专利名称：处理晶圆的方法
技术领域：
本发明涉及处理晶圆的方法，尤其是涉及在一反应腔中加入一高偏压、高瓦特等离 子的步骤，以便去除一晶圆表面的一反应聚合物以及去除所述反应腔表面的所述反应聚 合物。一般的晶圆制造过程中都不具有用高偏压、高瓦特等离子清除所述晶圆表面的反应 聚合物的功能。而一般常规的方法只是利用气体流量以及低压来带走所述晶圆表面少量 的反应聚合物，其效果不是很好。在晶圆1的常规制造过程中，如图1所示，在蚀刻完所述晶圆1之后所产生的反应 聚合物2会附着在所述晶圆1的表面上，因此很容易产生如下的缺失1. 如较长的酸槽反应时间，常常要换酸液，或所述反应聚合物2常污染所述酸槽；2. 在所述晶圆1表面含氯的所述反应聚合物2很容易腐蚀所述晶圆1表面的铝线， 造成所述铝线断线或一电阻电容抗值增高，最终需报废所述晶圆1或者严重地影响所述晶 圆1的合格率及可靠度；3. 所述反应聚合物2附着在所述铝线两侧而形成厚厚的一兔耳朵常常不容易被所述 酸槽去除，造成往后填氧化物步骤时的困难，所以所述兔耳朵是不被允许存在的；及4. 所述晶圆l边缘很多细小的反应聚合物2会堆积，造成在蚀刻当时，所述细小的反 应聚合物2会流回到所述晶圆1的表面,造成合格率下降。发明内容本发明提出一种在一反应腔中处理一晶圆的方法，其是在常规的晶圆1制造过程中 的过蚀刻步骤与除电步骤之间，加入高偏压、高瓦特等离子的步骤，不仅可高效率地把 所述晶圆1的反应聚合物2清除而且不会影响所述晶圆1原本的制程规格。本发明涉及一种在一反应腔中处理一晶圆1的方法，包括下列步骤执行一过蚀刻， 以便使金属线与线之间有足够深度的氧化层隔离深度；施加一高偏压、高瓦特的等离子，以便去除所述晶圆1表面的一反应聚合物2以及去除所述反应腔表面的所述反应聚合物2;及执行一除电，以便去除所述晶圆1上的静电，然后将晶圆传出所述反应腔。
图1是图示在一常规的一晶圆制造过程中一反应聚合物附着在所述晶圆的表面上； 图2是图示在施加本发明的一高偏压、高瓦特等离子步骤之后，所述反应聚合物不 会附着在所述晶圆的表面上；及图3是表示实施本发明的一流程图。
具体实施方式
本发明是在常规的一晶圆1制造过程中的一过蚀刻步骤与一除电步骤之间，加入一 高偏压、高瓦特等离子的步骤。如图2所示，通过本发明的方法可有效地把所述晶圆1 的一反应聚合物2清除而且不会影响所述晶圆1原本的制程规格。图3是关于本发明的一流程图，包括下列步骤执行一过蚀刻(步骤10)，以便使 金属线与线之间有足够深度的氧化层隔离深度；施加一高偏压、高瓦特等离子(步骤20)， 以便去除所述晶圆1表面的一反应聚合物2以及去除一反应腔表面的所述反应聚合物2; 及执行一除电(步骤30)，以便去除所述晶圆1上的静电，然后将晶圆传出所述反应腔。 在步骤20中，施加所述等离子的时间范围是在5~60秒之间，其中所述等离子包括三氯 化硼(BC13)及氩气(Ar)，所述等离子的压力范围在6 12毫托(mTorr)之间，所述等 离子的上部功率范围与下部功率范围分别在300-1200瓦特之间与在250~卯0瓦特之间， 及所述等离子中所含的所述三氯化硼与所述氩气的流量范围分别在10~200 sccm之间与 在100-1000 sccm之间。此外，所述等离子中所包含的所述三氯化硼可被氮气或氧气所 取代，而所述氮气或所述氧气的流量则在10~200 sccm之间。通过使用本发明的方法，可产生如下的功效1. 本发明的一高偏压、高瓦特等离子可以清除靠近一晶圆1的一反应腔表面上的一 反应聚合物2，防止所述反应聚合物2再度回到所述晶圆1表面，造成阻碍蚀刻或部分 的蚀刻，所以可降低在所述晶圆1的制造过程中的瑕疵；提升所述晶圆的合格率。2. 本发明的高偏压等离子可有效去除在一铝线两旁的一兔耳朵及所述反应聚合物2， 没有所述反应聚合物2，对于所述晶圆1表面一铝铜线的抗腐蚀时间便可大大地延长至 96小时以上；3. 使用本发明的高偏压、高瓦特等离子的步骤可以同时用来清除所述反应腔中表面的所述反应聚合物2，所以可延长反应腔的平均清洗的循环周期；4. 所述晶圆1表面上的所述反应聚合物2被完全去除,因此可大大縮短下一酸槽时 间；及5. 每片晶圆1的合格率可提升2~5%。
权利要求
1. 一种在一反应腔中处理一晶圆的方法，包括下列步骤执行一过蚀刻，以便使金属线与线之间有足够深度的氧化层隔离深度；施加一高偏压、高瓦特的等离子，以便去除所述晶圆表面上的一反应聚合物以及去除所述反应腔表面上的所述反应聚合物；及执行一除电，以便去除所述晶圆上的静电，然后将所述晶圆传出所述反应腔。
2. 根据权利要求l所述的方法，其中所述等离子的压力范围在6~12毫托之间。
3. 根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子的上部功率范围在300~1200瓦特之 间。
4. 根据权利要求l所述的方法，其中所述等离子的下部功率范围在250-900瓦特之间。
5. 根据权利要求l所述的方法，其中所述等离子包括三氯化硼及氩气。
6. 根据权利要求5所述的方法，其中所述三氯化硼可被氮气或氧气所取代。
7. 根据权利要求l所述的方法，其中施加所述等离子的时间范围是在5~60秒之间。
8. 根据权利要求5所述的方法，其中所述三氯化硼的流量范围是在10-200 sccm之间。
9. 根据权利要求6所述的方法，其中所述氮气或所述氧气的流量范围是在10-200sccm 之间。
10. 根据权利要求5所述的方法，其中所述氩气的流量范围是在100"000sccm之间。
全文摘要
本发明关于一种在一反应腔中处理一晶圆的方法，包括下列步骤执行一过蚀刻，以便使金属线与线之间有足够深度的氧化层隔离深度；施加一高偏压、高瓦特等离子，以便去除所述晶圆表面的一反应聚合物以及去除所述反应腔表面的所述反应聚合物；及执行一除电，以便去除所述晶圆上的静电，然后将晶圆传出反应腔。通过使用本发明的高偏压、高瓦特等离子的方法，可产生如下的功效(1)降低生产所述晶圆的瑕疵；(2)延长所述晶圆表面一铝铜线被腐蚀的时间；(3)延长所述反应腔开腔清洗的一平均循环周期；(4)缩短下一酸槽时间；及(5)每片晶圆的合格率可提升2～5％。
文档编号C23F4/00GK101230463SQ200710002699
公开日2008年7月30日 申请日期2007年1月26日 优先权日2007年1月26日
发明者范振隆 申请人:科林研发股份有限公司