta，Nb) 209 (SBT)、Pb (Zr，Ti) O3 (PZT)、Bi4Ti3O12 (BTO)中的至少一种。
13.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述介电层包括Si02、TiO2,A1203、Si3N4, SrBi2 (Ta，Nb) 209 (SBT)、Pb (Zr，Ti) O3 (PZT)、Bi4Ti3O12 (BTO)中的至少一种。
14.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述第一电极和所述第二电极包含相同的 材料。
15.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第一电极形成在所述第一导电型半导 体层的上表面的边缘区域上。
16.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第一电极具有网格形状。
17.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述第一电极和所述第二电极彼此对角设置。
18.一种发光器件封装，包括 封装体；在所述封装体上的至少一个电极层；和与所述电极层电连接的根据权利要求1或6所述的发光器件。
19. 一种照明系统，包括具有发光器件封装的发光模块，所述发光模块具有衬底和在所述衬底上的发光器件封其中所述发光器件封装包括 封装体；在所述封装体上的至少一个电极层；和 与所述电极层电连接的根据权利要求1或6所述的发光器件。
全文摘要
本发明公开了发光器件、发光器件封装和照明系统。根据实施方案的发光器件包括发光结构，其包括第一导电型半导体层、在第一导电型半导体层上的有源层和在有源层上的第二导电型半导体层；在第一导电型半导体层的第一区域上的介电层；在介电层上的第二电极；以及在第一导电型半导体层的第二区域上的第一电极。
文档编号F21S2/00GK102074635SQ201010529798
公开日2011年5月25日 申请日期2010年10月22日 优先权日2009年10月22日
发明者黄盛珉 申请人:Lg伊诺特有限公司