倒装回流焊盖板的制作方法
【技术领域】
[0001]本公开一般涉及半导体封装领域，具体涉及倒装回流焊工艺，尤其涉及一种倒装回流焊盖板。
【背景技术】
[0002]半导体倒装焊工艺中需要用到回流焊工艺，传统工艺中，基板在倒装上芯片后，在回流焊的传送带上通过回流炉，通过回流炉加热完成芯片凸点和基板焊点的焊接。如图1所示为常温下盖板1、基板2和载具3的示意图，如图2所示为在回流过程中基板受热后，因为热胀冷缩效应，基板会产生形变翘曲，且翘曲会集中在基板中部，导致部分芯片凸点和基板焊点无法接触，产生焊接不良的情况，常规情况下的盖板上下表面有金属镀层5，中间为铁合金层6，如图3所示，在回流过程中各部位受热膨胀程度一致，无法抵消基板的翘曲变形。
【实用新型内容】
[0003]鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，基板受热产生形变翘曲，导致部分芯片凸点和基板焊点无法接触，产生焊接不良的情况，期望提供一种倒装回流焊盖板。
[0004]—方面提供一种倒装回流焊盖板，包括:盖板主体、所述盖板主体上表面和下表面分别覆盖有金属镀层，所述盖板主体从上至下包括第一合金层和第二合金层，所述第一合金层热膨胀系数小于所述第二合金层。
[0005]本实用新型提供的倒装回流焊盖板的主体结构由两种不同热膨胀系数的材料组成，在回流过程中盖板会发生一定量的形变，由于上层热膨胀系数小于下层，盖板发生向下的形变，使得在盖板下方的基板极易发生形变翘曲的位置被压紧，抵消了基板翘曲部位的变形，避免了因基板变形导致的芯片凸点和基板焊点无法接触，产生焊接不良的情况。
【附图说明】
[0006]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
[0007]图1为常温下盖板、基板和载具的示意图；
[0008]图2为现有技术中回流焊接时盖板、基板和载具的示意图；
[0009]图3为现有技术中盖板结构示意图；
[0010]图4为本实用新型中盖板结构示意图；
[0011 ]图5为本实用新型中回流焊接时盖板、基板和载具的示意图。
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关实用新型，而非对该实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与实用新型相关的部分。
[0013]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
[0014]请参考图4，本实用新型提供一种倒装回流焊盖板，包括盖板主体，所述盖板主体上表面和下表面分别覆盖有金属镀层13，所述盖板主体从上至下包括第一合金层12和第二合金层13，所述第一合金层12热膨胀系数小于所述第二合金层13。
[0015]本实用新型中的倒装回流焊盖板的主体结构由两种不同热膨胀系数的材料组成，在回流过程中盖板会发生一定量的形变，由于上层热膨胀系数小于下层，盖板发生向下的形变，使得在盖板下方的基板极易发生形变翘曲的位置被压紧，抵消了基板翘曲部位的变形，避免了因基板变形导致的芯片凸点和基板焊点无法接触，产生焊接不良的情况。
[0016]可选的，所述第一合金层11为铁合金层。
[0017]可选的，所述第二合金层12为铝合金层。常规的盖板主要材料为铁合金，本实用新型中的盖板主体分为上下两层，上层采用铁合金，下层采用铝合金，铁合金的热膨胀系数小于铝合金的热膨胀系数，因此在回流焊接加热过程中，盖板会受热膨胀，并且上下两层膨胀程度不同，如图5所示，会出现一定程度的向下弯曲；在加热过程中，基板也会出现弯曲的情况，本实用新型中通过盖板向下的弯曲对基板翘曲的地方进行压紧，避免了基板翘曲过大。
[0018]可选的，所述金属镀层13为铬镍合金镀层。
[0019]可选的，所述倒装回流焊盖板上还设有定位孔4。
[0020]可选的，所述倒装回流焊盖板上设有芯片窗口。本实用新型中的盖板I上设有定位孔4，定位孔4中放置定位针，通过所述定位针将盖板1、基板2和载具3固定放置，保证了在回流焊接的过程中，发生形变的盖板和载具对基板的压紧，不会发生盖板、基板和载具发生相对位移的情况，进一步保证了对基板翘曲的抵消，使得芯片凸点和基板焊点完全接触。
[0021]本实用新型中通过将倒装回流焊盖板的主体结构设置为两种不同热膨胀系数的材料层，在回流焊接过程中基板发生的形变通过盖板向下的形变进行抵消，避免了因基板变形导致的芯片凸点和基板焊点无法接触，产生焊接不良的情况。
[0022]以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的实用新型范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述实用新型构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
【主权项】
1.一种倒装回流焊盖板，包括盖板主体，所述盖板主体上表面和下表面分别覆盖有金属镀层，其特征在于，所述盖板主体从上至下包括第一合金层和第二合金层，所述第一合金层热膨胀系数小于所述第二合金层。2.根据权利要求1所述的倒装回流焊盖板，其特征在于，所述第一合金层为铁合金层。3.根据权利要求1所述的倒装回流焊盖板，其特征在于，所述第二合金层为铝合金层。4.根据权利要求1所述的倒装回流焊盖板，其特征在于，所述金属镀层为铬镍合金镀层。5.根据权利要求1所述的倒装回流焊盖板，其特征在于，所述倒装回流焊盖板上还设有定位孔。6.根据权利要求1所述的倒装回流焊盖板，其特征在于，所述倒装回流焊盖板上设有芯片窗口。
【专利摘要】本申请公开了一种倒装回流焊盖板，包括盖板主体，所述盖板主体上表面和下表面分别覆盖有金属镀层，所述盖板主体从上至下包括第一合金层和第二合金层，所述第一合金层热膨胀系数小于所述第二合金层。本实用新型提供的倒装回流焊盖板的主体结构由两种不同热膨胀系数的材料组成，在回流过程中盖板会发生一定量的形变，由于上层热膨胀系数小于下层，盖板发生向下的形变，使得在盖板下方的基板极易发生形变翘曲的位置被压紧，抵消了基板翘曲部位的变形，避免了因基板变形导致的芯片凸点和基板焊点无法接触，产生焊接不良的情况。
【IPC分类】B23K3/08, H01L23/488
【公开号】CN205362938
【申请号】CN201521071717
【发明人】徐鸿飞
【申请人】南通富士通微电子股份有限公司
【公开日】2016年7月6日
【申请日】2015年12月18日