屏蔽罩框架的制作方法

本实用新型涉及电磁屏蔽技术领域，尤其涉及一种屏蔽罩框架。

背景技术：

现代电子产品日趋向于薄轻化，并对电子产品要求越来越高，尤其是对电子设备硬件及性能的稳定性要求。目前诸多零器件采用的是表面焊接工艺(SMT)来进行安装Shield Frame(屏蔽罩框架)，该工艺对Shield Frame(屏蔽罩框架)平面度要求较高。

而目前，Shield Frame产品在制作中，因Shield Frame产品比较大，模具工艺是下料折弯结构，再经过螺丝来调整平面度，其主要缺点在于，冲压模具只考虑螺丝结构来调整平面度，但此种方案在调整时，需要对多个螺丝进行调整，且调模时间长，以及零件备件使用频率高，从而增加模具维修成本费用及影响生产效率降低；此外，平面度受材料残余应力的影响，尺寸稳定性差。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种平面度稳定、维修成本低的屏蔽罩框架。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：提供一种屏蔽罩框架，包括本体，所述本体的表面设有若干印记点，所述印记点为凹陷或凸起，所述表面的拉伸及折弯边缘开设有冲孔。

进一步地，若干所述印记点为阵列排布在本体的表面上。

进一步地，所述印记点的形状为方形、圆形或椭圆形。

进一步地，所述印记点的大小为0.1-0.6毫米。

进一步地，所述印记点的间距为0.3-0.6毫米。

进一步地，所述印记点的深度为0.03-0.1毫米。

本实用新型的有益效果在于：本实用新型的屏蔽罩框架，在原材料料带表面上增加印记点，使材料强度加强，同时，在产品拉伸及折弯边缘增加冲孔结构，消除材料残余应力，使产品平面度能更稳定。

附图说明

图1为本实用新型实施例的屏蔽罩框架的制作工艺的工艺流程框图；

图2为本实用新型实施例的屏蔽罩框架的原材料料带的结构示意图；

图3为本实用新型实施例的屏蔽罩框架的冲压冲孔后的正面结构示意图；

图4为本实用新型实施例的屏蔽罩框架的冲压冲孔后的背面结构示意图；

图5为本实用新型实施例的屏蔽罩框架的正面结构示意图；

图6为本实用新型实施例的屏蔽罩框架的背面结构示意图。

标号说明：

1、本体；11、表面；2、印记点；3、冲孔。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。

本实用新型最关键的构思在于:本实用新型的屏蔽罩框架，本体1的表面11设有若干印记点2，印记点2为凹陷或凸起，表面11的拉伸及折弯边缘开设有冲孔3，具有该凹陷或凸起的屏蔽罩框架可有效保证平面度。

请参阅图1，本实用新型屏蔽罩框架的制作工艺，包括如下步骤：

S1、在原材料料带上打印记点，该印记点为间隔设置的凹陷或凸起，制得坯件；

S2、在坯件上需要拉伸及折弯的边缘处开孔。

从上述描述可知，本实用新型的有益效果在于：本实用新型的制作工艺，在制作时不会增加模具加工难度，而且本实用新型相对于现有技术的方案，可有效降低成本，现有技术的模具中零件备件因使用频率高，模具维修频率高(预估1天/次)，且良品率大约在80.2％，而本实用新型采用上述的工艺，可有效提高生产效率且良率大约可提升90％以上，而模具维修/保养时间可变更2-3天/次，相对之前修模费用大大降低。

进一步的，所述原材料包括SUS不锈钢、洋白铜、铝材、马口铁、预镀Ni铝材或预镀镍SUS。

由上述描述可知，原材料可以为SUS不锈钢、洋白铜、铝材、马口铁、预镀Ni铝材或预镀镍SUS，原材料的优选的厚度范围为0.1-0.35毫米。

进一步的，所述印记点2为阵列排布，所述印记点2的深度为0.03-0.1毫米。

如图2至图6所示的屏蔽罩框架，包括本体1，所述本体1的表面11设有若干印记点2，所述印记点2为凹陷或凸起，所述表面11的拉伸及折弯边缘开设有冲孔3。

从上述描述可知，本实用新型的有益效果在于：本实用新型的屏蔽罩框架，在原材料料带表面上增加印记点2，使材料强度加强，同时，在产品拉伸及折弯边缘增加冲孔3结构，消除材料残余应力，使产品平面度能更稳定。

进一步的，若干所述印记点2为阵列排布在本体1的表面11上。

印记点2采用阵列排布，可均匀增强本体1的整体的强度，同时，阵列排布外形更加美观。

进一步的，所述印记点2的形状为方形、圆形或椭圆形。

进一步地，所述印记点2的大小为0.1-0.6毫米。

进一步地，所述印记点2的间距为0.3-0.6毫米。

进一步地，所述印记点2的深度为0.03-0.1毫米。

请参照图2至图6，本实用新型的实施例一为：本实施例屏蔽罩框架，包括本体1，该本体1的表面11设有若干印记点2，印记点2为凹陷或凸起并阵列排布在本体1的表面11，在表面11的拉伸及折弯边缘还开设有冲孔3。

该凹陷或凸起的形状为方形、圆形或椭圆形，或其形状的组合。印记点2优选的大小为0.3或0.4毫米，间距优选为0.4或0.5毫米，深度为0.03-0.1毫米0.06或0.07毫米。

如图1所示为该屏蔽罩框架的制作工艺流程框图，包括如下步骤：

S1、在进入模具的原材料料带上打印记点2，该印记点2为间隔设置的凹陷或凸起，制得坯件，该原材料包括SUS不锈钢、洋白铜、铝材、马口铁、预镀Ni铝材或预镀镍SUS，印记点2为阵列排布，印记点2的深度为0.03-0.1毫米；

S2、在坯件上需要拉伸及折弯的边缘处开孔。

综上所述，本实用新型提供的屏蔽罩框架及其制作工艺，使产品平面度能更稳定，并且可有效降低模具的维修费用。

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。