专利名称：真空溅镀中的遮镀辅助设备的结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种辅助设备，尤其是涉及一种用于真空溅镀中的遮镀辅助设备的结构。
背景技术：
真空溅镀是借助高能粒子轰击所产生的动量交换，把镀膜材料的原子从固体(靶)表面撞出并放射出来。放在靶前面的基材拦截溅射出来的原子流，后者凝聚并形成镀层。但是，由于从靶射出的原子流并非按照确定的方向运动，当原子流被基材拦截后，在基材表面形成的镀层可能覆盖基材的边缘、侧边等无须溅镀的表面，或是在基材表面形成的镀层不能完全覆盖基材的需要被溅镀的表面。为克服此问题，业界采取的做法是在基材的边缘位置，为使镀层准确覆盖基材的溅镀的表面，而不镀到基材的非溅镀的表面，一般通过调整遮镀位置，使遮镀位置稍微伸出到基材的溅镀的表面之上。但是，此种方法不容易控制，更没有一个准则来调整遮镀位置，故很容易造成基材的表面被多镀或少镀等不良问题。
发明内容
为解决上述问题，本实用新型揭示了一种真空溅镀中的遮镀辅助设备的结构，其能有效解决真空溅镀中对遮镀位置的调整的问题。
为实现上述技术方案，本实用新型的真空溅镀中的遮镀辅助设备的结构，其包括一遮盖部，其设置于基材的溅镀表面的一侧，且部分遮盖该基材的溅镀表面；且上述遮盖部与上述基材的溅镀表面的垂直距离，等于上述遮盖部遮盖延伸到上述基材的溅镀表面的长度。
较佳的，本实用新型的真空溅镀中的遮镀辅助设备的结构包括一底座以及一遮盖件，上述底座具有容纳上述基材的容纳腔，而上述遮盖部为从上述遮盖件的内壁延伸形成。
由于使用了上述方案，本实用新型所揭示的真空溅镀中的遮镀辅助设备的结构中，由于采用了设计辅助设备的方式来控制对基材的表面溅镀，克服了业界对遮镀位置不准确、难于控制等难题；且本实用新型结构简单，具有较佳的实用价值。
图1为本实用新型的原理示意图。
图2为本实用新型的其中一具体实施例的立体示意图。
图3为图2所示的分解示意图。
具体实施方式
如图1所示，为本实用新型所揭示的真空溅镀中的遮镀辅助设备的结构的原理示意图。
其中，该遮镀辅助设备100使用于真空溅镀系统中，且设置于真空溅镀系统中的固体(或靶)与基材200(待镀层的物体)之中。该遮镀辅助设备100包括从一侧壁向外延伸而形成阶梯形的遮盖部110，该遮盖部110部分遮盖于上述基材200的一侧面表面；上述遮盖部110末端的壁厚C大约为2.0MM；上述遮盖部110与上述基材200的表面的垂直距离A，与上述遮盖部110向外延伸出的长度B大致相等，也即A∶B大约为1∶1，且A与B的数值在0.8-1.2MM之间时具有较佳的遮镀效果；上述遮盖部110的坡度D大约为30°。
上述A也为上述遮盖部110遮盖上述基材200的边缘部分的宽度。当上述真空溅镀系统中的靶把镀膜材料的原子撞出并放射出来后，部分原子流溅镀到上述遮盖部110之上；通过上述遮盖部110，使原子流无法溅镀到上述基材200的非溅镀的表面220；且原子流溅镀到上述基材200的溅镀的表面210，经凝聚并形成镀层，该镀层与上述非溅镀的表面220或是距上述溅镀的表面210边界的非镀层部门，能满足行业的有关要求。
另外，同时参考图2和图3，为采用图1所示的原理的其中一个具体实施例。其中，遮镀辅助设备100包括一底座120以及一遮盖件130，上述遮盖件130配合上述底座120使用。上述底座120为根据待溅镀的基材200(图2和图3中均未绘示)，设置有容纳上述基材200的容纳腔140，而上述遮盖件130扣合设置于上述底座120一侧面，进一步使上述基材200固定容纳于上述底座120中的容纳腔140中。另外，上述遮盖件130的内壁上，向外延伸设置有上述遮盖部110，上述遮盖部110的延伸长度与上述遮盖部110距离上述基材200的表面的长度相等，且均为0.8-1.2MM；另外，上述遮盖件130的内壁的形状与上述基材200的边缘形状类似，使从上述遮盖件130的内壁上向外延伸的上述遮盖部110恰好能遮盖上述基材200的边缘部分，以达到防止上述上述基材200的非溅镀的表面220被溅镀，同时能最大化的溅镀上述基材200的溅镀的表面210，且溅镀面电阻值达到最小。
综上所述，本实用新型所揭示的真空溅镀中的遮镀辅助设备的结构中，由于采用了设计辅助设备的方式来控制对基材的表面溅镀，克服了业界对遮镀位置不准确、难于控制等难题。
权利要求1.一种真空溅镀中的遮镀辅助设备的结构，其特征在于包括一部分遮盖基材的溅镀表面之遮盖部，该遮盖部设置于该基材的溅镀表面的一侧，另外，该遮盖部遮盖延伸到上述基材的溅镀表面的长度等于该遮盖部与上述基材的溅镀表面的垂直距离。
2.如权利要求1所述的真空溅镀中的遮镀辅助设备的结构，其特征在于其包括一底座以及一遮盖件，上述底座具有容纳上述基材的容纳腔，而上述遮盖部为从上述遮盖件的内壁延伸形成。
专利摘要本实用新型揭示了一种真空溅镀中的遮镀辅助设备的结构，其包括一遮盖部，其设置于基材的溅镀表面的一侧，且部分遮盖该基材的溅镀表面；且上述遮盖部与上述基材的溅镀表面的垂直距离，等于上述遮盖部遮盖延伸到上述基材的溅镀表面的长度。由于本实用新型采用了设计辅助设备的方式来控制对基材的表面溅镀，克服了业界对遮镀位置不准确、难于控制等难题；且本实用新型结构简单，具有较佳的实用价值。
文档编号C23C14/34GK2873798SQ20052006520
公开日2007年2月28日 申请日期2005年9月30日 优先权日2005年9月30日
发明者杨雪娇, 覃飞祥, 吴政道 申请人:佛山市顺德区汉达精密电子科技有限公司