一种高效芯片冲孔装置的制作方法

文档序号:13973419阅读:393来源:国知局

本实用新型涉及冲孔装置技术领域,尤其涉及一种高效芯片冲孔装置。



背景技术:

现在,在表面第1层为导体层的n层的导体层与n层或n-1层的绝缘层交互积层的印制电路板上使用UV激光器的脉冲状激光光束冲孔的场合,加工的孔的直径为50μm或以上时,直径与孔入口直径大体相等,需要多次照射能量分布在垂直于光轴的面方向上大体均匀的帽盖光束或能量分布在垂直于光轴的面方向上为高斯曲线状的高斯光束,或者使直径比孔入口直径小,直径为50μm或以下的帽盖光束或高斯光束、例如在圆周轨迹上移动的同时照射,并且在半径方向上反复进行,现在的光束能量可能在投射过程中发生消散,不利于打孔的完整度,而且会在打孔精密元件时,易损焊接的电路板元件,且每次打孔需要调节芯片位置才能准确打孔。



技术实现要素:

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种高效芯片冲孔装置。

为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:

一种高效芯片冲孔装置,包括底座,所述底座外壁一侧焊接有控制箱,且控制箱底部通过螺钉固定有能量发生器,所述控制箱外壁开有卡槽,且卡槽内壁卡接有控制开关,所述底座顶部通过螺钉固定有芯片放置台,且控制箱顶部焊接有机架,所述机架远离控制箱一端焊接有镜筒,且镜筒顶部开有通孔,通孔内壁卡接有激光发生器,所述镜筒外壁通过螺钉固定有上角度调节器,且上角度调节器通过导线连接有上反光镜,上反光镜靠近上角度调节器一侧通过铰链铰接在镜筒内壁上,所述镜筒外壁通过螺钉固定有下角度调节器,且下角度调节器通过导线连接有下反光镜,上反光镜靠近下角度调节器一侧通过铰链铰接在镜筒内壁上,所述镜筒留有空腔,且空腔内壁底部卡接有聚光镜,所述控制箱底部通过导线连接有插头。

优选的,所述激光发生器和镜筒内壁相互平行,且激光发生器顶部通过导线和控制箱连接。

优选的,所述聚光镜底端正对芯片放置台顶部,且聚光镜和芯片放置台之间留有间隙,间隙大小为三至五厘米。

优选的,所述下反光镜和上反光镜角度可调,且可调角度大小为零度到十五度。

优选的,所述上角度调节器和下角度调节器型号相同,且上角度调节器和下角度调节器的额定电压为二百伏到二百二十伏。

优选的,所述控制开关通过导线连接有下角度调节器和上角度调节器,且控制开关型号为KAG-01A。

本实用新型的有益效果为:本装置设置有上反光镜和下反光镜,可以将激光通过折射汇聚到聚光镜上,设置上角度调节器和下角度调节器,可以调节上反光镜和下反光镜的角度,进行连续打孔,设置镜筒可以减少激光在折射过程中的能量散失。

附图说明

图1为本实用新型提出的一种高效芯片冲孔装置的结构示意图。

图中:1底座、2芯片放置台、3聚光镜、4镜筒、5下角度调节器、6下反射镜、7上反射镜、8上角度调节器、9激光发生器、10机架、11控制箱、12插头。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。

参照图1,一种高效芯片冲孔装置,包括底座1,底座1外壁一侧焊接有控制箱11,且控制箱11底部通过螺钉固定有能量发生器,控制箱11外壁开有卡槽,且卡槽内壁卡接有控制开关,底座1顶部通过螺钉固定有芯片放置台2,且控制箱11顶部焊接有机架10,机架10远离控制箱一端焊接有镜筒4,且镜筒4顶部开有通孔,通孔内壁卡接有激光发生器9,镜筒4外壁通过螺钉固定有上角度调节器8,且上角度调节器8通过导线连接有上反光镜7,上反光镜7靠近上角度调节器8一侧通过铰链铰接在镜筒4内壁上,镜筒4外壁通过螺钉固定有下角度调节器5,且下角度调节器5通过导线连接有下反光镜6,上反光镜6靠近下角度调节器5一侧通过铰链铰接在镜筒4内壁上,镜筒4留有空腔,且空腔内壁底部卡接有聚光镜3,控制箱11底部通过导线连接有插头12。

本实用新型中,激光发生器9和镜筒4内壁相互平行,且激光发生器9顶部通过导线和控制箱11连接,聚光镜3底端正对芯片放置台2顶部,且聚光镜3和芯片放置台2之间留有间隙,间隙大小为三至五厘米,下反光镜6和上反光镜7角度可调,且可调角度大小为零度到十五度,上角度调节器8和下角度调节器5型号相同,且上角度调节器8和下角度调节器5的额定电压为二百伏到二百二十伏,控制开关通过导线连接有下角度调节器5和上角度调节器8,且控制开关型号为KAG-01A。

工作原理:本设备通电后,将芯片置于芯片放置台2上,通过控制箱11中的控制开关,调节上反光镜7和下反光镜6的角度,使激光对准预打孔位置进行打孔,不断控制下角度调节器5和上角度调节器8进行连续打孔,打孔完毕取出芯片即可。

以上所述仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

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