耐腐蚀的稀土磁体及其制造方法

文档序号:3368195阅读:226来源:国知局
专利名称:耐腐蚀的稀土磁体及其制造方法
技术领域
本发明涉及耐腐蚀的稀土磁体及其制造方法,其中由R-T-M-B表示的稀土磁体在耐腐蚀方面得到改善,其中R是包括钇的稀土元素中的至少一种,T是铁或者铁和钴的混合物,并且M是选自Ti、Nb、Al、V、Mn、Sn、Ca、Mg、Pb、Sb、Zn、Si、Zr、Cr、Ni、Cu、Ga、Mo、W和Ta中的至少一种元素,并且这些元素的含量在如下范围内5重量%≤R≤40重量%、50重量%≤T≤90重量%、0重量%≤M≤8重量%,并且0.2重量%≤B≤8重量%。
背景技术
由于优异的磁性质,稀土永磁体被广泛用于许多应用,包括各种电器用具和计算机外围设备。它们是重要的电学和电子材料。特别是,与Sm-Co基永磁体相比,因为主要元素Nd的存在比Sm更丰富,由于节省了钴而原材料费用降低并且它们的磁性超过了Sm-Co基永磁体,所以Nd-Fe-B基永磁体是十分优异的永磁体。这几年中,Nd-Fe-B基永磁体的用量增加并且用于更广泛的应用。
但是,Nd-Fe-B基永磁体具有因为它们包含稀土元素和铁作为主要组分,所以它们有容易在湿空气中在短时间内氧化的缺点。在将它们引入到磁路中时,引起一些问题这种氧化降低了磁路的输出并且周围被锈污染。
特别地,Nd-Fe-B基永磁体最近已经被应用在例如汽车马达和电梯电动机中,其中磁体必须在热的湿环境中工作。人们预期磁体在使用中也会暴露于盐的湿气中。因此,需要以低的成本赋予磁体耐腐蚀性。另外,在这种马达的制造过程中,尽管是短的时间,但会在300℃或以上加热磁体。在此情况下,磁体还必须耐热。
为了改善Nd-Fe-B基永磁体的耐腐蚀性,经常进行各种表面处理,例如树脂涂敷、铝离子镀覆和镀镍。但是在现有技术中,这种表面处理难以符合上述的苛刻条件。例如,树脂涂敷耐腐蚀性不足并且缺乏耐热性。因为存在尽管是少量的针孔,但镀镍在盐湿气下还是容易生锈。离子镀覆通常具有良好的耐热性和耐腐蚀性,但是因为需要大规模的设备而难以低成本地实现。
本发明相关的文献包括JP-A 2003-64454、J P-A 2003-158006、JP-A 2001-230107和JP-A 2001-230108。

发明内容
本发明要解决的问题本发明提供在上述苛刻的条件下经得起使用的R-T-M-B基稀土永磁体,例如Nd磁体;并且本发明的目的是提供耐腐蚀的稀土磁体以及制造这种磁体的方法,其中磁体具有耐腐蚀、耐热涂层。
解决问题的方法在进行了实现上述目的的深入研究后,本发明人已经发现通过如下处理可以将由R-T-M-B表示的稀土永磁体转化成具有耐腐蚀性和耐热性的稀土磁体,其中R是选自包括钇的稀土元素的至少一种元素,T是铁或者铁和钴的混合物,并且M是选自Ti、Nb、Al、V、Mn、Sn、Ca、Mg、Pb、Sb、Zn、Si、Zr、Cr、Ni、Cu、Ga、Mo、W和Ta中的至少一种元素,并且这些元素的含量在如下范围内5重量%≤R≤40重量%、50重量%≤T≤90重量%、0重量%≤M≤8重量%,并且0.2重量%≤B≤8重量%;所述处理是(i)向磁体的表面施用包含至少一种选自Al、Mg、Ca、Zn、Si、Mn及其合金中的片状细粉以及选自Al、Zr、Si和Ti中的至少一种金属溶胶的处理液体,然后加热以在磁体表面上形成片状细粉/金属氧化物的复合膜;或者(ii)向磁体的表面施用包含至少一种选自Al、Mg、Ca、Zn、Si、Mn及其合金中的片状细粉以及硅烷和/或其部分水解产物的处理液体,从而形成片状细粉/硅烷和/或部分水解的硅烷的涂层,并且将其加热以在磁体表面上形成复合膜;或者(iii)向磁体的表面施用包含至少一种选自Al、Mg、Ca、Zn、Si、Mn及其合金中的片状细粉以及碱金属硅酸盐的处理液体,并且然后加热以在磁体表面上形成片状细粉/碱金属硅酸盐玻璃的复合膜。在这些方法中,可以获得具有耐腐蚀性和耐热性的稀土磁体。基于上述发现确定几个参数,本发明已经完成了本发明。
因此,在第一方面中,本发明提供了耐腐蚀的稀土磁体,其包含由R-T-M-B表示的稀土永磁体,其中R是包括钇的稀土元素的至少一种,T是铁或者铁和钴的混合物,并且M是选自Ti、Nb、Al、V、Mn、Sn、Ca、Mg、Pb、Sb、Zn、Si、Zr、Cr、Ni、Cu、Ga、Mo、W和Ta中的至少一种元素,并且这些元素的含量在如下范围内5重量%≤R≤40重量%、50重量%≤T≤90重量%、0重量%≤M≤8重量%,并且0.2重量%≤B≤8重量%;以及通过用包含至少一种选自Al、Mg、Ca、Zn、Si、Mn及其合金中的片状细粉和选自Al、Zr、Si和Ti中的至少一种金属溶胶的处理液体处理表面,接着加热而在所述磁体表面上形成的片状细粉/金属氧化物的复合膜。作为获得第一方面的耐腐蚀的稀土磁体的方法,本发明还提供了制造耐腐蚀的稀土磁体的方法,其包括如下步骤向稀土永磁体的表面施用包含至少一种选自Al、Mg、Ca、Zn、Si、Mn及其合金中的片状细粉以及选自Al、Zr、Si和Ti中的至少一种金属溶胶的处理液体,所述稀土永磁体由R-T-M-B表示,其中R是至少一种包括钇的稀土元素,T是铁或者铁和钴的混合物,并且M是选自Ti、Nb、Al、V、Mn、Sn、Ca、Mg、Pb、Sb、Zn、Si、Zr、Cr、Ni、Cu、Ga、Mo、W和Ta中的至少一种元素,并且这些元素的含量在如下范围内5重量%≤R≤40重量%、50重量%≤T≤90重量%、0重量%≤M≤8重量%,并且0.2重量%≤B≤8重量%;并且加热以在磁体表面上形成片状细粉/金属氧化物的复合膜。
在第二方面中,本发明提供了耐腐蚀的稀土磁体,其包含所述稀土永磁体和通过用包含至少一种选自Al、Mg、Ca、Zn、Si、Mn及其合金中的片状细粉以及硅烷和/或其部分水解产物的处理液体处理表面,接着加热而在所述磁体表面上形成的复合膜。作为获得第二方面的耐腐蚀的稀土磁体的方法,本发明还提供了制造耐腐蚀的稀土磁体的方法,其包括如下步骤向所述稀土永磁体的表面施用包含至少一种选自Al、Mg、Ca、Zn、Si、Mn及其合金中的片状细粉以及硅烷和/或其部分水解产物的处理液体,从而形成片状细粉/硅烷和/或部分水解的硅烷的处理涂层,并且加热处理涂层以在磁体表面上形成复合膜。在一个实施方案中,在用处理液体处理之前,所述稀土永磁体的表面可以接受选自酸洗、碱洗和喷砂中的至少一种预处理。
在第三方面中,本发明提供了耐腐蚀的稀土磁体,其包含所述稀土永磁体和通过用包含至少一种选自Al、Mg、Ca、Zn、Si、Mn及其合金中的片状细粉以及碱金属硅酸盐的处理液体处理表面,接着加热而在所述磁体表面上形成的片状细粉/碱金属硅酸盐玻璃的复合膜。作为获得第三方面的耐腐蚀的稀土磁体的方法,本发明还提供了制造耐腐蚀的稀土磁体的方法,其包括如下步骤向所述稀土永磁体的表面施用包含至少一种选自Al、Mg、Ca、Zn、Si、Mn及其合金中的片状细粉以及碱金属硅酸盐的处理液体,并且加热以在磁体表面上形成片状细粉/碱金属硅酸盐玻璃的复合膜。
本发明的益处根据本发明,(i)通过向稀土永磁体的表面施用包含至少一种选自Al、Mg、Ca、Zn、Si、Mn及其合金中的片状细粉以及选自Al、Zr、Si和Ti中的至少一种金属溶胶的处理液体,并且然后加热以给磁体表面提供片状细粉/金属氧化物的复合膜;或者(ii)通过向稀土永磁体的表面施用包含至少一种选自Al、Mg、Ca、Zn、Si、Mn及其合金中的片状细粉以及硅烷和/或其部分水解产物的处理液体,从而形成片状细粉/硅烷和/或部分水解的硅烷的涂层,并且将其加热以给磁体表面提供复合膜;或者(iii)通过向稀土永磁体的表面施用包含至少一种选自Al、Mg、Ca、Zn、Si、Mn及其合金中的片状细粉以及碱金属硅酸盐的处理液体,并且然后加热以给磁体表面提供片状细粉/金属硅酸盐玻璃的复合膜,可以低成本地制备具有耐热性的耐腐蚀的稀土磁体。本发明在工业上具有巨大价值。
具体实施例方式
用于本发明的稀土永磁体是由R-T-M-B表示的稀土永磁体,其中R是选自包括钇的稀土元素中的至少一种,优选钕或者占主要的钕与另外(一种或多种)稀土元素的组合,T是铁或者铁和钴的混合物,并且M是选自Ti、Nb、Al、V、Mn、Sn、Ca、Mg、Pb、Sb、Zn、Si、Zr、Cr、Ni、Cu、Ga、Mo、W和Ta中的至少一种元素,并且这些元素的含量在如下范围内5重量%≤R≤40重量%、50重量%≤T≤90重量%、0重量%≤M≤8重量%,并且0.2重量%≤B≤8重量%,典型地是Nd-Fe-B永磁体。
此处,R是包括钇的稀土元素,并且具体地说是选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种元素。R包含Nd是优选的。Nd的含量优选在5重量%≤Nd≤37重量%的范围内。R的含量在5重量%≤R≤40重量%,并且优选10重量%≤R≤35重量%的范围内。
T是铁或者铁和钴的混合物。T的含量在50重量%≤T≤90重量%,并且优选55重量%≤T≤80重量%的范围内。T中钴的比例等于或者小于10重量%是优选的。
M是选自Ti、Nb、Al、V、Mn、Sn、Ca、Mg、Pb、Sb、Zn、Si、Zr、Cr、Ni、Cu、Ga、Mo、W和Ta中的至少一种元素。M的含量在0重量%≤M≤8重量%,并且优选0重量%≤M≤5重量%的范围内。
此外,磁体包含用量为0.2重量%≤B≤8重量%,并且优选0.5重量%≤B≤5重量%的硼。
通过首先在真空或者惰性气体中,优选在氩气氛中熔化原材料金属来制备本文使用的例如Nd-Fe-B永磁体的R-T-M-B永磁体。本文使用的原材料金属包括纯的稀土元素、稀土合金、纯铁、硼铁及其合金。可以理解这些金属包含在工业制造中不能消除的偶然杂质,典型地是C、N、O、H、P和S。在所得合金中,除了R2Fe14B相外,可以留下α-Fe、富R相或者富B相等,并且可以可选地进行固溶处理。它可以是在700至1,200℃的温度下、在真空或者像氩的惰性气氛中热处理至少一小时。
然后,在粗磨和细磨成细粉的阶段中把所制备的源金属粉碎。平均颗粒尺寸可以在0.5-20微米的范围内。小于0.5微米的尺寸可能容易氧化,导致不良的磁性质。大于20微米的尺寸可能使可烧结性恶化。
然后,使用在磁场中成型的压机将细粉成型成预定的形状,接着烧结。在真空或者像氩的惰性气氛中,在900-1,200℃的温度下进行烧结至少30分钟。烧结后,在低于烧结温度的温度下时效热处理至少30分钟。
对于磁体的制造,不仅可使用上述方法,而且使用通过混合两种不同组成的合金粉末并且烧结混合物来制备高性能Nd磁体的所谓双合金方法也可以。日本专利第2853838号,日本专利第2853839号,JP-A 5-21218、JP-A 5-21219、JP-A 5-74618和JP-A 5-182814建议了通过在考虑构成磁体相的类型和特性确定两种合金的组成、并且组合它们,从而制备出具有高剩磁(或者剩余磁通量密度)、高矫顽力和高能积良好平衡的高性能Nd磁体的制备Nd磁体的方法。本文中还可以使用这些制造方法。
本文使用的永磁体包含在工业制造中不能消除的偶然杂质,典型地是C、N、O、H、P和S,但是优选总量等于或小于2重量%。大于2重量%表明在永磁体内存在更多的非磁性组分,这会减损剩磁。另外,这些杂质消耗稀土元素,导致烧结不足和更低的矫顽力。因为剩磁和矫顽力变高,所以更少量的杂质是优选的。
根据本发明,在所得永磁体的表面上进行下面的处理(i)、(ii)、(iii)中的任何一种以及它们的组合来在其上形成复合膜,获得耐腐蚀的稀土磁体。
向永磁体的表面施用包含片状细粉和金属溶胶的处理液体,然后加热以在磁体表面上形成片状细粉/金属氧化物的复合膜的处理(i)。
向永磁体的表面施用包含片状细粉以及硅烷和/或其部分水解产物的处理液体,从而形成片状细粉/硅烷和/或部分水解的硅烷的涂层,并且将其加热以在磁体表面上形成复合膜的处理(ii)。
向永磁体的表面施用包含片状细粉以及碱金属硅酸盐的处理液体,然后加热以在磁体表面上形成片状细粉/金属硅酸盐玻璃的复合膜的处理(iii)。
下面将详细地说明这些处理。
第一种处理(i)第一种处理使用包含片状细粉和金属溶胶的处理液体。此处使用的片状细粉是选自Al、Mg、Ca、Zn、Si和Mn、两种或更多种元素的合金以及它们的混合物中的至少一种金属。优选使用选自Al、Zn、Si和Mn中的金属。此处使用的片状细粉优选应该由平均长度0.1-15微米、平均厚度0.01-5微米并且作为平均长度/平均厚度给出的长厚比至少为2的形状的颗粒组成。更优选地,片状细粉具有1-10微米的平均长度、0.1-0.3微米的平均厚度和至少为10的作为平均长度/平均厚度给出的长厚比。在平均长度小于0.1微米的情况下,片状颗粒不能与下面的磁体处于平行位置,导致结合力或粘附性的损失。在平均长度大于15微米的情况下,在加热过程期间,从处理液体中蒸发出的溶剂可能提起片,从而使片不能与下面的磁体处于平行,导致涂层具有不良的结合力。另外,为了涂层的尺寸精度,平均长度优选等于或小于15微米。平均厚度小于0.01微米的片可能在片的制备阶段中在其表面上被氧化,从而涂层可能变脆并且耐腐蚀性变差。在平均厚度大于5微米的情况下,处理液体中的片的分散劣化,从而使片趋向于沉降下来或者处理液体可能变得不稳定,导致不良的耐腐蚀性。在长厚比小于2的情况下,片不能与下面的磁体处于平行,导致结合力的损失。尽管非常高的长厚比在经济方面是不可取的,但是对于长厚比没有强加上限。最通常地,长厚比的上限为100。应当理解本文使用的片状细粉是商业可获得的。例如,以商标名Z1051从Benda-Lutz获得的Zn片和以商标名Alpaste 0100M从Toyo Aluminum有限公司获得的Al片。
本文使用的片状细粉的平均长度和平均厚度通过在光学显微镜或电子显微镜下拍摄照片、测量颗粒的长度和厚度并且计算其平均值来确定。
本文使用的另一种组分是选自Al、Zr、Si和Ti中的至少一种金属溶胶。通过用添加的水或者湿气水解选自Al、Zr、Si和Ti中的至少一种金属的烷氧基化物,形成具有结合能力的部分聚合的溶胶来制备该金属溶胶。
如上所述,本文使用的溶胶是通过金属烷氧基化物的水解制备的溶胶。可以用于本发明的金属烷氧基化物具有式A(OR)a其中,A代表Al、Zr、Si或Ti,“a”是金属的价态,并且R代表1-4个碳原子的烷基。以常用的方法进行这种金属烷氧基化物的水解。
本文使用的金属烷氧基化物是商业上可获得的。为了维持溶胶的稳定,可以向溶胶中添加用量至多为溶胶液体10重量%的含硼化合物,例如硼酸或硼酸盐。有时,例如硼酸或硼酸盐的含硼化合物有助于耐腐蚀性的改善。
用作处理液体溶剂的可以是水或者有机溶剂。选择混合在处理液体中的片状细粉和金属溶胶的量,从而提供后面所述在复合膜中的片状细粉和金属氧化物的含量。
在制备处理液体中,为了改善其性能可以添加用量至多为10重量%的各种添加剂,包括分散剂、抗沉降剂、增稠剂、防沫剂、防结皮剂、干燥剂、固化剂、防流挂剂等等。另外,可以向处理液体中添加用量至多为20重量%的例如磷酸锌、亚磷酸锌、亚磷酸钙、亚磷酸铝和磷酸铝的化合物作为抑制腐蚀的颜料。这些化合物捕获从磁体和片状细粉中溶出的金属离子,并且形成不溶的配合物,从而通过钝化稳定了Nd磁体或者片状金属细颗粒的表面。
在本发明的实践中,通过浸涂或涂敷向磁体施用处理液体,之后进行热处理来固化。浸涂和涂敷技术没有特别限制。可以使用任何公知的技术来由处理液体形成涂层。优选在真空、空气或惰性气氛中维持100℃至低于500℃的加热温度至少30分钟。甚至在低于100℃的温度下也能发生固化,但是需要长的保持时间并且从生产效率的角度来看是不可取的。固化不足可能导致低的结合力和不良的耐腐蚀性。等于或高于500℃的温度可能损害下面的磁体,引起磁性降低。加热时间的上限不是关键的,但是通常约为1小时。
在形成膜时,可以重复再涂敷和热处理步骤。
通过加热,金属溶胶经过凝胶状态转化成金属氧化物。结果,处理涂层变成具有其中片状细颗粒被金属氧化物结合的结构的复合膜。尽管为什么片状细粉/金属氧化物复合膜表现出高的耐腐蚀性的原因不十分理解,但是相信片状的细颗粒通常与下面的磁体处于平行并且完全覆盖磁体,实现了阻挡物的作用。当使用电势比永磁体更负的金属或合金作为片状细粉时,发挥了所谓的牺牲防腐作用,这些颗粒优先被氧化,从而限制了下面的磁体的氧化。所形成的复合膜具有无机特性并且具有高的耐热性是另一个优点。
在如此形成的复合膜中,优选存在至少40重量%、更优选至少45重量%、再更优选至少50重量%、并且最优选至少60重量%的片状细粉。适当选择粉含量的上限,但是其优选最多99.9重量%,更优选99重量%,并且最优选最多95重量%。低于40重量%的细粉可能太少而不能完全覆盖下面的磁体,导致耐腐蚀性的下降。
在如此形成的复合膜中,优选存在至少0.1重量%、更优选至少1重量%,并且最优选至少5重量%的金属氧化物。上限优选最多60重量%,更优选最多55重量%,再更优选最多50重量%,并且最优选最多40重量%。低于0.1重量%的金属氧化物表明结合组分的量太小,这会导致结合力不足。多于60重量%会降低耐腐蚀性。
如果片状细粉和金属氧化物的总量没有达到复合膜的100重量%,其余部分由上述添加剂和/或抑制腐蚀的颜料组成。
在本发明中形成的复合膜具有在1-40微米的范围内、优选在5-25微米的范围内的厚度是希望的。小于1微米可能导致耐腐蚀性的不足,而大于40微米可能导致更低的结合力并且倾向于脱层。膜厚的进一步增加因为降低了相同轮廓形状可获得的R-Fe-B永磁体的体积而会对磁体的使用带来不利。
第二种处理(ii)第二种处理使用包含片状细粉和硅烷和/或其部分水解产物的处理液体。此处使用的片状细粉是选自Al、Mg、Ca、Zn、Si和Mn、两种或更多种元素的合金以及它们的混合物中的至少一种金属。另外,在其形状(平均长度、平均厚度、长厚比)等方面,片状细粉与第一种处理(i)中使用的相同。
另一种组分是硅烷,其优选选自烷氧基硅烷,更优选三烷氧基硅烷和二烷氧基硅烷,并且最优选包含官能团的有机烷氧基硅烷或者通式如下的硅烷偶联剂R2R33-aSi(OR1)a其中,“a”是2或3;R1是1-4个碳原子的烷基;R2选自2-10个碳原子的有机基团,包括例如乙烯基和烯丙基的烯基,含环氧的烷基和含(甲基)丙烯酰氧的烷基;并且R3选自与对R2定义相同的有机基团、1-6个碳原子的烷基,例如甲基、乙基和丙基以及苯基。
硅烷的示例性实例包括乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷,作为单独一种或者两种或多种的混合物。此处可以使用的硅烷是可商购的。
硅烷用热处理液体中的水或者湿气部分水解,从而将烷氧基转化成硅烷醇基团,产生结合能力。当此处形成的硅烷醇基团的比例变高时,结合能力变好,但是处理液体自身变得不太稳定。在JP-A 58-80245等中描述了,当向处理液体中添加用量至多为10重量%的含硼化合物,例如硼酸或硼酸盐时,部分形成Si-O-B连接,有助于处理液体的稳定。另外,在本发明中,可以在上面定义的范围内使用例如硼酸或硼酸盐的含硼化合物。在一些情况中,例如硼酸或硼酸盐的含硼化合物还有助于耐腐蚀性的改善。
用于处理液体溶剂的可以是水或者有机溶剂。选择处理液体中混合的片状细粉和硅烷和/或部分水解的硅烷的量,从而在后面所述的复合膜中提供片状细粉和硅烷和/或部分水解的硅烷的缩合物的含量。
在制备处理液体中,为了改善性能目的,例如改善膜的耐腐蚀性或者改善处理液体的稳定性,可以添加用量至多为10重量%的各种添加剂,包括分散剂、抗沉降剂、增稠剂、防沫剂、防结皮剂、干燥剂、固化剂、防流挂剂等等。另外,可以向处理液体中添加用量至多为20重量%的例如磷酸锌、亚磷酸锌、亚磷酸钙、亚磷酸铝和磷酸铝的化合物作为抑制腐蚀的颜料。这些化合物捕获从磁体和片状细粉中溶出的金属离子,并且形成不溶配合物,从而通过钝化稳定了Nd磁体或者片状金属细颗粒的表面。
在本发明的实践中,通过浸涂或涂敷向磁体施用处理液体,之后进行热处理来固化。浸涂和涂敷技术没有特别限制。可以使用任何公知的技术来由处理液体形成涂层。优选在真空、空气或惰性气氛中维持100℃至低于500℃的加热温度至少30分钟。加热温度更优选从200℃至450℃并且甚至更优选从250℃至400℃。甚至在低于100℃的温度下也能发生固化,但是需要长的保持时间并且从生产效率的立场来看是不需要和不希望。固化不足可能导致低的结合力和不良的耐腐蚀性。等于或高于500℃的温度可能损害下面的磁体,引起磁性降低。加热时间的上限不是关键的,但是通常约为1小时。
在形成膜时,可以重复再涂敷和热处理步骤。
作为加热的结果,涂层变成具有其中片状细颗粒被硅烷和/或部分水解的硅烷的缩合物反应结合的结构的复合膜。尽管为什么片状细粉/硅烷和/或部分水解的硅烷复合膜表现出高的耐腐蚀性的原因不十分理解,但是相信片状的细颗粒通常与下面的磁体处于平行并且完全覆盖磁体,实现了阻挡物的作用。当使用电势比永磁体更负的金属或合金作为片状细粉时,发挥了所谓的牺牲防腐作用,这些颗粒优先被氧化,从而限制了下面的磁体的氧化。所形成的复合膜具有无机特性并且具有高的耐热性是另一个优点。
在如此形成的复合膜中,优选存在至少40重量%、更优选至少45重量%、再更优选至少50重量%、并且最优选至少60重量%的片状细粉。适当选择粉含量的上限,但是其优选最多99.9重量%,更优选99重量%,并且最优选最多95重量%。低于40重量%的细粉可能太少而不能完全覆盖下面的磁体,导致耐腐蚀性的下降。
在如此形成的复合膜中,优选存在至少0.1重量%、更优选至少1重量%,并且最优选至少5重量%的硅烷和/或部分水解的硅烷的缩合物。上限优选最多60重量%,更优选最多55重量%,再更优选最多50重量%,并且最优选最多40重量%。低于0.1重量%的缩合物表明结合组分的量太小,这会导致结合力不足。多于60重量%会降低耐腐蚀性。
如果片状细粉和硅烷和/或部分水解的硅烷的缩合物的总量没有达到复合膜的100重量%,其余部分由上述添加剂和/或抑制腐蚀的颜料组成。
在本发明中形成的复合膜希望具有在1-40微米的范围内、优选在5-25微米的范围内的厚度。小于1微米可能导致耐腐蚀性的不足,而大于40微米可能导致更低的结合力并且倾向于脱层。膜厚的进一步增加因为降低了相同轮廓形状可获得的R-Fe-B永磁体的体积而会对磁体的使用带来不利。
第三种处理(iii)第三种处理使用包含片状细粉和碱金属硅酸盐的热处理液体。此处使用的片状细粉与第一处理(i)中使用的相同。
另一种组分是碱金属硅酸盐,其优选是选自硅酸锂、硅酸钠、硅酸钾和硅酸铵中的至少一种。这些碱金属硅酸盐都是可商购的。
用于处理液体溶剂的可以是水。选择处理液体中混合的片状细粉和碱金属硅酸盐的量,从而在后面所述的复合膜中提供片状细粉和碱金属硅酸盐玻璃的含量。
在制备处理液体中,为了改善其性能,可以添加用量至多为10重量%的各种添加剂,包括分散剂、抗沉降剂、增稠剂、防沫剂、防结皮剂、干燥剂、固化剂、防流挂剂等等。另外,可以向处理液体中添加用量至多为20重量%的例如磷酸锌、亚磷酸锌、亚磷酸钙、亚磷酸铝和磷酸铝的化合物作为抑制腐蚀的颜料。这些化合物捕获从磁体和片状细粉中溶出的金属离子,并且形成不溶配合物,从而通过钝化稳定了Nd磁体或者片状金属细颗粒的表面。
在本发明的实践中,通过浸涂或涂敷向磁体施用处理液体,之后进行热处理来固化。浸涂和涂敷技术没有特别限制。可以使用任何公知的技术来由处理液体形成涂层。优选在真空、空气或惰性气氛中维持100℃至低于500℃的加热温度至少30分钟。甚至在低于100℃的温度下也能发生固化,但是需要长的保持时间并且从生产效率的角度来看是不可取的。固化不足可能导致低的结合力和不良的耐腐蚀性。等于或高于500℃的温度可能损害下面的磁体,引起磁性降低。加热时间的上限不是关键的,但是通常约为1小时。
在形成膜时,可以重复再涂敷和热处理步骤。
通过加热,将碱金属硅酸盐转化成碱金属硅酸盐玻璃。结果,处理涂层变成具有其中片状细颗粒由碱金属硅酸盐玻璃结合的结构的复合膜。尽管为什么片状细粉/碱金属硅酸盐玻璃复合膜表现出高的耐腐蚀性的原因不十分理解,但是相信片状的细颗粒通常与下面的磁体处于平行并且完全覆盖磁体,实现了阻挡物的作用。当使用电势比永磁体更负的金属或合金作为片状细粉时,发挥了所谓的牺牲防腐作用,这些颗粒优先被氧化,从而限制了下面的磁体的氧化。所形成的复合膜具有无机特性并且具有高的耐热性是另一个优点。
在如此形成的复合膜中,优选存在至少40重量%、更优选至少45重量%、再更优选至少50重量%、并且最优选至少60重量%的片状细粉。适当选择粉含量的上限,但是其优选最多99.9重量%,更优选99重量%,并且最优选最多95重量%。低于40重量%的细粉可能太少而不能完全覆盖下面的磁体,导致耐腐蚀性的下降。
在如此形成的复合膜中,优选存在至少0.1重量%、更优选至少1重量%,并且最优选至少5重量%的碱金属硅酸盐玻璃。上限优选最多60重量%,更优选最多55重量%,再更优选最多50重量%,并且最优选最多40重量%。低于0.1重量%的碱金属硅酸盐玻璃表明结合组分的量太小,这会导致结合力不足。多于60重量%会降低耐腐蚀性。
如果片状细粉和碱金属硅酸盐玻璃的总量没有达到复合膜的100重量%,其余部分由上述添加剂和/或抑制腐蚀的颜料组成。
在本发明中形成的膜希望具有在1-40微米的范围内、优选在5-25微米的范围内的厚度。小于1微米可能导致耐腐蚀性的不足,而大于40微米可能导致更低的结合力并且倾向于脱层。膜厚的进一步增加因为降低了相同轮廓形状可获得的R-Fe-B永磁体的体积而会对磁体的使用带来不利。
应当理解在本发明的实践中,在上述处理(i)、(ii)或(iii)之前可以对磁体的表面进行预处理。预处理是选自酸洗、碱洗和喷砂中的至少一种处理。具体地说,进行选自(1)酸洗+水洗+超声清洗、(2)碱洗+水洗、(3)喷砂、以及其它处理中至少一种预处理。
在预处理(1)中使用的清洗液体是包含总量为1-20重量%的选自硝酸、盐酸、乙酸、柠檬酸、甲酸、硫酸、氢氟酸、高锰酸、草酸、羟基乙酸和磷酸中的至少一种酸的水溶液。可以将稀土磁体浸泡在保持在常温至80℃的温度下的该清洗液体中。酸洗除去表面上的氧化物层并且帮助改善复合膜的结合力。
在预处理(2)中使用的清洗液体是包含总量为5-200克/升的选自氢氧化钠、碳酸钠、原硅酸钠、硅酸钠、磷酸三钠、氰化钠和螯合剂中的至少一种的水溶液。可以将稀土磁体浸泡在保持在常温至90℃的温度下的该清洗液体中。碱洗有效地除去已经附着到磁体表面上的油和脂类污染物并且帮助改善复合膜与磁体之间的结合力。
在预处理(3)中使用的喷砂材料可以是普通陶瓷、玻璃和塑料。可以在2-3kgf/cm2的排放压力下进行处理。喷砂以干法除去了磁体表面上的氧化物层并且帮助改善结合力。
实施例下面给出了实施例和比较实施例来进行阐述,但是本发明不局限于此。
应当指出通过在光学显微镜下拍照、测量20个颗粒的长度和厚度并且计算其平均值来确定片状细粉的平均长度和平均厚度。
通过切割上面具有所形成的膜的磁体样品、抛光断面并且在光学显微镜下观察清洁的断面来确定复合膜的厚度。
试验片在氩气氛中高频熔化,接着铸造,从而形成组成如下的铸锭重量比32Nd-1.2B-59.8Fe-7Co。在颚式破碎机中粗磨,然后在使用氮气的喷射磨上细磨,得到平均颗粒尺寸为3.5微米的细粉。然后,在施加的10kOe的磁场下将细粉填入模具中并且在1.0t/cm2的压力下成型。然后,在真空中于1,100℃下烧结2小时并且在550℃下时效处理1小时,制得永磁体。从该永磁体中切出直径21毫米且厚度5毫米的磁体盘。接着转筒式抛光并且超声水洗,得到试验片。
实施例1-4作为形成膜的处理液体,通过在表1中列出的金属烷氧基化物的水解溶液中分散铝片和锌片来制备溶胶。金属烷氧基化物(溶胶)的水解溶液已经通过在作为催化剂的摩尔浓度为1的1重量%盐酸的存在下搅拌50重量%金属烷氧基化物、44重量%乙醇和5重量%去离子水的混合物来制备。此时调节处理液体,使复合膜固化时可包含8重量%的铝片(平均长度3微米、平均厚度0.2微米)和80重量%的锌片(平均长度3微米、平均厚度0.2微米)。通过喷枪将该处理液体喷到试验片上,使复合膜可具有10微米的厚度,然后在热空气干燥炉中于300℃在空气中加热30分钟,形成膜。固化时的复合膜具有上面所描述的铝和锌的含量,而其余部分是源于表1中列出的金属烷氧基化物的水解溶液(溶胶)的氧化物。
使如此制备的样品接受如下所述的性能测试。结果表示在表1中。
(1)盐雾试验根据JIS Z-2371的中性盐水喷雾试验。当在35℃下连续喷雾5%食用盐水溶液时,测量直至产生棕色锈过去的时间作为评价指标。
(2)350℃/4小时加热后的膜的外观在350℃下将膜加热4小时,之后视觉检查外观上的任何变化。
表1

比较实施例1-4为了比较,在控制得到10微米膜厚下,通过铝离子镀、镀镍和环氧树脂涂敷在试验片上形成膜来制备样品。在这些样品上进行盐雾试验。另外,在350℃加热膜4小时,之后视觉检查外观上的任何变化。结果表示在表2中。可以看出,与其它表面处理的永磁体相比,本发明的永磁体具有耐腐蚀性和耐热性。
表2

实施例5-9在仅改变膜厚下使用实施例3中的处理液体制备样品。对这些样品进行划格法附着性实验和盐雾试验。结果表示在表3中。太薄的膜可能缺乏耐腐蚀性,而太厚的膜可能具有不良的附着。
划格法附着性实验如下(3)划格法附着性实验根据JIS K-5400的划格法附着性实验。通过切割刀以格子状切割膜来限定100块1毫米的方形部分,向其上面用力粘上玻璃纸胶带、以45℃的角度猛地拉开胶带,并且计数剩下部分的数量来评价附着性。
表3

实施例10-12除了改变复合膜中片状细粉的含量外,按照实施例2制备样品。对这些样品进行盐雾试验。处理液体中包含的片状细粉是重量比为1∶10的片状铝粉和片状锌粉(平均长度3微米、平均厚度0.2微米)的粉末混合物。确定处理液体中粉末混合物的重量百分数,从而使复合膜中的片状细粉的含量可具有如表4中所示的值。应当指出复合膜中片状细粉以外的剩余部分是源于实施例2中所述的溶胶的氧化物。盐雾试验的结果如表4中所示。进行调节,使膜厚为10微米。片状细粉比例太低的膜可能具有不良的耐腐蚀性。
表4

实施例13-25
除了改变片状细粉的形状外,按照实施例1制备样品。对这些样品进行划格法附着性实验和盐雾试验。进行调节,使膜厚为10微米。结果如表5中所示。从实施例13-17中看出,如果平均长度太短或太长,附着性可能变差。从实施例18-22中还看出,如果平均厚度太小或太大,耐腐蚀性可能变差。从实施例23-25中还看出,如果长厚比太低,附着性可能变差。
表5

实施例26-29除了在用处理液体处理之前进行如下所述的预处理外,按照与实施例1相同的程序制备样品。
酸洗组成10体积%硝酸+5体积%硫酸在50℃下浸泡30秒碱洗组成10克/升氢氧化钠、3克/升硅酸钠、10克/升磷酸三钠、8克/升碳酸钠、2克/升表面活性剂在40℃下浸泡2分钟喷砂在2kgf/cm2的排放压力下喷出氧化铝#220。
在120℃、2大气压下使上面形成了膜的磁体接受加压蒸煮器试验(PCT)200小时,之后进行划格法附着性实验。结果表示在表6中。可见通过预处理改善了结合力。
表6

实施例30-39作为形成膜的处理液体,通过与表7中列出的硅烷一起在水中分散铝片和锌片来制备分散体。此时调节处理液体,使复合膜固化时可包含8重量%的铝片(平均长度3微米、平均厚度0.2微米)和80重量%的锌片(平均长度3微米、平均厚度0.2微米)。通过喷枪将该处理液体喷到试验片上,使复合膜可具有10微米的厚度,然后在热空气干燥炉中于300℃在空气中加热30分钟,形成膜。固化时复合膜具有上面所描述的铝和锌的含量,而其余部分是硅烷和/或部分水解的硅烷缩合物。
使如此制备的样品接受与实施例1-4中相同的性能测试[(1)盐雾试验和(2)在350℃/4小时加热后膜的外观]。结果表示在表7中。
表7

实施例40-44在仅改变膜厚下使用实施例32中的处理液体制备样品。同实施例5至9一样,对这些样品进行划格法附着性实验和盐雾试验。结果如表8所示,太薄的膜可能缺乏耐腐蚀性,而太厚的膜可能具有不良的附着性。
表8

实施例45-47除了改变复合膜中片状细粉的含量外,按照实施例32制备样品。对这些样品进行盐雾试验。处理液体中包含的片状细粉是重量比为1∶10的片状铝粉和片状锌粉(均为平均长度3微米、平均厚度0.2微米)的粉末混合物。确定处理液体中粉末混合物的重量百分数,从而使复合膜中的片状细粉的含量可具有如表9中所示的值。应当指出,复合膜中片状细粉以外的剩余部分是源于实施例32中所述硅烷的硅烷和/或部分水解的硅烷的缩合物。盐雾试验的结果如表9中所示。进行调节,使膜厚为10微米。片状细粉比例太低的膜可能具有不良的耐腐蚀性。
表9

实施例48-60除了改变片状细粉的形状外,按照实施例30制备样品。对这些样品进行划格法附着性实验和盐雾试验。进行调节,使膜厚为10微米。结果如表10中所示。从实施例48-52中看出,如果平均长度太短或太长,附着性可能变差。从实施例53-57中还看出,如果平均厚度太小或太大,耐腐蚀性可能变差。从实施例58-60中看出,如果长厚比太低,附着性可能变差。
表10

实施例61-64除了在用处理液体处理之前进行如下所述的预处理外,按照与实施例30相同的程序制备样品。
酸洗组成10体积%硝酸+5体积%硫酸在50℃下浸泡30秒碱洗组成10克/升氢氧化钠、3克/升硅酸钠、10克/升磷酸三钠、8克/升碳酸钠、2克/升表面活性剂在40℃下浸泡2分钟喷砂在2kgf/cm2的排放压力下喷出氧化铝#220。
在120℃、2大气压下使上面形成了膜的磁体接受加压蒸煮器试验(PCT)200小时,之后进行划格法附着性实验。结果表示在表11中。可见通过预处理改善了结合力。
表11

实施例65-68作为形成膜的处理液体,通过在表12中列出的碱金属硅酸盐中分散铝片和锌片来制备分散体。此时调节处理液体,使复合膜固化时可包含8重量%的铝片(平均长度3微米、平均厚度0.2微米)和80重量%的锌片(平均长度3微米、平均厚度0.2微米)。通过喷枪将该处理液体喷到试验片上,使复合膜可具有10微米的厚度,然后在热空气干燥炉中于300℃在空气中加热30分钟,形成膜。固化时的复合膜具有上面所描述的铝和锌的含量,而其余部分是源自表12中所列的碱金属硅酸盐的碱金属硅酸盐玻璃。
使如此制备的样品接受与实施例1-4中相同的性能测试[(1)盐雾试验和(2)在350℃/4小时加热后膜的外观]。结果表示在表12中。
表12

实施例69-73在仅改变膜厚下使用实施例65中的处理液体制备样品。同实施例5至9一样,对这些样品进行划格法附着性实验和盐雾试验。结果如13所示,太薄的膜可能缺乏耐腐蚀性,而太厚的膜可能具有不良的附着性。
表13

实施例74-76除了改变复合膜中片状细粉的含量外,按照实施例65制备样品。对这些样品进行盐雾试验。处理液体中包含的片状细粉是重量比为1∶10的片状铝粉和片状锌粉(均为平均长度3微米、平均厚度0.2微米)的粉末混合物。确定处理液体中粉末混合物的重量百分数,从而使复合膜中的片状细粉的含量具有如表14中所示的值。应当指出,复合膜中片状细粉以外的剩余部分是源于实施例65中所述碱金属硅酸盐的碱金属硅酸盐玻璃。盐雾试验的结果如表14中所示。进行调节,使膜厚为10微米。片状细粉比例太低的膜可能具有不良的耐腐蚀性。
表14

实施例77-89除了改变片状细粉的形状外,按照实施例65制备样品。对这些样品进行划格法附着性实验和盐雾试验。进行调节,使膜厚为10微米。结果如表15中所示。从实施例77-81中看出,如果平均长度太短或太长,附着性可能变差。从实施例82-86中还看出,如果平均厚度太小或太大,耐腐蚀性可能变差。从实施例87-89中看出,如果长厚比太低,附着性可能变差。
表15

实施例90-93除了在用处理液体处理之前进行如下所述的预处理外,按照与实施例65相同的程序制备样品。
酸洗组成10体积%硝酸+5体积%硫酸在50℃下浸泡30秒碱洗组成10克/升氢氧化钠、3克/升硅酸钠、10克/升磷酸三钠、8克/升碳酸钠、2克/升表面活性剂在40℃下浸泡2分钟喷砂在2kgf/cm2的排放压力下喷出氧化铝#220。
在120℃、2大气压下使上面形成了膜的磁体接受加压蒸煮器试验(PCT)200小时,之后进行划格法附着性实验。结果表示在表16中。可见通过预处理改善了结合力。
表16

权利要求
1.一种耐腐蚀的稀土磁体,其包括由R-T-M-B表示的稀土永磁体,其中R是包括钇的稀土元素中的至少一种,T是铁或者铁和钴的混合物,并且M是选自Ti、Nb、Al、V、Mn、Sn、Ca、Mg、Pb、Sb、Zn、Si、Zr、Cr、Ni、Cu、Ga、Mo、W和Ta中的至少一种元素,并且这些元素的含量在如下范围内5重量%≤R≤40重量%、50重量%≤T≤90重量%、0重量%≤M≤8重量%,并且0.2重量%≤B≤8重量%,以及通过用包含至少一种选自Al、Mg、Ca、Zn、Si、Mn及其合金中的片状细粉以及选自Al、Zr、Si和Ti中的至少一种金属溶胶的处理液体处理表面,接着加热而在所述磁体表面上形成的片状细粉/金属氧化物的复合膜。
2.根据权利要求1的耐腐蚀的稀土磁体,其中所述制成复合膜的片状细粉由具有平均长度0.1-15微米、平均厚度0.01-5微米并且作为平均长度/平均厚度给出的长厚比至少为2的形状的颗粒组成,并且复合膜存在用量至少为40重量%的所述片状细粉。
3.根据权利要求1或2的耐腐蚀的稀土磁体,其中所述金属溶胶通过选自Al、Zr、Si和Ti中的金属的烷氧基化物的水解来制备。
4.一种制备耐腐蚀的稀土磁体的方法,其包括如下步骤向稀土永磁体的表面施用包含至少一种选自Al、Mg、Ca、Zn、Si、Mn及其合金中的片状细粉以及选自Al、Zr、Si和Ti中的至少一种金属溶胶的处理液体,所述稀土永磁体由R-T-M-B表示,其中R是包括钇的稀土元素中的至少一种,T是铁或者铁和钴的混合物,并且M是选自Ti、Nb、Al、V、Mn、Sn、Ca、Mg、Pb、Sb、Zn、Si、Zr、Cr、Ni、Cu、Ga、Mo、W和Ta中的至少一种元素,并且这些元素的含量在如下范围内5重量%≤R≤40重量%、50重量%≤T≤90重量%、0重量%≤M≤8重量%,并且0.2重量%≤B≤8重量%;以及加热,从而在该磁体表面上形成片状细粉/金属氧化物的复合膜。
5.根据权利要求4的制备耐腐蚀的稀土磁体的方法,其进一步包括在施用步骤之前使稀土永磁体表面接受选自酸洗、碱洗和喷砂中的至少一种预处理的步骤。
6.一种耐腐蚀的稀土磁体,其包括由R-T-M-B表示的稀土永磁体,其中R是包括钇的稀土元素中的至少一种,T是铁或者铁和钴的混合物,并且M是选自Ti、Nb、Al、V、Mn、Sn、Ca、Mg、Pb、Sb、Zn、Si、Zr、Cr、Ni、Cu、Ga、Mo、W和Ta中的至少一种元素,并且这些元素的含量在如下范围内5重量%≤R≤40重量%、50重量%≤T≤90重量%、0重量%≤M≤8重量%,并且0.2重量%≤B≤8重量%,以及通过用包含至少一种选自Al、Mg、Ca、Zn、Si、Mn及其合金中的片状细粉以及硅烷和/或其部分水解产物的处理液体处理表面,接着加热而在所述磁体表面上形成的复合膜。
7.根据权利要求6的耐腐蚀的稀土磁体,其中所述硅烷是三烷氧基硅烷或二烷氧基硅烷。
8.根据权利要求6或7的耐腐蚀的稀土磁体,其中所述制成复合膜的片状细粉由具有平均长度0.1-15微米、平均厚度0.01-5微米并且作为平均长度/平均厚度给出的长厚比至少为2的形状的颗粒组成,并且复合膜存在用量至少为40重量%的所述片状细粉。
9.根据权利要求6、7或8的耐腐蚀的稀土磁体,其中所述复合膜的厚度为1-40微米。
10.一种制备耐腐蚀的稀土磁体的方法,其包括如下步骤向稀土永磁体的表面施用包含至少一种选自Al、Mg、Ca、Zn、Si、Mn及其合金中的片状细粉以及硅烷和/或其部分水解产物的处理液体,从而形成片状细粉/硅烷和/或部分水解的硅烷的处理涂层,所述稀土永磁体由R-T-M-B表示,其中R是包括钇的稀土元素中的至少一种,T是铁或者铁和钴的混合物,并且M是选自Ti、Nb、Al、V、Mn、Sn、Ca、Mg、Pb、Sb、Zn、Si、Zr、Cr、Ni、Cu、Ga、Mo、W和Ta中的至少一种元素,并且这些元素的含量在如下范围内5重量%≤R≤40重量%、50重量%≤T≤90重量%、0重量%≤M≤8重量%,并且0.2重量%≤B≤8重量%;以及加热该处理涂层,从而在该磁体表面上形成复合膜。
11.根据权利要求10的制备耐腐蚀的稀土磁体的方法,其进一步包括在施用步骤之前使稀土永磁体表面接受选自酸洗、碱洗和喷砂中的至少一种预处理的步骤。
12.一种耐腐蚀的稀土磁体,其包括由R-T-M-B表示的稀土永磁体,其中R是包括钇的稀土元素中的至少一种,T是铁或者铁和钴的混合物,并且M是选自Ti、Nb、Al、V、oMn、Sn、Ca、Mg、Pb、Sb、Zn、Si、Zr、Cr、Ni、Cu、Ga、Mo、W和Ta中的至少一种元素,并且这些元素的含量在如下范围内5重量%≤R≤40重量%、50重量%≤T≤90重量%、0重量%≤M≤8重量%,并且0.2重量%≤B≤8重量%,以及通过用包含至少一种选自Al、Mg、Ca、Zn、Si、Mn及其合金中的片状细粉以及碱金属硅酸盐的处理液体处理表面,接着加热而在所述磁体表面上形成的复合膜。
13.根据权利要求12的耐腐蚀的稀土磁体,其中所述碱金属硅酸盐是选自硅酸锂、硅酸钠、硅酸钾、硅酸铵及其混合物中的至少一种。
14.根据权利要求12的耐腐蚀的稀土磁体,其中所述制成复合膜的片状细粉由具有平均长度0.1-15微米、平均厚度0.01-5微米并且作为平均长度/平均厚度给出的长厚比至少为2的形状的颗粒组成,并且复合膜存在用量至少为40重量%的所述片状细粉。
15.一种制备耐腐蚀的稀土磁体的方法,其包括如下步骤向稀土永磁体的表面施用包含至少一种选自Al、Mg、Ca、Zn、Si、Mn及其合金中的片状细粉以及碱金属硅酸盐的处理液体,所述稀土永磁体由R-T-M-B表示,其中R是包括钇的稀土元素的至少一种,T是铁或者铁和钴的混合物,并且M是选自Ti、Nb、Al、V、Mn、Sn、Ca、Mg、Pb、Sb、Zn、Si、Zr、Cr、Ni、Cu、Ga、Mo、W和Ta中的至少一种元素,并且这些元素的含量在如下范围内5重量%≤R≤40重量%、50重量%≤T≤90重量%、0重量%≤M≤8重量%,并且0.2重量%≤B≤8重量%;以及加热,从而在磁体表面上形成片状细粉/碱金属硅酸盐的复合膜。
16.根据权利要求15的制备耐腐蚀的稀土磁体的方法,其进一步包括在施用步骤之前使稀土永磁体表面接受选自酸洗、碱洗和喷砂中的至少一种预处理的步骤。
全文摘要
本发明通过(i)向R-T-M-B稀土永磁体的表面施用包含片状细粉和金属溶胶的处理液体,然后加热,在磁体表面上形成片状细粉/金属氧化物的复合膜;(ii)向R-T-M-B稀土永磁体的表面施用包含片状细粉以及硅烷和/或其部分水解产物的处理液体,然后加热片状细粉/硅烷和/或部分水解的硅烷涂层,从而在磁体表面上形成复合膜;或者(iii)向R-T-M-B稀土永磁体的表面施用包含片状细粉和碱金属硅酸盐的处理液体,然后加热,从而在磁体表面上形成片状细粉/金属硅酸盐玻璃的复合膜制备出耐腐蚀的稀土磁体。
文档编号B22F1/00GK1934660SQ20058000904
公开日2007年3月21日 申请日期2005年6月28日 优先权日2004年6月30日
发明者浜田隆二, 美浓轮武久 申请人:信越化学工业株式会社
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