模塑互联器件的制备装置制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种模塑互联器件的制备装置，包括注塑机，注塑形成模塑互联器件的塑料壳体；激光镭雕机，将塑料壳体的表面描绘出电路图形并且形成相应的线槽；真空等离子体处理设备，将激光镭雕后的塑料壳体表面线槽内部的粉尘和外溅到线槽外的污染物进行等离子体刻蚀和将吹洗后的塑料壳体表面进行等离子体活化；吹洗设备，将刻蚀后的塑料壳体表面粉尘和污染物进行吹洗；涂镀机，将活化后的塑料壳体表面线槽金属化。本实用新型将塑料壳体表面线槽内的粉尘和外溅到线槽外的污染物进行等离子体刻蚀、吹洗和等离子体活化处理，避免粉尘和外溅污染物在金属化工序中产生影响，提高模塑互联器件的合格率，相较于现有技术，省却了人力，提高了工作效率。
【专利说明】模塑互联器件的制备装置
【技术领域】
[0001]本实用新型属于领域，具体的说是涉及一种模塑互联器件的制备装置。
【背景技术】
[0002]等离子体是由部分电子被剥夺后的原子及原子被电离后产生的正负电子组成的离子化气体状物质，它广泛存在于宇宙中，常被视为是除去固、液、气外，物质存在的第四态。
[0003]目前，等离子体装置一般的是在密封容器中设置两个电极形成电场，用真空泵实现一定的真空度，随着气体愈来愈稀薄，分子间距及分子或离子的自由运动距离也愈来愈长，受电场作用，他们发生碰撞而形成离子体，这些离子的活性很高，其能量足以破坏几乎所有的化学键，在任何暴露的材料表面引起化学反应，从而使材料表面的结构、成分和基团发生变化，得到满足实际要求的表面。等离子体反应速度快、处理效率高，而且改性仅发生在材料表面，对材料内部本体材料的性能没有影响，是理想的表面改性手段。
[0004]电子制造业越来越追求电子元器件的小型化和紧凑化，由于3D-MID技术能够减少电子产品的元器件数量，3D-MID技术已较广泛的应用于通讯、汽车电子、计算机、机电设备和医疗器械等领域。3D-MID技术是指在注塑成型的塑料壳体的表面上，制作有电气功能的三围立体电路及互联器件，而传统的PCB只能在二维空间上安排电子元件，3D-MID通过整合连接器、插口或者其他的装置来减少元器件的数量并降低成本。现有技术中，3D-MID的制作工艺包括三个主要步骤:注塑成型，激光镭雕加工和电路图案金属化。上述制作工艺中，激光镭雕加工是在塑料表面描绘出电路图形的同时还将光线扫描处的表面烧蚀，使之在微观上呈现出相应的线槽，用于后面的金属化工序。但是，激光镭雕过程中会产生粉尘和外溅污染物，会导致镀层脱落或短路，因此在涂镀前必须经过清洗。目前为手工操作，增加人工成本，并且效率低。
[0005]因此，亟需一种可以提供效率的模塑互联器件的处理装置。
实用新型内容
[0006]本实用新型的目的是克服现有技术存在的缺陷，提供一种模塑互联器件的制备装置。
[0007]实现本实用新型目的的技术方案是:模塑互联器件的制备装置，包括:
[0008]注塑机，所述注塑机用于注塑形成模塑互联器件的塑料壳体；
[0009]激光镭雕机，所述激光镭雕机利用激光将塑料壳体的表面描绘出电路图形并且形成相应的线槽；
[0010]真空等离子体处理设备，所述真空等离子体处理设备用于将激光镭雕后的塑料壳体表面线槽内部的粉尘和外溅到线槽外的污染物进行等离子体刻蚀和将吹洗后的塑料壳体表面进行等离子体活化；
[0011 ] 吹洗设备，所述吹洗设备用于将刻蚀后的塑料壳体表面线槽内部的粉尘和外溅到线槽外的污染物进行吹洗；
[0012]涂镀机，所述涂镀机将活化后的塑料壳体表面的线槽金属化。
[0013]进一步的，所述真空等离子体处理设备包括反应腔室、高频电源、物料托盘、气源、负压装置和至少一对电极组件，每对电极组件包括两个平行设置于反应腔室内的平板电极，所述物料托盘平行设置于两个平板电极之间，所述高频电源的正负极分别与每对电极组件连接，所述气源、负压装置分别与所述反应腔室连接。
[0014]进一步的，所述每个平板电极上开设有若干贯穿平板电极的电极气孔。
[0015]进一步的，所述物料托盘上开设有若干贯穿物料托盘的托盘气孔。
[0016]进一步的，所述负压装置为真空泵或泵组。
[0017]进一步的，所述高频电源的频率范围为IOKhz — IOOKhz或13.56MHz。
[0018]本实用新型具有积极的效果:本实用新型采用真空等离子体处理设备将塑料壳体表面线槽内部的粉尘和外溅到线槽外的污染物进行等离子体刻蚀、吹洗和等离子体活化，避免粉尘和外溅污染物在金属化工序中产生影响，提高模塑互联器件的合格率，相较于现有技术，省却了人力，提高了工作效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0019]为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明，其中:
[0020]图1为本实用新型的工作流程图；
[0021]图2为本实用新型第一实施例的结构示意图；
[0022]图3为本实用新型第二实施例的结构示意图。
[0023]其中:1、平板电极，2、物料托盘，3、托盘气孔，4、电极气孔，5、反应腔室。
【具体实施方式】
[0024]实施例1
[0025]如图1至图2所示，作为第一优选实施例，本实施例提供一种模塑互联器件的制备装置，包括:
[0026]注塑机，注塑机用于注塑形成模塑互联器件的塑料壳体；
[0027]激光镭雕机，激光镭雕机利用激光将塑料壳体的表面描绘出电路图形并且形成相应的线槽；
[0028]真空等离子体处理设备，真空等离子体处理设备用于将激光镭雕后的塑料壳体表面线槽内部的粉尘和外溅到线槽外的污染物进行等离子体刻蚀和将吹洗后的塑料壳体表面进行等离子体活化；
[0029]吹洗设备，吹洗设备用于将刻蚀后的塑料壳体表面线槽内部的粉尘和外溅到线槽外的污染物进行吹洗；
[0030]涂镀机，涂镀机将活化后的塑料壳体表面的线槽金属化。
[0031]本实施例提供的真空等离子体处理设备包括反应腔室5、高频电源、物料托盘2、气源、负压装置和两对电极组件，每对电极组件包括两个平行设置于反应腔室内的平板电极1，每个平板电极I上开设有66个贯穿平板电极I的电极气孔4，电极气孔4便于等离子体处理过程中反应气体在反应腔室5流通以及均匀分布，提高处理效率，物料托盘2平行设置于两个平板电极I之间，高频电源的正负极分别与每对电极组件连接，气源、负压装置分别与反应腔室5连接，负压装置为真空泵或泵组，可根据需要选择，高频电源的频率范围为IOKhz — IOOKhz 或 13.56MHz，具体不作限定。
[0032]下面对本实施例的工作原理作进一步说明:
[0033]采用注塑机注塑形成模塑互联器件的塑料壳体；采用激光镭雕机在塑料壳体的表面描绘出电路图形并且形成相应的线槽；采用真空等离子体设备通入刻蚀气体将塑料壳体表面激光镭雕后线槽内部的粉尘和外溅到线槽外的污染物进行等离子体刻蚀；采用吹洗设备通入吹洗气体将塑料壳体表面刻蚀后的粉尘和污染物进行吹洗；采用真空等离子体设备通入活化气体将吹洗后的塑料壳体表面进行等离子体活化，使得塑料壳体表面的线槽恢复电镀性能；将活化后的塑料壳体表面电路图形的线槽金属化。
[0034]本实施例采用真空等离子体处理设备将塑料壳体表面线槽内部的粉尘和外溅到线槽外的污染物进行等离子体刻蚀、吹洗和等离子体活化，避免粉尘和外溅污染物在金属化工序中产生影响，提高模塑互联器件的合格率，相较于现有技术，省却了人力，提高了工作效率。
[0035]实施例2
[0036]如图3所示，作为第二优选实施例，其余与实施例1相同，不同之处在于，本实施例提供的物料托盘2上开设有66个贯穿物料托盘2的托盘气孔3。
[0037]本实施例中托盘气孔3便于等离子体处理过程中反应气体在反应腔室5流通以及均匀分布，提高处理效率。
[0038]以上所述的具体实施例，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.模塑互联器件的制备装置，其特征在于，包括:注塑机，所述注塑机用于注塑形成模塑互联器件的塑料壳体； 激光镭雕机，所述激光镭雕机利用激光将塑料壳体的表面描绘出电路图形并且形成相应的线槽； 真空等离子体处理设备，所述真空等离子体处理设备用于将激光镭雕后的塑料壳体表面线槽内部的粉尘和外溅到线槽外的污染物进行等离子体刻蚀和将吹洗后的塑料壳体表面进行等离子体活化； 吹洗设备，所述吹洗设备用于将刻蚀后的塑料壳体表面线槽内部的粉尘和外溅到线槽外的污染物进行吹洗； 涂镀机，所述涂镀机将活化后的塑料壳体表面的线槽金属化。
2.根据权利要求1所述的模塑互联器件的制备装置，其特征在于，所述真空等离子体处理设备包括反应腔室、高频电源、物料托盘、气源、负压装置和至少一对电极组件，每对电极组件包括两个平行设置于反应腔室内的平板电极，所述物料托盘平行设置于两个平板电极之间，所述高频电源的正负极分别与每对电极组件连接，所述气源、负压装置分别与所述反应腔室连接。
3.根据权利要求2所述的模塑互联器件的制备装置，其特征在于，所述每个平板电极上开设有若干贯穿平板电极的电极气孔。
4.根据权利要求3所述的模塑互联器件的制备装置，其特征在于，所述物料托盘上开设有若干贯穿物料托盘的托盘气孔。
5.根据权利要求4所述的模塑互联器件的制备装置，其特征在于，所述负压装置为真空泵或泵组。
6.根据权利要求5所述的模塑互联器件的制备装置，其特征在于，所述高频电源的频率范围为 IOKhz — IOOKhz 或 13.56MHz。
【文档编号】H01J37/32GK203617249SQ201320871162
【公开日】2014年5月28日 申请日期:2013年12月27日 优先权日:2013年12月27日
【发明者】王红卫, 沈文凯 申请人:苏州市奥普斯等离子体科技有限公司