专利名称：：采用磁控溅射连续双面共沉积工艺制高硅钢带的工业化生产系统的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种工业化生产髙硅硅钢薄板的工艺，更特别地说，是指一种采用磁控溅射连续双面共沉积工艺、在低硅硅钢的上、下同时溅射上硅材料并扩散使之成为髙硅硅钢薄板的工业化生产系统。
背景技术：
：磁控溅射原理带电离子和电子在阴阳极两极间电场的作用下加速运动获得足够高的能量并与氩气分子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子。氩离子在电场的作用下加速轰击阴极靶材，溅射出大量的靶材原子沉积在基片上成膜。二次电子在飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，该区域内等离子体密度很高，二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击耙材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，最终沉积在基片上。磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动路径，改变电子的运动方向，提高工作气体的电离率和有效利用电子的能量。Fe-6.5wt。/。Si硅钢具有优异的软磁性能，如中髙频铁损低、磁滞伸缩几乎为零、矫顽力小、磁导率和饱和磁感应强度高等，同时它还具有稳定性好的优点，是一种优秀的软磁材料。目前，Fe-6.5wt。/。Si硅钢薄板基本上采用化学气相沉积方法与热轧法制备。化学气相沉积方法是在真空室中引入硅烷气体，通过加热使硅垸气体分解后，在进行了适当前处理的硅钢板上沉积一定量的硅，然后再通过热处理，获得均匀的Fe-6.5wt。/。Si硅钢薄板。轧制法则是直接对Fe-6.5wt。/。Si的铸锭进行热、冷多次轧制，获得希望厚度的薄板。由于Fe-6.5wt。/。Si自身的脆性以及轧制工艺上的限制，轧制法制备的Fe-6.5wtc/。Si硅钢薄板厚度一般很难低于0.35mm，且成本很高。目前商品化的Fe-6.5wt。/。Si硅钢薄板基本上采用化学气相沉积方法制备。但是由于化学气相沉积方法存在着表面质量差、易引入杂质而降低磁性能、设备寿命低、污染环境等不能妥善处理的问题，使其在工业生产中不能被广泛应用。
发明内容本发明的目的是提出一种釆用磁控溅射方法、在低硅硅钢薄板的上、下连续双面共沉积制备硅材料，从而制得高硅硅钢薄板的工业化生产系统；该工业化生产系统通过对低硅硅钢薄板进行预热去杂、磁控溅射双面沉积硅材料、硅扩散、冷却定型后制得高硅硅钢薄板。本发明的连续双面共沉积制硅材料的工业化生产系统通过在磁控溅射室中对称布置多个阴极靶的方式，在收巻机的带动下，实现了连续沉积硅材料的目的，且能耗低，生产效率高。本发明提出的连续双面共沉积制硅材料的工业化生产系统解决了现有商品化Fe-6.5wt。/。Si硅钢薄板基本上采用化学气相沉积方法制得的缺陷。本发明是一种采用磁控溅射连续双面共沉积工艺制高硅钢带的工业化生产系统，该高硅硅钢薄板工业化生产系统从低硅硅钢薄板被开巻机(2)送入生产系统开始至制得高硅硅钢薄板结束止，生产流水线上设备的顺序为焊接机(3)、预热室(4)、磁控溅射室(1)、扩散室(5)、冷却室(6)、巻取机(7);预热室(4)用于对低硅硅钢薄板(la)进行加热，使低硅硅钢薄板(la)获得均匀的20030(TC携带温度；预热室(4)提供的加热温度为200~300°C，有效加热长度210m;磁控溅射室(1)用于在第一阶段薄板(1A)的上、下同时连续共沉积硅材料；磁控溅射室(1)的加工工艺条件(A)设置磁控溅射室(1)中的阴极靶的个数、布局方式；所述布局方式为阴极靶相对放置或者是阴极靶交叉放置；(B)对磁控溅射室(1)抽真空度至1.0X10_3~8.0X10_4/^;(C)充入氩气，保持磁控溅射室(1)的溅射气压在0.52.0尸a;(D)调节磁控溅射室(1)中单个阴极靶的放电电压300~600r、电流密度560mJ、沉积速率为0.21.2//m/min;磁控溅射室(1)中上下两组阴极靶的靶面间距A-60180附m，同一侧中相邻两个阴极靶的间距"。=300500mm，磁控溅射室(1)的整体长度丄=530m;扩散室(5)用于对第二阶段薄板(IB)在1000125(TC高温环境下进行热处理，扩散室(5)提供的热处理温度为10001250°C，有效加热长度520m;冷却室(6)用于对第三阶段薄板(1C)进行冷却；冷却室(5)提供的冷却温度为200500。C，制冷区域长度210m;开巻机(2)提供的连续生产速度v-l50m/;z;收巻机(7)用于对冷却后的高硅硅钢薄板(lb)进行巻装成盘。所述磁控溅射室(1)中阴极靶包括有盖板(101)、永磁体(102)、磁靴(103)、阴极套(104)、阴极帽(106)、外罩(105)，永磁体(102)位于磁靴(103)的中心位置，磁靴(103)套装在阴极套(104)内，阴极套(104)外部套装有外罩(105)，外罩(105)的底端连接有阴极帽(106)，阴极帽(106)的内部设有凸台(161)，凸台(161)上放置有靶材(110);盖板(101)与阴极套(l(M)的上端之间有密封垫(107)，盖板(101)上设有进水孔(111)、出水孔(112)，进水孔(111)、出水孔(112)通过管道分别与外部的冷却水连通。本发明提出的采用磁控溅射方法、在低硅硅钢薄板上、下连续双面共沉积制硅材料，获得高硅硅钢薄板的工业化生产系统，可以改进及解决现有的制造硅钢片工艺复杂、成本高等缺点。以金属硅(或硅铁合金)为阴极靶，以连续传输的厚度在0.10.35mm范围内的低硅硅钢板(阳极)，并且两组或多组阴极靶在低硅硅钢板上下对称分布，阴极靶后均设置控制磁场。在工作系统预先抽真空到真空度达10_210-3Pa后，系统通入氩气，压力升到0.52P"时阴阳极接通电源，在电场作用下使Ar原子电离，由Ar离子轰击靶材、使靶表面原子同时(或分别)溅射沉积在低硅硅钢板上下表面上，形成1030;/m硅单质薄膜(或高硅含量硅铁薄膜)。镀膜纯铁薄带传输出溅射区立即进入1000125CTC高温扩散区，使表层硅原子向内扩散直至钢带中的含硅量达到额定工艺要求，并呈均匀分布，获得较高硅硅钢板。本发明的方法能通过控制极放电电流密度和低硅硅钢板传输速度调整镀膜层厚度及致密度，通过控制扩散温度和低硅硅钢板传输速度、加热区间长度确定扩散时间以调整低硅硅钢板中的含硅量保证在预定指标，并且硅原子在低硅硅钢板中呈均匀分布。由于本发明的方法工作效率高，制备过程的工艺参数容易控制，产品的质量容易得到保证，因此极其适合工业化应用。图1是本发明在低硅硅钢薄板的上、下采用磁控溅射方法，连续双面共沉积制硅材料，获得高硅硅钢薄板的工业化生产结构简示图。图2是本发明磁控溅射室内阴极靶对称放置的布局示图。图3是本发明相对放置的两个阴极靶与低硅钢带的布局示图c图4是本发明A阴极靶的爆炸示图。图4A是本发明A阴极靶的剖视图。图中l.磁控溅射室2.开巻机3.焊接机7.收巻机la.低硅硅钢带1B.第二阶段薄板llb.第B上阴极靶12b.第B下阴极靶112.出水孔102.永磁体4.预热室lb.高硅硅钢带1C.第三阶段薄板11.第N上阴极靶12.第N下阴极靶103.磁靴106.阴极帽161.凸台107.密封垫110.靶材5.扩散室6.冷却室IA.第一阶段薄板lla.第A上阴极靶12&.第八下阴极靶101.盖板lll.进水孔104.阴极套105.屏蔽套具体实施例方式下面将结合附图和实施例对本发明做进一步的详细说明。本发明是一种釆用磁控溅射方法、在低硅硅钢薄板上、下连续双面共沉积制硅材料，获得髙硅硅钢薄板的工业化生产系统，(参见图1所示)该高硅硅钢薄板工业化生产系统从低硅硅钢薄板被开巻机2送入生产系统开始至制得高硅硅钢薄板结束止，生产流水线上设备的顺序为焊接机3、预热室4、磁控溅射室l、扩散室5、冷却室6、巻取机7。所述焊接机3是用于将上一次的低硅硅钢薄板与本次的低硅硅钢薄板首尾相焊接，实现工艺的连续生产，同时也解决了现有将首尾低硅硅钢薄板作为废料造成的加工成本增大。在本发明的高硅硅钢薄板工业化生产系统中，也可以在巻取机7之前设置一切割机，所述切割机有助于根据客户提出的所需硅钢长度要求进行定量制备高硅硅钢薄板。本发明中所述的低硅硅钢薄板是指硅含量等于小于3wt%的硅钢板，所述的高硅硅钢薄板是指经本发明的生产线后制得的硅钢板，一般硅含量为58wt%。本发明的生产线能够对厚度小于0.35附m的硅钢板进行硅含量的沉积制备。在本发明中，低硅硅钢薄板的一端固定在开巻机2上，低硅硅钢薄板的另一端顺次穿过焊接机3、预热室4、磁控溅射室l、扩散室5、冷却室6后被巻取机7收巻成盘。为了叙述方便，将低硅硅钢薄板进入磁控溅射室1之前称之为第一阶段薄板1A(即经预热室4处理后的低硅硅钢薄板)；第一阶段薄板1A经磁控溅射室1后，第一阶段薄板1A的上下表面沉积了一定量的硅材料，此时称之为第二阶段薄板IB;第二阶段薄板IB经扩散室5后，使第二阶段薄板IB上沉积的硅材料被热处理，此时称之为第三阶段薄板ic。在本发明中，工业化磁控溅射双面共沉积生产高硅硅钢板的生产线上的各个部分实现的功能作如下说明一、加热低硅硅钢薄板预热室4用于对低硅硅钢薄板la进行加热，使低硅硅钢薄板la获得均匀的2003(XTC携带温度，成为第一阶段薄板1A;预热室4提供的加热温度为200300°C，有效加热长度210m。在本发明中，对低硅硅钢薄板la进行加热一定温度有利于在磁控溅射室1中沉积硅材料，以及提高硅材料与第一阶段薄板1A的结合质量。二、磁控溅射双面连续共沉积硅材料磁控溅射室1用于在第一阶段薄板1A的上、下同时连续共沉积硅材料；磁控溅射室1的加工工艺条件(A)设置磁控溅射室1中的阴极靶的个数、布局方式；所述布局方式为阴极靶相对放置或者是阴极靶交叉放置；(B)对磁控溅射室1抽真空度至l.OX10_38.0X10—4尸"；(C)充入氩气，保持磁控溅射室l的溅射气压在0.52.0Pa;(D)调节磁控溅射室1中单个阴极靶的放电电压300600F、电流密度560附^、沉积速率为0.21.2//w/min;磁控溅射室1提供的沉积速率随溅射气压、溅射功率及靶基距控制，膜层厚度由单侧阴极靶分布个数及薄板传输速度控制。磁控溅射室1中上下两组阴极靶的靶面间距/^=60180mm，同一侧中相邻两个阴极靶的间距"。=300~500附附。每一侧阴极靶的个数可以是3~30个进行排列。上下两组阴极靶的布局方式可以是以第一阶段薄板1A对称，且上阴极靶与下阴极靶相对放置，称为阴极靶相对放置(参见图2所示)；也可以是上下两组阴极耙以第一阶段薄板1A对称，但上阴极靶与下阴极靶交叉放置，称为阴极靶交叉放置(参见图2A所示)。三、硅材料的扩散扩散室5用于对第二阶段薄板IB在1000125CrC高温环境下进行热处理，有利于将沉积在第二阶段薄板1B上、下的硅材料充分地扩散至低硅硅钢薄板中，使低硅硅钢薄板的硅含量的质量百分比数得到提高；扩散室5提供的热处理温度为1000~1250°C，有效加热长度520m;四、冷却冷却室6用于对第三阶段薄板1C进行冷却；冷却室5提供的冷却温度为2005CXTC，制冷区域长度210m。五、可控的连续生产速度开巻机2提供的连续生产速度v=l~50W//2。在本发明中，开巻机2—方面用于安装低硅硅钢薄板，另一方面为连续生产提供连续生产速度v-l50m/Zz，该连续生产速度v与沉积的硅含量Gs,、磁控溅射室1的横向长度丄、磁控溅射室1内设置阴极靶的个数7V相关。即当横向长度丄、阴极靶个数^一定时，硅沉积含量《,少，则连续生产速度v就快。即当横向长度丄、阴极靶个数W—定时，硅沉积含量C^,多，则连续生产速度v就慢。即当横向长度丄、硅沉积含量^,一定时，阴极靶个数W少，则连续生产速度v就慢。即当横向长度丄、硅沉积含量Gs,—定时，阴极靶个数7V多，则连续生产速度v就快。即当阴极靶个数W、硅沉积含量(^一定时，横向长度丄短，则连续生产速度v就慢。即当阴极靶个数W、硅沉积含量Gs,—定时，横向长度丄长，则连续生产速度v就快。六、巻装成盘收巻机7用于对冷却后的高硅硅钢薄板lb进行巻装成盘。本发明的高硅硅钢薄板工业化生产系统，能够生产出0.100.35w附厚度的髙硅硅钢薄板lb，且高硅硅钢薄板lb中硅含量可达58wt。/。，硅含量分布均匀。在本发明中，磁控溅射室1内布置有多个阴极靶，阴极靶分布在第一阶段薄板1A的上、下。上下阴极靶可以相对放置，即阴极帽相对放置(使得耙材正对于第一阶段薄板1A的上下带面)；上下阴极靶也可以交叉错位放置，即上下阴极靶互相错开，但阴极帽仍正对第一阶段薄板1A的上下带面。阴极靶在磁控溅射室1的每一侧阴极靶的个数可以是330个进行排列(上下总个数为660个)。参见图2、图3所示，第一阶段薄板IA位于上阴极靶与下阴极靶之间，且上阴极靶与下阴极靶以第一阶段薄板1A为中心对称布置，上阴极靶与下阴极靶的阴极帽相对放置；上阴极靶与下阴极靶的结构相同。上阴极靶可以是指第A上阴极靶lla、第B上阴极靶llb、第N上阴极靶ll，下阴极靶可以是指第A下阴极靶12a、第B下阴极耙12b、第N下阴极靶12。因为靶材是放置在这对阴极靶(一个上阴极靶与一个下阴极靶称为一对阴极靶)的阴极帽的凸台上，溅射时便可实现在第一阶段薄板1A上下带面同时连续制备靶材的目的。磁控溅射室1的整体长度Z==530m，纵向两个阴极耙之间间距^=300500^7，上下对称放置的阴极靶靶面间距为&=60180mm。在本发明中，阴极靶中的励磁场采用电磁线圈或永磁体励磁方式且同极相对，即第N上阴极靶ll(位于第一阶段薄板1A上方)、第N下阴极靶12(位于第一阶段薄板1A下方)中的永磁体的极化方向是相对的，即N极对N极，或者S极对S极。各阴极靶并联在一台或各自独立连接在多台直流或射频电源上，以工件(如低硅钢带)为阳极，硅靶为阴极。参见图4、图4A所示，第N上阴极靶ll包括有盖板lOl、永磁体102、磁靴103、阴极套104、阴极帽106、外罩105，永磁体102位于磁靴103的中心位置，磁靴103套装在阴极套104内，阴极套104外部套装有外罩105,外罩105的底端连接有阴极帽106，阴极帽106的内部设有凸台161(凸台161用于放置靶材110);盖板101与阴极套104的上端之间有密封垫107,盖板101上设有进水孔111、出水孔112，进水孔lll、出水孔112通过管道分别与外部的冷却水连通，通过螺钉与螺孔(设在阴极套104的上端面上)配合实现将盖板101安装在阴极套104的上端。靶材IIO放置于阴极帽106内的凸台161上。实施例1:在厚0.20mm的Fe-3.0wt%Si低硅钢带上制得Fe-6.5wt%Si高硅钢带在厚0.20mm的Fe-3.0wt%Si低硅钢带的上、下双面沉积纯度99.9%硅材料，沉积硅材料厚度为15//m。磁控溅射双面共沉积工业化生产髙硅钢带的条件如下表<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>磁控溅射双面共沉积工业化生产高硅钢带的加工步骤包括有第一步准备硅靶材靶材为多晶硅，厚度6mmX长度300ranX宽度300mw，靶材尺寸与阴极帽106内设置的凸台161尺寸相适配；第二步安装硅钢带将厚0.20mm的Fe-3.0wt%Si低硅钢带的一端安装在开巻机2上，另一端顺次经焊接机3、预热室4、磁控溅射室l、扩散室5、冷却室6后安装在巻取机7;第三步调整磁控溅射室在磁控溅射室1中以厚0.20mm的Fe-3.0wt%Si硅钢带为中心对称，上下各放十二个阴极靶；以上表给定的条件进行控制；第四步依据上表调整预热室4、扩散室5、冷却室6的加工条件；第五步调整开巻机2以匀速速度10附//2进行传输制高硅钢带；第六步经巻取机7巻装成盘。将第五步骤制得的高硅钢带经EDS能谱仪及电子探针微区分析检测，高硅钢带断面在表面层的Si含量达6.55wt%，高硅钢带中心Si含量达6.48wt%，Si含量在带面内基本呈现均匀分布。经检测其软磁性能B,1.78r，PW5。=0.50^7^，P誦o-7.86瞎g。实施例2:在35WW270低硅钢带上制得Fe-6.5wt%Si高硅钢带在35WW270低硅钢带的上、下双面沉积纯度99.9%硅材料，沉积硅材料厚度为20戶。磁控溅射双面共沉积工业化生产高硅钢带的条件如下表<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>磁控溅射双面共沉积工业化生产高硅钢带的加工步骤包括有第一步准备硅靶材靶材为多晶硅，厚度6mmX长度300附mX宽度300mm，靶材尺寸与阴极帽106内设置的凸台161尺寸相适配；第二步安装硅钢带将35WW270低硅钢带的一端安装在开巻机2上，另一端顺次经焊接机3、预热室4、磁控溅射室l、扩散室5、冷却室6后安装在巻取机7;第三步调整磁控溅射室在磁控溅射室1中以35WW270硅钢带为中心对称，上下各放十八个阴极靶；以上表给定的条件进行控制；第四步依据上表调整预热室4、扩散室5、冷却室6的加工条件；第五步调整开巻机2以匀速速度8mM进行传输制高硅钢带；第六步经巻取机7巻装成盘。将第五步骤制得的高硅钢带经EDS能谱仪及电子探针微区分析检测，高硅钢带断面在表面层的Si含量达6.65wt%，高硅钢带中心Si含量达6.42wt%，Si含量在带面内基本呈现均匀分布。经检测其软磁性能B,1.80r，P1(V5。=0.48『/ii:g，P,0=9.85『/^。实施例3:在35WW440低硅钢带上制得高硅钢带在35WW440低硅钢带的上、下双面沉积纯度99.9。/。硅材料，沉积硅材料厚度为20，。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>磁控溅射双面共沉积工业化生产高硅钢带的加工步骤包括有第一步准备硅靶材靶材为多晶硅，厚度6mmX长度300/wwX宽度300w7附，靶材尺寸与阴极帽106内设置的凸台161尺寸相适配；第二步安装硅钢带将35WW440低硅钢带的一端安装在开巻机2上，另一端顺次经焊接机3、预热室4、磁控溅射室l、扩散室5、冷却室6后安装在巻取机7;第三步调整磁控溅射室在磁控溅射室1中以35WW440硅钢带为中心对称，上下各放十八个阴极靶；以上表给定的条件进行控制；第四步依据上表调整预热室4、扩散室5、冷却室6的加工条件；第五步调整开巻机2以匀速速度8mM进行传输制高硅钢带；第六步经巻取机7巻装成盘。将第五步骤制得的高硅钢带经EDS能谱仪及电子探针微区分析检测，高硅钢带断面在表面层的Si含量达5.2wt%，高硅钢带中心Si含量达5.15wt%，Si含量在带面内基本呈现均匀分布。经检测其软磁性能Bs-1.88r，P1Q/5。=0.80『/A:g，P翻。-13.05『/尺g。权利要求1、一种采用磁控溅射连续双面共沉积工艺制高硅钢带的工业化生产系统，其特征在于该高硅硅钢薄板工业化生产系统从低硅硅钢薄板被开卷机(2)送入生产系统开始至制得高硅硅钢薄板结束止，生产流水线上设备的顺序为焊接机(3)、预热室(4)、磁控溅射室(1)、扩散室(5)、冷却室(6)、卷取机(7)；预热室(4)用于对低硅硅钢薄板(1a)进行加热，使低硅硅钢薄板(1a)获得均匀的200～300℃携带温度；预热室(4)提供的加热温度为200～300℃，有效加热长度2～10m；磁控溅射室(1)用于在第一阶段薄板(1A)的上、下同时连续共沉积硅材料；磁控溅射室(1)的加工工艺条件(A)设置磁控溅射室(1)中的阴极靶的个数、布局方式；所述布局方式为阴极靶相对放置或者是阴极靶交叉放置；(B)对磁控溅射室(1)抽真空度至1.0×10-3～8.0×10-4Pa；(C)充入氩气，保持磁控溅射室(1)的溅射气压在0.5～2.0Pa；(D)调节磁控溅射室(1)中单个阴极靶的放电电压300～600V、电流密度5～60mA、沉积速率为0.2～1.2μm/min；磁控溅射室(1)中上下两组阴极靶的靶面间距h0＝60～180mm，同一侧中相邻两个阴极靶的间距d0＝300～500mm，磁控溅射室(1)的整体长度L＝5～30m；扩散室(5)用于对第二阶段薄板(1B)在1000～1250℃高温环境下进行热处理，扩散室(5)提供的热处理温度为1000～1250℃，有效加热长度5～20m；冷却室(6)用于对第三阶段薄板(1C)进行冷却；冷却室(5)提供的冷却温度为200～500℃，制冷区域长度2～10m；开卷机(2)提供的连续生产速度v＝1～50m/h；收卷机(7)用于对冷却后的高硅硅钢薄板(1b)进行卷装成盘。2、根据权利要求1所述的采用磁控溅射连续双面共沉积工艺制高硅钢带的工业化生产系统，其特征在于磁控溅射室(1)中阴极靶包括有盖板(101)、永磁体(102)、磁靴(103)、阴极套(104)、阴极帽(106)、外罩(105)，永磁体(102)位于磁靴(103)的中心位置，磁靴(103)套装在阴极套(104)内，阴极套(104)外部套装有外罩(105),外罩(105)的底端连接有阴极帽(106)，阴极帽(106)的内部设有凸台(161)，凸台(161)上放置有靶材(110);盖板(101)与阴极套(104)的上端之间有密封垫(107)，盖板(101)上设有进水孔(111)、出水孔(112)，进水孔(111)、出水孔(112)通过管道分别与外部的冷却水连通。3、根据权利要求1所述的采用磁控溅射连续双面共沉积工艺制高硅钢带的工业化生产系统，其特征在于磁控溅射室(1)中阴极靶的布置为相对放置或者交叉错位放置。4、根据权利要求1所述的采用磁控溅射连续双面共沉积工艺制高硅钢带的工业化生产系统，其特征在于磁控溅射室(1)中阴极靶的总个数是660个。5、根据权利要求1所述的采用磁控溅射连续双面共沉积工艺制高硅钢带的工业化生产系统，其特征在于生产线能够对厚度小于0.35附m的低硅硅钢板进行硅含量的沉积扩散，扩散后硅含量为58wt。/。。全文摘要本发明公开了一种采用磁控溅射连续双面共沉积工艺制高硅钢带的工业化生产系统，该高硅硅钢薄板工业化生产系统从低硅硅钢薄板被开卷机(2)送入生产系统开始至制得高硅硅钢薄板结束止，生产流水线上设备的顺序为焊接机(3)、预热室(4)、磁控溅射室(1)、扩散室(5)、冷却室(6)、卷取机(7)。本发明的连续双面共沉积制硅材料的工业化生产系统通过在磁控溅射室中对称布置多个阴极靶的方式，在开卷机(2)的带动下，能够对厚度小于0.35mm的低硅硅钢板进行硅含量为5～8wt％的沉积，实现了连续沉积硅材料的目的，且能耗低，生产效率高。本发明工业化生产系统解决了现有只能采用化学气相沉积方法制商品化Fe-6.5wt％Si硅钢板的缺陷。文档编号C23C14/35GK101319306SQ20081011625公开日2008年12月10日申请日期2008年7月8日优先权日2008年7月8日发明者毕晓昉,田广科申请人:北京航空航天大学