Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体的制造方法和发光器件的制造方法

专利名称：Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体的制造方法和发光器件的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种m-v族氮化物半导体的制造方法和发光器件的制造方法。
技术背景广泛用于蓝色LED等以InxGayAlzN (OSxSl、 0^y^l、 0^z^l、 x+y+^1)式表示的m-v族氮化物半导体， 一般地说，是使竊生长用mh生长棘的。生 长用對反(下面，简称为繊)通常题宝石，m-v族氮化物半导体是在蓝宝石Sfeil用有机金属气相生长(MOVPE) S取向附生的方法制成的。III-V族氮化物半导体随着广泛地使用于LED,就要求高的发光输出功率。作为显示高发光输出功率的发光器件，提出了没有蓝宝石繊的ni-v族氮化 物半导体。如果从由蓝宝石基板、该 ±含有GaN层的III-V族氮化物半导体层以及其上的两个电极构成的现有m- v族氮化物半导体发光器件中删除蓝宝石凝反，则 发光器件不会存在由于蓝宝石繊弓胞的散热的阻碍，能够驱动高电流密度，呈 现高的发光输出功率。另外，不存在由蓝宝石繊弓胞的通电的妨碍，可以制造 in- v族氮化物半导体层两端设置有电极的fct发光器件，可以期待发光器件结构 的自由度的提高。人们正在研究无蓝宝石基板的in-v族氮化物半导体制造方法。可是，由于 in-v族氮化物半导体难以生长大块晶体，因此自域鎌，特别是导电性自站 的:》制造方法还没有得以实用化，也没有开发制顿自诚對及的m-v族 氮化物半导体的制造方法。相反，提出了各种在蓝宝石對肚生长m-v族氮化物半导体，然后分离s^反的III-V族氮化物半导体制造方法(日本特表2001-501778号公报、日本特开 2001-176813号公报)。然而，这些公报记载的方法，不可能分离m-v族氮化物半导体与基板，或者 分离工序中存在损伤m-v族氮化物半导体而不能获得显示足够发光输出功率的发光器件。发明内容本发明的目的在于提供一种适合发光器件使用的无 的111-V族氮化物半 导体的制造方法和发光器件的制造方法。本发明人为解决战课题，研究了ni-v族氮化物半导体制造方法，结果完成 了本发明。艮p，本发明掛共按劍,包括工序(i)、 (ii)和(in)的ni-v族氮化物半导 体制造方法。(i) 在 ±翻己置无机粒子的工序；(ii) 使半导体层生长的工序；以及(iii) 向鎌与半导体层之间照射光，将離与半导体层分离的工序。 本发明掛共按询i(W包括工序(i)、 (ii)、 (m)和(iv)的发光器件制造方法。(iv) 形成电极的工序。


图i表示本发明的ni-v族氮化物半导体制造方法的示例。图2表示用本发明的帝隨方法所得的ni-v族氮化物半导体层结构。图3表示本发明的发光器件制造方法的示例。符号说明ia鎌的表面1B半导体层的成长范围2无机粒子3半导体层(ni-v族氮化物) ii繊12缓冲层13 n型层 14活條 14A 14F阻挡层 14G 14J井层14K盖层 15 p型层 21繊 22无机粒子23半导体层(m-v族氮化物)24 p电极25密接性向上层26粘合层27导电性支撑体28 n电极具体实施方式
III- V族氮化物半导体的制造方法本发明的III-V族氮化物半导体制造方法，包括在Sfel:翻B置无机粒子的工 序(i)。鎌例如，包括蓝宝石、SiC、 Si、 MgAl204、 LiTa03、 ZrB2、 CrB2、 GaN或鹿。如后戶腿，繊是光翻性的，繊与m-v族氮化物半导体的界面附近能够有效地传导热能。从这个角度看， 较好的是蓝宝石、GaN、 A1N，最好的 是蓝宝石。从与III-V族氮化物半导体的反应性能、热膨胀系,、高温下的稳定 性、取得晶片的容易禾號等方面的角度看，繊较好的是蓝宝石、SiC，最好是 蓝宝石。从这些角度出发，繊为蓝宝石是特别理想的。无机粒子例如包,化物、氮化物、碳化物、硼化物、硫化物、硒化物以及金属。氧化物是二氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化钛、氧化铈、氧化锌、氧化锡以 及紀铝石榴石(YAG)等。氮化物是氮化硅、氮化铝、氮化硼等。碳化物是碳化硅(SiC)、碳化硼、金刚石、石墨、富勒烯类等。 硼化物是硼化锆(ZrB2)、硼化铬(Qfi2)等。 離物是硫化锌、硫化镉 硫化钙、硫化锶等。 硒化物是硒化锌、硒化镉等。氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硫化物、硒化物中，也可以用其它元素 部分置换其中所含有的元素。作为以其它元素部分置换氧化物中所含元素后的例 子，可以举出含有铈和铕作为活化齐啲硅離和铝麟的荧光体。金属方面可以举出硅(Si)、镍(Ni)、钨(W)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、 镁(Mg)、转(Ca)、铝(Al)、金(Au)、银(Ag)以及锌(Zn)。当加热处理时，无机粒子可以为，的氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、 硫化物、硒化物以及构成为金属的材料，例如，也可以是硅酮(silicone)。硅酮 具有Si-O-Si的无机键作为主结构，是Si中有有机取代基结构的聚合物，加热到 约500。C下处理时舰了二氧化硅。无机粒子可以是由战一种无机物构成的粒子，或者由它们的混合物或复合 物的任何一种。由一种无机物构成的无机粒子，较好为氧化物，最好为二氧化硅 构成。无机粒子的形状也可以为球状(例如，咅晒为圆形、椭圆形)、板状(长度L 与厚度T的长高比L/T为1.5 100)、针状(例如，宽度W与长度L之比L/W为 1.5 100)或不定形(包括各种形状的粒子，作为全体的皿不规则)，理想的是 球状。因此，无机粒子最好是球状二氧化硅。就球状二氧化硅而言，从容易得到 单分散、粒径比M齐的角度出发，推荐iOT含有胶态二氧化硅的。胶态二氧化硅是二氧化硅粒子在溶剂(水等)中分tM^状的物质，可M31离子交皿M的方法、加水懒军原硅酸四乙酯(TEOS)这样的有机硅化合物的方法得到。无机粒子的平均粒径一般是5nm以上、^l子的是10nm以上、最好的是20nm 以上，而且一般是50Mm以下、^1(子的是10Mm以下、最好的是1mhi以下。只要 在平均粒径范围内，也可以混合使用不同粒径的无机粒子。平均粒径是用离心沉 降法测定的体积平均粒径。平均粒径测定法除离心沉降法以外，也可以采用例如 动态光t^lt法、煤焦油计数法、激光衍針法、电子显微镜进行测定，但此时，只 要进行校正，换算到用离心沉降法测定的術只平均粒私就可以。例如，用离心沉 降法以及其它粒度测定法求出作为标准的粒子平均粒径，算出其相关系数。相关 系数可以对不同粒径的多种标准粒子，算出相对于用离心沉降法测定的体积平均 粒径相絲数，M51制赚正曲线来求得。如果4顿校正曲线，则可以从由离心 沉降法以外的观啶法所得的平均粒径求得術只平均粒径。配置的方法，例如把對及浸渍到含有无机粒子和介质的浆料中的方法，或者 也可以是向繊涂布或喷雾浆料后进行千燥的方法。介质勘JC、甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇、乙二醇、二甲基乙,、丁酮、甲基异丁基酮等，理想的;^K。涂布理想的是用旋涂法进行，按照该方法，可均匀地配置无机粒子的密度。千燥也可以fOT旋转器，行。无机粒子对S^反的被覆率，根据扫描电子显微镜(SEM)紅面观察配置了 无机粒子的^l&表面时的测定视野内(面积S)中的粒子数P和粒子平均直径d， 就可以用下式求得。被覆率(。/。) = ((d/2) 2xttP.100) /S无机粒子由一种无机物构成时，无机粒子对 的被覆率通常为1%以上、 ^^子的是30%以上、最好的是50%以上，通常为95%以下。因为无机粒子容易取向附生，容易将半导体层平坦化，所以通常，在Sfei: 面配置一层，只要能够取向附生半导体层并使之平坦化，就是二层以上也行，一 种无机粒子至少配置二层也可以，分别单层配置至少二种无机粒子也可以。本发明的制造方^S括生长半导体层的工序(ii)，通常，包括在经工序(i) 配置的无机粒子和基板的上面生长半导体层的工序(ii)。半导体层通常^III-V族氮化物，理想的是用KGayAlzN (0SxSl、 05ySl、 (^S1、 x+y+^1)表示的氮化物。半导体层无论一层还是二层也都可以。半导体 层，也可以例如氮化物半导体发光器件工作需要的层，或者使该层成为高质量晶 体的单层或多层(厚膜层、超晶格薄膜层等)。在后述的工序(iii)，从容易进行翻分离的角度出发，也可以向半导体层之 中的与 相邻的半导体层^附近的半导体层导入杂质、缺陷等。就这样的半 导体层来说，可以举出低温(例如，50CTC)生长的缓冲层(例如，M5aN、 GaN)。 缓冲层由GaN构成的场合，缓冲层的厚度通常为IOA以上、较好是IOOA以上、 最好是300A以上，通常是5000A以下、较好是IOOOA以下、最好是700A以下。进而，半导体层也可以形成晶面(facet)构造，或不形成的两者之一，但无 机粒子的被覆 高的场合，形成晶面构造的半导体层是理想的。形成晶面构造 的半导体层容易平坦化。如战那样，半导体层按顺序，通常包括n型层、活性层、p型层，根据需 要含有缓冲层。活'腿包括阻挡层、井(well)层、難，所以工序(ii)也可以 包括缓冲层的生长分工序、n型层的生长分工序、活性层的生长分工序、p型层 的生长分工序、阻挡层的生长分工序、井层的生长的分工序、或盖层的生长分工 序。生长例如用有机金属气相生长(MOVPE)、 ^f射线取向附生(MBE)、高 ^B喿气相生长(HVPE)这样的取向附生方法进行都可以。用MOWE法生份II-V族氮化物半导体的场合，用载气把下歹啲II镞原料和v族原料导入反应炉的方^6a行就行。III族原料是例如，三甲基镓[(CH3) 3Ga，以下称为HVIG]、三乙基镓[(C2H5) 3Ga，以下称为 TEG]之类的式R!R2R3Ga (R!、 R2、 113表示低级烷基。)所表示的三烷基镓；三甲基铝[(CH3) 3A1，以下称为TMA]、三乙基铝[(C2H5) 3A1，以下称为 TEA]、三异丁基铝[(i-C4H9) 3Al]之类的式RiR2R3Al (R。 R2、仗3表示低级烷基。) 所表示的三烷基铝；三甲基月鄉烷[(CH3) 3N: A1H3];三甲基铟[(CH3) 3In，以下称为1Mq、三乙基铟[(C2H5) 3In，以下称为 TEI]之类的式R4R2R3ln (R" R2、 R3表示低级烷基。)所表示的三烷基铟；二乙基氯化铟[(C2H5) 3inCl]之类的从三烷基铟中1到2个烷 代为囱素 原子的物质；氯化铟PnCl]之类的化学式InX (X为卤素原子)所表示的卣化铟等。这些可 以单独使用也可以组合使用。m族原料之中TMG作为镓源、TMA作为铝源、 TM作为铟源是理想的。V族原料可以举出例如，氨、肼、甲基肼、1， l-二甲基肼、1， 2-二甲基 肼、t-丁胺、乙二胺等。这些都可以對虫或组合iOT。 V族原料之中，较好的是 氨、肼，最好是氨。n型掺杂剂是，例如Si、 Ge。作为掺杂剂使用的原料是例如碌院、乙硅烷、 锗烷、四甲基锗。P型掺杂剂是，例如Mg、 Zn、 Cd、 Ca、 Be，舰的是Mg禾卩Ca。用作P 型掺杂剂的Mg原料是，例如双环戊二烯基镁[(C5H5)2Mg]、双甲,戊二烯基 镁[(CsH4CH3) 2Mg]、双乙餅戊二烯基镁[(CsHjQHs) 2Mg]。 Ca原料是，双 环戊二烯^l丐[(QH5) 2Ca]及其衍生物，例如双甲,戊二烯基转[(QH4CH3) 2Ca]、双乙新戊二烯基铐[(CjHAHs) 2Ca]、双全氟环戊二烯基转[(C5F5) 2Ca]; 双-l-萘钙及其衍生物；乙炔基钙及其衍生物，例如双(4， 4-二氟-3-丁烷-1-炔-铐、双苯乙鹏铐。这些也舰以斜虫繊且合舰。生长时的氛围气体和原料的载气，可以举出例如，氮气、氢气、氩气、氦气，理想的是氢气、氦气。这^^体也者阿以剃虫或者组合1OT。反应炉通常配备从保管容器将原料供给反应炉的供给管路和感应器。感应器 是加热鎌的體，并安置在反应炉内。为了均匀地生长半导体层，通常，感应 器有利用动力旋转的机构。感应器的内部具有红外线灯之类的加热装置。借助于 加热装置，使舰供给管路送到反应炉的原料在 ±面热分解，使SIO:面气 相生长半导体层。送到反应炉内的原料之中的未反应原料， 一般由排气管从反应 炉排出外部，送往排气处理^S。用HVPE法生份II-V族氮化物半导体层的场合，也可以M用下面的载气 ffill镞原料和V族原料导入战反应炉内的方絲实施。in族原料是，舰高温f检属镓与氯化氢气体反应而生成的氯化镓，和M 高温使金属铟与氯化氢气体反应而生成的氯化铟气体。 v族原料例如氨。载气例如氮气、氢气、氩气、氦气，理想的是氢气、氦气。这些载气#^虫或 者组合舰都行。并且，用MBE法生銜II-V族氮化物半导体层的场合，半导体层的生长也可以用将下逝n族原料气体和v族原料气体导入上述反应炉内的方M实施。 n镞原料是，例如镓、铝、铟这样的金属。 v族原料是，例如氮气和氨的气体。在工序(ii)中，通常，半导体层在不存在无机粒子的地方作为生长区域开 始生长，接着，形成晶面构造。在工序(ii)，进而也可以使半导体层的表面平坦化，例如M^it横向生长 的办法，也可以是iSA—边形成晶面构造一边生长半导体层所得的皿晶面构造 而使其平坦化。M31^样的生长，直到晶面的位移弯曲到横向，使无机粒子aA 半导体层内，以减少半导体层的缺陷。本发明的制造方法还包括，向鎌与半导体层之间照射光，使繊与m-v族氮化物半导体层分离的工序(iii)，通常，包括对工序(ii)所得至啲物品照射光， 傲II-V族氮化物半导体的局部分解，将繊与半导体层分离的工序(iii)。照射的光只要是赋予能够分解III-V族氮化物半导体层的能量即可。从使 III-v族氮化物半导体高效地吸收用以分解的能量的角度来考虑，光理想的是激光。光通常都有組n-v族氮化物半导体吸收的波长，并且具有大于in-v族氮化物半导体带隙的能量。III-V族氮化物半导体由GaN (带隙约3.4eV)构成的场合，光波长短于365nrn就行。就激光来说，可以举出例如，YAG、 YV04的三次 谐波(triple harmonics)(波长355nm)或四次i皆波(波长266nm)、 ArF (波长 193nm)、 KrF (波长248nm)、 XeCl (波长308nm) ;t类的激发源，从能量均匀 性的角度考虑，理想的是YAG或YV04。给III- V族氮化物半导体内弓l入杂质、缺陷等并形成带隙内的能级，增加III- V 族氮化物半导体的吸收时，照谢的光也可以具有小于带隙的倉糧。使用激光的场合，振荡状态可以举出遊卖振荡、正态(normal)脉冲振荡、 Q开关脉冲振荡之类等，从减少热影响的角度考虑，理想的是具有纳秒级的短脉 冲和高峰值功率的CW激励Q开关脉冲振荡。为了更有效地分解m-v族氮化物半导体，吸收区鄉大的光^^f希望的。光以斑点、线束、区域等状态，向對反与ni-v族氮化物半导体的界面附近鹏能量。 光为斑点、线状的激光时，从縮短分离 的工作时间方面考虑， 将从 侧面入射的光的焦点从基板与m-v族氮化物半导体的界面向m-v族氮化物半导 体侧面稍微移动(散焦)。由于激光供给的能量有空间上的分布，所以从分离基 板与ni-v族氮化物半导体(例如，约2英寸径的in-v族氮化物半导体)的角度 来考虑，使照射区fe貌全重叠，给基板与m-v族氮化物半导体的界面上均匀地供 给能量是理想的。在激^SA区域内配置有无机粒子时，就育,更有效地以较低 的能量分离 。本发明的制造方法，在工序(iii)分离了鎌以后，还可以包括除去有时也残存于m-v族氮化物半导体表面(例如，剥离面)上的无机粒子的工序。可以通 过诸如蚀刻这样的化学处理、抛光和研磨这样的物理处鹏行除去。 本发明的in-v族氮化物半导体制造方法的实施方式，按图i进行说明。工序(i)，如图1 (A)所示，繊l的上臓置无机粒子2。 在工序(ii)，配置于繊1 (例如，蓝宝石)上面的无机粒子2 (例如，二 氧化硅)在半导体层3 (例如，诸如GaN这样的III-V族氮化物)生长时起到掩 蔽作用，基板1的表面1A中没有无机粒子2的部分就成为生长区域1B。向配置 了无机粒子2的基板1上面供应生长半导体层3所需要的原料气体等进行取向附 生时，如图1 (B)所示，半导体层3以从生长区域1B开始生长且掩埋无机粒子 2的方式謝亍生长。进而，继续取向附生，如图l (C)所示，无机粒子2被JSA 半导体层3内，长淑II-V族氮化物半导体3。如图1 (B)所示，在配置了无机 粒子2的繊1上面一边形成晶面构造一边生长半导体层3，又如图1 (C)所示，通过《腿横向生长SA晶面构造使之平坦化时，达到晶面的位移弯向横向，因而 可以把无机粒子2掩埋配置在半导体层3内，获得有高质量晶体的m-v族氮化物半导体。在工序(iii)，如图1 (D)所示，从基板1的侧面照射光。光为YV(V激光 器三次谐波(波长355nm)的场合，光未被 1有效吸收，但被半导体层3吸 收。在M光照射而使半导体层3热懒军的区域，析出II腺原料和氮气。半导体 层3为GaN时，析出Ga，因而假如 1的温度为Ga的熔点(30°C)以上， 如图1 (E)所示，就很容易使繊1与半导体层3分开。本发明申请，如图1所示那样，除半导体层3是单层的III-V族氮化物半导体 外，还包括半导体层3由二层以上构成的III-V族氮化物半导体的制造方法。如图 2所示，可以举出例如，将St反ll、缓冲层12 (例如，InGaN、 GaN、 AlGaN、 A1N)、 n型层13 (例如，n-GaN、 n-AlGaN)、活性层14、 p型层15 (掺Mg的 AlGaN、掺Mg的GaN)依次取向附生而构成的III-V族氮化物半导体的制造方 法。活性层14由阻挡层14A 14F (例如，InGaN、 GaN、 AlInGaN)、井层14G 14J (例如，InGaN、 GaN、 AlInGaN)、盖层14K (例如，非掺杂的GaN、非掺 杂的AlGaN)构成。本发明还包括，例如，含有GaN ±臓置无机粒子的工序(i')，其上 顺序生长InGaN半导体层和GaN半导体层的工序(ii')以及从GaN皿侧面照 射光而使GaN鎌与InGaN半导体层分离的工序(iii')的制造方法。本例中， 在工序(ii')，获得GaN^WnGaN半导体层/GaN半导体层的层叠构造，含有无 机粒子的区域处于InGaN半导体层或InGaN半导体层附近。从GaN 侧面照 射YV(V激光器二次谐波(波长532nm)时，光没有被GaN基板吸收而被InGaN 半导体层吸收。由于光照射，在InGaN半导体层被热分解了的区域析出III族材料 和氮气。如果^^祖n族材料的熔点以上，就各自回收GaNS^和GaN半导体 层。回收的GaN繊和GaN半导体层分别研磨剥离面，还可以用作鎌。在本发明方面，当繊由蓝宝石构成且半导体层由GaN构成时，蓝宝石基 板的面中与GaN生长面的相反面上，也可以淀积热膨胀系数小于蓝宝石并具有 透光性的材料，例如應(热膨胀系数为4.15xl0YC)等。通腿样的操作，能 够减少因蓝宝石与GaN的热膨胀系数差别(热膨胀系数分别为7.5xlO々°C、 5.59xlO卞C (300K，垂直于晶体c面的方向)而弓胞的制3i31程中繊的翘曲。本发明的制造方法，用较低的光照射能量使基板与半导体层分离，并获得m-v族氮化物半导体。会激军了由于能雖成的工艺加工限制，提高大面积m-v 族氮化物半导体的生产率。 发光器件的制造方法本发明的发光器件的制造方魏括形成上述的工序(i)、 (ii)、 (iii)以及 形成电极的工序(iv)。电极是n电极和p电极。n电极与n型,层相撤4，例如是包括以选自由 Al、 Tl及V构成的组中至少一种元素作为主要成分的合金或化合物，理想的是 Al、 TiAl、 VA1。 p电极与p型接触层相撤虫，例如是NiAu、 Ni/Au/Pt。可以利用真空蒸镀设备进行形成。通常，可以iM:凃布抗蚀剂、烘焙抗蚀剂、图案曝光、图案显影等这些光刻工序，用真空蒸镀的方法形成电极。下面，用图3说明本发明的发光器件制造方法的实施方式。图3所示的发光器件与导电性録体相接合，在纵向可通电的m-v族氮化物半导体的两个面上各 自具有一个电极。进行与图1 (A) ~ (C)中说明过的相同操作，如图3 (A)所示，在繊 21上翻己置无机粒子22并生长半导体层23。根据需要舰光亥J/干微刻或激光 加工，在半导体层23上面蚀刻形成隔离沟直到基板21 。然后，清洗半导体层23的表面，如图3 (B)所示，其表面上形成,p电 极24 (例如，Ni/Au、 Ni/Au/Pt)、密接性提高层25 (例如，Ti/Pt)及粘合层26 (例如，热压用Au、 Cu、 AuSn之类的焊接金属)。准备导电支承体27，并在导电，体27上形成上述附着性提高层25。如图 3 (B)所示，在导电支承体27上形成附着性提高层25和，粘合层26是理想 的。导电^C体27为，例如Si、 GaAs、 SiC之类的半导体，Cu、 Al、 W、 Mo、 Hf、 Ir、 Ru、 Os、 Nb之类的金属材料，^l子的是热膨胀系数在1.5x1 O，C以下的 金属材料，最好是Mo。导电，体27理想的是表面进行了镜面抛光，理想的是 表面的平均粗糙度用触针式表面粗f驢测定装置测定为约10nm以下。从减轻翘 曲的角度看，导电，体27的厚度,约30Mm 约200jnmo如图3 (C)所示的贴合，并获得由半导体层23、 Mp电极24、密換性提 高层25、粘合层26、(粘合层26)、密接性提高层25、导电顿体27构成的层 叠体。也可以用热压法、禾拥焊接金属的接合 ^行。如图3 (D)所示那样从繊21侦腼照射光，如图3所示那样分离鎌21。接着，如图3所示，在n型层上面形成电极28 (例如，透明电极、网状电极)的话，就获得该面为发光面的发光器件。透明电极，例如由ITO、 ZnO构成。发 光器件也可以根据需要切断来调整大小。根据本发明，降低了由于光照谢而弓胞的半导体层损伤，因而获得高发光输 出功率的发光器件。发光器件不仅用于室内显示，而皿合使用于照明、室外显 示、信号灯的这种要求高亮度的用途上。实施例通过实施例详细说明本发明，但是本发明并非限定于实施例。 实施例1作为 ，使用了镜面抛光C面后的蓝宝石。作为无机粒子，使用了含有胶 态二氧化硅((株)日本触媒制SEAHOSTAR-KE-KE-W50 (商品名称)，平均粒 径550nm)的二氧化硅粒子。在旋涂#11:安置 ，在其上涂布20重*%的胶 态二氧化硅，进行了旋軒燥。用SEM观察的结果为繊表面的二氧化硅粒子 被覆率为60%。用常压MOWE法，按下面的剝牛，在Sfch鹏向附组II-V族氮化物半导体，使二氧化硅粒子掩埋祖n-v族氮化物半导体层内。在压力1^压、感应器皿4S5。C、载气用氢气的^#下，供给载气、氨和TMG，生长了厚度 约500A的GaN的船显缓冲层。把感应m^升到90(TC，供给载气、氨和TMG， 生长形成晶面用的非掺杂GaN层。再把感应ll^升到1040'C，压力降为1/4 气压，供给载气、氨和IMG，生长形成非掺杂GaN层。而后，顺序生长由GaN 构成的n型层、由GaN和InGaN构成的双异质结构造的阻挡层和井层(多重量 子井构造)、由GaN和AlGaN构成的盖层、以及由GaN构成的p型层，获得呈 现蓝色发光的III-V族氮化物半导体。在N2中700°。下对111-V族氮化物半导体热处理20分钟，使p型层成为低电 阻的p型。接着，^进行祖II-V族氮化物半导体的表面上涂布抗蚀剂、烘焙抗 蚀剂、图案曝光(器件分离图案制造)、图案显影的光刻技术以后，用ICP干法 蚀刻法，蚀刻蓝宝石直至隔离沟到达蓝宝石 ±。 ICP干鄉刻法是在蚀亥忾 体Cl2、 CH2C12、 Ar的混合气体，气fl^充量分别为20、 10、 40sccm、压力 0.8Pa、 ICP功率200W、偏置功率100W的条件下进行的。干,刻结束后， 用有机翻除去剩余的掩模。为了在隔离了器件后的取向附生晶体表面上形成欧姆p电极，对p型取向附生晶体表面，顺序用丙酮溶液进行了超声波清洗、热王水清洗(60°C)、超纯水 的超声波清洗。为了形成作为欧姆p电极的NiAu电极，" 进行了向该表面上 涂布抗蚀剂、烘焙抗蚀剂、图案曝光、图案显影以后，用真空蒸镀设备蒸镀150A 的Ni、 300A的Au，再用剥离法形成电极图案。在含有5#|只％氧的氮气氛中在 500。C下热处理10併中，制成NiAu,p电极。使用表面镜面抛光过的以触针式表面粗糙度湖啶装置测得的平均表面粗糙 度约5nm、厚度100Mm的两英寸径Mo作为金属顿体。在金属顿体表面上， 用真空蒸镀法分别形成了 500A/500A的Ti/Pt作为提高粘合层的附着性，而且防止 ,p电极与粘合层相互扩散而不致降低各自功能用的相互扩散防腿以后，在 氮气氛中350。C下热处理30 M中。用真空蒸镀法形成厚度10000A的Au-Sn合金层(Au80%-Sn20%)作为粘合 层。通过{顿了剥离法的光刻技 嗔空蒸镀法，在取向附生繊的NiAu, p电极上面，形成与Mo，体上面形成的相同层构造的密接性提高层。采用真空热压法按压力lxl(T3T0rr以下、離30(TC、时间5倂中、负 重:6000N的割牛下，贴合III-V族氮化物半导体的粘合层和Mo絲体的粘合层。用真空吸附法将试料aii-v族氮化物半导体和，体贴合品)固定在工作台上。以350mm/sec线形扫描该工作台，扫描一线道部分结束后，平行移动工作台 15pm，重复进行线形扫描，对试料全面照射光。光是用换流器把CW激励YV04 激光的三次谐波(波长355nm)调制成频率15kHz的脉冲后的光，Q开^E冲宽 度约为8ns左右、振荡模为TEMoo、三次谐波输出功率在试料面处为0.26W (激 光器驱动电流19.5A)。光从蓝宝石侧面入射并散焦，以使聚焦焦点会聚于距蓝宝 石/GaN取向附生界面的GaN侧450pm的位置。光照射后，从蓝宝石侧面观察了试料，蓝宝石与GaN的界面附近旨都由 透明转变为灰色。把试料抓10(TC的水中，分离了蓝宝石。分离了蓝宝石的表面上，形成网状A1/Pt/Ni电极作为^in电极。电极的形 成中，进行了BHF清洗、用研磨法除去m-V族氮化物半导体表面残留的Ga、除 去劣质晶体层以及使表面平坦化。接着，顺次进行了给表面上面涂布抗蚀剂、烘 焙抗蚀剂、图案曝光、图案显影以后，用真空蒸镀设备蒸镀2000A的Al、 500A 的Pt、 800A的Ni，再用剥离法形成电极图案，形成电极直径200Mm、网格电 极宽度2^m、网格电极间距l: 25nm、电极焊盘50nm见方、开口率85%的 Al/Pt/Ni的 11电极，获得有Mo顿体的III-V族氮化物半导体纵式发光器件。发光器件在驱动电流20mA下呈现明亮的蓝色发光。而且发光器件在驱动电 流20mA下，以高的光输出功率呈现明亮的蓝色发光。 比较例1除不使用无机粒子外都与实施例1同样操作，得到采用了Mo导电性，体 的III- V族氮化物半导体纵式发光器件。与实施例1同样，照射激光照射输出0.26W (激光器驱动电流19.5A)的光。 从蓝宝石侧面观察光照射结束后的贴^i式料。蓝宝石与GaN界面附近旨都是 透明的。试料即使&A10(TC的水中，體石也无法分离。比较例2除不j顿无机粒子外都与实施例1同样操作，得到采用了 Mo导电性魏体 的III- V族氮化物半导体纵式发光器件。与实施例1同样，照射激光照浙输出0.39W (激光器驱动电流22,5A)的光。 从蓝宝石侧面观察光照射结束后的贴^i式料。蓝宝石与GaN界面附近旨都是 透明的。i舒斗即使SAlO(TC的水中，蓝宝石也无粉离。比较例3除不fOT无机粒子外都与实施例1同样操作，得到采用了 Mo导电性，体 的III- V族氮化物半导体纵式发光器件。照射激光照射输出0.42W (激光器驱动电流24A)的光。皿宝石侧面观察 光照射结束后的贴^i式料。蓝宝石与GaN界面附近#都由透明转变为灰色。 试料SA10(TC的水中时，蓝宝石分离。所得的发光器件，在驱动电流20mA下 没有出现发光。实施例2作为 ，使用了镜面抛光C面后的蓝宝石。作为无机粒子，使用了含有胶 态二氧化硅((株)日本触媒制SEAHOSTAR-KE-KE-W50 (商品名称)，平均粒 径550nm)的二氧化硅粒子。在旋涂^±安置 ，在其上涂布20重量％的胶 态二氧化硅，进行了旋转千燥。用SEM观察的结果， 表面的二氧化硅粒子 被覆率为60%。用常压MOWE法，按下面的^j牛，在mi:面取向附逝II-V族氮化物半导体，使二氧化硅粒子掩埋祖ii-v族氮化物半导体层内。在压九m压、感应mg: 4S5。C、载气氢气的餅下，供给载气、穀口 TMG，生长厚度约500A 的GaN的低温缓冲层。把感应m^升到90(TC，供给载气、穀口TMG，生长形成晶面用的GaN层。再把感应器温度升到1040°C，压力降为1/4气压，供给 载气、氨和TMG，生长形成GaN层。而后，顺序生长由GaN构成的n型层、 由GaN和InGaN构成的双异质结构造的阻挡层和井层(多重量子井构造)、由 GaN和AlGaN构成的盖层、以及由GaN构成的p型层，获得呈现发蓝色光的III-V 族氮化物半导体。下面，与实施例l同样操作，得到有MO导电性顿体的III-V族氮化物半 导体纵式发光器件。发光器件在驱动电流20mA下呈现明亮的发蓝色发光。发光器件在驱动电流 200mA下，以高光输出功率呈现明亮的蓝色发光。实施例3作为 ，使用了镜面抛光C面后的蓝宝石。作为无机粒子，^ffl了含有胶 态二氧化硅((株)日本触媒制SEAHOSTAR-KE-KE-W50 (商品名称)，平均粒 径550nm)的二氧化硅粒子。在旋涂lfLh安置基板，在其上涂布20重量％的胶 态二氧化硅，进行了旋转干燥。用SEM观察的结果为 表面的二氧化硅粒子 被覆率为60%。用常压MOVPE法，按下面的^#,在SfeJ:面取向附组II-V族氮化物半 导体，使二氧化硅粒子掩埋祖II-V族氮化物半导体层内。在压力1^压、感 应器皿4S5。C、载气氢气的斜牛下，供给载气、 QTMG，生长厚度约500A 的GaN的缓冲层。把感应M^升到900。C，供给载气、穀卩TMG，生长GaN 层。再把感应激鹏升到1040°C，压力降为l/4气压，供给载气、氨和TMG， 生长GaN层。而后，顺序生长由GaN构成的n型层、由GaN和InGaN构成的 双异质结构造的阻挡层和井层(多錢子井构造)、由GaN和AlGaN构成的盖 层、由GaN构成的p型层、以及由InGaN构成的n+型层，获得呈现外延晶体厚 度20nm的发蓝色光的III-V族氮化物半导体。在N2中70(TC下对III-V族氮化物半导体热处理20併中，使p型层成为低电 阻的p型。接着，为了祖II-V族氮化物半导体表面上形成,n+电极，对III-V 族氮化物半导体表面进行了用丙酮溶液的超声波清洗、热王7K清洗(60°C)、超 纯水的超声波清洗。用真空蒸镀设备蒸镀120nrn的ITO，在其表面上面涂布抗蚀 剂、烘焙抗蚀剂、图案曝光、图案显影以后，以1: 1比例混合氯化^/K溶液与盐酸的溶、M行蚀刻，形成了构成,n+电极的rro电极。图案形劇g，剥离残存的抗蚀剂。向III-V族氮化物半导体的n型层露出区^面上涂布抗蚀剂、烘焙抗蚀剂、 图案曝光(器件分离用图案制造)、图案显影并进行图案成形以后，用ICP干法 蚀刻法，嫩U外延晶体直到露出n型层的深度，露出了n型层表面(台面靴)。 ICP干纟封虫刻法是在蚀刻气体Cl2、 CH2C12、 Ar的混仏体、气#^量分别 为20、 10、 40Sccm、压力0.8Pa、 ICP功率200W、偏置功率100W的^(牛 下进行的。干,刻结束后，用有机溶剂除去剩余的掩模。露出了的n型层表面上涂布抗蚀剂、烘焙抗蚀剂、图案曝光、图案显影，用 真空蒸镀设备蒸镀10nm的V、蒸镀100nm的Al以后，用剥离法形成了构成欧 姆n电极的V/Al电极图案。通辻激光照射，制成包含III-V族氮化物半导体的夕卜延晶体的隔离沟。激光是 用换流器把CW 、 YV04激光的三次谐波(波长355nm)调成频率35kHz的 脉冲后的激光，Q开关脉冲宽度约为8ns、振荡模为TEMoo、三次谐波输出功率 在试料面处为0.2W。使激光/A^卜延晶体表面侧入射，照射焦点位于晶体表面处。 隔离沟宽度为20mhi以下。以10mm/sec扫描工作台，对一线路部分扫描5次结 束后，按作为器件尺寸的420mhi来平行移动工作台。重复其扫描，网状i舰取 向附生晶体照針激光，并划分为约420Mmx420Mm的多个区域。用真空吸附法，将试料(m-v族氮化物半导体)固定在工作台上。以350mm/sec线形扫描该工作台，扫描一线路部分结束后，平纟Tf多动工作台15Mm， 重复进行线形扫描，对试料全面照射光。光是用换流器把CW激励YV(V激光的 三次谐波(波长355nm)调制成频率15kHz的脉冲后的激光，Q开^E冲宽度约 为8ns、振荡模为TEMoo、三次谐波输出功率在试料面处为0.26W (激光器驱动 电流19,5A)。光从蓝宝石侧面入射，聚焦焦点会聚于距蓝宝石/GaN取向附生界 面的GaN侧450nm的位置。光照射后，从蓝宝石侧观察i舒斗，蓝宝石与GaN的界面附近齡都由透明 转变为灰色。将i^!4放置在4英寸左右的环形卡盘上面固定的树脂胶带中心部分。树脂胶 带为厚约70pm的PVC/丙烯系底Ri:有厚约IOmhi、粘合力18g^25mm的厚粘合 层，^f顿膜与粘合层两者全舰艮薄且粘合性弱的。在树脂胶带上，把蓝宝石S^侧朝向上方而外延晶体表面侧朝下放置的i舒斗 加热到约60'C后，剥离蓝宝石 。在这个阶段，将位于树脂胶带上面的外延晶 体的蓝宝石剥离面^A缓冲氢氟酸(BHF)里10倂中以除去残留的Ga。采用从方爐有以蓝宝石剥离面侧作为上方的试料的柳旨胶带，转移到同种树 月旨胶带上的办法，就可i鈔卜延晶体表面侧朝向上方。
所得的单舰II-V族氮化物半导体的横式发光器件在驱动电流20mA下，呈 现明亮的发光。而且，发光器件在驱动电流200mA下，呈现以高的光输出功率 发出明亮的蓝色光。
比较例4
除不4OT无机粒子外都与实施例3同样操作，得到III-V族氮化物半导体横式 发光器件。
与实施例3同样，照浙激光照浙输出0.26W (激光器驱动电流19.5A)的光。 从蓝宝石基板侧观察光照射后的试料。蓝宝石 与GaN的界面附近旨都是 透明的。试料加热到60'C时，蓝宝石 没有分离。
比较例5
除不^OT无机粒子外都与实施例3同样操作，得至l血-V族氮化物半导術黄式 发光器件。
与实施例3同样，照射激光照射输出0.39W (激光器驱动电流22.5八)的光。 从蓝宝石 侧观察光照射后的试料。蓝宝石 与GaN的界面附近，都是 透明的。试料加热到6(TC时，蓝宝石繊没有分离。
比较例6
除不fOT无机粒子外都与实施例3同样操作，得到III-V族氮化物半导傳才黄式 发光器件。
与实施例3同样，照射激光照射输出0.42W (激光器驱动电流24A)的光。 从蓝宝石繊侧观察光照射后的试料。體石繊与GaN的界面附近齡都由 透明转变为灰色。i舒斗加热到6(TC时，蓝宝石繊分离。
独立的m-V族氮化物半导体横式发光器件，在驱动电流20mA下不发光。
实施例4
作为基板，使用了镜面抛光C面后的蓝宝石。作为无机粒子，使用了含有胶 态二氧化硅((株)日本触媒制SEAHOSTAR-KE-KE-W50 (商品名称)，平均粒 径550nm)的二氧化硅粒子。在旋涂|0±安置 ，在其上涂布20重量％的胶 态二氧化硅，进行了旋转TM。用SEM观察的结果， 表面的二氧化硅粒子 被覆率为60%。
用常压MOWE法，按下面的割牛，在Sfei:鹏向附组n-v族氮化物半导体，使二氧化硅粒子掩埋祖n-v族氮化物半导体层内。在压力1^压、感
应mg: 485°C、载气氢气的剝牛下，供给载气、節卩TMG，生长厚度约500A 的GaN的缓冲层。把感应 ^升到900°"供给载气、 niMG,生长GaN 层。再把感应 ^升到1040°C，压力降为l/4气压，供给载气、氨和TMG， 生长GaN层。而后，顺序生长由GaN构成的n型层、由GaN和InGaN构成的 双异质结构造的阻挡层和井层(多重量子井构造)、由GaN和AlGaN构成的盖 层、由GaN构成的p型层、以及由InGaN构成的n+型层，获得呈现外延晶体厚 度20pm的发蓝色光的III-V族氮化物半导体。
在N2中700°〇下对111-V族氮化物半导体热处理20併中，使p型层成为低电 阻的p型。接着，为了在III-V族氮化物半导体表面上形成欧姆n+电极，对III-V 族氮化物半导体表面进行用丙酮溶液的超声波清洗、热王7jC清洗(60°C)、超纯 水的超声波清洗。用真空蒸镀设备蒸镀120nm的ITO，在其表面上面涂布抗蚀剂、 烘焙抗蚀剂、图案曝光、图案显影以后，以1: 1比例混合氯化^7jC溶液与盐酸 的溶液迸行蚀刻，形成了构成欧姆n+电极的HO电极。图案形成后，剥离残存的 抗蚀剂。
Mi^激光照射，制成包含ni-v族氮化物半导体的外延晶体的隔离沟。激光是
用换流器把CW YVCV激光的三次谐波(波长355nm)调成频率35kHz的 脉冲后的激光，Q开关脉冲宽度约为8ns、振荡模为TEMoo、三次谐波输出功率 在试料面处为0.2W。使激光iA^卜延晶体表面侧入射，以使照射焦点位于晶体表 面处。隔离沟宽度为20pm以下。以10mm/sec扫描工作台，对一线路部分扫描5 次结束后，按作为器件尺寸的420pm来平行移动工作台。重复其扫描，网状地 对取向附生晶体照射激光，并划分为约420Mmx420nm的多个区域。
用真空吸附法，将试料(m-v族氮化物半导体)固定在工作台上。以
350mm/sec线形扫描该工作台，扫描一线路部分结束后，平行移动工作台15pm， 重复进行线形扫描，对i^^斗全面照射光。光是用换流器把CW激励YV(V激光的 三次谐波(波长355nm)调制成频率15kHz的脉冲后的光，Q开^E冲宽度约为 8ns、振荡模为TEMoo、三次谐波输出功率在试料面处为0.26W (激光器驱动电 流19.5A)。光从蓝宝石S^侧面入射并散焦，以使聚焦焦点会聚于距蓝宝石/GaN 取向附生界面的GaN侧450miti的位置。
光照射后，从蓝宝石侦鹏察i舒斗，體石与GaN的界面P(逝齡都由透明 转变为灰色。将i舒斗方爐在4英寸左右的环形卡社面固定的树脂胶带中心部分。树脂胶
带为厚约70^m的PVC/丙烯系底S肚有厚约lOnm、粘合力18gf25mm的厚粘合 层，雌4顿膜与粘合层两者全舰艮薄、粘合性弱的。
在树脂胶带上，把蓝宝石S^侧朝向上方而外延晶体表面侧朝下放置的i舒斗 加热到约60'C，剥离蓝宝石截反。在这个阶段，将位于树脂胶带上面的外延晶体 的蓝宝石剥离面mAM冲氢氟酸(BHF)里10射中以除去残留的Ga。
为了形淑II-V族氮化物半导体的M电极，对蓝宝石剥离面用ICP干鄉 刻法，在蚀刻气体Cl2、 CH2C12、 Ar的混合气体，气体流量分别为20、 10、 40SCCM、压力0.8Pa、 ICP功率200W、偏置功率100W的条件下，蚀刻取 向附生晶体约IOOOA。
露出了的n型层表面上，用真空蒸镀设备蒸镀10nm的V、蒸镀100nm的 Al以后，形成了构成欧姆n电极的V/Al电极。
采用/A^置有以蓝宝石剥离面侧作为上方的试料的树脂胶带，转移到同种树 月旨胶带上的办法，就可i耖卜延晶体表画则朝向上方。
所得的单舰n-V族氮化物半导体的横式发光器件在驱动电流20mA下，呈 现明亮的发光。而且，发光器件在驱动电流200mA下，以高的光输出功率呈现 明亮的蓝色发光。
实施例5
作为基板，使用了镜面抛光C面后的GaN。作为无机粒子，使用了含有胶 态二氧化硅((株)日本触媒制SEAHOSTAR-KE-KE-W50 (商品名称)，平均粒 径550nm)的二氧化硅粒子。在旋涂^Lh安置基板，在其上涂布20重量％的胶 态二氧化硅，进行了旋转千燥。
用常压MowE法，按下面的^#，在mh面取向附组n-v族氮化物半 导体，使二氧化硅粒子掩埋祖n-v族氮化物半导体层内。在压力11^压、载
气用氮气的割牛下，供给载气、氨、IMG和TMI，生长InGaN的缓冲层。把 感应ll^t升到90(rC，供给载气、氨和TMG，生长GaN层。再把感应 5 升到104(TC，压力降为l/4气压，供给载气、穀卩TMG，生长GaN层。而后， 顺、序生长由GaN构成的n型层、由GaN和InGaN构成的双异质结构造的阻挡层 和井层(多重量子井构造)、由GaN和AlGaN构成的盖层、由GaN构成的p型 层、以及由GaN构成的n+,，获得外延晶体厚度20拜的呈 K色发光的III-V 族氮化物半导体。在N2中70(TC下对in-V族氮化物半导体热处理20併中，使p型层成为低电
阻的p型。接着，为了在ni-v族氮化物半导体表面上形成TOn+电极，对m-v
族氮化物半导体表面进行用丙酮溶液的超声波清洗、热王水清洗(60°C)、超纯 水的超声波清洗。用真空蒸镀设备蒸镀120nm的ITO，在其表面上面涂布抗蚀剂、 烘焙抗蚀剂、图案曝光、图案显影以后，以1: 1比例混合氯化铁水溶液与盐酸 的溶液进行蚀刻，形成构成欧姆n+电极的ITO电极。图案形劇舌，剥离歹M的抗 蚀剂。
给III-V族氮化物半导体的n型层露出区職面上涂布抗蚀剂、烘焙抗蚀剂、 图案曝光(制作器件隔离用图案)、图案显影并进行图案鹏以后，用ICP干法 蚀刻法，t赅拼延晶体直到露出n型层的深度，露出了n型层表面(台面形状)。 干,刻结束后，用有机溶剂除去剩余的掩模。
在露出了的n型层表面上涂布抗蚀剂、烘焙抗蚀剂、图案曝光、图案显影， 用真空蒸镀设备蒸镀10nm的V、蒸镀100nm的Al，再用剥离法形成构成M n 电极的V/A1电极图案。
通迚激光照射，制成包含III-V族氮化物半导体的外延晶体的隔离沟。激光是 用换流器把CW YV(V激光的三次谐波(波长355nm)调成频率35kHz的 脉冲后的激光，Q开关脉冲宽度约为8ns、振荡模为TEMoo、三次谐波输出功率 在试料面处为0.2W。使激光/A^卜延晶体表面侧入射，以焦点位于晶体表面处的 方式进行照射。以10mm/sec扫描工作台，对一线路部分扫描5次结束后，按作 为器件尺寸的420pm来平行移动工作台。重复其扫描，网状i舰取向附生晶体 照射激光，并划分为约420Mmx420pm的多个区域。
用真空吸附法，将试料(III-V族氮化物半导体)固定在工作台上。以 350mm/sec线形扫描该工作台，扫描一线路部分结束后，平行移动工作台15Mm， 重复进行线形扫描，对试料全面照射光。光是CW激励YV(V激光的二次谐波(波 长532nm)脉冲。光从GaNg^侧入射并散焦，以使聚焦焦点会聚于距GaN/取 向附生晶体界面的外延晶体侧的位置。
将试料放置在4英寸左右的环形卡盘上面固定的树脂胶带中心部分。树脂胶 带为厚约70pm的PVC/丙烯系底^t有厚约lOnrn、粘合力18gP25mm的厚粘合 层， <顿膜与粘合层两者全都很薄、粘合性弱的。
将在树脂胶带上GaN繊侧朝向上方而外延晶体表面侧朝下方爐的i舒斗加 热，并剥离GaN繊。在这个阶段，除去位于树脂胶带上面的外延晶储GaN基板剥离面的残留物。
采用从方爐有以GaN繊剥离面侧作为上方的i舒斗的柳旨胶带，转移到同 种树脂胶带上的办法，就可f鈔卜延晶体表面侦嘲向上方。
所得的单3虹II-V族氮化物半导体的横式发光器件在驱动电流20mA下，呈 现明亮的发光。而且，发光器件在驱动电流200mA下，呈现以高的光输出功率 发出明亮的蓝色光。
回收的GaN,^31Xt剥离面进行研磨并镜面化以后，就可以再用做 。
根据本发明，提供一种显示发光输出功率高的发光器件的制造方法。 而且，根据本发明，提供一种适合应用于发光器件的、无须基板的III-V族 氮化物半导体的制造方法。
权利要求
1. 一种III-V族氮化物半导体的制造方法，其特征在于，依次包括工序(i)、(ii)和(iii)，(i)在基板上面配置无机粒子的工序；(ii)使半导体层生长的工序；以及(iii)向基板与半导体层之间照射光，将基板与半导体层分离的工序。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，工序(i)的基板由蓝宝石、SiC、 Si、 MgAl204、 LiTa03、 ZrB2、 CrB2、 GaN或AlN构成。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，工序(i)的 ，光性的。
4.根据权利要求3戶舰的方法，其特征在于，繊由蓝宝石、GaN或AlN构成。
5.根据权禾腰求1戶脱的方法，其特征在于，无,立子含有选自氧化物、氮 化物、碳化物、硼化物、硫化物、硒化物以及金属中的至少一种。
6.根据权禾腰求5戶脱的方法，其特征在于，氧化物魏自二氧化硅、氧化 铝、氧化锆、氧化钛、氧化铈、氧化锌、氧化锡以及紀铝石榴石的至少一种。
7.根据权利要求6戶，的方法，其特征在于，氧化物是二氧化硅。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，无机粒子的皿是球状、板状、 针状或不定形。
9.根据权利要求8戶腿的方法，其特征在于，无机粒子的微是球状。
10.根据权利要求9戶诚的方法，其特征在于，无机粒子的平均粒径是5nm 以上且50)om以下。
11.根据权利要求l戶脱的方法，其特征在于，工序(ii)的半导体层由III-V 族氮化物构成。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，工序(ii)包括n型层的生长分工序、活性层的生长分工序和p鹏的生长分工序。
13.根据权利要求1戶欣的方法，其特征在于，生顿过有机金属气相生长、M射线取向附生或高^M气相生长^iS行。
14.根据权利要求1戶脱的方法，其特征在于，光是激光。
15.根据权利要求1戶脱的方法，其特征在于，还1跌照谢无机粒子。
16. —种发光器件的帝隨方法，其特征在于，依次包括工序(i)、 (ii)、 (iii)和(iv)，(0在^i:臓置无机粒子的工序；(ii) 使半导体层生长的工序；(iii) 向基板与半导体层之间照射光，将掛及和半导体层分离的工序；以及(iv) 形成电极的工序。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，工序(ii)包括n型层的生 长分工序、活ttM的生长分工序和p型层的生长分工序。
全文摘要
本发明公开一种III-V族氮化物半导体的制造方法和发光器件的制造方法。III-V族氮化物半导体的制造方法按顺序包括工序(i)、(ii)和(iii)。发光器件的制造方法按顺序包括工序(i)、(ii)、(iii)和(iv)。各工序为(i)在基板上配置无机粒子的工序，(ii)使半导体层生长的工序，(iii)向基板与半导体层之间照射光，将基板与半导体层分离的工序，以及(iv)形成电极的工序。
文档编号C23C16/34GK101283456SQ200680035398
公开日2008年10月8日 申请日期2006年9月27日 优先权日2005年9月29日
发明者上田和正, 土田良彦, 山中贞则 申请人:住友化学株式会社