Led晶粒、led车灯及led晶粒的制造方法
【专利摘要】一种LED晶粒，包括一透明基板，依次形成于所述透明基板一侧表面的第一半导体层、活性层及第二半导体层，所述第一半导体层表面部分外露，所述LED晶粒还包括分别与第二半导体层表面和外露部分的第一半导体层表面电连接的电极结构，所述透明基板的另一侧表面形成具有凹面的光出射面。本发明还提供一种具有该晶粒的LED车灯及该LED晶粒的制造方法。与现有技术相比，具有该LED晶粒的LED车灯无需设置反射罩体，LED晶粒的光出射面经激光激发形成凹面，使得光线集中自该凹面出射，使得具有该晶粒的LED车灯的体积较小，且制造成本相对较低。
【专利说明】LED晶粒、LED车灯及LED晶粒的制造方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明是涉及一种LED晶粒、具有该LED晶粒的车灯及该LED晶粒的制造方法。【背景技术】
[0002]LED (发光二极管)是一种可将电流转换成特定波长范围的光的半导体元件，凭借其发光效率高、体积小、重量轻、环保等优点，已被广泛地应用到当前的各个领域当中。
[0003]利用LED作为发光体的车灯结构一般包括一 LED光源、反射罩体、遮光部及投射透镜。LED光源的出射光线沿角度分布，且位于不同角度对应出射光线的强度不同，导致LED光源无法直接搭配投射透镜使用，故设置一反射罩体，LED光源发射光线至反射罩体，光线经反射后汇聚经遮光部调整为一预设光型，进而通过投射透镜修正散发至外界。反射罩体的设置增加了车灯结构的体积，也提高了车灯结构的制造成本。故，需进一步改进。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，有必要提供一种无反射罩体的LED车灯及其制造方法。
[0005]一种LED晶粒，包括一透明基板，依次形成于所述透明基板一侧表面的第一半导体层、活性层及第二半导体层，所述第一半导体层表面部分外露，所述LED晶粒还包括分别与第二半导体层表面和外露部分的第一半导体层表面电连接的电极结构，所述透明基板的另一侧表面形成具有凹面的光出射面。
[0006]一种LED车灯，包括光源及投射透镜，所述光源与投射透镜相互间隔，所述光源包括一 LED晶粒，所述LED晶粒包括一透明基板，依次形成于所述透明基板一侧表面的第一半导体层、活性层及第二半导体层，所述第一半导体层表面部分外露，所述LED晶粒还包括分别与第二半导体层表面和外露部分的第一半导体层表面电连接的电极结构，所述透明基板的另一侧表面形成具有凹面的光出射面，所述LED晶粒的光出射面朝向所述投射透镜。
[0007]—种LED晶粒的制造方法，包括步骤:提供一预成型LED晶粒，包括透明基板，依次形成于所述透明基板一侧表面的第一半导体层、活性层、第二半导体层；利用激光激发所述透明基板的另一侧表面形成具有凹面的光出射面；蚀刻所述活性层和第二半导体层使第一半导体层的表面部分外露；及在该第二半导体层表面和外露部分的第一半导体层表面分别设置相应电连接的电极结构。
[0008]与现有技术相比，所述LED车灯无需设置反射罩体，LED晶粒的光出射面经激光激发形成凹面，使得光线集中自该凹面出射，经遮光部调整成预设光型，进而通过投射透镜修正散发至外界。所述LED车灯的体积较小，且制造成本相对较低。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1为本发明一实施例中LED车灯的剖面示意图。
[0010]图2为图1所示LED车灯中LED晶粒的剖面示意图,所述LED晶粒包括一光出射面。[0011]图3为图2所示LED晶粒的形成步骤示意图。
[0012]图4为图2所示LED车灯中配合激光脉冲对出光面进行激发的光罩的结构示意图。
[0013]主要元件符号说明
【权利要求】
1.一种LED晶粒，包括一透明基板，依次形成于所述透明基板一侧表面的第一半导体层、活性层及第二半导体层，所述第一半导体层表面部分外露，所述LED晶粒还包括分别与第二半导体层表面和外露部分的第一半导体层表面电连接的电极结构，其特征在于:所述透明基板的另一侧表面形成具有凹面的光出射面。
2.如权利要求1所述的LED晶粒，其特征在于:所述凹面为非球面的弧面结构，所述透明基板为绝缘基板。
3.如权利要求1所述的LED晶粒，其特征在于:还包括一反射层，所述反射层位于所述第二半导体层表面上。
4.如权利要求3所述的LED晶粒，其特征在于:所述第一半导体层为N型层，所述第二半导体层为P型层，所述电极结构包括N电极和P电极，所述N电极设于所述外露部分的N型层表面上，所述P电极设于所述反射层上。
5.一种LED车灯，包括光源及投射透镜，所述光源与投射透镜相互间隔，所述光源包括一 LED晶粒，其特征在于:所述LED晶粒为权利要求1至5项中任意一项所述LED晶粒，所述LED晶粒的光出射面朝向所述投射透镜。
6.如权利要求5所述的LED车灯，其特征在于:还包括位于光源与投射透镜之间的遮光部，所述遮光部将LED晶粒出射的光线进一步调整成预设光型。
7.一种LED晶粒的制造方法，包括步骤: 提供一预成型LED晶粒，包括透明基板，依次形成于所述透明基板一侧表面的第一半导体层、活性层、第二半导体层； 利用激光激发所述透明基板的另一侧表面形成具有凹面的光出射面； 蚀刻所述活性层和第二半导体层使第一半导体层的表面部分外露；及 在该第二半导体层表面和外露部分的第一半导体层表面分别设置相应电连接的电极结构。
8.如权利要求7所述的LED晶粒的制造方法，其特征在于:还包括在第二半导体层表面形成反射层的步骤，所述反射层通过等离子体增强化学气相沉积法蒸镀形成。
9.如权利要求8所述的LED晶粒的制造方法，其特征在于:所述第一半导体层为N型层，所述第二半导体层为P型层，所述电极结构包括N电极和P电极，将所述N电极设于所述外露部分的N型层表面，将所述P电极设于所述反射层上。
10.如权利要求7所述的LED晶粒的制造方法，其特征在于:所述凹面为非球面的弧面结构，所述透明基板为绝缘基板。
【文档编号】F21V5/04GK103887401SQ201210563734
【公开日】2014年6月25日 申请日期:2012年12月24日 优先权日:2012年12月24日
【发明者】赖志成 申请人:鸿富锦精密工业（深圳）有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司