高频高压引弧装置的制作方法

文档序号:3020175阅读:582来源:国知局
专利名称:高频高压引弧装置的制作方法
技术领域
本实用新型涉及电焊接及电切割技术,是一种电焊接电源及电切割电源中使用的建立电弧的辅助装置,具体地说,是一种高频高压引弧装置。
背景技术
现有的电焊接电源及电切割电源中使用的建立电弧的高频高压引弧装置,电路结构较为复杂,可靠性也存在问题,还需采用放电间隙,应用范围较为狭窄,还经常出现难以引燃电弧的情况。

发明内容
本实用新型的目的是提供一种电路简单、无需采用通常的放电间隙,应用范围广的高频高压引弧装置。
本实用新型的技术解决方案是一种高频高压引弧装置,其特征是有充电电路,充电电路与触发电路相连接,触发电路接可控硅的触发极,可控硅与振荡电路相连接,振荡电路感应引燃主回路电弧的高频高压信号。
本实用新型中所述的振荡电路由电容和高频耦合线圈组成,高频耦合线圈的初级串入焊接主回路中。触发电路中有一个双向二极管,双向二极管与一个二极管串接。双向二极管与充电电路中的充电电容相连接,充电电容接有相串接的一组充电电阻。充电电路与交流220V电源相连接。
本实用新型的有益效果为结构新颖合理、设计巧妙、电路简单、无需采用通常的放电间隙,应用范围广,可靠性高,可用于钨极氩弧焊电源、空气等离子切割机电源,作为建立电弧的辅助装置。
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明
附图为本实用新型的一种高频高压引弧装置的电路图。
具体实施方式
附图描述了本实用新型的一个实施例,在该例中,有充电电路,充电电路与触发电路相连接,触发电路接可控硅Q1的触发极,可控硅Q1与振荡电路相连接,振荡电路感应引燃主回路电弧的高频高压信号。所述的振荡电路由电容C1和高频耦合线圈T1组成,高频耦合线圈T1的初级串入焊接主回路中。触发电路中有一个双向二极管D3,双向二极D3管与一个二极管D5串接。双向二极管D3与充电电路中的充电电容C8相连接,充电电容C8接有相串接的一组充电电阻。充电电路与交流220V电源相连接。
在上述实施例的电路中,采用交流220V作为供电电源,通过电阻R1、R4、R5、R7、R9向电容C8充电,当电容C8上的电压达到双向二极管D3的开启电压时,双向二极管D3导通,触发可控硅Q1,当可控硅Q1导通电路时,电路中的电容C1、高频耦合线圈T1的初级形成LC振荡,高频耦合线圈T1的次级即感应高频高压信号,引燃主回路电弧。
电路中还包括二极管D1、D2、D4、D6、电阻R2、R3、R6、R8、R10、R11、R12、电容C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7及扼流圈L1等元器件。
权利要求1.一种高频高压引弧装置,其特征是有充电电路,充电电路与触发电路相连接,触发电路接可控硅的触发极,可控硅与振荡电路相连接,振荡电路感应引燃主回路电弧的高频高压信号。
2.根据权利要求1所述的高频高压引弧装置,其特征是振荡电路由电容和高频耦合线圈组成,高频耦合线圈的初级串入焊接主回路中。
3.根据权利要求1或2所述的高频高压引弧装置,其特征是触发电路中有一个双向二极管,双向二极管与一个二极管串接。
4.根据权利要求3所述的高频高压引弧装置,其特征是双向二极管与充电电路中的充电电容相连接,充电电容接有相串接的一组充电电阻。
5.根据权利要求1或2所述的高频高压引弧装置,其特征是充电电路与交流220V电源相连接。
专利摘要本实用新型公开了一种高频高压引弧装置,其特征是有充电电路,充电电路与触发电路相连接,触发电路接可控硅的触发极,可控硅与振荡电路相连接,振荡电路感应引燃主回路电弧的高频高压信号。其有益效果为结构新颖合理、设计巧妙、电路简单、无需采用通常的放电间隙,应用范围广,可用于钨极氩弧焊电源、空气等离子切割机电源,作为建立电弧的辅助装置。
文档编号B23K9/067GK2806025SQ20052007367
公开日2006年8月16日 申请日期2005年7月15日 优先权日2005年7月15日
发明者杨军, 成军, 耿忠庆, 朱剑, 冯艳梅, 沈秋芸 申请人:南通三九焊接机器制造有限公司
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