专利名称：带缓冲室膜玻璃生产磁控溅射设备的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种镀膜玻璃生产的磁控溅射设备，尤其是一种带缓冲室膜玻璃生产磁控溅射设备。
背景技术：
镀膜玻璃在建筑、交通等领域有着广泛的用途，原有的生产镀膜玻璃的磁控溅射设备，由预抽室、电解质镀层镀膜室、导电镀层镀膜室组成，玻璃经预抽室抽真空后直接进入电解质镀层镀膜室，电解质镀层镀膜室内的气体真空度难以达到理想状态，所生产的镀膜玻璃均匀性较差，而低辐射膜玻璃、阳光控制膜玻璃、单向透视玻璃、高反射镜面玻璃等对均匀性要求较高，原有的生产镀膜玻璃的磁控溅射设备不能满足要求。在镀制导电镀层时，常用的平面靶的靶材利用率较低，仅为30％，由于导电镀层多采用贵重金属(常用银)，对于电解质镀层镀膜室、导电镀层镀膜室内的空气的压力与成份有较高的要求，用原有设备生产镀膜玻璃，生产成本高、质量差。
发明内容
为了提高靶室内气体的真空度和靶材的利用率，本实用新型提供一种低辐射镀膜玻璃的生产设备，该设备通过设备结构改进，可以提高靶室内气体的真空度和靶材的利用率。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种带缓冲室膜玻璃生产磁控溅射设备，具有电解质镀层镀膜室和导电镀层镀膜室，电解质镀层镀膜室的一侧设置有预抽室，另一侧与导电镀层镀膜室连接，电解质镀层镀膜室内设置有镀电解质镀层的磁控靶，导电镀层镀膜室内设置有镀导电镀层的磁控靶，在电解质镀层镀膜室与预抽室间设置有缓冲室，在预抽室与外界、预抽室与缓冲室间、缓冲室与电解质镀层镀膜室间分别设置有隔离密封缝阀。
为了使设备能反向可逆工作，进一步地设备具有一个导电镀层镀膜室和二个预抽室、缓冲室、电解质镀层镀膜室，连接方式为预抽室、缓冲室、电解质镀层镀膜室、导电镀层镀膜室、电解质镀层镀膜室、缓冲室、预抽室依次连接。
为了有效地防止靶的中毒现象，提高膜层质量及延长靶面清理的时间，提高靶材利用率，降低镀膜成本，再进一步地镀电解质镀层的磁控靶是平面式磁控靶，并与中频交流专用电源连接，镀导电镀层的磁控靶是圆柱形旋转式磁控靶，并与恒流式直流专用电源连接。
本实用新型的带缓冲室膜玻璃生产磁控溅射设备，设计合理，结构简单，通过增加缓冲室以及改变磁控靶的结构，提高了镀膜室内气体的真空度，提高了靶材的利用率，提升了低辐射镀膜玻璃的产品质量，降低了生产成本。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图。
图2本实用新型的生产流程图。
图中1.预抽室，2.缓冲室，3.电解质镀层镀膜室，4.导电镀层镀膜室，5.平面式磁控靶，6.圆柱型旋转式磁控靶，7.隔离密封缝阀，8.中频交流专用电源，9.恒流式直流专用电源。
具体实施方式
如
图1所示的带缓冲室膜玻璃生产磁控溅射设备，具有一个导电镀层镀膜室4和二个预抽室1、缓冲室2、电解质镀层镀膜室3，连接方式为预抽室1、缓冲室2、电解质镀层镀膜室3、导电镀层镀膜室4、电解质镀层镀膜室3、缓冲室2、预抽室1依次连接。电解质镀层镀膜室3内设置有镀电解质镀层的平面式磁控靶5，并与中频交流专用电源8连接，导电镀层镀膜室4内设置有镀导电镀层的圆柱形旋转式磁控靶6，并与恒流式直流专用电源9连接，在预抽室1与外界、预抽室1与缓冲室2间、缓冲室2与电解质镀层镀膜室3间分别设置有隔离密封缝阀7。
如图2所示，工作时关闭所有隔离密封缝阀7，确保设备正常运行。
打开预抽室1与外界连接处的隔离密封缝阀7，待外界大气进入预抽室1后将待镀膜的玻璃送入预抽室1，然后关闭预抽室1与外界连接处的隔离密封缝阀7，进行空气预抽达到要求的真空度。
打开缓冲室2与预抽室1连接处的隔离密封缝阀7，玻璃进入缓冲室2，关闭缓冲室2与预抽室1连接处的隔离密封缝阀7，较好地实现了气体隔离，消除玻璃进出对镀膜室的影响。
打开电解质镀层镀膜室3与缓冲室2连接处的隔离密封缝阀7，玻璃在电解质镀层镀膜室3氧气浓度较高的气氛中溅射镀膜，该室采用了两个平面式磁控靶5，采用中频交流专用电源8供电，能有效防止靶的中毒现象，能提高膜层质量及延长靶面清理的时间，然后玻璃进入导电镀层镀膜室4，该室具有三个圆柱形旋转式磁控靶6，采用恒流式直流专用电源9供电，玻璃在导电镀层镀膜室4分别镀制保护层(一般为NiCr或Ti)、导电镀层(一般为Ag)、保护层(一般为NiCr或Ti)，三层膜一次镀成，由于低辐射玻璃中起关健作用的导电镀层(一般为Ag)在镀膜前后很容易受环境影响而产生氧化现象，通过增加缓冲室2和镀制保护层，有效防止了导电镀层的氧化，然后镀膜后的玻璃进入后电解质镀层镀膜室3，再次镀电解质层，之后，打开电解质镀层镀膜室3与缓冲室2连接处的隔离密封缝阀7，玻璃进入缓冲室2后，关闭电解质镀层镀膜室3与缓冲室2连接处的隔离密封缝阀7，再打开缓冲室2与预抽室1连接处的隔离密封缝阀7，玻璃进入预抽室1，充大气，打开预抽室1与外界连接处的隔离密封缝阀7，玻璃送出外界。
本实用新型的带缓冲室膜玻璃生产磁控溅射设备，是一种适用于大规模生产低辐射玻璃及阳光控制膜玻璃的磁控溅射镀膜生产线，采用卧式可逆式结构，具有生产效率高，均匀性好，可控性强等特点，能镀制低辐射玻璃、阳光控制膜玻璃、单向透视玻璃、高反射镜面玻璃等产品，为目前磁控溅射镀膜玻璃生产线的升级换代产品。
权利要求1.一种带缓冲室膜玻璃生产磁控溅射设备，具有电解质镀层镀膜室(3)和导电镀层镀膜室(4)，电解质镀层镀膜室(3)的一侧设置有预抽室(1)，另一侧与导电镀层镀膜室(4)连接，电解质镀层镀膜室(3)内设置有镀电解质镀层的磁控靶(5)，导电镀层镀膜室(4)内设置有镀导电镀层的磁控靶(6)，其特征是在电解质镀层镀膜室(3)与预抽室间设置有缓冲室(2)，在预抽室(1)与外界、预抽室(1)与缓冲室(2)间、缓冲室(2)与电解质镀层镀膜室(3)间分别设置有隔离密封缝阀(7)。
2.根据权利要求1所述的带缓冲室膜玻璃生产磁控溅射设备，其特征是具有一个导电镀层镀膜室(4)和二个预抽室(1)、缓冲室(2)、电解质镀层镀膜室(3)，连接方式为预抽室(1)、缓冲室(2)、电解质镀层镀膜室(3)、导电镀层镀膜室(4)、电解质镀层镀膜室(3)、缓冲室(2)、预抽室(1)依次连接。
3.根据权利要求1所述的带缓冲室膜玻璃生产磁控溅射设备，其特征是镀电解质镀层的磁控靶(5)是平面式磁控靶(5)，并与中频交流专用电源(8)连接，镀导电镀层的磁控靶(6)是圆柱形旋转式磁控靶(6)，并与恒流式直流专用电源(9)连接。
专利摘要本实用新型涉及一种带缓冲室膜玻璃生产磁控溅射设备，具有电解质镀层镀膜室和导电镀层镀膜室，电解质镀层镀膜室的一侧设置有预抽室，电解质镀层镀膜室内设置有镀电解质镀层的磁控靶，导电镀层镀膜室内设置有镀导电镀层的磁控靶，在电解质镀层镀膜室与预抽室间设置有缓冲室，在预抽室与外界、预抽室与缓冲室间、缓冲室与电解质镀层镀膜室间分别设置有隔离密封缝阀，本实用新型的带缓冲室膜玻璃生产磁控溅射设备具有生产效率高，均匀性好，可控性强等特点，能镀制低辐射玻璃、阳光控制膜玻璃、单向透视玻璃、高反射镜面玻璃等产品，为目前磁控溅射镀膜玻璃生产线的升级换代产品。
文档编号C23C14/35GK2716281SQ20032011040
公开日2005年8月10日 申请日期2003年10月24日 优先权日2003年10月24日
发明者沈琪 申请人:沈琪