首先，按照与样品1相同的制造方式在基材上形成D层20和B层30。然后，在以 下条件下，在B层30上形成C层40。通过调整气相沉积时间将C层40的厚度设为0. 1μm。
[0153]靶：Ti
[0154] 引入的气体：Ar
[0155] 成膜压力：lPa
[0156] 电弧放电电流：160A
[0157] 基板偏压：_75V
[0158] 旋转台转速：3rpm。
[0159] (A层的形成）
[0160] 形成C层40之后，在以下条件下在C层40上形成A层50。在这种情况下，调整引 入的气体汎和CH4)的流速比，从而在A层50中设为C:N= 1: 1。然后，调整气相沉积时 间，由此获得在每个样品中具有不同厚度的A层50,如表2中A层厚度一栏所示。
[0161]靶：Ti
[0162] 引入的气体：N2、CH4
[0163] 成膜压力：2Pa
[0164] 电弧放电电流：180A
[0165] 基板偏压：-350V
[0166] 旋转台转速：3rpm。
[0167] 如上所述，获得了在基材3上各包括覆膜10的根据样品2至7的被覆cBN工具， 该覆膜10通过依次层叠D层20、B层30、C层40和A层50而获得。
[0168]〈样品8至49的制造〉
[0169] 如表2和表3所示，使用cBN烧结体A至I制造根据样品8至49的被覆cBN工具。 在表2和表3中，左栏标记有符号的各样品表不根据各实施例的被覆cBN工具。
[0170] 如表2所示，对于样品8至12和18至49,不形成C层40而是直接在B层30上形 成A层20。此外，对于这些样品，在以下所述成膜条件的范围内进行适当地调节，从而获得 表2和表3中所不的各层，同时形成覆膜。
[0171](成膜条件）
[0172] 靶：表2和表3中各层组成栏所示的金属元素
[0173] 引入的气体：适当地选择来自Ar、队和CH4中的一种或多种
[0174] 成膜压力：0· IPa至7Pa
[0175] 电弧放电电流：60A至300A
[0176]基板偏压：_7〇OV至_25V
[0177] 旋转台转速：2rpm至lOrpm。
[0178][表 2]
[0179]
[0182] 〈样品8至12的制造〉
[0183] 按照与样品1相同的制造方式使用cBN烧结体D获得基材，然后将各具有如表2 和表3中所示构成的D层和B层依次层叠在该基材上，同时适当地调节成膜条件。对于样 品8至12,以获得具有如表3所示组成的B1化合物层的方式改变各样品的成膜条件，同时 形成B层。
[0184](A层的形成：TiCNw)
[0185] 此外，对于样品8至12,包括TiCN层的A层层叠在B层上，所述TiCN层具有在厚 度方向（从基材侧朝向覆膜表面的方向）上以坡度式的方式变化的C和N组成。在表2中， 为了方便起见，A层的组成以"TiCNw"示出。表4中示出了A层的具体构成。按照以下方 式形成A层。
[0186] 首先，仅使用队作为引入气体，形成0.5 μπι的TiN层。然后，逐渐提高引入气体中 的CH4流速，同时形成具有以坡度式的方式降低的N组成（以坡度式的方式升高的C组成） 的0.5μπι的TiCN层。TiCN层的组成最终为TiCQ.3Na7。然后，在队与014的流速比固定的 状态下，形成〇. 5μm的11(：。.3~7层。以这种方式，获得覆膜，其中包括TiCN层的A层层叠 在B层上，所述TiCN层具有在厚度方向上以坡度式的方式变化的C和N组成。由此，获得 了根据样品8至12的被覆cBN烧结体工具。
[0187][表 4]
[0188]
[0189] 在表中，"TiN-TiCa3Na7"是指组成以坡度式由TiN变为TiCQ.3NQ.7。
[0190]〈样品13至17的制造〉
[0191] 按照与样品1相同的方式使用cBN烧结体B获得基材，然后在适当地调节成膜条 件的同时，将分别具有如表2和表3所示构成的D层、B层、C层和A层依次层叠在基材上， 从而形成覆膜。由此，获得了根据样品13至17的被覆cBN工具。此外，对于样品13至17， 以形成B层的层数和B1化合物层的平均厚度tl成为表3中示出的数值的方式改变各样品 的成膜条件，同时形成B层。
[0192] (C层的形成）
[0193]B层形成后，在以下条件下形成C层，使其厚度为0. 03μm。
[0194]靶：Ti(50 原子％)、A1(50 原子％)
[0195] 引入的气体：N2
[0196] 成膜压力：0.2Pa
[0197] 电弧放电电流：150A
[0198] 基板偏压：-80V
[0199] 旋转台转速：8rpm。
[0200] 〈样品18至22的制造〉
[0201] 按照与样品1相同的方式使用cBN烧结体C获得基材，然后在适当地调节成膜条 件的同时，将分别具有如表2和表3所示构成的D层、B层和A层依次层叠在该基材上，由 此形成覆膜。
[0202] 在这种情况下，对于样品18至22,改变各样品的成膜条件，从而使B2化合物层具 有如表3所示的组成。此外，将4层具有不同厚度的B1化合物层和4层具有不同厚度的B2 化合物层层叠在一起，由此形成总计8层的B层。该B层具体按照以下方式来形成。
[0203] 形成D层后，形成50nm的B1化合物层，在其上形成150nm的B2化合物层。然后，B1 化合物层（60nm)和B2化合物层（140nm)按顺序层叠在一起，在其上将B1化合物层（90nm) 和B2化合物层（llOnm)按顺序层叠在一起，在其上将B1化合物层（100nm)和B2化合物层 (lOOnm)按顺序层叠在一起，由此形成B层。在该B层中，B1化合物层的平均厚度为75nm， 而B2化合物层的平均厚度为125nm。由此，获得了根据样品18至22的被覆cBN工具。
[0204]〈样品23至27的制造〉
[0205] 按照与样品1相同的方式使用cBN烧结体E获得基材，然后在适当地调节成膜条 件的同时，将分别具有如表2和表3所示构成的D层和B层依次层叠在该基材上。此外，对 于样品23至27,以形成B层的层数和B2化合物层的平均厚度t2成为表3中示出的数值的 方式改变各样品的成膜条件，同时形成B层。
[0206] (A层的形成：TiCNw)
[0207] 此外，对于样品23至27,将包括TiCN层的A层层叠在B层上，所述TiCN层具有 在厚度方向上以梯度式的方式变化的C和N组成。在表2中，为了方便起见，A层的组成以 "TiCf2"示出。表4中示出了A层的具体构成。如表4所示，从基材侧（cBN烧结体侧）开 始，对于各规定厚度（步骤），逐渐改变引入气体的组成，同时形成A层。由此获得覆膜，其 中包括TiCN层的A层层叠在B层上，所述TiCN层具有在厚度方向上以梯度式的方式变化 的C和N组成。由此，获得了根据样品23至27的被覆cBN工具。
[0208]〈样品28至33的制造〉
[0209] 按照与样品1相同的方式使用cBN烧结体F获得基材，然后在适当地调节成膜条 件的同时将分别具有如表2和表3所示构成的D层、B层和A层依次层叠在该基材上，从而 形成覆膜。由此，获得了根据样品28至33的被覆cBN工具。此外，对于各样品28至33,形 成了如表3所示对于各样品而言由不同层数形成的B层。
[0210] 〈样品34的制造〉
[0211] 按照与样品1相同的方式使用cBN烧结体G获得基材，然后在适当地调节成膜条 件的同时将分别具有如表2和表3所示构成的D层、B层和A层依次层叠在该基材上，从而 形成覆膜。由此，获得了根据样品34的被覆cBN工具。
[0212] 〈样品35至38的制造〉
[0213] 按照与样品1相同的方式使用cBN烧结体G获得基材，然后在适当地调节成膜条 件的同时将分别具有如表2和表3所示构成的D层和B层依次层叠在该基材上。
[0214] (A层的形成：TiCNw)
[0215] 此外，对于样品35至38,将由TiCN层形成的A层层叠在B层上，所述TiCN层具 有在厚度方向上以梯度式的方式变化的C和N组成，由此形成覆膜。在表2中，为了方便起 见，A层的组成以"TiCf3"示出。表4中示出了A层的具体构成。
[0216] 如表4所示，对于样品35,在步骤1至5中改变引入的气体中的各队与01 4之间的 流速比，并按顺序层叠具有不同组成的层，由此形成总厚度为1. 〇μπι的A层。对于样品36， 按照与样品35相同的方式，层叠根据步骤1至5的层。进一步在步骤6中，停止供应01 4并 且层叠1. 〇ym的TiN层，由此形成总厚度为2. 0μL?的A层。
[0217] 对于样品37,按照与样品36相同的方式，层叠根据步骤1至6的层，在其上进一步 再次层叠根据步骤1至6的层，由此形成总厚度为4μm的A层。在表5中，以这种方式，将 步骤1至6定义为1个周期，将重复该1个周期两次的工序定义为"2个周期"。对于样品 38,同样重复进行了步骤1至6的4个周期，由此形成总厚度为8μπι的A层。按照如上所 述的方式，获得了根据样品35至38的被覆cBN工具。
[0218]〈样品39至47的制造〉
[0219] 按照与样品1相同的方式使用各cBN烧结体A至I获得基材，然后在适当地调节 成膜条件的同时，将分别具有如表2和表3所示构成的D层和B层依次层叠在该基材上。
[0220] (A层的形成：TiCN'
[0221] 此外，对于样品39至47,将包括TiCN层的A层层叠在B层上，所述TiCN层具有 在厚度方向（从基材侧朝向覆膜表面的方向）上以坡度式的方式变化的C和N组成，由此 形成覆膜。在表2中，为了方便起见，A层的组成以"TiCN4"示出。表4中示出了A层的具 体构成。A层按照上述"TiCNw"相同的方式形成，不同之处在于使014流入到引入气体中的 时机（距基材层的距离）按照表4所示进行改变。由此，获得了根据样品39至47的被覆 cBN工具。
[0222] 〈样品48的制造〉
[0223] 按照与样品1相同的方式使用cBN烧结体D获得基材，然后在适当地调节成膜条 件的同时，将分别具有如表2和3所示构成的D层和B层依次层叠在该基材上。由此，获得 了根据样品48的被覆cBN工具。
[0224]〈样品49的制造〉
[0225] 按照与样品1相同的方式使用cBN烧结体D获得基材。不形成B层和C层，在适 当地调节成膜条件的同时将分别具有如表2和表3所示构成的D层和A层依次层叠在该基 材上，由此形成覆膜。由此，获得了根据样品49的被覆cBN工具。
[0226]〈〈评价》
[0227] 通过轻断续切削淬火钢，对如上所述获得的根据各样品1至49的被覆cBN工具的 切削性能及表面粗糙度寿命进行了评价。
[0228]〈后刀面磨损量VB和表面粗糙度Rz的测量〉
[0229] 使用各样品的工具，根据以下切削条件下进行切削距离4km的切削加工。然后，用 光学显微镜测定工具的后刀面磨损量VB。此外，根据"JISB0601"测量加工后加工材料的 "十点平均粗糙度（μπι)"（即，Rzjis)并将其定义为表面粗糙度Rz。测量结果在表5中示 出。在表5中，后刀面磨损量VB越小，耐后刀面磨损性越优异。同样地，表5表明Rz越小， 耐边界磨损性越优异，从而可以实施高精度加工。
[0230](切削条件）
[0231] 加工材料：淬火钢SCM415H(HRC60)，其外径为Φ100并且具有设有一个V型凹槽 的外径部分。
[0232]切削速度：150m/min
[0233] 进给速率：f=0. 1mm/转
[0234]切削深度：ap = 0· 1mm
[0235] 切削油：无（干式切削）。
[0236]〈