一种交流直驱LED发光二极管的制作方法

本实用新型涉及发光二极管技术领域，特别是涉及一种交流直驱LED发光二极管。

背景技术：

在很多需要微光的领域，例如家庭小夜灯、楼道微光辅助照明灯、楼道微光指示灯、各种家用电器电源指示灯、墙壁插座电源指示灯和排插电源指示灯等。因为普通微光LED(发光二极管)灯的正向电压值(VF值)很低，因此需要把交流电转为低压直流电，才能驱动点亮LED灯。因此现在市场上的微光LED 灯，都是低压直流驱动的。

在我们日常生活中，日常用电都是110V交流电(欧美)，220V交流电(中国)。目前市面上的处理方法大致分为三类：一、电源降压模块驱动LED灯；二、阻容降压驱动LED灯；三、电阻限流降压驱动LED灯。但是，电源降压模块驱动方式、阻容降压驱动方式都存在总体成本高、外围电路复杂的缺陷。在微光LED灯上，限流降压驱动较为常见，但是需要外接电阻，生产环节多，成本高。

技术实现要素：

基于此，有必要针对LED灯需要外接电阻，生产环节多，成本高的问题，提供一种交流直驱LED发光二极管，不再需要其他外围元器件，能够用110V 或者220V的高压交流电直接驱动点亮。

一种交流直驱LED发光二极管，包括塑胶封体、高压驱动芯片、LED灯珠、两金属支架和两引脚，两所述金属支架分别设置于所述塑胶封体内，两引脚分别插设于所述塑胶封体内，每一所述金属支架设置于一所述引脚的一端，所述高压驱动芯片和所述LED灯珠分别设置于同一所述金属支架上，所述高压驱动芯片分别与所述LED灯珠和两所述金属支架电连接。

在其中一个实施例中，所述高压驱动芯片包括驱动芯片JI和内置的多晶硅电阻R，驱动芯片JI的一端连接LED灯珠，驱动芯片JI的另一端通过多晶硅电阻R连接LED灯珠。

上述交流直驱LED发光二极管，让普通微光LED灯变成高压交流电可以直接驱动LED灯，让很多微光领域应用的电子产品，直接兼容并简化，社会效益明显；LED灯用在交流电驱动时无须区分正负极，方便连接。

附图说明

图1为其中一个实施例的高压驱动芯片的交流直驱LED发光二极管的结构示意图；

图2为另一个实施例的高压驱动芯片的交流直驱LED发光二极管的结构示意图；

图3为另一个实施例的高压驱动芯片的交流直驱LED发光二极管的电路图；

图4为另一个实施例的高压驱动芯片的版图结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。

如图1所示，一种交流直驱LED发光二极管，包括塑胶封体1、高压驱动芯片2、单电极LED灯珠3、两金属支架4和两引脚5，两金属支架4分别设置于塑胶封体1内，两引脚5分别插设于塑胶封体1内，每一金属支架4设置于一引脚5的一端，高压驱动芯片2和LED灯珠3分别设置于同一金属支架4上，高压驱动芯片2和LED灯珠3位于塑胶封体1内，高压驱动芯片2分别与灯和两金属支架4电连接。

如图2所示，一种交流直驱LED发光二极管，包括塑胶封体1、高压驱动芯片2、双电极LED灯珠6、两金属支架4和两引脚5，两金属支架4分别设置于塑胶封体1内，两引脚5分别插设于塑胶封体1内，每一金属支架4设置于一引脚5的一端，高压驱动芯片2和灯分别设置于一金属支架4上，高压驱动芯片2和LED灯珠6位于塑胶封体1内，高压驱动芯片2分别与LED灯珠6 和两金属支架4电连接，LED灯珠6还与金属支架4电连接。

上述交流直驱LED发光二极管，通过设计集成的高压驱动芯片2，让普通微光LED灯变成高压交流电可以直接驱动LED灯，让很多微光领域应用的电子产品，直接兼容并简化，社会效益明显；LED灯用在交流电驱动时无须区分正负极，方便连接。

如图3所示，在其中一个实施例中，高压驱动芯片2包括驱动芯片JI和内置的多晶硅电阻R，驱动芯片JI的一端连接LED灯珠，驱动芯片JI的另一端通过多晶硅电阻R连接LED灯珠。

在其中一个实施例中，高压驱动芯片的制造及处理方法：采用高压CMOS 集成电路加工工艺，包括设计仿真、功率计算、耐压计算、版图、光照、晶圆生产、测试、切割、蓝膜、固晶、帮定、塑封、成品测试和切脚步骤。灯珠成品。确保成品耐压1000V，确保静电，雷击IC后不会损坏。

如图4所示，压驱动芯片2内置的三个保护二极管7和多晶硅电阻R 8集成在保护环9内，其中，保护二极管7分别设置在多晶硅电阻R8的两端和中部。高耐压处理通过直线分布排列使每排电阻的电势梯度差<10V。

在其中一个实施例中，对红色LED灯而言，VF值一般为1.6V，交流电正向时，LED导通，在R1的限制下，LED的峰值电流(以220V～，红色LED为例) 为：(220*1.414-1.6)/220000＝1.406mA，此时，多晶硅电阻R的平均功率计算方式为：

P1＝1.6*0.443＝0.7088mW；

其中为交流电反向时，LED截止，电流为0时的整体等效电压；

为分配到电阻上的平均电压；

为环路上的平均电流；

P1为LED上平均功率；

P电阻为电阻平均功率。

由于LED灯珠本身就具有二极管特性，导通电压为LED灯珠本身的VF值，当交流电波形在0～180度时，LED属于正向导通区间，正向导通时，驱动IC限制LED的电流，确保LED在安全范围内开始发光；当交流电波形在180～360 度时，LED灯珠属于反向截止区间，反向截止时，驱动芯片JI和LED灯珠截止，避免LED烧坏，确保LED安全。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。